PL122149B1 - Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika - Google Patents

Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika Download PDF

Info

Publication number
PL122149B1
PL122149B1 PL21714779A PL21714779A PL122149B1 PL 122149 B1 PL122149 B1 PL 122149B1 PL 21714779 A PL21714779 A PL 21714779A PL 21714779 A PL21714779 A PL 21714779A PL 122149 B1 PL122149 B1 PL 122149B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
centering
semiconductor
plate
photoresist
poluprovodnika
Prior art date
Application number
PL21714779A
Other languages
English (en)
Other versions
PL217147A1 (pl
Inventor
Alfons Westphal
Henryk Iwaniszewski
Original Assignee
Naukowo Prod Ct Polprzewodniko
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Naukowo Prod Ct Polprzewodniko filed Critical Naukowo Prod Ct Polprzewodniko
Priority to PL21714779A priority Critical patent/PL122149B1/pl
Publication of PL217147A1 publication Critical patent/PL217147A1/xx
Publication of PL122149B1 publication Critical patent/PL122149B1/pl

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest przyrzad do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika, stosowany w produkcji przyrzadów pólprzewodnikowych, przy obustronnej fotolitografii.Struktury przyrzadów pólprzewodnikowych w czasie wykonywania procesów technologicznych przy ich wytwarzaniu wymagaja dokladnego centrowania i naswietlania na plytce pólprzewodnika.Znane dotychczas przyrzady do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika pozwalaja poprzez fotomaske naswietlac emulsje fotoczula tylko na jednej stronie plytki.Znane sa równiez urzadzenia do obustronnego centrowania obrazów, umozliwiajace przeswietlanie plytki pólprzewodnika promieniami podczerwonymi lub promieniami rentgena. Urzadzenia te cechuje jednak skompli¬ kowana i rozbudowana konstrukcja, co jest przyczyna znacznej ich zawodnosci.Niedogodnoscia dotychczas stosowanych przyrzadów do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika jest ograniczenie polegajace na tym, ze przy ich uzyciu mozna obrabiac plytki pólprzewodnika wylacznie z jednej strony i nie maja one zastosowania w,przypadkach obustronnej fotolitografii.Celem wynalazku jest wyeliminowanie tych niedogodnosci przez opracowanie nowego przyrzadu do centro¬ wania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika, który pozwoli wykonywac operacje technologiczne przy obustronnej fotolitografii na plytce, przez mocowanie i centrowanie dwóch fotomasek oraz obustronne naswietlanie emulsji fotoczulej, naniesionej na plytke.Cel ten osiagnieto wedlug wynalazku przez wykonanie przyrzadu, który zbudowany jest z obrotowego stolika, umocowanego do podstawy przyrzadu. Na stoliku tym ustawia sie plyte, na której umocowuje sie fotomaske dolna.Przyrzad wyposazony jest takze w druga fotomaske, która mocuje sie na górnej plycie, polaczonej zawia¬ sem przegubowym z suportem górnym stolika wspólrzednosciowego. Natomiast suport górny ustawia sie na suporcie dolnym stolika wspólrzednosciowego. Stolik ten jest polaczony z podstawa przyrzadu przy pomocy prowadnicy.Ponadto przyrzad wedlug wynalazku wyposazony jest w pokretlo stolika obrotowego, pokretlo suportu górnego i pokretlo suportu dolnego stolika wspólrzednosciowego. Pokretla te sluza do centrowania obrazów fotomasek.2 122149 Przesuw wspólrzednosciowy suportu dolnego i,górnego oraz przesuw katowy jednej z fotomasek na stoliku obrotowym pozwala regulowac polozenie fotomaski górnej i centrowanie znaków jednej i drugiej fotomaski.W celu dwustronnego naswietlenia plytki pólprzewodnika pokrytej dwustronnie emulsja fotoczula, umie¬ szcza sie ja miedzy fotomaskami, naswietla oraz utrwala znanym sposobem przez poddanie obróbce chemicznej.Wykorzystanie przyrzadu wedlug wynalazku, wyposazonego w obrotowy stolik i suporty wspólrzednoscio¬ we pozwolilo mocowac w przyrzadzie jednoczesnie dwie fotomaski oraz centrowanie znaków jednej i drugiej.Ponadto zastosowanie w produkcji rozwiazania wedlug wynalazku umozliwilo umieszczenie plytki pólprzewod¬ nika miedzy fotomaskami i uzyskanie na niej obustronnego naswietlenia emulsji.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia przekrój podluzny przyrzadu a fig. 2 jego widok z góry.Jak uwidoczniono na rysunku, przyrzad do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika wyposazony jest w obrotowy stolik 1, umocowany do podstawy przyrzadu 2, na którym osadzona jest plyta 3 sluzaca do mocowania fotomaski 4. Natomiast druga fotomaska 5 zamocowana jest na górnej plycie 6, polaczo¬ nej zawiasem przegubowym 7 z suportem górnym 8 stolika wspólrzednosciowego. Suport górny 8 osadzony zostal na suporcie dolnym 9 stolika wspólrzednosciowego, który polaczony jest z podstawa przyrzadu 2 przy pomocy prowadnicy 10.W czasie naswietlania plytka pólprzewodnika 11 umieszczona jest miedzy fotomaskami 4 i 5 w osi otwo¬ rów znajdujacych sie w plycie 3 i 6.Centrowanie znaków fotomaski 4 i 5 wykonywane jest pokretlem 12 stolika obrotowego 1 oraz pokretlem 13 suportu górnego 8 i pokretlem 14 suportu dolnego 9 stolika wspólrzednosciowego.Zastrzezenia patentowe 1. Przyrzad do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika, znamienny tym, ze wyposazony jest w suporty wspólrzednosciowe (8 i 9) do centrowania fotomaski górnej (5) z umieszczona pod nia druga fotomaska (4) zamocowana na plycie (3) obrotowego stolika (1), przy czym fotomaska górna (5) zamocowana na plycie górnej (6) jest polaczona zawiasem przegubowym (7) z suportem górnym (8) i przez prowadnice (10) z suportem dolnym (9). 2. Przyrzad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plytka pólprzewodnika (11) umieszczona jest podczas naswietlania miedzy fotomaskami (4 i 5) w osi otworów plyt (3 i 6) przyrzadu.Hi* "X PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Przyrzad do centrowania i naswietlania struktur na plytce pólprzewodnika, znamienny tym, ze wyposazony jest w suporty wspólrzednosciowe (8 i 9) do centrowania fotomaski górnej (5) z umieszczona pod nia druga fotomaska (4) zamocowana na plycie (3) obrotowego stolika (1), przy czym fotomaska górna (5) zamocowana na plycie górnej (6) jest polaczona zawiasem przegubowym (7) z suportem górnym (8) i przez prowadnice (10) z suportem dolnym (9).
  2. 2. Przyrzad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plytka pólprzewodnika (11) umieszczona jest podczas naswietlania miedzy fotomaskami (4 i 5) w osi otworów plyt (3 i 6) przyrzadu.Hi* "X PL
PL21714779A 1979-07-16 1979-07-16 Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika PL122149B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21714779A PL122149B1 (en) 1979-07-16 1979-07-16 Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21714779A PL122149B1 (en) 1979-07-16 1979-07-16 Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL217147A1 PL217147A1 (pl) 1981-02-13
PL122149B1 true PL122149B1 (en) 1982-06-30

Family

ID=19997489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21714779A PL122149B1 (en) 1979-07-16 1979-07-16 Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL122149B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL217147A1 (pl) 1981-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0758004A (ja) ステッパ装置における基板移動装置
ATE1462T1 (de) Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
JPH04283726A (ja) 露光装置
JPH05285861A (ja) 天井用墨出し方法
JPS5814757B2 (ja) ゾウノセイゴウホウホウ オヨビ ソノソウチ
US4128331A (en) Process printing apparatus
TWI295070B (en) Semiconductor device manufacturing method,semiconductor device manufactured thereby and lithographic apparatus therefor
FR2454125A1 (fr) Procede de preparation de cliches d'impression a l'aide de caches
PL122149B1 (en) Apparatus for centering and radiating structures on a semiconductor chipplastine poluprovodnika
US5747221A (en) Photolithography method and photolithography system for performing the method
US2836099A (en) Copying device for photographic work
CN217932412U (zh) 一种实验室光刻胶分区域曝光的装置
US3334541A (en) Precision art work machine
US2972931A (en) Vignetting apparatus
US3944364A (en) Borderless printing easel
CN210270511U (zh) 一种多功能的半导体光罩用支撑装置
US4325632A (en) Method of photographic printing and a photographic original plate for use therein
US2907657A (en) Process for making printing media with resist-type orthochromatic film material
US1818528A (en) Photographic printing device
US4083301A (en) Stencil exposure seal combination
JPS61210627A (ja) 有効光源測定用ピンホ−ル板
US2003190A (en) Apparatus for making contact prints or enlargements from developed negatives
JPH03237459A (ja) 半導体ウエハの露光方法およびステップ露光用レチクル
US2127601A (en) Portable photographic printing device
US2878739A (en) Production of offset negatives and offset plates without the use of a camera