PL116261B2 - Method of producing x-ray-etch resists - Google Patents

Method of producing x-ray-etch resists Download PDF

Info

Publication number
PL116261B2
PL116261B2 PL21525479A PL21525479A PL116261B2 PL 116261 B2 PL116261 B2 PL 116261B2 PL 21525479 A PL21525479 A PL 21525479A PL 21525479 A PL21525479 A PL 21525479A PL 116261 B2 PL116261 B2 PL 116261B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gold
mask
layer
ray
emulsion
Prior art date
Application number
PL21525479A
Other languages
English (en)
Other versions
PL215254A2 (pl
Inventor
Zbigniew Znamirowski
Eugeniusz Prociow
Irena Barycha
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Priority to PL21525479A priority Critical patent/PL116261B2/pl
Publication of PL215254A2 publication Critical patent/PL215254A2/xx
Publication of PL116261B2 publication Critical patent/PL116261B2/pl

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazkujest sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, znajdujacy zastosowanie w mikroelektronice, w procesach kopiowania wzorów o duzej rozdzielczosci, wykonywanych metoda elektronolitografii.Znany sposób wykonania maski rentgenolitograficznej polega na tym, ze na blone nosna, wykonana z cienkiej folii syntetycznej lub z krzemu monokrystalicznego, nanosi sie na drodze naparowania prózniowego warstwe podlozowa z chromu, a na nia warstwe zlota o grubosci rzedu kilku dziesiatych mikrometra. Na warstwe zlota nanosi sie emulsje elektronoczula lub rentgenoczula i naswietla w niej obraz zadanej maski. Po wywolaniu emulsji otrzymuje sie obraz maski pokryty emulsja i odsloniete powierzchnie warstwy zlota, lezace poza obrazem maski. Calosc zanurza sie w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa, a nastepnie zmywa sie emulsje. W wyniku tego otrzymuje sie gotowy wzór maski na blonie nosnej. W razie potrzeby powierzchnie maski pokrywa sie warstwa ochronna na przyklad z dwutlenku krzemu.W znanym sposobie wykonania maski rentgenolitograficznej wystepuja straty duzych ilosci zlota, które powstaja w procesie prózniowego naparowywania grubej warstwy zlota oraz w procesie wytrawiania zlota z obszarów lezacych poza obrazem maski.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze po naswietleniu wemulsji obrazu maski i wywolaniu go, na odkryte powierzchnie zlota nanosi sie metoda galwaniczna zloto, do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy.Nastepnie zmywa sie emulsje i calosc zanurza w kapieli trawiacej zloto i warstwe podlozowa, na czas niezbedny do usuniecia ich z obszarów lezacych poza wzorem maski.Zasadnicza zaleta techniczno-uzytkowa sposobu wedlug wynalzku jest znaczne ograniczenie strat zlota w procesach wykonywania masek rentgenolitograficznych. Warstwa zlota nanoszona na warstwe podlozowa ma rzedu kilku nenometrów grubosci i jest porubiana metoda galwaniczna w miejscach odwzorowujacych obraz maski. Dzieki temu ograniczone sa straty zlota powstajace w procesie prózniowego naparowywania oraz wyeliminowane jest trawienie grubych warstw zlota lezacych poza wzorem maski.Sposób wedlug wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania maski rentgenolitograficznej dla celów ekspozycjijednopoziomowej i maski rentgenolitograficznej dla celów ekspozycjiwielopoziomowej.Przyklad I. Mike, o temperaturowym wspólczynniku rozszerzalnosci liniowej 9 ppm/K, rozlupuje sie mechanicznie na blone o grubosci 5 /im i wycina krazek o srednicy 23 mm. Blone umieszcza sie w komorze prózniowej naparowywarki i wygrzewa przez 10 minut w temperaturze 675 K, w prózni okolo 1,33 • 10"3 Pa.2 116 261 Po wygrzaniu, na blone o temperaturze okolo 640 K, metoda termicznego odparowywania, nanosi sie z szybkoscia okolo 0,2 nm/s, wciagu 1 minuty, warstwe stopu chromoniklowego o grubosci 12 nm, a nastepnie warstwe zlota o grubosci 10nm. Po wyjeciu blony z dwuwarstwa podlozowa z komory prózniowej, warstwe zlota pokrywa sie warstwa emulsji elektronoczulej z polimetakrylanu i naswietla sie zadany obraz maski wiazka elektronów. Nastepnie usuwa sie selektywnie emulsje, w procesie chemicznego wywolywania, a na odsloniete powierzchnie zlota nanosi sie dodatkowa warstwe zlota, w celu wytworzenia wzoru maski.Warstwe zlota pogrubia sie do grubosci 1 /jm, stosujac kapiel galwaniczna o skladzie: 2g/l piorunianu zlota, 7g/l cyjanku potasu i 10g/l sody kalcynowanej, temperature 300K, czas 15minut i wydajnosc pradowa procesu pogrubiania 1 cm2 powierzchni wzoru maski 0,2 jan/mAmin. Po zmyciu emulsji wykonuje sie trawienie warstwy zlota naniesionej na warstwe chromoniklowa, stosujac roztwóro skladzie: 90 g/ljodku potasu i 2g/l jodu. Proces trawienia prowadzi sie w temperaturze pokojowej, w czasie 1 minuty. Nastepnie usuwa sie z blony nosnej warstwe chromoniklowa, przy uzyciu 15% roztworu wodnego azotanu amonocero- wego, w temperaturze 330 K. Takwytworzony wzór maski zabezpiecza sie warstwa ochronna, która nanosi sie prózniowo, stosujac tlenek SiOx. Grubosc warstwy ochronnej wynosi kilkadziesiat nnt. Maska rentgenoli- tograficzna wykonana przykladowym sposobem wedlug wynalazku ma przepuszczalnosc dla promieniowa¬ nia miekkiego lepsza niz 40%, a kontrast lepszy niz 5:1.Przykladu. Z ceramiki alundowej o temperaturowym wspólczynniku rozszerzalnosci liniowej 7 ppm/K, wykonuje sie pierscien usztywniajacy, do którego przykleja sie blone nosna z miki, wykonanajak opisano w przykladzie pierwszym. Do klejenia uzywa sie lakieru na bazie poliimidów, charakteryzujacego sie duza odpornoscia na dzialanie temperatury do okolo 650 K oraz odpornoscia na dzialanie czynników chemicznych. Po naniesieniu cienkiej warstwy kleju na pierscien usztywniajacy, umieszcza sie na niej blone z miki i poddaje klej procesowi utwardzenia. Utwardzenie kleju uzyskuje sie przez ogrzewanie od temperatury pokojowej do 500 K, w czasie jednej godziny, a nastepnie chlodzenie przez godzine. Pierscien z przyklejona blona z miki umieszcza sie w komorze prózniowej naparowywarki i postepuje sie dalej identycznie jak opisano w przykladzie pierwszym.Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, polegajacy na naniesieniu na blone nosna maski warstwy podlozowej i warstwy zlota, która nastepnie pokrywa sie emulsja elektronoczula lub rentgenoczula, po czym naswietla sie w emulsji obraz zadanej maski i wywoluje go, znamienny tym, ze po wytworzeniu obrazu maski w emulsji, calosc zanurza sie w kapieli galwanicznej zawierajacej zloto i prowadzi sie proces elektrolizy do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy zlota, po czym zmywa sie emulsje, a nastepnie zanurza w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa.Prac. Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, polegajacy na naniesieniu na blone nosna maski warstwy podlozowej i warstwy zlota, która nastepnie pokrywa sie emulsja elektronoczula lub rentgenoczula, po czym naswietla sie w emulsji obraz zadanej maski i wywoluje go, znamienny tym, ze po wytworzeniu obrazu maski w emulsji, calosc zanurza sie w kapieli galwanicznej zawierajacej zloto i prowadzi sie proces elektrolizy do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy zlota, po czym zmywa sie emulsje, a nastepnie zanurza w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa. Prac. Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz. Cena 100 zl PL
PL21525479A 1979-04-27 1979-04-27 Method of producing x-ray-etch resists PL116261B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21525479A PL116261B2 (en) 1979-04-27 1979-04-27 Method of producing x-ray-etch resists

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21525479A PL116261B2 (en) 1979-04-27 1979-04-27 Method of producing x-ray-etch resists

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL215254A2 PL215254A2 (pl) 1980-03-24
PL116261B2 true PL116261B2 (en) 1981-05-30

Family

ID=19995996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21525479A PL116261B2 (en) 1979-04-27 1979-04-27 Method of producing x-ray-etch resists

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL116261B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL215254A2 (pl) 1980-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0152227A3 (en) The fabrication of microstructures over large areas using physical replication
CA1079614A (en) Etching composition and method for using same
JPH05279862A (ja) プリント回路板の製造にことに有利な、基板上に画像をプリントする方法
JPS6331555B2 (pl)
ATE86794T1 (de) Verfahren zur herstellung einer niedergeschlagenen schicht.
PL116261B2 (en) Method of producing x-ray-etch resists
JPS5532088A (en) Photo mask forming method
DE1771951A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer weitgehend gleichmaessigen poren- bzw. feinlunkerfreien Metallschicht
JPS52119172A (en) Forming method of fine pattern
EP0103844B1 (en) X-ray mask
JPS6016422A (ja) マスク製作方法
US3945826A (en) Method of chemical machining utilizing same coating of positive photoresist to etch and electroplate
JPS57160127A (en) Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure
US2389504A (en) Process of making reticles or the like
JPS5492061A (en) Micropattern forming method
SU1064352A1 (ru) Способ изготовлени шаблона
JPS5821739A (ja) フオトマスクの製造方法
US2393821A (en) Method and composition of producing fine lines photographically
US3874945A (en) Method of fabricating plastic printing plates
JPS55134847A (en) Manufacture of resist image
JPS5619045A (en) Electron beam sensitive inorganic resist
JPS57176040A (en) Preparation of photomask
JPS5588331A (en) X-ray exposing mask
GB2043107A (en) Engraving metal surfaces
JPS5568634A (en) Manufacture of mask for x-ray exposure