PL116997B1 - Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija - Google Patents

Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija Download PDF

Info

Publication number
PL116997B1
PL116997B1 PL20954878A PL20954878A PL116997B1 PL 116997 B1 PL116997 B1 PL 116997B1 PL 20954878 A PL20954878 A PL 20954878A PL 20954878 A PL20954878 A PL 20954878A PL 116997 B1 PL116997 B1 PL 116997B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
metallic substrates
chemical nickel
platingmicheskogo
nikelirovanija
regeneration
Prior art date
Application number
PL20954878A
Other languages
English (en)
Other versions
PL209548A1 (pl
Inventor
Jan Przyluski
Jerzy Bielinski
Alicja Bielinska
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL20954878A priority Critical patent/PL116997B1/pl
Publication of PL209548A1 publication Critical patent/PL209548A1/xx
Publication of PL116997B1 publication Critical patent/PL116997B1/pl

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 15.07.1983 116997 Int. Cl.8 C23G 1/10* CZY itLNlA Urzedu Pot«fitowego Twórcy wynalazku: Jan Przyluski, Jerzy Bielinski, Alicja Bielinska Uprawniony z patentu: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób regeneracji podlozy niemetalicznych dla niklowania chemicznego Przectaioltem wynalazku jest sposób regeneracji podlozy mieprzewodzaccyh pradu elektrycznego, wykonanych ze szkla, ceramiki, tworzyw sztucz¬ nych itp., materialów niemetalicznych, które po usunieciu uprzednio naniesionej warstwy niklu, 5 moglyby byc ponownie niklowane chemicznie.Otrzymywane pokrycie metalicznego niklu a tak¬ ze stopów NiP i NiiB, wskazuja cenne wlasciwosci i sa wykorzystywane w celach antykorozyjnych, zdobniczych a przede wszystkim w elektronice dla 10 konstrukcji elementów i podzespolów z warstwa przewodzaca prad elektryczny, jak rezystory, kon¬ densatory itp.Jednakze czesto zdarza sie, ze wytworzone po¬ wloki sa wadliwe i elementy z takimi powlokami 15 nie moga byc praktycznie wykorzystane, stad wiec wynika potrzeba usuniecia tych powlok celem od¬ zyskania podloza, które pózniej, po ponownym naniesieniu powlok, moga byc pelnowartosciowe.W dotychczasowej praktyce, warstwy niklu lub ^ jego stopów z podlozy metalicznych usuwa sie na drodze dzialania kwasem azotowym, siarkowym lub solnym albo tez ich mieszaninami, przy czym czesto stosuje sie roztwory zawierajace kwas fos¬ forowy i kwas fluorowodorowy. W przypadku jed- u nak gdy odzyskiwane podloze jest wykonane z ma¬ terialu niemetalicznego, skladniki roztworów tra¬ wiacych reaguja z podlozem np. roztwarzajac tle¬ nek glinowy lub inne tlenki metali w podlozu szklanym i ceramicznym jak równiez przenikaja ^ 2 w glab tworzyw sztucznych, zwlaszcza podczas dlugotrwalego trawienia. Zmieniaja sie wiec wlas¬ ciwosci podloza, np., zwieksza sie chropowatosc powierzchni, co w przypadku precyzyjnych ele¬ mentów elektronicznych wyklucza ponowne ich- wykorzystanie.Okazalo sie, ze trudnosci tych mozna uniknac^ stosujac sposób wedlug wynalazku, który polega: na trawieniu warstw niklu oraz jego stopów na podlozu niemetalicznym w roztworach wodnych zawierajacych jony nadsiarczanowe o- stezeniu 0,1—2,0 M/l zgodnie z równaniem: Na2S208 + Ni Na2S04 + NiS04 Z powstalej mieszaniny soli mozna latwo odzyskac- metaliczny nikiel, np., na drodze elektrolizy.Poniewaz jednak roztwory nadsiarczanowe pasy- wuja czesc powierzchni niklu jak równiez zbyt po¬ woli roztwarzaja stopy niklu, korzystny jest doda¬ tek kwasu mineralnego o niewielkim stezeniu 0,01—1,0 M/l.Stwierdzono równiez, ze roztwory nadsiarczano¬ we ulegaja w miare uplywu czasu samorzutnemu rozkladowi, dlatego tez dla zahamowania tego roz¬ kladu, dodaje sie. srodka inhibitujacego, w szcze¬ gólnosci 8-hydroksychinoIine w stezeniu 0,1—10* mM/1, co jednoczesnie utrudnia trawiace dzialanie kwasów mineralnych na powierzchnie podlozy.Przedmiot wynalazku jest zilustrowany w przy¬ kladach wykonania, które nie ograniczaja jego* zakresu. 116 997116 997 Przyklad I. 100 elementów walcowych z -porcelany elektrotechnicznej, pokrytych rezystyw¬ na warstwa NiP o zawartosci 10% P i rezystancji 5,5, umieszcza sie w pojemniku zawierajacym roz¬ twór o skladzie: nadsiarczan amonowy — 1,0 M/l kwas siarkowy — 0,2 M/l 8-hydroksychinolina — 0,1 mM/1 Proces trawienia prowadzi sie w ciagu jednej go¬ dziny w temperaturze 50°C. Zregenerowane podlo¬ ze, po oplukaniu woda, ponownie przekazano do metalizacji. Uzyskane elementy wykazuja róznice sredniej rezystancji ponizej 10% od rezystancji zlozonej. Analogiczny proces trawienia w 20% roz¬ tworze HC1 na goraco trwal 5 godzin a wtórnie metalizowane elementy róznily sie wartosciami rezystancji ponad 50%.Przyklad II. Folie poliestrowa z naniesiona warstwa metaliczna, otrzymana w procesie niklo- -wania chemicznego, umieszcza sie w pojemniku zawierajacym roztwór o skladzie: w 15 20 nadsiarczan potasowy —0,15 M/l kwas siarkowy — 0,05 M/l 8-hydroksychinolina — 0,01 mM/1 Proces trawienia prowadzi sie w ciagu 8 godzin w temperaturze pokojowej. Analiza chemiczna roztworu po trawieniu wykazuje ubytek 0,001 M/l nadsiarczanu wskutek samorzutnego rozkladu, podczas gdy w kontrolnym roztworze bez inhibi¬ tora ubytek taki wynosi 0,012 M/l. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób regeneracji podlozy niemetalicznych dla niklowania chemicznego za pomoca wytrawiania usuwanych warstw niklu lub jego stopów roztwo¬ rem zawierajacym kwas mineralny, znamienny tym, ze dziala sie roztworem zawierajacym oprócz kwasu mineralnego o stezeniu 0,01—1,0 M/i, joaiy nadsiarczanowe o stezeniu 0,1—2,0 M/l oraz srodek inhibitujacy rozklad nadsiarczanu, korzystnie 8-hy- droksychinoline, w stezeniu 0,1—10 mM/1. PZGraf. Koszalin A-753 105 A-4 Cena 100 zl PL
PL20954878A 1978-09-12 1978-09-12 Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija PL116997B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20954878A PL116997B1 (en) 1978-09-12 1978-09-12 Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20954878A PL116997B1 (en) 1978-09-12 1978-09-12 Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL209548A1 PL209548A1 (pl) 1980-05-05
PL116997B1 true PL116997B1 (en) 1981-07-31

Family

ID=19991437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20954878A PL116997B1 (en) 1978-09-12 1978-09-12 Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL116997B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL209548A1 (pl) 1980-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59501751A (ja) 半田剥離用溶液
JPH01502679A (ja) 後に金属化を行なうセラミツク体の化学的処理法
DE2159612A1 (de) Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper
EP0418333B1 (en) Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces
US3492210A (en) Electrolytic stripping of nonferrous metals from a ferrous metal base
US2978301A (en) Process and composition for the dissolution of copper
US3242090A (en) Compositions for and methods of removing gold deposits by chemical action
JPS6045274B2 (ja) 金属析出物の化学的剥離用組成物および方法
Tang et al. Electrochemical dissolution and recovery of tin from printed circuit board in methane–sulfonic acid solution
Ganorkar et al. A novel method for conservation of copper-based artifacts
PL116997B1 (en) Method of regeneration of non-metallic substrates for chemical nickel platingmicheskogo nikelirovanija
Munn et al. The effect of palladium implantation on the crevice corrosion of titanium
GB2147315A (en) Thallium-containing composition for stripping palladium
Md et al. Electrodeposition of copper from a choline chloride based ionic liquid
US2887373A (en) Method of cleaning metal surfaces
JP4789361B2 (ja) 誘電体表面上に導電層を製造する方法
US4960493A (en) Plating on metallic substrates
SU1315407A1 (ru) Способ металлизации изделий из диэлектриков
GB2134931A (en) Non-electrolytic copper plating for printed circuit board
JPH0377878B2 (pl)
JPS6326375A (ja) 無電解めつき開始方法
JPH03162575A (ja) ステンレス製治具
SU850738A1 (ru) Способ травлени пленок на основеОКиСи ОлОВА
SU1206348A1 (ru) Способ подготовки пластмассовой поверхности под гальваническое покрытие
JPH04120266A (ja) 乾式めっき用治具