PL116261B2 - Method of producing x-ray-etch resists - Google Patents
Method of producing x-ray-etch resists Download PDFInfo
- Publication number
- PL116261B2 PL116261B2 PL21525479A PL21525479A PL116261B2 PL 116261 B2 PL116261 B2 PL 116261B2 PL 21525479 A PL21525479 A PL 21525479A PL 21525479 A PL21525479 A PL 21525479A PL 116261 B2 PL116261 B2 PL 116261B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gold
- mask
- layer
- ray
- emulsion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 28
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- SZEUSMNGJDQZGU-UHFFFAOYSA-N [C-]#[N+]O[Au](O[N+]#[C-])O[N+]#[C-] Chemical compound [C-]#[N+]O[Au](O[N+]#[C-])O[N+]#[C-] SZEUSMNGJDQZGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000012822 chemical development Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazkujest sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, znajdujacy zastosowanie w mikroelektronice, w procesach kopiowania wzorów o duzej rozdzielczosci, wykonywanych metoda elektronolitografii.Znany sposób wykonania maski rentgenolitograficznej polega na tym, ze na blone nosna, wykonana z cienkiej folii syntetycznej lub z krzemu monokrystalicznego, nanosi sie na drodze naparowania prózniowego warstwe podlozowa z chromu, a na nia warstwe zlota o grubosci rzedu kilku dziesiatych mikrometra. Na warstwe zlota nanosi sie emulsje elektronoczula lub rentgenoczula i naswietla w niej obraz zadanej maski. Po wywolaniu emulsji otrzymuje sie obraz maski pokryty emulsja i odsloniete powierzchnie warstwy zlota, lezace poza obrazem maski. Calosc zanurza sie w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa, a nastepnie zmywa sie emulsje. W wyniku tego otrzymuje sie gotowy wzór maski na blonie nosnej. W razie potrzeby powierzchnie maski pokrywa sie warstwa ochronna na przyklad z dwutlenku krzemu.W znanym sposobie wykonania maski rentgenolitograficznej wystepuja straty duzych ilosci zlota, które powstaja w procesie prózniowego naparowywania grubej warstwy zlota oraz w procesie wytrawiania zlota z obszarów lezacych poza obrazem maski.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze po naswietleniu wemulsji obrazu maski i wywolaniu go, na odkryte powierzchnie zlota nanosi sie metoda galwaniczna zloto, do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy.Nastepnie zmywa sie emulsje i calosc zanurza w kapieli trawiacej zloto i warstwe podlozowa, na czas niezbedny do usuniecia ich z obszarów lezacych poza wzorem maski.Zasadnicza zaleta techniczno-uzytkowa sposobu wedlug wynalzku jest znaczne ograniczenie strat zlota w procesach wykonywania masek rentgenolitograficznych. Warstwa zlota nanoszona na warstwe podlozowa ma rzedu kilku nenometrów grubosci i jest porubiana metoda galwaniczna w miejscach odwzorowujacych obraz maski. Dzieki temu ograniczone sa straty zlota powstajace w procesie prózniowego naparowywania oraz wyeliminowane jest trawienie grubych warstw zlota lezacych poza wzorem maski.Sposób wedlug wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania maski rentgenolitograficznej dla celów ekspozycjijednopoziomowej i maski rentgenolitograficznej dla celów ekspozycjiwielopoziomowej.Przyklad I. Mike, o temperaturowym wspólczynniku rozszerzalnosci liniowej 9 ppm/K, rozlupuje sie mechanicznie na blone o grubosci 5 /im i wycina krazek o srednicy 23 mm. Blone umieszcza sie w komorze prózniowej naparowywarki i wygrzewa przez 10 minut w temperaturze 675 K, w prózni okolo 1,33 • 10"3 Pa.2 116 261 Po wygrzaniu, na blone o temperaturze okolo 640 K, metoda termicznego odparowywania, nanosi sie z szybkoscia okolo 0,2 nm/s, wciagu 1 minuty, warstwe stopu chromoniklowego o grubosci 12 nm, a nastepnie warstwe zlota o grubosci 10nm. Po wyjeciu blony z dwuwarstwa podlozowa z komory prózniowej, warstwe zlota pokrywa sie warstwa emulsji elektronoczulej z polimetakrylanu i naswietla sie zadany obraz maski wiazka elektronów. Nastepnie usuwa sie selektywnie emulsje, w procesie chemicznego wywolywania, a na odsloniete powierzchnie zlota nanosi sie dodatkowa warstwe zlota, w celu wytworzenia wzoru maski.Warstwe zlota pogrubia sie do grubosci 1 /jm, stosujac kapiel galwaniczna o skladzie: 2g/l piorunianu zlota, 7g/l cyjanku potasu i 10g/l sody kalcynowanej, temperature 300K, czas 15minut i wydajnosc pradowa procesu pogrubiania 1 cm2 powierzchni wzoru maski 0,2 jan/mAmin. Po zmyciu emulsji wykonuje sie trawienie warstwy zlota naniesionej na warstwe chromoniklowa, stosujac roztwóro skladzie: 90 g/ljodku potasu i 2g/l jodu. Proces trawienia prowadzi sie w temperaturze pokojowej, w czasie 1 minuty. Nastepnie usuwa sie z blony nosnej warstwe chromoniklowa, przy uzyciu 15% roztworu wodnego azotanu amonocero- wego, w temperaturze 330 K. Takwytworzony wzór maski zabezpiecza sie warstwa ochronna, która nanosi sie prózniowo, stosujac tlenek SiOx. Grubosc warstwy ochronnej wynosi kilkadziesiat nnt. Maska rentgenoli- tograficzna wykonana przykladowym sposobem wedlug wynalazku ma przepuszczalnosc dla promieniowa¬ nia miekkiego lepsza niz 40%, a kontrast lepszy niz 5:1.Przykladu. Z ceramiki alundowej o temperaturowym wspólczynniku rozszerzalnosci liniowej 7 ppm/K, wykonuje sie pierscien usztywniajacy, do którego przykleja sie blone nosna z miki, wykonanajak opisano w przykladzie pierwszym. Do klejenia uzywa sie lakieru na bazie poliimidów, charakteryzujacego sie duza odpornoscia na dzialanie temperatury do okolo 650 K oraz odpornoscia na dzialanie czynników chemicznych. Po naniesieniu cienkiej warstwy kleju na pierscien usztywniajacy, umieszcza sie na niej blone z miki i poddaje klej procesowi utwardzenia. Utwardzenie kleju uzyskuje sie przez ogrzewanie od temperatury pokojowej do 500 K, w czasie jednej godziny, a nastepnie chlodzenie przez godzine. Pierscien z przyklejona blona z miki umieszcza sie w komorze prózniowej naparowywarki i postepuje sie dalej identycznie jak opisano w przykladzie pierwszym.Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, polegajacy na naniesieniu na blone nosna maski warstwy podlozowej i warstwy zlota, która nastepnie pokrywa sie emulsja elektronoczula lub rentgenoczula, po czym naswietla sie w emulsji obraz zadanej maski i wywoluje go, znamienny tym, ze po wytworzeniu obrazu maski w emulsji, calosc zanurza sie w kapieli galwanicznej zawierajacej zloto i prowadzi sie proces elektrolizy do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy zlota, po czym zmywa sie emulsje, a nastepnie zanurza w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa.Prac. Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania maski rentgenolitograficznej, polegajacy na naniesieniu na blone nosna maski warstwy podlozowej i warstwy zlota, która nastepnie pokrywa sie emulsja elektronoczula lub rentgenoczula, po czym naswietla sie w emulsji obraz zadanej maski i wywoluje go, znamienny tym, ze po wytworzeniu obrazu maski w emulsji, calosc zanurza sie w kapieli galwanicznej zawierajacej zloto i prowadzi sie proces elektrolizy do momentu uzyskania zadanej grubosci warstwy zlota, po czym zmywa sie emulsje, a nastepnie zanurza w roztworze trawiacym zloto i warstwe podlozowa. Prac. Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21525479A PL116261B2 (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Method of producing x-ray-etch resists |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21525479A PL116261B2 (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Method of producing x-ray-etch resists |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL215254A2 PL215254A2 (pl) | 1980-03-24 |
| PL116261B2 true PL116261B2 (en) | 1981-05-30 |
Family
ID=19995996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21525479A PL116261B2 (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Method of producing x-ray-etch resists |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL116261B2 (pl) |
-
1979
- 1979-04-27 PL PL21525479A patent/PL116261B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL215254A2 (pl) | 1980-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0152227A3 (en) | The fabrication of microstructures over large areas using physical replication | |
| CA1079614A (en) | Etching composition and method for using same | |
| JPH05279862A (ja) | プリント回路板の製造にことに有利な、基板上に画像をプリントする方法 | |
| JPS6331555B2 (pl) | ||
| ATE86794T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer niedergeschlagenen schicht. | |
| PL116261B2 (en) | Method of producing x-ray-etch resists | |
| JPS5532088A (en) | Photo mask forming method | |
| DE1771951A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer weitgehend gleichmaessigen poren- bzw. feinlunkerfreien Metallschicht | |
| JPS52119172A (en) | Forming method of fine pattern | |
| EP0103844B1 (en) | X-ray mask | |
| JPS6016422A (ja) | マスク製作方法 | |
| US3945826A (en) | Method of chemical machining utilizing same coating of positive photoresist to etch and electroplate | |
| JPS57160127A (en) | Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure | |
| US2389504A (en) | Process of making reticles or the like | |
| JPS5492061A (en) | Micropattern forming method | |
| SU1064352A1 (ru) | Способ изготовлени шаблона | |
| JPS5821739A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| US2393821A (en) | Method and composition of producing fine lines photographically | |
| US3874945A (en) | Method of fabricating plastic printing plates | |
| JPS55134847A (en) | Manufacture of resist image | |
| JPS5619045A (en) | Electron beam sensitive inorganic resist | |
| JPS57176040A (en) | Preparation of photomask | |
| JPS5588331A (en) | X-ray exposing mask | |
| GB2043107A (en) | Engraving metal surfaces | |
| JPS5568634A (en) | Manufacture of mask for x-ray exposure |