PL122172B1 - Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika - Google Patents
Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika Download PDFInfo
- Publication number
- PL122172B1 PL122172B1 PL21873879A PL21873879A PL122172B1 PL 122172 B1 PL122172 B1 PL 122172B1 PL 21873879 A PL21873879 A PL 21873879A PL 21873879 A PL21873879 A PL 21873879A PL 122172 B1 PL122172 B1 PL 122172B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- areas
- silicon
- metal layer
- silicon dioxide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000763 evoking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania pólprzewodnikowego mostka tensometrycznego charakte¬ ryzujacego sie niewielkimi wymiarami, duza czuloscia i dobrymi wlasciwosciami temperaturowymi.Znany dotychczas sposób wykonania pólprzewodnikowego mostka tensometrycznego polega na wytworze¬ niu w monokrystalicznym pólprzewodnikowym podlozu, najczesciej, krzemowym, rezystorów dyfuzyjnych sta¬ nowiacych galezie mostka. Byly tez robione próby wykonania pólprzewodnikowego mostka tensometrycznego przy wykorzystaniu cienkich polikrystalicznych warstw germanu otrzymywanych metoda naparowywania.Warstwy germanowe charakteryzuja sie jednak mala powtarzalnoscia, duza niestabilnoscia czasowa oraz malym zakresem temperatur w których moga byc stosowane. Lepszym materialem jest krzem ale jego naparowa- nie jest bardzo trudne ze wzgledu na wysoka temperature topnienia, jak równiez ze wzgledu na latwosc laczenia sie krzemu z tlenem, co w konsekwencji prowadzi do bardzo duzego zanieczyszczenia dwutlenkiem krzemu otrzymywanych ta metoda warstw krzemu.Znana jest metoda pirolitycznego osadzania domieszkowanych warstw krzemu i dwutlenku krzemu. Wyko¬ rzystywana jest ona jak dotychczas tylko przy produkcji scalonych ukladów MOS. Prowadzone sa próby wyko¬ rzystania otrzymywanych ta metoda domieszkowanych polikrystalicznych warstw krzemu jako zródla domie¬ szek do dyfuzji obszarów w glab monokrysztalu.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze w pierwszym etapie na sprezyste podloze nanosi sie metoda pirolizy cienka warstwe dwutlenku krzemu nastepnie kolejno nanosi sie równiez metoda pirolizy polikrystaliczna warstwe krzemu i naparowuje sie warstwe metalu. Po czym maskuje sie obszary tensorezystorów oraz obszary metalizacji i wytrawia sie warstwe metalu oraz polikrystaliczna warstwe krzemu w niezamaskowanych obszarach.Kolejna maska zaslania sie obszary metalizacji i wytrawia sie tylko warstwe metalu z nieprzykrytych obszarów.W drugim procesie trawienia obszary polikrysztalu krzemu nie sa nadtrawiane. Tak otrzymana strukture mostka korzystnie jest pokryc warstwa dwutlenku krzemu.Korzysci techniczne wynikajace z zastosowania rozwiazania wedlug wynalazku polegaja na tym, ze tak otrzymany pólprzewodnikowy mostek tensometryczny charakteryzuje sie mala czuloscia na wplywy tempera-2 122172 tury oraz duza czuloscia tensometryczna. Ponadto parametry wytwarzanych ta metoda mostków pólprzewodni¬ kowych sa bardzo powtarzalne.Rozwiazanie wedlug wynalazku pozwala na wytworzenie mostka tensometrycznego na dowolnym podlo¬ zu, natomiast dotychczas powszechnie produkowane mostki zlozone z rezystorów dyfuzyjnych wytwarzac mo¬ zna tylko na podlozu krzemowym, co w istotnym stopniu ogranicza ich zakres stosowania.Przedmiot wynalazku zostanie blizej objasniony w przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku, który przedstawia przekrój fragmentu struktury mostka tensometrycznego po kolejnych etapach wykonania, odpowiednio fig. 1 + fig. 5.Na sprezystym podlozu 1 metoda pirolizy silanu osadza sie warstwa dwutlenku krzemu 2 o grubosci 0,5 do 1 /im. Proces prowadzony w temperaturze 300°C i w atmosferze tlenu powoduje rozklad silanu. Kolejnym eta¬ pem jest osadzenie polikrystalicznej warstwy krzemu 3 o grubosci 1 firn metoda pirolizy silanu w temperaturze okolo 850°C i w atmosferze wodoru. Nastepnie na calosc nanosi sie przez naparowanie warstwe miedzi 4 o grubosci 0,5 do 1 jum. Po czym naklada sie fotomaske 5, naswietla sie ja i wywoluje. Maska przykrywa obszary tensorezystorów 6 i obszary metalizacji 7. Obszary niemaskowane wytrawia sie w mieszaninie kwasu fluorowodo¬ rowego z kwasem azotowym. W kolejnym etapie fotomaske 8 naklada sie w ten sposób, aby przykrywala tylko obszary metalizacji 7 i plytke wytrawia sie w roztworze chlorku zelaza. W wyniku tego procesu usunieta zostaje warstwa miedzi z obszarów nad tensorezystorami 6. Tak wytworzony mostek korzystnie jest pokryc warstwa dwutlenku krzemu 9. Wówczas w celu wykonania zewnetrznych doprowadzen nalezy wytrawic okna 10 nad niektórymi obszarami metalizacji 7.Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania pólprzewodnikowego mostka tensometrycznego bezposrednio na sprezystym podlozu przy wykorzystaniu metody pirolizy, znamienny tym, ze na sprezyste podloze (1) nanosi sie metoda pirolizy cienka warstwe dwutlenku krzemu (2), nastepnie kolejno nanosi sie równiez metoda pirolizy polikrysta¬ liczna warstwe krzemu (3) i naparowuje sie warstwe metalu (4), po czym w pierwszym etapie maskuje sie obszary tensorezystorów (6) oraz obszary metalizacji (7) a nastepnie wytrawia sie warstwe metalu (4) i polikry¬ staliczna warstwe krzemu (3), a w drugim etapie maskuje sie obszary metalizacji (7) i wytrawia sie tylko warstwe metalu (4), przy czym tak otrzymana strukture mostka pokrywa sie ewentualnie warstwa dwutlenku krzemu (9).F,1 77777777777777/ "' """" * mmmmtmmm: v y2?7/W7?77/7777M^ %c^////x^i^iDgeMV//^////^fy//z« * 777777777777777777, *s* X(\V\~\\{ 7TT. ,,. . . / / / / 77/ / / / e.5 y^il.lTuifc;j i. i;lTi (j;iTi. i n i.i. y\ :($ ////// / / // // / // / 7X, Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 cgz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania pólprzewodnikowego mostka tensometrycznego bezposrednio na sprezystym podlozu przy wykorzystaniu metody pirolizy, znamienny tym, ze na sprezyste podloze (1) nanosi sie metoda pirolizy cienka warstwe dwutlenku krzemu (2), nastepnie kolejno nanosi sie równiez metoda pirolizy polikrysta¬ liczna warstwe krzemu (3) i naparowuje sie warstwe metalu (4), po czym w pierwszym etapie maskuje sie obszary tensorezystorów (6) oraz obszary metalizacji (7) a nastepnie wytrawia sie warstwe metalu (4) i polikry¬ staliczna warstwe krzemu (3), a w drugim etapie maskuje sie obszary metalizacji (7) i wytrawia sie tylko warstwe metalu (4), przy czym tak otrzymana strukture mostka pokrywa sie ewentualnie warstwa dwutlenku krzemu (9). F,1 77777777777777/ "' """" * mmmmtmmm: v y2?7/W7?77/7777M^ %c^////x^i^iDgeMV//^////^fy//z« * 777777777777777777, *s* X(\V\~\\{ 7TT. ,,. . . / / / / 77/ / / / e.5 y^il.lTuifc;j i. i;lTi (j;iTi. i n i.i. y\ :($ ////// / / // // / // / 7X, Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 cgz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21873879A PL122172B1 (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21873879A PL122172B1 (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL218738A1 PL218738A1 (pl) | 1981-04-10 |
| PL122172B1 true PL122172B1 (en) | 1982-06-30 |
Family
ID=19998718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21873879A PL122172B1 (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL122172B1 (pl) |
-
1979
- 1979-10-03 PL PL21873879A patent/PL122172B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL218738A1 (pl) | 1981-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4451969A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| US3615943A (en) | Deposition of doped and undoped silica films on semiconductor surfaces | |
| US4045594A (en) | Planar insulation of conductive patterns by chemical vapor deposition and sputtering | |
| US3442701A (en) | Method of fabricating semiconductor contacts | |
| US4154632A (en) | Method of diffusing aluminum into silicon substrate for manufacturing semiconductor device | |
| JPS62500414A (ja) | ３−ｖ及び２−６族化合物半導体の被覆 | |
| US3574010A (en) | Fabrication of metal insulator semiconductor field effect transistors | |
| KR890702258A (ko) | 반사 방지 막을 갖는 태양 전지의 제조 방법 | |
| US5272107A (en) | Manufacture of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor (MOS) device | |
| CN1155992C (zh) | 半导体元件的制造方法 | |
| US3657030A (en) | Technique for masking silicon nitride during phosphoric acid etching | |
| PL122172B1 (en) | Method of manufacture of semiconductor tensometric bridgego mostika | |
| JPS6029222B2 (ja) | 固体電子装置の製造方法 | |
| Shioya et al. | Properties of Chemical Vapor Deposited Tungsten Silicide Films Using Reaction of WF 6 and Si2 H 6 | |
| Hughes et al. | Proceedings of the Symposium on Etching for Pattern Definition | |
| Gaind et al. | Preparation and Properties of SiO2 Films from SiH4‐CO 2‐H 2 | |
| JP3032244B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3720542A (en) | Process for producing dense metal oxide coatings on semiconductor | |
| JPS63291485A (ja) | 酸化物超電導回路の製造方法 | |
| JPS5812441Y2 (ja) | 半導体装置電極構造 | |
| JPS56105652A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0375204A (ja) | 酸化物超伝導膜パターン作製法 | |
| JPS55121636A (en) | Manufacture of semiconductor apparatus | |
| US3645807A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JPS61139034A (ja) | 絶縁膜の製造方法 |