Przedmiotem wynalazku jest dioda elektroluminescencyjna ze swiatlowodem, która pozwala na dokonywanie pomiaru lub kontroli mocy promieniowania tej diody bez wykorzystywania wiaz¬ ki promieniowaniap znajdujacej sie w swiatlowodzie.W swiatlowodowych laczach telekomunikacyjnych wymagane Jest sprawdzanie mocy promienio¬ wania diody elektroluminescencyjnej w celu wlasciwej oceny pracy poszczególnych czesci la-. cza swiatlowodowego. W przypadku diod laserowych lub diod elektroluminescencyjnych krawe¬ dziowych polaczonych ze swiatlowodem mozliwy Jest prosty pomiar mocy promieniowania wycho¬ dzacego z przeciwnej strony struktury diodowej. W przypadku diod elektroluminescencyjnych, powierzchniowych polaczonych ze swiatlowodem, pomiar mocy promieniowania Jest do tej pory dokonywany przez rozlaczanie diody z linia swiatlowodowa, a nastepnie pomiar mocy promie¬ niowania wychodzacego z odcinka swiatlowodu na stale polaczonego z dioda. Taki pomiar wiaze sie z duzymi trudnosciami, a czasem jest wrecz niemozliwy, szczególnie gdy linia swiatlowo¬ dowa znajduje sie w miejscu trudno dostepnym.Celem wynalazku jest opracowanie takiej konstrukcji diody, która by umozliwila prosty pomiar mocy promieniowania bez koniecznosci rozlaczania diody elektroluminescencyjnej z linia swiatlowodowa.Istota wynalazku polega na umieszczeniu fotodetektora, struktury elektroluminescencyj¬ nej oraz wspornika ze swiatlowodem w wewnetrznej przestrzeni diody zamknietej oslona, przy czym do tegoz samego wspornika Jest mocowany i fotodetektor i swiatlowód. Rozwiazanie takie umozliwia wykorzystanie promieniowania "rozproszonego1', które jest emitowane przez struktu¬ re elektroluminescencyjna poza podstawowa czescia promieniowania kierowana do swiatlowodu.Dioda wedlug wynalazku zostanie blizej objasniona na przykladzie wykonania pokazanym na rysunku, którego fig. 1 przedstawia sposób powstawania promieniowania "rozproszonego", fig. 2 - przekrój poprzeczny diody elektroluminescencyjnej, a fig. 3 - Jej przekrój podluzny.2_ 12.9 781_ Promieniowanie generowane-* obszarze typu-p.struktury.diodowej 1 rozchodzi sie we wszyst¬ kich kierunkach, przy czym podstawowa czesc tego promieniowania Jest kierowana do swiatlowo¬ du 6, którego zakonczenie znajduje sie w zaglebieniu struktury elektroluminescencyjnej.Pozostala czesc promieniowania, wydostajaca sie z obszaru "studni" lub z obszaru krawedzio-1 wego nie jest wprowadzana do swiatlowodu. Ta czesc promieniowania, nazwana dalej promienio¬ waniem "rozproszonym" Jest tworzona przez promieniowanie emitowane wprost z obszaru typu p; oraz odbijane od powierzchni granicznych struktury /szczególnie od silnie odbijajacej po¬ wierzchni dolnej struktury, pokrytej warstwa dwutlenku krzemu /SiO~/ lub azotku krzemu /Si,K./, a takze generowane w wyniku zjawiska absorbcji - remisji/. Promieniowanie to rozchodzi sie we wszystkich kierunkach, przy czym maksymalne jego natezenie wystepuje w kierunku nachylo¬ nym o okolo 45 % w stosunku do osi prostopadlej do czolowej powierzchni struktury? Moc pro¬ mieniowania "rozproszonego" jest w przyblizeniu proporcjonalna do mocy promieniowania kiero¬ wanego do swiatlowodu. Jest ona wystarczajaca, aby fotodioda znajdujaca sie w poblizu struk¬ tury diody elektroluminescencyjnej dala odpowiednio duzy sygnal elektryczny, który moze byc wykorzystany do celów pomiarowo-kontrolnych.Dioda elektroluminescencyjna ze swiatlowodem wedlug wynalazku sklada sie ze struktury diodowej 1 polaczonej z jednej strony z obudowa 2, a z drugiej strony drutem 3 z elektroda 4.Do obudowy 2 Jest przytwierdzony wspornik 5# do którego Jest przymocowany swiatlowód 6 oraz fotodetektor 7 polaczony z elektrodami 8 i 9. Calosc jest przykryta oslona 10* Na powierz¬ chnie fotodetektora 7 pada znaczna czesc promieniowania "rozproszonego", emitowanego przez elektroluminescencyjna strukture, diodowa 1 wytwarzajac fotoprad, który Jest wykorzystywany do celów pomiarowo-kontrolnych.Zastrzezenia patentowe 1. Dioda elektroluminescencyjna ze swiatlowodem, znamienna tym, ze w we¬ wnetrznej przestrzeni diody zamknietej oslona /10/ znajduje sie fotodetektor liI razem ze struktura elektroluminescencyjna /i/ i wspornik /5/ ze swiatlowodem /6/. 2. Dioda wedlug zastrz* 1, znamienna tym, ze do tego samego wspornika /5/ Jest mocowany fotodetektor /7/ i swiatlowód /6/.129 781 ..i...Fi$1 Fig.2 PL