Przedmiotem wynalazku jest uklad korekcji znieksztalcen bocznych poduszkowych dla ukladów odchylania odbiorników telewizyjnych.\Y odbiornikach telewizyjnych wiazki elektronów wewnatrz kineskopu sa odchylane polami magnetycznymi wytwarzanymi przez prad piloksztaltny przeplywajacy w uzwojeniach odchylania linii i pola. Odchylane wiazki elektronów tworza osnowe obrazu na ekranie luminoforowym kineskopu. Osnowa obrazu bez korekcji noze byc w rózny sposób odksztalcona geometrycznie.Na przyklad moze miec znieksztalcenia na obszarach bocznych, lub mówiac inaczej miec znie¬ ksztalcenia typu wschód-zachód, oraz znieksztalcenia na obszarach górnym i dolnym, lub mówiac inaczej miec znieksztalcenia typu pólnoc-poludnie.Aby skorygowac boczne znieksztalcenia poduszkowe moduluje sie ksztalt pradu odchylania linii przeplywajacego przez uzwojenie odchylania linii z czestotliwoscia odchylania pola w taki sposób, ze pradowi odchylania linii w zakresie wartosci miedzyszczytowej nadaje sie ksztalt odpowiadajacy wycinkowi paraboli, w przypadku kineskopów o duzych katach odchylania takich, jak 100° lub 110° taka modulacja paraboliczna moze byc realizowana przez uklad mo¬ dulatora, na przyklad modulatora diodowego polaczonego z uzwojeniem odchylania linii.:H typowych ukladach modulatorów diodowych kondensator wyznaczajacy linie odchylania jest polaczony z uzwojeniem odchylania, a z kondensatorem modulatora polaczona jest cewka in¬ dukcyjna modulatora. Dwa kondensatory sa ladowane ze zródla zasilania o roboczym napieciu zasilania przez uzwojenie pierwotne transformatora powrotu. Przelacznik odchylania i prze¬ lacznik modulatora sa przewidziane po to, aby wytwarzac piloksztaltny prad o czestotliwosci odchylania linii w uzwojeniu odchylania i cewce indukcyjnej modulatora. W przedziale czaso¬ wym powrotu linii uzwojenia odchylania linii i cewka indukcyjna modulatora sa w rezonansie z odpowiednimi kondensatorami powrotu przeznaczonymi do zapewnienia przeplywu pradu pilo- ksztaltnego w kierunku powrotnym.\ 2 132 685 \ \ Uklad sterujacy modulatora polaczony z kondensatorem modulatora zmienia napiecia na kondensatorze w sposób paraboliczny. W wyniku napiecii odchylania na kondensatorze wyzna¬ czajacym linie odchylania zmienia sie w podobny sposób, na skutek czego wprowadza sie ko¬ rekcje bocznych znieksztalcen poduszkowych. Uklad modulatora z reguly zawiera stopien tran¬ zystorowy majacy glówny obwód przewodzacy prad bocznikujacy kondensator modulatora. Poprzez sterowanie wartoscia bocznikowanego pradu modulatora stopien tranzystorowy steruje napie¬ ciami modulatora jak tez odchylania. Doprowadzajac do stopnia tranzystorowego sygnal pola¬ ryzacji o czestotliwosci odchylania pola, który zmienia sie w sposób paraboliczny, zapewnia sie, ze w taki sam sposób zmienia sie prad bocznikujacy, a przez to napiecie modulatora i odchylania, dzieki czemu wprowadza sie wymagana korekcje bocznych znieksztalcen podusz¬ kowych.W warunkach wadliwego dzialania, na przyklad przy rozwartym obwodzie uzwojenia odchyla¬ nia lub kondensatora wyznaczajacego linie odchylania, napiecie na kondensatorze modulatora ma tendencje do zwiekszania sie do poziomu znacznie wiekszego niz szczytowe napiecie modu¬ latora wystepujace w normalnych warunkach roboczych. Takie zwiekszone napiecie na kondensa¬ torze modulatora jest doprowadzane do stopnia sterujacego ukladu modulatora, co powoduje ustawienie modulatora w stan okreslony jako przepiecie, co z kolei moze spowodowac uszko¬ dzenie tranzystorów wchodzacych w sklad stopnia sterujacego.Niektóre rozwiazania dotyczace tranzystorowych stopni modulatora przewiduja zastosowa¬ nie emiterowych wtórników z ujemnym napieciowym sprzezeniem zwrotnym. Czyni sie to tak w celu utrzymania ksztaltu parabolicznego napiecia na kondensatorze modulatora zmieniajacego sie z czestotliwoscia odchylania pola. ,7 warunkach zaklóconych takie uklady z wtórnikami emiterowymi maja tendencje bocznikowania szkodliwych duzych pradów, które w innym przypadku przeplywalyby przez kondensator modulatora, co z kolei powoduje nadmierne rozproszenie energii przez stopnie tranzystorowe. Co wiecej, nawet przy zapewnieniu ujemnego sprzezenia zwrotnego, napiecie na kondensatorze modulatora moze wykazywac zauwazalna tendencje do nie¬ pozadanego zwiekszenia pradu w zaklóconych warunkach pracy ukladu.Zadaniem wynalazku jest zabezpieczenie sie przed nadmiernym obciazeniem stopni tran¬ zystorowych ukladu modulatora w wadliwych warunkach pracy.Przedmiotem wynalazku jest uklad korekcji znieksztalcen bocznych poduszkowych dla ukladów odchylania odbiorników telewizyjnych, zawierajacy uzwojenie odchylania linii polaczone z generatorem sygnalu odchylania linii, kondensator ksztaltujacy linie odchylania polaczony szeregowo z uzwojeniem odchylania linii, pierwszy obwód przelaczajacy, skladajacy sie z po¬ laczonych równolegle i dolaczonych równolegle do polaczonych szeregowo kondensatora ksztal¬ tujacego linie odchylania i uzwojenia odchylania diody tlumiacej i pierwszego kondensatora powrotu linii, na którym wytwarzane jest napiecie odchylania linii, modulator diodowy, skla¬ dajacy sie z polaczonych szeregowo z uzwojeniem odchylania linii cewki indukcyjnej i konden¬ satora, do których równolegle dolaczony jest obwód przelaczajacy modulatora skladajacy sie z równolegle polaczonych diody i drugiego kondensatora powrotu linii, stanowiacy drugi obwód przelaczajacy, sterowany obwód bocznikujacy, dolaczony równolegle do kondensatora modulatora i polaczony ze zródlem napiecia polaryzacji o czestotliwosci odchylania pola, zródlo robo¬ czego napiecia zasilania, do którego dolaczony jest uklad korekcji. Zgodnie z wynalazkiem uklad zawiera zródlo napiecia odniesienia oraz komutowany obwód stabilizacji napiecia na kon¬ densatorze modulatora, wlaczony miedzy punktem polaczenia cewki indukcyjnej i kondensatora modulatora a zródlem napiecia odniesienia.Komutowany obwód stabilizacji napiecia na kondensatorze modulatora zawiera diode wla¬ czona sseregowo z obwodem kolektor-emiter tranzystora tworzacego sterowany obwód boczniku¬ jacy dla kondensatora modulatora. Sterowany obwód bocznikujacy jest polaczony z regulowanym obwodem korekcji szerokosci osnowy obrazu, wlaczonym miedzy baza tranzystora a zródlem na¬ piecia odniesienia. Regulowany obwód korekcji szerokosci osnowy obrazu zawiera rezystorowy dzielnik napieciowy. Modulator jest dolaczony do generatora odchylania linii poprzez obwód przelaczajacy.132685 3 / ( Rozwiazani^ wedlug wynalazku jest odtworzone w przykladzie realizacji wynalazku na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad odchylania z korekcja bocznych znieksztalcen po¬ duszkowych i jlbezpieczeniem nadmiarowym wedlug wynalazku, a fig, 2-4 przedstawiaja ksztal¬ ty sygnalów y/twarzanych przez poszczególne obwody ukladu z fig. 1.'•V ukladzie 10 odchylania linii, przedstawionym na fig. 1, napiecie B+ na zacisku 21 doprowadzana jest do uzwojenia pierwotnego 22a transformatora wyjsciowego odchylania linii 22. Uzwójeifle pierwotne 22a jest polaczone z obwodem przelaczajacym, którym jest obwód ko- lektorowy Wyjsciowego tranzystora 27, w punkcie 43.Do te/fa punktu 43 dolaczony jest obwód szeregowy skladajacy sie z kondensatora 31 ksztal¬ tujacego jinie odchylania oraz uzwojenie odchylania linii 30 polaczone w jednym obwodzie równoleglym z kondensatorem powrotu 29 i dioda tlumiaca 28.Uklad?modulatora diodowego 55 jest dolaczony do uzwojenia odchylania linii 30 w celu zapewnieria korekcji znieksztalcen poduszkowych poprzez korygowanie pradu iy odchylania linii* Mcjlulator diodowy zawiera polaczone szeregowo cewke indukcyjna 34 modulatora oraz kondensator 35 modulatora, przy czym cewka indukcyjna 34 modulatora jest polaczona z uzwoje¬ niem odchylania linii 30 w punkcie 41. Równolegle do polaczonych szeregowo cewki indukcyjnej modulatora i kondensatora modulatora jest dolaczony kondensator powrotu modulatora 33 oraz drugi przelacznik, którym jest dioda modulatora 32.Kondensator 31 ksztaltujacy linie odchylania oraz kondensator modulatora 35 sa ladowa¬ ne ze zródla o napieciu zasilania B+ reprezentowanego zaciskiem roboczym 21, przy czym prad ladowania przeplywa od zacisku 21 przez pierwotne uzwojenie 22a transformatora. Przy tym na kondensatorze ustala sie napiecie Vt ksztaltujace linie odchylania, a na kondensatorze 35 ustala sie napiecie modulatora V • Wartosc srednia napiecia modulatora V , gdy usrednia sie to napiecie w czasie odpowia¬ dajacym znacznej liczbie cykli odchylania linii, jest sterowana przez tranzystor boczniku¬ jacy 36 dolaczony do kondensatora modulatora 35 w punkcie 40. Rezystor polaryzujacy 53 jest wlaczony miedzy emiterem sterowanego tranzystora bocznikujacego 36 a wspólnym punktem ukladu.Zmieniajaca sie wartosc bocznikujacego pradu i przeplywajacego z pominieciem kondensatora s modulatora 35 i kierowanego ku kolektorowi tranzystora 36 zmienia srednia wartosc napiecia modulatora V na kondensatorze 35. Tranzystor bocznikujacy 36 stanowi czesc obwodu steruja¬ cego 37 modulatora, który zawiera zwykly generator 54 sygnalowy wytwarzajacy sygnaly, któ¬ rych ksztalt odwzorowuje funkcje paraboliczna, i obwodu 57 korekcji szerokosci osnowy obrazu.Generator 54 sygnalów parabolicznych wytwarza sygnal o czestotliwosci odchylania pola równej 1/Ty,majacy ksztalt paraboli. Ten sygnal 38, jako sygnal polaryzacji, jest doprowa¬ dzany do bazy tranzystora 36 poprzez kondensator 51 i rezystor 52. wartosc srednia napiecia modulatora Vm w ten sposób równiez zmienia sie z czestotliwoscia odchylania pola w sposób paraboliczny, jak to zostalo schematycznie przedstawione na wykresie 39 fig. 1 odwzorujacym ksztalt sygnalu. Frzy sredniej wartosci napiecia modulatora zmieniajacej sie z czestotli¬ woscia odchylania pola w sposób paraboliczny srednia wartosc napiecia V^ ksztaltujacego li¬ nie odchylania na kondensatorze 31 ksztaltujacym linie odchylania bedzie równiez zmieniac sie z czestotliwoscia odchylania pola w sposób paraboliczny osiagajac wartosc maksymalna w punkcie srodkowym przedzialu czasowego odchylania pola, to znaczy tak, jak to jest wymaga¬ ne, aby zapewnic korekcje bocznych znieksztalcen poduszkowych poprzez korygowanie pradu i odchylania linii.Regulowany obwód sterujacy 57 zapewniajacy regulacje szerokosci osnowy obrazu zawiera rezystorowy dzielnik napiecia zrealizowany z wykorzystaniem rezystorów 46-49. Przy tym baza tranzystora 36 jest dolaczona do punktu polaczenia rezystorów 48 i 49. Rezystor 48 jest przy tym polaczony z suwakiem rezystora regulowanego 47. Obwód 57 wytwarza regulowany prad pola-* ryzacji bazy dla sterowanego tranzystora bocznikujacego 36 celem zapewnienia mozliwosci re¬ gulacji poziomu stalopradowego pradu bocznikujacego i , przez co zapewnia sie regulacje szerokosci osnowy obrazu. v4 132,685 \ \ W czasie pierwszej czesci przedzialu czasowego odchylania linii, po momencie t^t /patrz fig, 2a-2&/ zarówno dioda tlumiaca 28, jak tez dioda fijodulatora 32, sa w stanie przewodzenia, co jest reprezentowane pradem i2Q przeplywajacy* przez diode tlumiaca 28, ,/fig. 2&£ i pradem i,2 przeplywajacym przez diode modulatora 32^/fig. 2e/ Napiecie Vt ksztaltujace linie odchylania jest przykladane do uzwojenia odchylania 30 celem wytwo¬ rzenia piloksztaltnego pradu i odchylania linii majacego ksztalt litery S o bieguno¬ wosci dodatniej, jak to zostalo przedstawione na fig. 2a. Podobnie napiecie modulatora V , którego ksztalt jest odwzorowany wykresem przedstawionym na fig. 2g, jest przyklada¬ ne do cewki indukcyjnej modulatora 34 celem wytworzenia w cewce modulatora 34 piloksztal¬ tnego pradu modulatora i o biegunowosci dodatniej.Gdy prad bocznikujacy i_ regulowany przez tranzystor bocznikujacy 36 zmienia sie z s czestotliwoscia odchylania pola, napiecie modulatora Vm zmienia sie w podobny sposób w zakresie od górnej obwiedni do dolnej obwiedni wykresu przedstawionego na fig. 2f, a mia¬ nowicie liniami pionowymi wykreslonymi miedzy tymi obwiedniami. Gdy napiecie modulatora V jest modulowane z czestotliwoscia odchylania pola w sposób paraboliczny, napiecie V^ ksztaltujace linie odchylania jest modulowane w sposób podobny, w wyniku czego wytwarzany jest modulowany z czestotliwoscia odchylania pola prad odchylania linii i , jak schematycz- nie przedstawiono na fig. 2a liniami pionowymi wykreslonymi miedzy dwoma obwiedniami. Wów¬ czas wprowadza sie korekcje bocznych znieksztalcen poduszkowych.Jak zaznaczono powyzej, w pierwszej czesci przedzialu odchylania linii po momencie t^ zarówno dioda.tlumiaca 28, jak tez dioda modulatora 32, znajduja sie w stanie przewodzenia, przy czym ksztalty pradów przeplywajacych przez cewke odchylania linii i przez cewke induk¬ cyjna modulatora sa przedstawione na fig. 2d i fig. 2e odpowiednio. Druga skladowa kazdego z pradów przeplywajacych przez wspomniane diody stanowi prad i przeplywajacy przez uzwoje¬ nie pierwotne 22a transformatora. ',7 poblizu momentu t2 generator sygnalu odchylania linii 26 dostarcza napiecia polaryzu¬ jace wyjsciowy tranzystor odchylania linii 27 w kierunku przewodzenia doprowadzane do bazy tego tranzystora. Wyjsciowy tranzystor odchylania linii 27 przyjmuje wówczas funkcje prze¬ wodzenia pradu od diody modulatora 32, przy czym tranzystor pracuje w tym momencie w warun¬ kach odwróconej polaryzacji zlacza baza-kolektor, co zostalo przedstawione na wykresie z fig. 2c odwzorowujacym ksztalt pradu kolektorowego ip7 przeplywajacego w przedziale czaso¬ wym t2 - t.*» Nalezy zaznaczyó, ze w tym przedziale czasowym brak jest przeplywu pradu i*2 przez diode 32, jak pokazano na fig. 2d. W warunkach, gdy prad odchylania linii i ma wiek¬ sza wartosc, niz prad modulatora im, dioda modulatora 32 bedzie przewodzila prad róznicowy i - im po momencie t, przypadajacym w poblizu srodka przedzialu czasowego odchylania linii, gdy zarówno prad odchylania linii i jak tez prad modulatora i maja biegunowosc dodatnia, jak przedstawiono na fig. 2e.Nieco przed momentem t- generator sygnalu odchylania linii 26 dostarcza napiecie polary¬ zujace o odwróconej biegunowosci doprowadzane do bazy i emitera wyjsciowego tranzystora odchylania linii 27. Tranzystor 27 przestaje przewodzic w momencie t- i w tym momencie roz¬ poczyna sie proces powrotu linii, który trwa mniej wiecej przez okres od t, do te. W prze¬ dziale czasowym powrotu linii uzwojenie odchylania linii 30 i kondensator 29 wyznaczajacy powrót linii tworza obwód rezonansowy dla wytwarzania impulsu napieciowego powrotu na konden¬ satorze 29. Podobnie cewka indukcyjna modulatora 34 i kondensator powrotu modulatora 33 znajduja sie w stanie oscylacji rezonansowych, których czas trwania wynosi polowe czasu trwa¬ nia jednego cyklu drgan. W tym czasie wytwarza sie prad modulatora i . Wartosc indukcyjnosci cewki indukcyjnej modulatora 34 i kondensatora powrotu modulatora 33 sa dobrane tak, aby czestotliwosc wlasna utworzonego przez nie obwodu byla równa czestotliwosci impulsów powrotu.Ksztalt impulsu napieciowego powrotu V„ uzyskiwanego na kondensatorze powrotu 33 jest odwzorowany wykresem na fig. 2f w przedziale czasowym t- - t^. Napieciowy impuls powrotu uzyskiwany na kolektorze wyjsciowego tranzystora 27 odchylania linii na zacisku 43 stanowi sume impulsowych napiec powrotu uzyskiwanych na kondensatorach powrotu i odchylania i jest odwzorowana wykresem przedstawionym na fig. 2bf jako przebieg impulsowy V . Impuls powrotu Vr w przypadku zastosowania ukladu 55 korekcji z dioda modulatora pozostaje stosunkowo staly¦ 132685 5 i co do amplitudy w przedziale czasowym odchylania pola, jak pokazano na fig, 2b przy braku modulacji ksztaltu impulsu powrotu realizowanej z czestotliwoscia odchylania pola.Napieciowy impuls powrotu V jest doprowadzany do uzwojenia pierwotnego 22a transfor¬ matora powrotu 22 i zostaje przetworzony w impuls wysokiego napiecia w uzwojeniu wtórnym 22b. Obwód/wysokiego napiecia 44 dolaczony do uzwojenia wysokiego napiecia 22b transforma¬ tora 22 wytwarza stalopradowy potencjal dla elektrody przyspieszajacej kineskopu na za¬ cisku U. J Inne wysokie napiecia zasilania takie, jak YQ uzyskiwane na zacisku 45, zoga byc wytwo¬ rzone przez! inne uzwojenia transformatora, na przyklad uzwojenie 22c. Napiecie uzyskiwane na uzwojeniii 22c transformatora jest prostowane w przedziale czasowym odchylania linii, na przyklad przez diode 24, i filtrowane przez kondensator 23 tak, iz uzyskuje sie napiecie V na zacisku 45. Napiecie V jest wykorzystywane jako napiecie zasilania dla takich obwodów obciazajacych, jak uklad odchylania pola i obwody przetwarzajace sygnaly informacyjne przed¬ stawione ogólnie na fig. 1 jako obciazenie R^.Na skutek tego, ze od pradu i odchylania linii wymaga sie, aby ksztalt sygnalu prado¬ wego byl podobny do ksztaltu litery S, wartosc pojemnosci kondensatora odchylania 31 i war¬ tosc pojemnosci kondensatora modulatora 35 byly takie, aby zapewnic zmiany napiec uzyskiwa¬ nych na obu kondensatorach zachodzace z czestotliwoscia odchylania linii, to znaczy z cze¬ stotliwoscia równa 1/Ttr« Jak pokazano na fig. 2g, napiecie modulatora \_ osiaga wartosc ma¬ ksymalna w kazdym cyklu odchylania linii mniej wiecej w momencie t,, te znaczy w poblizu srodka przedzialu czasowego odchylania linii. ;/ przypadku, gdy ma miejsce korekcja bocznych znieksztalcen poduszkowych poprzez modulacje napiecia modulatora Vm, maksymalna wartosc na¬ piecia w kazdym kolejnym cyklu odchylania linii zmienia sie z czestotliwoscia odchylania po¬ la w sposób paraboliczny -miedzy dwoma poziomami: od 1 * w srodku przedzialu czasowego odchy¬ lania pola do Vm2 na poczatku i koncu przedzialu czasowego odchylania pola.II róznych warunkach pracy zaklóconej ukladu 10 odchylania linii napiecie na kondensato¬ rze modulatora 35 moze zasadniczo zwiekszac sie do wartosci, które beda pofalowac przeciaze¬ nie napieciowe elementów skladowych ukladu w obwodzie diodowego modulatora 3 5 lub w innych zespolach ukladowych ukladu 10 odchylania linii. Rozpatrzmy sytuacje, ^&y u =v.'0jenie 30 od¬ chylania linii lub kondensator odchylania 31 znajduje sie w stanie, gdy ich cewody saja przerwe. Taka sytuacja przedstawiona jest schematycznie na fig. 1 linia przerywana o ksztal¬ cie X, oznaczona symbolem 42, na linii oznaczajacej laczenie zacisku 41 z uzwojeniem odchy¬ lania linii 30. Obwód ukladu zawierajacy uzwojenie odchylania linii 30 i kondensator odchy¬ lania 31 teraz nie sa juz polaczone z pozostala czescia ukladu odchylania linii, 77 takich wadliwych warunkach prad odchylania i nie przeplywa, jak to pokazane zostalo na fig. 3a.Na figurach 3a - 3g przedstawiono wykresy odwzorowujace ksztalty takich sygnalów prado¬ wych i napieciowych wytwarzanych w takich warunkach wadliwego dzialania, jakie w normalnych warunkach sa odwzorowywane wykresami z fig. 2a do 2g przy zalozeniu, ze galaz z dioda 50 jest opuszczona. w warunkach przerwy w obwodzie uzwojenia odchylania linii, gdy galaz ukladu zawierajaca uzwojenia odchylania linii 30 jest odlaczona od pozostalej czesci ukladu 10 od¬ chylania linii, napiecie modulatora V na kondensatorze modulatora zwieksza sie zasadniczo tak, jak pokazano na fig. 3g« Napiecie modulatora V jest wieksze od przedstawionego na fig. 2g maksymalnego napiecia Vm2 na kondensatorze modulatora uzyskiwanego w normalnych warunkach roboczych i osiaga stosunkowo duza wartosc szczytowa V ¦*, jak pokazano na fig. 3g« Poniewaz napiecie modulatora Vm jest doprowadzone do sterowanego tranzystora bocznikujacego 36, za¬ sadnicze zwiekszenie napiecia modulatora w warunkach wadliwego dzialania moze spowodowac prze¬ ciazenie tranzystora, co moze spowodowac uszkodzenie przyrzadu pólprzewodnikowego.Modulacja z czestotliwoscia odchylania pola sygnalów przedstawionych na fig. 3a - 3g nie zachodzi, lub jest silnie zredukowana w warunkach wadliwego dzialania, poniewaz impendan- cja obciazenia dolaczonego do obwodu sterujacego 37 modulatora jest znacznie zmniejszona na skutek zasadniczej róznicy czestotliwosci rezonansowych obwodów odchylania i powrotu modula¬ tora •\ \ 6 132 685 \ \ Inne elementy skladowe ukladu 10 odchylania linii równiez moga zostac narazone na prze¬ piecia. Jak pokazano na fig. 3f, impuls napieciowy powrotii V,, ma o wiele wieksza amplitude w warunkach wadliwego dzialania z powodu zwiekszenia sredniej wartosci napiecia modulatora V • Do diody modulatora 32 w ten sposób przyklada sie wieksze napiecie, W warunkach wadliwe¬ go dzialania obserwuje sie równiez i to, ze dioda tlumiaca 28 przewodzi raczej w ciagu dru¬ giej polowy przedzialu czasowego odchylania linii niz w ciagu pierwszej polowy, co jest po¬ kazane na fig. 3d w przedziale czasowym X-, - t,. Tranzystor wyjsciowy odchylania linii 27 przechodzi w stan zatkania w momencie t,, gdy tymczasem moment t. powinien stanowic poczatek przedzialu czasowego powrotu t, - te. Indukcyjnosc uzwojenia pierwotnego 22a transformatora wchodzi w rezonans z pojemnosciami obu kondensatorów powrotu 29 i 33, na skutek czego na za¬ cisku 43 wytwarza sie impuls napieciowy o czasie trwania t, - tc# jak pokazano na fig. 3b.Dzieki zgromadzonemu ladunkowi dioda tlumiaca 28 przewodzi przez znaczna czesc przedzialu czasowego w poczatkowym okresie powrotu przed przejsciem w stan zatkania, skutkiem czego jest niepozadane rozproszenie energii i przeciazenie przyrzadu pólprzewodnikowego.Ponadto po momencie t* tranzystor wyjsciowy odchylania linii 27 ma tendencje wyjscia ze stanu nasycenia, o czym swiadczy narastanie napiecia V*, odwzorowywanego wykresem na fig. 3f w przedziale czasowym t^ - t., co przejawia sie zwiekszeniem rozproszenia energii w wyjscio¬ wym tranzystorze 27. Tranzystor wyjsciowy 27 ma tendencje wyjscia ze stanu nasycenia, ponie¬ waz zmniejsza sie sygnal wysterowujacy doprowadzany do bazy tranzystora i zwieksza sie prad kolektorowy. Sygnal wysterowujacy na bazie jest funkcja napiecia zasilania doprowadzanego do ukladu wysterowania bazy wchodzacego w sklad generatora sygnalu odchylania linii 26. Napie¬ cie zasilania jest zwykle uzyskiwane poprzez prostowanie impulsowego napiecia powrotu uzyski¬ wanego z uzwojenia wtórnego transformatora 22. \f warunkach wadliwego dzialania amplituda im¬ pulsu powrotu, napiecie zasilania oraz sygnal wysterowujacy baze tranzystora wyjsciowego sa zmniejszone w porównaniu z wartosciami tych parametrów w warunkach normalnej pracy ukladu.Czestotliwosc rezonansowa obwodu rezonansowego utworzonego przez uzwojenie pierwotne 22a transformatora oraz kondensatory powrotu 29 i 33 jest znacznie mniejsza od czestotliwosci powrotu linii. Tak wiec pod koniec okresu powrotu do stanu poczatkowego obwodu utworzonego przez cewke indukcyjna modulatora 34 i kondensator modulatora 33, to znaczy przy zblizeniu sie momentu t,- lub t- procesów przedstawionych na fig. 3a - 3gf energia zgromadzona w konden¬ satorze powrotu 29 otrzymana z uzwojenia pierwotnego 22a transformatora nie bedzie calkowi¬ cie zwrócona do tego uzwojenia. Tak wiec przy zblizeniu sie do momentu t<| , gdy dioda modula¬ tora 32 wchodzi w stan przewodzenia, kondensator powrotu linii 29 jest jeszcze naladowany do znacznego poziomu, o czym swiadczy rózne od zera napiecie Vp7 na zacisku 43• co pokazano na fig. 3b. ,7 ciagu pierwszej czesci przedzialu odchylania linii miedzy momentami t1 a t~ kondensator powrotu linii 29 rozladowuje 3ie powolnie, a-napiecie 1yi w ^^ przedziale czaso¬ wym t^ - t2 maleje. '.V momencie t2 tranzystor wyjsciowy odchylania linii 27 wchodzi w stan przewodzenia i kondensator 29 zaczyna rozladowywac sie bardzo szybko, jak zaznaczono malym szczytem 56 pradu kolektorowego i2-y na fig. 3c.Poniewaz czestotliwosc rezonansowa drgan pradowych w uzwojeniu pierwotnym 22a w przedzia¬ le powrotu linii t- - te jest mniejsza od czestotliwosci rezonansowej obwodu utworzonego przez cewke indukcyjna modulatora 34 i kondensator powrotu modulatora 33, nie cala energia dostarczana do obwodu powrotu modulatora z uzwojenia pierwotnego 22a moze zostac zwrócona do uzwojenia pierwotnego przed koncem przedzialu powrotu i dioda modulatora 32 zaczyna prze¬ wodzic* Tak wiec kondensator modulatora bedzie sie ladowal do znacznie wiekszego poziomu napieciowego w warunkach wadliwego dzialania ukladu niz w warunkach normalnych, co mozna stwierdzic przy porównywaniu napiecia modulatora V na fig. 3g i fig* 4g« Niepozadane skutki zwiekszenia napiecia modulatora w warunkach wadliwego dzialania sa wyeliminowane na skutek wprowadzenia do ukladu 10 zabezpieczenia przed przepieciami wedlug wynalazku. Kluczowany obwód stabilizacji napiecia 25 jest dolaczony do kondensatora modula¬ tora 35 i jest pobudzany, gdy napiecie Vm na kondensatorze modulatora 35 staje sie wieksze od uprzednio ustalonego poziomu. Kluczowany obwód stabilizujacy 25 zawiera diode 50 wlaczona\ 132685 7 miedzy kondensatorem modulatora 35 polaczonym z zaciskiem 40 a zródlem napiecia zasilania V , którego jednym z zacisków jest zacisk 45. Napiecie VQ stanowi napiecie odniesienia dla pobudzenia diodowego przelacznika stabilizujacego. Gdy tylko napiecie modulatora w warun¬ kach wadliwego dzialania zwieksza sie do poziomu wiekszego od poziomu odniesienia o spadek napiecia ria diodzie, dioda 50 zaczyna przewodzic prad, przylaczajac kondensator modulatora 35 do zacieku 45 i zapobiegajac temu, aby napiecie modulatora V stalo sie znacznie wiek¬ sze od napiecia V .Na figurach 4a - 4g przedstawiono wykresy odwzorowujace ksztalty sygnalów wytwarzanych w poszczególnych obwodach ukladu 10 z fig. 1 w warunkach rozwarcia wspomnianych wyzej obwo¬ dów przy zastosowaniu obwodu kluczowanej stabilizacji poziomu majacej na celu zabezpiecze¬ nie zespolów ukladu przed przepieciami wedlug wynalazku. Jak pokazano na fig. 4g, napiecie modulatora V jest stabilizowane na poziomie równym w przyblizeniu napieciu V w przedzia¬ le czasowym At, co zapobiega przepieciom w obwodzie sterowanego tranzystora bocznikujace¬ go 36. Ponadto prad szczytowy w diodzie tlumiacej 28 pod koniec przedzialu odchylania" w po¬ blizu momentu t. jest znacznie zmniejszony, co mozna stwierdzic porównujac wykresy z fig. 4d i fig. 3d. Co wiecej, szczytowy prad kolektora tranzystora wyjsciowego odchylania linii 27 pod koniec przedzialu odchylania w poblizu momentu t. równiez jest zmniejszony, co mozna stwierdzic porównujac wykresy z fig. 4c i fig. 3c. Poza tym niezaleznie od zmniejszonego wysterowania bazy tranzystor wyjsciowy 27 nie wykazuje tendencji wyjsci... ze stanu nasycenia w pózniejszej czesci przedzialu odchylania linii ze wzgledu na zmniejszony prad kolekora, co mozna stwierdzic porównujac wykresy z fig. 4f i fig. 3f.Jak zaznaczono powyzej, ze wzgledu na mniejsza czestotliwosc rezonansowa oscylacji pra¬ dowych w obwodzie uzwojenia pierwotnego 22a transformatora w okresie powrotu pradu modula¬ tora i , nadmiar energii jest przekazywany do obwodu powrotu modulatora i przez to, ewen¬ tualnie,- do kondensatora modulatora 35. Gdy dioda stabilizujaca 50 jest wlaczona miedzy za¬ ciskami 40 a 45, ten nadmiar energii jest teraz kierowany ku zaciskowi 45, gdy napiecie na zacisku 40 przewyzsza poziom V . Przekazywanie tej energii przejawia sie raczej jako prze¬ plyw pradu przez diode 50 w przedziale czasowym At,/fig* 4g^ niz jako dodatkowy prad przez tranzystor bocznikujacy 36. Obwód stabilizujacy kluczowany wlaczony, jak pokazano na zala¬ czonym rysunku, miedzy zaciskami 40 a 45 równiez nadaje sie do wykorzystywania wraz z obwo¬ dami sterujacymi modulatora innymi niz obwód 37 opisany w przykladzie realizacji wynalazku.Na przyklad, gdy tranzystor 36 jest zastapiony dwustopniowym obwodem tranzystorowym zreali¬ zowanym w ukladzie wtórnika emiterowego, który usiluje utrzymywac sygnal napieciowy .na za¬ cisku 40 o ksztalcie podobnym do sygnalu polaryzacji 38, jakikolwiek nadmierny prad boczni¬ kujacy przeplywajacy z cewki indukcyjnej 34 odprowadzany z kondensatora 35 jest teraz kiero¬ wany raczej do zacisku 45 zródla zasilania niz przez obwód tranzystorowego -/.'tcrnika ernite- rowego,^przez co zmniejsza sie rozproszenie energii w tranzystorach i zapobiega sie prze¬ pieciom.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad korekcji znieksztalcen bocznych poduszkowych dla ukladów odchylania odbiorni¬ ków telewizyjnych, zawierajacy uzwojenie odchylania linii polaczone z generatorem sygnalu odchylania linii, kondensator ksztaltujacy linie odchylania polaczony szeregowo z uzwoje¬ niem odchylania linii, na którym wytwarzane jest napiecie odchylania linii, pierwszy obwód przelaczajacy, skladajacy sie z polaczonych równolegle i dolaczonych równolegle do polaczo¬ nych szeregowo kondensatora ksztaltujacego linie odchylania i uzwojenia odchylania, diody tlumiacej i pierwszego kondensatora powrotu linii, modulator diodowy, skladajacy sie z po¬ laczonych szeregowo z uzwojeniem odchylania linii cewki indukcyjnej i kondensatora, do któ¬ rych równolegle dolaczony jest obwód przelaczajacy modulatora skladajacy sie z równolegle polaczonych diody i drugiego kondensatora powrotu linii, stanowiacy drugi obwód przelacza¬ jacy, sterowany obwód bocznikujacy, dolaczony równolegle do kondensatora modulatora i pola-8 132 635 \ ozony ze zródlem napiecia polaryzacji o czestotliwosci ^odchylania pola, zródlo roboczego napiecia zasilania, do którego dolaczony jest uklad korekcji, znamienny tym, ze zawiera zródlo napiecia odniesienia /lJ oraz komutowany obwód /25/ stabilizacji na¬ piecia na kondensatorze /35/ modulatora /55/ wlaczony miedzy punktem polaczenia cewki in¬ dukcyjnej /34/ i kondensatora /35/ modulatora /55/ a zródlem napiecia odniesienia /lJ• 2. Uklad wedlug zastrz, 1, znamienny ty m,\ ze komutowany obwód /25/ sta¬ bilizacji napiecia na kondensatorze /35/ modulatora /55/ zawiera diode /50/ wlaczona sze¬ regowo z obwodem kolektor-emiter tranzystora /3ó/ tworzacego sterowany obwód bocznikujacy dla kondensatora /35/ modulatora /55/. 3» Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze sterowany obwód bocznikuja¬ cy /36/ jest polaczony z regulowanym obwodem /57/ korekcji szerokosci osnowy obrazu wlaczo¬ nym miedzy baza tranzystora /36/ a zródlem napiecia odniesienia /lJ'• 4. Uklad wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze regulowany obwód /57/ ko¬ rekcji szerokosci osnowy obrazu zawiera rezystorowy dzielnik napieciowy /46, 47, 48/. 5. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze modulator /55/ jest dolaczo¬ ny do generatora odchylania linii /26/ poprzez obwód przelaczajacy /27/.132 685 'y w<^\^ ll '2*3 OA PL PL PL PL