Przedmiotem wynalazku jest tranzystor zlozony charakteryzujacy sie duzym napieciem prze¬ bicia i krótkim czasem przelaczania. Tranzystor ten moze byc wykorzystany jako element indywi¬ dualny lub tez moze byc wykonany w wersji scalonej do realizacji bardzo szybkich ukladów przelaczajacych.Znane jest dotychczas rozwiazanie szybkiego zlozonego tranzystora przelaczajacego, który jest zbudowany z tranzystora bipolarnego i diody typu Schottky, wlaczonej pomiedzy kolektor i baze tranzystora bipolarnego.Niedogodnoscia opisanego rozwiazania sa bardzo niewielkie napiecia przebicia tranzystora ograniczone napieciem przebicia diody typu Schottky.Istota rozwiazania wedlug wynalazku jest zastosowanie dodatkowego tranzystora polowego zlaczowego, którego bramka ma ten sam typ przewodnictwa co baza tranzystora bipolarnego.Tranzystorpolowy polaczonyjest z tranzystorem bipolarnym i dioda typu Schottky w ten sposób, ze dren tranzystora polowego zwarty jest z kolektorem tranzystora bipolarnego, natomiast jego bramka polaczona jest z baza tranzystora bipolarnego, a dioda typu Schottky wlaczona jest pomiedzy zródlo tranzystora polowego i baze tranzystora bipolarnego.Korzysci techniczne wynikajace z zastosowania rozwiazania wedlug wynalazku polegaja na mozliwosci uzyskania tranzystorów przelaczajacych charakteryzujacych sie jednoczesnie bardzo krótkim czasem przelaczania i wysokim napieciem przebicia. Dodatkowa zalete stanowi fakt, ze zastosowana w nowoopracowanym rozwiazaniu dioda typu Schottky moze charakteryzowac sie niewielkim napieciem przebicia, co znacznie ulatwia proces jej wytwarzania.Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawiajacym schemat ideowy tranzystora zlozonego. Tranzystorzlozony zbudowany jest z tranzystora bipolar¬ nego npn 1, diody typu Schottky 2i tranzystora polowego zlaczowego 3z kanalem typu n. Kolektor tranzystora bipolarnego 1 zwarty jest z drenem tranzystora polowego 3, a baza tranzystora polowego 3 zwarta jest z baza tranzystora bipolarnego 1. Pomiedzy zródlo i bramke tranzystora polowego 3 wlaczona jest dioda typu Schottky 2, w ten sposób, ze jej katoda polaczona jest ze zródlem tranzystora polowego 3.W opisanym rozwiazaniu napiecie przebicia wypadkowego tranzystora zlozonego zalezy tylko od napiecia przebicia tranzystora bipolarnego 1 i napiecia przebicia tranzystora polowego 3,2 121 920 natomiast napiecie przebicia diody typu Schottky 2 moze byc niewiele wieksze od napiecia odciecia bramki tranzystora polowego 3, a wiec praktycznie rzedu kilku lub kilkunastu woltów. Z kolei dla potencjalów drenu tranzystora polowego 3 nizszych niz potencjal jego bramki, kanal tranzystora polowego 3 jest otwarty i dioda typu Schottky 2 spolaryzowana jest w kierunku przewodzenia. W wyniku tego dioda skutecznie zabezpiecza tranzystor bipolarny 1 przed wejsciem w nasycenie. Tym samym w istotny sposób ograniczony jest ladunek wstrzykiwanych w kolektor tranzystora bipolar¬ nego 1 nosników mniejszosciowych, co powoduje, ze czas przelaczania tranzystora zlozonego jest bardzo krótki.Zastrzezenie patentowe Tranzystorzlozony zawierajacy tranzystor bipolarny i diode typu Schottky dolaczona do bazy tranzystora bipolarnego, znamienny tym, ze w szereg z dioda typu Schottky (2) wlaczony jest tranzystor polowy zlaczowy (3), którego bramka jest zwarta z baza tranzystora bipolarnego (1), dren jest polaczony z kolektorem tranzystora bipolarnego (3), a zródlo jest polaczone z dioda typu Schottky (2).\ N/' Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL