PL119720B1 - Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv - Google Patents

Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv

Info

Publication number
PL119720B1
PL119720B1 PL21001478A PL21001478A PL119720B1 PL 119720 B1 PL119720 B1 PL 119720B1 PL 21001478 A PL21001478 A PL 21001478A PL 21001478 A PL21001478 A PL 21001478A PL 119720 B1 PL119720 B1 PL 119720B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
generator
programmable
output
input
comparator
Prior art date
Application number
PL21001478A
Other languages
English (en)
Other versions
PL210014A1 (pl
Inventor
Henryk Makuszewski
Jacek Szalkiewicz
Original Assignee
Inst Komputerowych Syst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Komputerowych Syst filed Critical Inst Komputerowych Syst
Priority to PL21001478A priority Critical patent/PL119720B1/pl
Publication of PL210014A1 publication Critical patent/PL210014A1/xx
Publication of PL119720B1 publication Critical patent/PL119720B1/pl

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest tester do kontroli parametrów dynamicznych matryc pamieci ferrytowych zwlaszcza matryc planarnych, przeznaczony w szczególnosci do sprawdzania parametrów dynamicznych matryc pamieci ferrytowych w warunkach produkcji seryjnej.Stan techniki. Znanym jest z publikacji firmowej firmy EH Research Laboratonies Inc pt. „Seminar computer memory...*4 maj/czerwiec 1972system pomiaru pamieci ferrytowych oraz tester 8400 oparty na tym systemie. Znany tester 8400 zawierajacy uklad sterujacy i generator testów polaczone z ukladami elektry¬ cznymi pamieci sterujacymi badana matryca ma wyjscie wzmacniacza sygnalu odczytu polaczone poprzez uklad strobowania z przetwornikiem analogowo-cyfrowym, którego wyjscie jest polaczone z wielobitowym komparatorem cyfrowym. W znanym ukladzie nastepuje strobowanie, kórego wynik po przetworzeniu na sygnal cyfrowy podlega komparacji z granicznymi wartosciami dopuszczalnymi danego parametru.Oparcie ukladu na zasadzie przetwarzania analogowo-cyfrowego i cyfrowej komparacji wydluza zna¬ cznie czas pomiaru, co stanowi istotny mankament w przyrzadzie sprawdzajacym dla seryjnej produkcji pamieci. Znanym jest równiez tester N-201 firmy „Computer Test Corporation" rozwiazany analogicznie do opisanego wyzej tester 8400.Istota wynalazku. Tester do kontroli parametrów dynamicznych matryc pamieci ferrytowych zawiera¬ jacy sterujacy uklad i uklad programowanego generatora testów wzajemnie polaczone miedzy soba i niezaleznie od tych polaczen polaczone odrebnymi wyjsciami z wejsciami zespolu ukladów elektrycznych pamieci, który z kolei swoimi wyjsciami jest polaczony z badana matryca pamieci polaczona ze wzmacnia¬ czem sygnalu odczytu i ma wyjscie tego wzmacniacza polaczone z jednym wejsciem komparatora amplitudy, podczas gdy drugie jego wejscie jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora progu dyskryminacji a wyjscie komparatora amplitudy jest polaczone z jednym wejsciem komparatora fazy. Drugie wejscie komparatora fazy jest polaczone z wejsciem programowanego generatora strobu.Wyjscie komparatora fazy jest polaczone z jednym wejsciem jednobitowego, cyfrowego komparatora, który jest ponadto polaczony z ukladem programowanego genaratora testów i ze sterujacym ukladem.Wejscia programowanego generatora dyskryminacji i sterujace wejscia programowanego generatora strobu sa polaczone z wyjsciami ukladu programowanego generatora testów. Wejscie startowe programowanego generatora strobu jest polaczone z wyjsciem zespolu ukladów elektrycznych pamieci. Tester wedlug wyna¬ lazku przy zachowaniu prostoty ukladu i programu umozliwia szybki i dokladny pomiar matryc w warun¬ kach produkcji seryjnej. Przykladowo, dla matrycy o pojemnosci 147 456 rdzeni tester dokonuje okolo 6-1082 119 720 efektywnych pomiarów w czasie rzedu 12 minut. W przeciwienstwie do znanych testerów z przetwarzaniem analogowo-cyfrowym i cyfrowej komparacji tester wedlug wynalazku umozliwia wielokrotnie szybszy pomiar i sprawdzenie parametrów matryc pamieci.Objasnienie rysunku. Wynalazek jest blizej objasniony na przykladzie wykonania przedstawionym na zalaczonym rysunku, na którym fig. 1 pokazuje schemat blokowy zas fig. 2 przebiegi czasowe sygnalów elektrycznych.Przyklad realizacji wynalazku. Tester wedlug wynalazku ma sterujacy uklad 1 wzajemnie polaczony z ukladem 2 programowanego generatora testów. Obydwa uklady 1 i 2 sa polaczone z wejsciami zespolu 3 ukladów elektrycznych pamieci, którego wyjscia sa polaczone z badana matryca 4 pamieci. Wyjscie matrycy 4 pamieci jest polaczone z wejsciem wzmacniacza 5 odczytu. Wyjscie wzmacniacza 5 odczytu jest polaczone z jednym wejsciem komparatora 6 amplitudy, którego drugie wejscie jest polaczone z wyjsciem programowa¬ nego generatora 7 progu dyskryminacji. Wyjscie komparatora 6 amplitudy jest polaczone z jednym wejsciem komparatora 8 fazy. Drugie wejscie komparatora 8 fazy jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora 9 strobu. Wyjscie komparatora 8 fazy jest polaczone z jednym wejsciem jednobitowego cyfrowego komparatora 10, który jest polaczony równiez z ukladem 2 programowanego generatora testów oraz ze sterujacym ukladem 1. Wejscia programowanego generatora 7 progu dyskryminacji sa polaczone z odpo¬ wiednim zespolem wyjsc ukladu 2 programowanego generatora testów. Sterujace wejscia programowanego generatora 9 strobu sa polaczone z odpowiednim zespolem wyjsc ukladu 2 programowanego generatora testów.Dzialanie testera wedlug wynalazku przebiega nastepujaco. Zespól 3 ukladów elektrycznych matrycy oraz badana matryca 4 pamieci tworza blok pamieci o pojemnosci okreslonej charakterystykami danej matrycy 4. Tester wedlug wynalazku pracuje w uladzie „ZAPIS TESTU" a nastepnie „ODCZYTTESTU" w badanym obszarze matrycy 4. Informacja zapisywana w matrycy 4jest podawana z ukladu 2 programowa¬ nego generatora testów. Sygnal odczytu podawany jest z matrycy 4 na wejscie wzmacniacza 5 odczytu.Wzmocniony sygnal Uo podlega w komparatorze 6 amplitudy procesowi amplitudowej komparacji z sygnalem Uo progu dyskryminacji podawanym z programowanego generatora 7 progu dyskryminacji.Wartosc sygnalu progu dyskryminacji okreslona jest przez uklad 2 programowanego generatora testów.Wyjsciowy pradowy sygnal Io komparatora 6 amplitudy jest poddawany w komparatorze 8 fazy procesowi fazowej komparacji z pradowym sygnalem strobu b wytwarzanym przez programowany genera¬ tor 9 strobu w czasie odczytu testu. Komparowane sygnaly Ic i Is cechuja sie stabilizowana amplituda pradów. Polozenie sygnalu strobu Is wzgledem sygnalu „START STROB44 okreslane jest przez uklad 2 programowanego generatora testów.Cyfrowy wynik komparacji fazowej sygnalów Ic i Is w postaci jednobitowej jest podawany na jednobi- towy, cyfrowy komparator 10 gdzie ulega komparacji z jednobitowa informacja wzorcowa podawana z ukladu 2 programowanego generatora testów. Wynik porównania jest podawany na sterujacy uklad 1.Programowane wartosci progu dyskryminacji amplitudy i polozenia strobu sa ustalane w czasie zapisu testu w badanej matrycy 4. Wynik testowania w postaci „DOBRY — ZLY" jest ze sterujacego ukladu 1 przekazy¬ wany do dowolnego ukladu wydruku lub ukladu sygnalizacji.Zastrzezenie patentowe Tester do kontroli parametrów dynamicznych matryc pamieci ferrytowych zawierajacy sterujacy uklad i uklad generatora testów wzajemnie polaczone miedzy soba i niezaleznie od tych polaczen polaczone odrebnymi wyjsciami z dwoma wejsciami zespolu ukladów elektrycznych pamieci, który z kolei swoimi wyjsciami jest polaczony zbadana matryca pamieci polaczona ze wzmacniaczem sygnalu odczytu, znamienny tym, ze wyjscie wzmacniacza (5) odczytu jest polaczone z jednym wejsciem komparatora (6) amplitudy, zas jego drugie wejscie jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora (7) progu dyskryminacji a wyjscie komparatora (6) amplitudy jest polaczone z jednym wejsciem komparatora (8) fazy, którego drugie wejscie jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora (9) strobu, przy czym wyjscie komparatora (8) fazy jest polaczone z jednym wejsciem jednobitowego, cyfrowego komparatora (10), który jest ponadto polaczony z ukladem (2) programowanego generatora testów i ze sterujacym ukladem (1), podczas gdy wejscia programowanego generatora (7) progu dyskryminacji i sterujace wejscia programowanego generatora (9) strobu sa polaczone z wyjsciami ukladu (2) programowanego generatora testów, natomiast wejscie startowe programowanego generatora (9) strobu jest polaczone z wyjsciem zespolu (3) ukladów elektrycznych pamieci.119 720119 720 Rg.2 Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Tester do kontroli parametrów dynamicznych matryc pamieci ferrytowych zawierajacy sterujacy uklad i uklad generatora testów wzajemnie polaczone miedzy soba i niezaleznie od tych polaczen polaczone odrebnymi wyjsciami z dwoma wejsciami zespolu ukladów elektrycznych pamieci, który z kolei swoimi wyjsciami jest polaczony zbadana matryca pamieci polaczona ze wzmacniaczem sygnalu odczytu, znamienny tym, ze wyjscie wzmacniacza (5) odczytu jest polaczone z jednym wejsciem komparatora (6) amplitudy, zas jego drugie wejscie jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora (7) progu dyskryminacji a wyjscie komparatora (6) amplitudy jest polaczone z jednym wejsciem komparatora (8) fazy, którego drugie wejscie jest polaczone z wyjsciem programowanego generatora (9) strobu, przy czym wyjscie komparatora (8) fazy jest polaczone z jednym wejsciem jednobitowego, cyfrowego komparatora (10), który jest ponadto polaczony z ukladem (2) programowanego generatora testów i ze sterujacym ukladem (1), podczas gdy wejscia programowanego generatora (7) progu dyskryminacji i sterujace wejscia programowanego generatora (9) strobu sa polaczone z wyjsciami ukladu (2) programowanego generatora testów, natomiast wejscie startowe programowanego generatora (9) strobu jest polaczone z wyjsciem zespolu (3) ukladów elektrycznych pamieci.119 720119 720 Rg.
2. Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 120 egz. Cena 100 zl PL PL
PL21001478A 1978-09-30 1978-09-30 Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv PL119720B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21001478A PL119720B1 (en) 1978-09-30 1978-09-30 Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21001478A PL119720B1 (en) 1978-09-30 1978-09-30 Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL210014A1 PL210014A1 (pl) 1980-07-01
PL119720B1 true PL119720B1 (en) 1982-01-30

Family

ID=19991806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21001478A PL119720B1 (en) 1978-09-30 1978-09-30 Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL119720B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL210014A1 (pl) 1980-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69802663T2 (de) Hochgeschwindigkeitsprüfsystem für speichereinrichtung
DE69429462T2 (de) Halbleitervorrichtung und Versorgungsstrom- Detektionsverfahren
US4631724A (en) Semiconductor memory test equipment
US5079725A (en) Chip identification method for use with scan design systems and scan testing techniques
US4583223A (en) Testing system
JP2604606B2 (ja) 回路試験装置
US5956280A (en) Contact test method and system for memory testers
EP0600655A3 (en) Method and device for testing integrated circuits.
US20020152439A1 (en) Method of outputting internal information through test pin of semiconductor memory and output circuit thereof
US5815513A (en) Test pattern preparation system
JPH01502534A (ja) 3―状態回路試験装置
US5875135A (en) Characterization of self time circuit
PL119720B1 (en) Tester for checking dynamic parameters of ferrite storage arrayserritovykh zapominajuhhikh ustrojjstv
WO1998014954A1 (en) Memory tester
KR100311955B1 (ko) 전자회로의기능테스트장치및방법
JPH05144296A (ja) 半導体記憶装置の検査方法
JPS62103894A (ja) 読取り完了信号発生回路
Bardell Jr et al. Self-test of random access memories.
JPH08263997A (ja) 半導体メモリデバイスの検査方法
Anderson Integrated probe card/interface solutions for specific test applications
JPH0312100A (ja) 記録素子のテスト機能を有するメモリ回路
JPH0748317B2 (ja) 半導体メモリ検査方式
KR100762872B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 테스트 방법
JPS6222853Y2 (pl)
JP3418465B2 (ja) 半導体装置の試験方法

Legal Events

Date Code Title Description
RECP Rectifications of patent specification