PL129599B2 - Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation - Google Patents
Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation Download PDFInfo
- Publication number
- PL129599B2 PL129599B2 PL23402281A PL23402281A PL129599B2 PL 129599 B2 PL129599 B2 PL 129599B2 PL 23402281 A PL23402281 A PL 23402281A PL 23402281 A PL23402281 A PL 23402281A PL 129599 B2 PL129599 B2 PL 129599B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gallium
- embryo
- phase
- orientation
- crystallizer
- Prior art date
Links
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Opis patentowy opublikowano: 31.12.19342 129599 Istota wynalazku polega na tym, ze w pierwszej fazie zarodek umieszcza sie wkrystalizatorze, przesuwa wzdluz dwóch wzajemnie prostopadlych kierunków i jednoczesnie obraca wokól dwóch wzajemnie prostopadlych osi obrotu, a w drugiej fazie zarodek zanurza sie w stopionym galu umieszczonym w teflonowym tygielku przy zachowaniu w obszarze tego zanurzenia temperatury nizszej od temperatury topnienia.Przedstawiony sposób umozliwia w prosty, tani i dokladny sposób przeniesienie orientacji zarodka na monokrysztal w procesie seryjnym dla zaspokojenia wiekszych potrzeb naukowych i przemyslowych bez stosowania skomplikowanych i drogich sposobów preparatyki monokryszta¬ lów.Przyklad. Sposób otrzymywania monokrysztalów galu o okreslonym ksztalcie i zadanej orientacji realizowany jest za pomoca urzadzenia zwanego krystalizatorem. Krystalizator sklada sie z uchwytu zarodka pozwalajacego ustawic ten zarodek w dowolnym polozeniu tygla oraz znajdujacych sie pod tyglem dwóch komór, przez które przeplywa woda o wymaganej temperatu¬ rze regulowanej za pomoca dwóch ultratermostatów. Uchwyt zarodka pozwala na dokonywanie przesuwu zarodka wzdluz dwóch wzajemnie prostopadlych kierunków jak tez obrotu tego zarodka wokól dwóch wzajemnie prostopadlych osi obrotu, co umozliwia ustawianie zarodka w dowolnie wybranej orientacji w krystalizatorze.Uchwyt wraz z zarodkiem przenoszony jest na kamere rentgenowska, na której, dzieki mozliwym obrotom, ustawiany jest w wymaganej orientacji krystalograficznej. Zorientowany zarodek umieszcza sie w krystalizatorze. Przeznaczony do krystalizacji gal topiony jest w teflono¬ wym tyglu, gdyz teflon jest jednym z nielicznych materialów, do którego gal nie przywiera. Ksztalt tygla jest taki, ze monokrysztaly uzyskuje sie w formie cienkich plytek. Ponadto konstrukcja bocznych scianek tygla zapobiega deformacji wywolanej wzrostem objetosci galu podczas krystali¬ zacji. Zastosowanie pod tyglem dwóch komór stwarza mozliwosc utrzymywania zróznicowanej temperatury pomiedzy ta czescia tygla, w której krystalizacja ma byc zapoczatkowana, a pozostala czescia.Skutecznosc opisanego sposobu zostala potwierdzona seria przeprowadzonych eksperymen¬ tów, w wyniku których otrzymano monokrysztaly galu w ksztalcie plytek o wymiarach 35X5X0,1 mm3 przy tym monokrysztaly te wykazaly wysoki stopien doskonalosci struktury wewnetrznej. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania monokrysztalów galu o okreslonym ksztalcie i orientacji krystalografi¬ cznej, w którym w pierwszej fazie tworzy sie w krystalizatorze monokrysztal galu o okreslonym ksztalcie i przypadkowej orientacji traktujac go jako zarodek, a w drugiej fazie przenosi sie ustalona orientacje zarodka na ciekly gal, znamienny tym, ze w pierwszej fazie zarodek umieszcza sie w krystalizatorze, przesuwa wzdluz dwóch wzajemnie prostopadlych kierunków i jednoczesnie obraca wokól dwóch wzajemnie prostopadlych osi obrotu, a w drugiej fazie zarodek zanurza sie w stopionym galu umieszczonym w teflonowym tygielku przy zachowaniu w obszarze tego zanurze¬ nia temperatury nizszej od temperatury topnienia. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 cgz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL23402281A PL129599B2 (en) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL23402281A PL129599B2 (en) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL234022A2 PL234022A2 (pl) | 1982-09-27 |
| PL129599B2 true PL129599B2 (en) | 1984-05-31 |
Family
ID=20010701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL23402281A PL129599B2 (en) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL129599B2 (pl) |
-
1981
- 1981-11-26 PL PL23402281A patent/PL129599B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL234022A2 (pl) | 1982-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0252537B1 (en) | Process for crystal growth of ktiopo4 from solution | |
| CS199607B2 (en) | Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture | |
| JPH07300667A (ja) | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 | |
| Laudise et al. | Growth of Yttrium Iron Garnet on a Seed from a Molten Salt Solution | |
| US4793894A (en) | Process for crystal growth from solution | |
| JPS5696727A (en) | Manufacture of polycrystalline garnet and corresponding single crystal | |
| JPH0656590A (ja) | ベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法 | |
| PL129599B2 (en) | Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation | |
| Hurle et al. | Introduction to the techniques of crystal growth | |
| US3341302A (en) | Flux-melt method for growing single crystals having the structure of beryl | |
| Holden | Growing single crystals from solution | |
| US4469512A (en) | Process for producing high-purity aluminum | |
| CA1286571C (en) | Crucible recovering method and apparatus therefor | |
| Brice | The growth of insulating crystals | |
| JPS61501984A (ja) | チオガリウム酸銀（Ａｇ ＧａＳ↓２）の単結晶薄層の製造方法 | |
| JPH11228280A (ja) | シリコン結晶成長装置 | |
| CN113061971A (zh) | 温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法 | |
| CN113774489B (zh) | 一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法 | |
| RU2092629C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов | |
| DD232314A5 (de) | Verfahren zur herstellung von kristallen von stoffen fuer die elektronische industrie | |
| JPS5776821A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
| KR20010067193A (ko) | 단결정의 제조방법 | |
| SU1650797A1 (ru) | Способ выращивани кристаллов | |
| JP2809364B2 (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| SU1306173A1 (ru) | Способ получени монокристаллических трубок и устройство дл его осуществлени |