Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do otrzymywania siarki sublimowanej, zwanej czesto kwiatem siarczanym. Znane dotychczas urzadzenia do otrzymywania siarki sublimowanej skladaja sie z odparowalnika, komory lub kolumny kondensacyjnej oraz krócca laczacego te dwa elementy, sluzacego do przesylania par siarki. W odparowalniku nastepuje przejscie siarki elementarnej w stan pary a siarka sublimowana powstaje na scianach komory kondensacyjnej. Proces prowadzi sie w atmosferze gazu obojetnego uniemozliwiajacego utlenianie par siarki co w konsekwencji nie prowadzi do zakwaszenia produktu.W zaleznosci od stosowanej technologii urzadzenia te posiadaja rózne konstrukcje oraz elementy dodatkowe jak: doprowadzenie gazu obojetnego tak do odparowalnika,jak i do komory kondensacyjnej, urzadzenia do odbioru produktu skladajace sie z wibratorów i odbieralników celkowych oraz szereg innych. W przypadku zastosowania zamknietego obiegu gazu obojetnego znane sa filtry do czyszczenia i ochladzania tegoz gazu. Niedogodnoscia znanych i stosowanych dotychczas urzadzen jest uzyskiwanie produktu zawierajacego znaczne ilosci tak zwanych spieków, to jest otrzymywanie ziaren siarki zaglomerowanej, skladajacej sie z pozlepianych krysztalków siarki, zamiast mialkiego, drobnego produktu skladajacego sie z pojedynczych drobnych kryszta¬ lów. Dalszymi niedogodnosciami sa: nieduza wydajnosc, czesto wystepujace oblepianie scian komory kondensacyjnej gruba warstwa siarki sublimowanej, szczególnie w okolicy wlotu par siarki do kolumny. Powoduje to dalsze zmniejszenie wydajnosci procesu, nieodpowiednia granulacje oraz zakwaszenie produktu, zmuszajac w ten sposób do klopotliwej obróbki siarki sublimowanej w celu nadania jej wymaganych wlasnosci, tak pod wzgledem fizycznym jak i chemicznym.Celem wynalazku jest intensyfikacja procesu, poprawa jakosci produktu a przede wszystkim ustabilizowanie warunków kondensacji par siarki majacych podstawowe znacznie dla calosci procesu. Uzyskuje sie to poprzez zwiekszenie srednicy kolumny kondensacyjnej i zastosowanie nadmuchu gazu obojetnego w kolumnie kondensacyjnej za pomoca odpowiednio rozmieszczonych krócców. Wprowadzony do kolumny kondensacyjnej gaz o temperaturze nizszej od 100°C wpra¬ wia pary siarki w ruch, korzystnie wirowy, powodujac schladzanie ich w srodkowej czesci kolumny.Takwiec sublimacja kondensacyjna odbywa sie w calej objetosci kolumny a nadmuch gazu oddala2 121644 par siarki od scian kolumny. Dla zapewnienia takich warunków kondensacji sublimacyjnej wprowadza sie od 0,76 do 4Nm3 gazu obojetnego na kilogram siarki wprowadzonej do ukladu.Kolumna kondensacyjna, posiadajaca korzystnie ksztalt stojacego walca, winna posiadac tak dobrana srednice, aby liniowa szybkosc przeplywu gazu nad strefa nadmuchu wynosila nie mniej niz 2 m/godzine.Dla wyeliminowania nadmiernego nagrzewania kolumny przez przewodzenie, co powoduje jej oblepianie w okolicy krócca doprowadzajacego pary siarki, króciec odizolowanyjest termicznie od scianek kolumny. Strefa nadmuchu gazu obojetnego sklada sie zjednego badz tez dwóch i wiecej systemów króców zabudowanych kazdy na okreslonej wysokosci kolumny a odleglosc miedzy nimi winna wynosic 10 do 20% calkowitej wysokosci kolumny. Kazdy pojedynczy system krócców posiada przynajmniej dwa krócce umieszczone naprzeciw siebie w scianie kolumny. Korzystniejsze sa systemy zawierajace trzy, cztery, szesc a nawet osiem krócców rozmieszczonych symetrycznie wzgledem siebie. W przypadku zastosowania przynajmniej dwóch systemów nadmuchu sa one przesuniete wzgledem siebie tak, aby krócce ich nie lezaly bezposrednio jeden nad drugim. Krócce doprowadzajace gaz obojetny zabudowane sa prostopadle do scian kolumny kondensacyjnej lub w ten sposób, aby os krócca stanowila przedluzenie boku wieloboku utworzonego przez krócce danego systemu. Siarka sublimowana produkowana wedlug wynalazku odpowiada krajowym i zagranicznym normom jakosciowym, tak pod wzgledem wymogów dotyczacych postaci, jak tez i pod wzgledem skladu chemicznego.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schematycznie fragment kolumny kondensacyjnej w przekroju osiowym, fig. 2 — schemat systemu zasilania z dwoma króccami, fig. 3 — schemat systemu zasilania z trzema króc¬ cami, fig. 4 — schemat systemu zasilania z czterema króccami, fig. 5 — schemat systemu zasilania z szescioma króccami, fig. 6 — schemat systemu zasilania z króccami zainstalowanymi skosnie do powierzchni zewnetrznej kolumny kondensacyjnej.Do kolumny kondensacyjnej 1 o wysokosci 3m i srednicy 1,5 m doprowadza sie króccem 2, 10 kg par siarki na godzine o temperaturze 445°C. Króciec 2 doprowadzajacy pary siarki jest odizolowany termicznie od scian kolumny kondensacyjnej 1 za pomoca sznura azbestowego.Do kolumny kondensacyjnej 1 wprowadza sie do dwoma systemami krócców 3 dwutlenek wegla o temperaturze 30°C w ilosci 16NmVgodzine. Kazdy system krócców 3 dostarczajacych dwutlenek wegla, sklada sie z szesciu krócców zabudowanych w ten sposób, ze os kazdego krócca stanowi przedluzenie boku szescioboku, w wierzcholkach którego umieszczone sa krócce 3. Oba systemy sa odlegle od siebie o 0,5 m, natomiast króciec 2, doprowadzajacy pary siarki polozony jest o 0,1 m ponizej dolnego systemu krócców 3.Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do otrzymywania siarki sublimowanej poprzez odparowanie siarki elementar¬ nej oraz jej kondensacje sublimacyjna z uzyciem obojetnego gazu nosnego w kolumnie kondensa¬ cyjnej posiadajacej korzystnie ksztalt stojacego walca ze stozkowym dolnym zakonczeniem, znamienne tym, ze kolumna kondensacyjna (1) posiada srednice tak dobrana, aby liniowa szybkosc przeplywu gazu obojetnego powyzej strefy nadmuchu wynosila nie mniej niz 2 m/h, a króciec (2) doprowadzajacy pary siarki do kolumny (1) kondensacyjnej jest termicznie odizolowany od scian kolumny (1). 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze posiada strefe nadmuchu gazu obojetnego skladajaca sie z jednego badz tez dwóch i wiecej systemów krócców (3) doprowadzajacych gaz obojetny, przy czym kazdy system zabudowany jest na jednej wysokosci kolumny (1), a w przypadku zastosowania dwóch i wiecej systemów sa one oddalone od siebie o 10 do 20% calkowitej wysokosci kolumny (1), natomiast króciec (2) doprowadzajacy pary siarki do kolumny (1) umieszczony jest na wysokosci dolnego systemu krócców (3) lub ponizej. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 2, znamienne tym, ze kazdy system krócców (3) doprowadzaja¬ cych gaz obojetny posiada co najmniej dwa krócce (3) umieszczone naprzeciw siebie, korzystnie zawiera trzy, cztery, szesc a nawet osiem krócców (3) rozmieszczonych symetrycznie wzgledem siebie, przy czym w przypadku zastosowania w kolumnie (1) dwóch systemów nadmuchu sa one121 644 3 przesuniete wzgledem siebie o pewien kat tak, aby krócce (3) obu systemów nie lezaly bezposrednio jeden nad drugim. 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze krócce (3) doprowadzajace gaz obojetny zabudowane sa prostopadle do scian kolumny kondensacyjnej (1) lub korzystniej w ten sposób, ze os krócca (3) stanowi przedluzenie boku wieloboku utworzonego przez krócce (3) danego systemu.121644 O fuj 6 Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL