PL115504B1 - Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure - Google Patents

Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure Download PDF

Info

Publication number
PL115504B1
PL115504B1 PL19827877A PL19827877A PL115504B1 PL 115504 B1 PL115504 B1 PL 115504B1 PL 19827877 A PL19827877 A PL 19827877A PL 19827877 A PL19827877 A PL 19827877A PL 115504 B1 PL115504 B1 PL 115504B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
time
logic
supply voltage
signal
memory unit
Prior art date
Application number
PL19827877A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL19827877A priority Critical patent/PL115504B1/pl
Publication of PL115504B1 publication Critical patent/PL115504B1/pl

Links

Landscapes

  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad zabezpieczajacy pamieci pólprzewodnikowe' przed skasowaniem zawartej w nich informacji przy zanikach napiec zasilajacych.Wiekszosc ukladów elektronicznego sterowania i automa¬ tyzacji obiektów przemyslowych posiada w swojej struk¬ turze bloki pamieci pólprzewodnikowej. Stan pojedyn¬ czej komórki pamieciowej jest determinowany ostatnim sygnalem wejsciowym podanym na przerzutnik.Chwilowe lub dlugotrwale zaniki napiec zasilajacych . pamieci pólprzewodnikowe oraz sterujace je uklady logiczne powoduja skasowanie zawartej w pamieci infor¬ macji. Po powrocie napiecia zasilajacego nastepuje przy¬ padkowe ustawienie sie przerzutników tworzacych bloki pamieciowe, co moze doprowadzic poprzez uklady lo¬ gicznego sterowania do zachwiania programowanej pracy automatyzowanego obiektu, do pominiecia lub powtó¬ rzenia pewnych taktów.Znany jest z ksiazki F. Wagnera pod tytulem „Licz¬ niki elektroniczne w przemyslowych ukladach sterowa¬ nia", Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, str. 31, uklad zabezpieczajacy pamieci pólprzewodnikowe przed ska¬ sowaniem zawartej w nich informacji przy zanikach na¬ piec zasilajacych. Uklad ten stanowi przerzutnik z rdze¬ niem magnetycznym. Mianowicie w sprzezeniu tranzys¬ tora pierwszego z baza tranzsytora drugiego umieszczony jest rdzen magnetyczny a pomiedzy baza tranzystora pierwszego i masa wlaczony jest kondensator.Niedogodnoscia tego ukladu jest koniecznosc stosowa¬ nia zarówno dodatniego jak i ujemnego napiecia wzgledem masy. Inna niedogodnoscia znanego ukladu jest brak 15 20 25 30 mozliwosci pracy cyklicznej, poniewaz uklad posiada tylko jedna cewke. W zwiazku z tym w drugim cyklu zaniku i pojawienia sie napiecia zasilajacego uklad ten nie zapamieta stanu jedynki logicznej na wyjsciu i bedzie dzialal tak jakby przed zanikiem tym bylo zero logiczne.Uklad wedlug wynalazku zawiera czujnik zaniku i po¬ jawienia sie napiecia zasilajacego, który jest polaczony z uzwojeniami zapisujacymi pamieci ferrytowej poprzez czlon logiczny, i czasowy sygnalu zapisu, wzmacniacz sygnalów logicznych i czasowych zapisu i czlon dopaso¬ wujacy sygnalu zapisu. Czujnik zaniku i pojawienia sie napiecia zasilajacego jest takze polaczony z uzwojeniem odczytujacym zespolu pamieci ferrytowej poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu odczytu, wzmacniacz sygna¬ lów logicznych i czasowych odczytu i czlon dopasowujacy sygnal odczytu. Ponsdto czujnik zaniku i pojawienia sie napiecia zasilajacego jest polaczony z uzwojeniem wyj¬ sciowym zespolu pamieci ferrytowej poprzez czlon lo¬ giczny i czasowy, czlon bistabilny i wzmacniacz odczy¬ tujacy, przy czym czlon bistabilny jest polaczony z czlo¬ nem dopasowujacym sygnalu zapisu.Zaleta ukladu wedlug wynalazku jest to, ze nie wymaga dodatkowego stalego zródla zasilania, przy czym umozli¬ wia wspólprace z dowolnym rodzajem przerzutników pólprzewodnikowych.Uklad wykonany jest z elementów scalonych, co poz¬ wala na jego prace w systemie regulacji i sterowania nawet w trudnych warunkach jak pylenie, wstrzasy, duza wil¬ gotnosc. 115 504115 504 3 Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykladzie wykonania pokazanym na rysunku, który przedstawia schemat blokowy ukladu wedlug wynalazku.Zespól pamieci ferrytowej 1 stanowi toroidalny ferro¬ magnetyczny rdzen 2, którego charakterystyka magneso¬ wania jest zblizona do prostokatnej, co pozwala na jedno¬ znaczne identyfikowanie stanu namagnesowania rdzenia oraz umozliwia poprawna prace w ukladach binarnych i cyfrowych. Na ferromagnetycznym rdzeniu 2 nawiniete sa cztery niezalezne uzwojenia W'i W2, W3, W4 z których dwa Wi i W2 stanowia uzwojenie zapisujace i sluza do za¬ pisu stanu czlonu bistabilnego 3 w chwili zaniku na¬ piecia.Trzecie uzwojenie..— wejsciowe W3 przeznaczone jest do identyfikacji stanu namagnesowania ferromagnetycz¬ nego rdzenia 2 w chwili odczytu, a czwarte" uzwojenie odczytujace W4 sluzyc do inicjowania tego odczytu. Ze wzgledu iia wlasciwosci ferromagnetycznego rdzenia 2, ' zarówno-impulsy: zapisujace i odczytujace powinny miec odpowiednie parametry elektryczne dla dokonania' prze¬ laczen ferromagnetycznego rdzenia 2, co uzyskuje sie przez zastosowanie czlonów dopasowujacych 4a i 4b.Wystapienie zaniku napiecia zasilajacego pobudza zmia¬ ne stanu czujnika zaniku i pojawiania sie napiecia zasi¬ lajacego 5, z którego sygnal po niewielkim opóznieniu zostaje przekazany ^poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu zapisu 6a, wzmacniacz sygnalów logicznych zapisu 7a oraz poprzez czlon dopasowujacy sygnalu za¬ pisu 4a do uzwojen zapisujacych Wi i W2.Czujnik zaniku i pojawiania sie napiecia zasilajacego 5 .sklada sie z pólprzewodnikowego prostownika 5a oraz obwodów formujacych sygnal wejsciowy 5b o duzej sta¬ lej czasowej dla sygnalu pojawiania sje napiecia i malej stalej czasowej dla sygnalu zaniku. Jest on zasilany z wtór¬ nego uzwojenia transformatora wchodzacego w sklad zasilacza ukladu 8. W celu zamiany wejsciowych sygnalów analogowych na binarne, uklad czujnika wspólpracuje z dyskryminatorem amplitudy 5c zmieniajacym skokowo *wój stan na wyjsciu po .przekazaniu odpowiednich war¬ tosci progowych na jego wejsciu. Czujnik zaniku i poja¬ wienia sie napiecia zasilajacego 5, polaczony na wejsciu z zasilaczem 8, a na" wyjsciu jest polaczony z uzwojeniami zapisujacymi WI i W2 zespolu pamieci ferrytowej 1 po¬ przez czlon logiczny i czasowy sygnalu zapisu 6a, wzmac¬ niacz sygnalów logicznych i czasowych zajpisu 7a i czlon dopasowujacy sygnalu zapisu 4a. Czujnik 5 jest polaczony równiez z uzwojeniem odczytujacym W4 zespolu pamie¬ ci ferrytowej 1 poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu odczytu 6b, wzmacniacz sygnalów logicznych i czasowych odczytu 7b i czlon dopasowujacy sygnal odczytu 4b.Czujnik 5 jest% takze polaczony z uzwojeniem wyjsciowym W3 zespolu pamieci ferrytowej 1 poprzez czlon logiczny i czasowy 6c, czlon bistabilny 3 i wzmacniacz odczytu¬ jacy 9 przy czym czlon bistabilny 3 jest polaczony z czlonem dopasowujacym sygnalu zapisu 4a. 4 Logika dzialania ukladu wedlug wynalazku przedsta¬ wionego na rysunku jest taka, ze w ciagu krótkiej chwili po zaniku napiecia zasilajacego, zostanie zapisany w fer¬ romagnetycznym rdzeniu 2 stan czlonu bistabilnego 3, 5 którym jest przerzutnik typu RS. Jest to mozliwe dzieki temu, ze zespól zasilania wewnetrznego 8 utrzymuje przez pewien czas napiecie po zaniku zasilania zewnet¬ rznego.Natomiast pojawienie sie napiecia zasilajacego inicjuje poprzez czujnik zaniku i pojawiania sie napiecia zasila¬ jacego 5 impuls, który poprzez czlon logiczny i czasowy 6c zeruje czlon bistabilny 3, a poprzez czlon logiczny i cza¬ sowy sygnalu odczytu 6b, wzmacniacz sygnalów logicz¬ nych odczytu 7b i czlon dopasowujacy sygnalu odczytu 4b pobudza uzwojenie odczytujace W4.Stan rdzenia 2 ulega logicznej zmianie tylko wówczas, ktedy kierunek strumienia magnetycznego wzbudzanego przez jedno z uzwojen bedzie przeciwny do aktualnego zwrotu wypadkowego wektora magnetycznego rdzenia ferromagnetycznego 2. Oznacza to, ze w warunkach na¬ przemiennego oddzialywania uzwojen zapisujacych Wt i W2 oraz uzwojenia odczytujacego W4 na ferromagnetycz¬ ny rdzen 2, w uzwojeniu wyjsciowym W3 bedzie in¬ dukowana uzyteczna sila elektromagnetyczna.W przykladzie wedlug wynalazku wykorzystana bedzie tylko ta sila elektromotoryczna, której kierunek jest zdeterminowany przelaczeniem rdzenia 2 przez uzwoje¬ nie odczytujace W4. Wtedy to wzmacniacz odczytujacy 9 bedzie generowal impuls prostokatny doprowadzony do jednego z wejsc czlonu bistabilnego 3. Dzieki temu stan czlonu bistabilnego 3 po pojawieniu sie napiecia bedzie taki sam jak przed jego zanikiem.Zastrzezenie patentowe Uklad zabezpieczajacy pamieci pólprzewodnikowe przed skasowaniem zawartej w nich informacji przy zanikach -napiec zasilajacych zawierajacy zespól pamieci ferryto¬ wej, czlony dopasowujace, czlony logiczne i czasowe, wzmacniacze sygnalów logicznych i czasowych, znamien¬ ny tym, ze czujnik zaniku i pojawienia sie napiecia za¬ silajacego (5) jest polaczony z uzwojeniami zapisujacymi (Wi i W2) zespolu pamieci ferrytowej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu zapisu (6a), wzmacniacz sy¬ gnalów logicznych i czasowych zapisu (7a) i czlon do¬ pasowujacy sygnalu zapisu (4a) oraz jest polaczony z. uzwojeniem odczytujacym (W4) zespolu pamieci ferry¬ towej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu od¬ czytu (6b) wzmacniacz sygnalów logicznych i czasowych odczytu (7b) i czlon dopasowujacy sygnalu odczytu (4b), a takze czujnik zaniku i pojawiania sie napiecia zasilaja¬ cego (5) jest polaczony z uzwojeniem wyjsciowym (W3) zespolu pamieci ferrytowej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy (6c), czlon bistabilny (3) i wzmacniacz odczy¬ tujacy (9), przy czym czlon bistabilny (3) jest polaczony z czlonem dopasowujacym sygnalu zapisu (4a). ' 15 20 25 30 35 40 45 50i 115 504 5 5a 5b ]6b\-M7b n [5c \6a H7a^ L^Sc h i nr~^ 3k L^ PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad zabezpieczajacy pamieci pólprzewodnikowe przed skasowaniem zawartej w nich informacji przy zanikach -napiec zasilajacych zawierajacy zespól pamieci ferryto¬ wej, czlony dopasowujace, czlony logiczne i czasowe, wzmacniacze sygnalów logicznych i czasowych, znamien¬ ny tym, ze czujnik zaniku i pojawienia sie napiecia za¬ silajacego (5) jest polaczony z uzwojeniami zapisujacymi (Wi i W2) zespolu pamieci ferrytowej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu zapisu (6a), wzmacniacz sy¬ gnalów logicznych i czasowych zapisu (7a) i czlon do¬ pasowujacy sygnalu zapisu (4a) oraz jest polaczony z. uzwojeniem odczytujacym (W4) zespolu pamieci ferry¬ towej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy sygnalu od¬ czytu (6b) wzmacniacz sygnalów logicznych i czasowych odczytu (7b) i czlon dopasowujacy sygnalu odczytu (4b), a takze czujnik zaniku i pojawiania sie napiecia zasilaja¬ cego (5) jest polaczony z uzwojeniem wyjsciowym (W3) zespolu pamieci ferrytowej (1) poprzez czlon logiczny i czasowy (6c), czlon bistabilny (3) i wzmacniacz odczy¬ tujacy (9), przy czym czlon bistabilny (3) jest polaczony z czlonem dopasowujacym sygnalu zapisu (4a). ' 15 20 25 30 35 40 45 50i 115 504 5 5a 5b ]6b\-M7b n [5c \6a H7a^ L^Sc h i nr~^ 3k L^ PL
PL19827877A 1977-05-18 1977-05-18 Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure PL115504B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19827877A PL115504B1 (en) 1977-05-18 1977-05-18 Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19827877A PL115504B1 (en) 1977-05-18 1977-05-18 Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL115504B1 true PL115504B1 (en) 1981-04-30

Family

ID=19982617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19827877A PL115504B1 (en) 1977-05-18 1977-05-18 Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL115504B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2808578A (en) Memory systems
ES2075025T3 (es) Disposicion de circuito para registro magnetico o magneto-optico de datos sobre un soporte de datos.
PL115504B1 (en) Protective system for semiconductor memory against erasing stored information due to supply voltage failure
CA1138045A (en) Interface circuit for use with electronic control devices
US2811710A (en) Scalar flux magnetic core devices
RU2106742C1 (ru) Триггерное устройство
US3521249A (en) Magnetic memory arrangement having improved storage and readout capability
SU1265854A1 (ru) Элемент пам ти
SU1234883A2 (ru) Ячейка пам ти
SU1404992A1 (ru) Способ магнитной обработки ферромагнетика
GB816414A (en) Pulse transformer
US3198955A (en) Binary magnetic memory device
SU117439A1 (ru) Бесконтактное тепловое реле-датчик
RU2081772C1 (ru) Рельсовая цепь
GB842713A (en) Improvements in magnetic core storage devices
US2978687A (en) Circuit arrangement for determining the polarity of pulses
SU249059A1 (ru) Элемент памяти
SU503293A1 (ru) Элемент пам ти
RU2215337C2 (ru) Энергонезависимая ячейка памяти
JPS5740709A (en) Magnetic recording system
JP2527329B2 (ja) 照合装置
CS238723B1 (cs) Feritová paměť s jediným vinutím
SU553680A1 (ru) Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации
SU647868A1 (ru) Элемент совпадени на ферритовых сердечниках с ппг
SU1381600A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство