PL112952B1 - Method of manufacture of silicon nitride - Google Patents

Method of manufacture of silicon nitride Download PDF

Info

Publication number
PL112952B1
PL112952B1 PL19584377A PL19584377A PL112952B1 PL 112952 B1 PL112952 B1 PL 112952B1 PL 19584377 A PL19584377 A PL 19584377A PL 19584377 A PL19584377 A PL 19584377A PL 112952 B1 PL112952 B1 PL 112952B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon nitride
silicon
nitrogen
powder
temperature
Prior art date
Application number
PL19584377A
Other languages
English (en)
Other versions
PL195843A1 (pl
Inventor
Janusz Gajda
Adam Gierek
Jerzy Gierek
Stanislaw Pawlowski
Marek Hetmanczyk
Henryk Woznica
Jerzy Jarczyk
Aleksander Smolinski
Aleksander Fedorszyn
Czeslaw Rusek
Stanislaw Serkowski
Original Assignee
Politechnika Slaska Im Wincent
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Slaska Im Wincent filed Critical Politechnika Slaska Im Wincent
Priority to PL19584377A priority Critical patent/PL112952B1/pl
Publication of PL195843A1 publication Critical patent/PL195843A1/pl
Publication of PL112952B1 publication Critical patent/PL112952B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0682Preparation by direct nitridation of silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymy¬ wania proszku azotku krzemu. Obecnie stosuje sie wyzarzanie proszku krzemu w atmosferze azotu lub amoniaku, reakcyjne spiekanie proszku krzemu w ataosfenze azotu lub wyzarzanie mieszaniny krzemionki i wegla w atmosferze azotu.Wyzarzanie proszku krzemu w atmosferze azotu lub amoniaku jest procesem dlugotrwalym, nie zapewniajacym pelnego azotowania calej masy pro¬ szku krzemu oraz powodujacym zbrylanie sie pro¬ szku. Szybkosc reakcji azotowania uzalezniona jest od dodatków chlorków i tlenków metali przej¬ sciowych grupy IV ukladu okresowego.Reakcyjne spiekanie proszku krzemu w atmo¬ sferze azotu umozliwia otrzymanie porowatego pól¬ wyrobu, który stanowi mieszanke krzemu i azotku krzemu i wymaga ponownego mielenia. Polaczenie spiekania z prasowaniem na goraco w atmosferze azotu zapewnia uzyskanie gotowych wyrobów z mieszaniny proszku krzemu i azotku krzemu o ograniczonym^ udziale azotku krzemu.W metodzie wytwarzania azotku krzemu z mie¬ szaniny krzemionki!, wegla i azotu uzyskuje sie produkt zbrylony, 'zanieczyszczony znaczna iloscia weglika krzemu.Wymienione procesy prowadzone sa w zakresie temperatur od 1250—ii590°C w czasie od 6 do 60 godzin w zaleiznosci od azotowanego proszku, przy, czym azotowanie prosizteu tarzemu w atmosferze 20 25 30 amoniaku, ze wzgledu na wystepowanie wodoru, wymaga stosowania wyzszych temperatur.Sposób wedlug wynalazku polega na wytwarza¬ niu proszku azotku krzemu w piecu elektrycznym lukowo-oporowym, o pionowym luib poziomym polozeniu komory roboczej. Jako material wyj¬ sciowy stosuje sie krzem o uziarnieniu 0,08"— 1,0 mm o dopuszczalnej ilosci zanieczyszczen do 4;5%. Krzem przedmuchiwany jest w komorze ro¬ boczej pieca azotem wprowadzanym, pod cisnie¬ niem 0,1—0,5 atmosfer w .sposób zapewniajacy ma¬ ksymalne rozwiniecie powierzchni kontaktu oibu faz. Azot przed wprowadzeniem do roboczej czesci pieca zostaje oczyszczony od tlenu, a nastepnie zjo- nizowany w luku elektrycznym. Jonizacja azotu moze byc prowadzona równiez przy wykorzystaniu plazmy. Azot moze byc doprowadzony do pieca od dolu lub boku komory roboczej. Proces azoto¬ wania prowadzi sie w 'zakresie temperatur 12I50— 1600°C. Dla zapobiezenia ewentualnemu zbryleniu azotowanego proszku mozna stosowac jego miesza¬ nie lufo .wibracje.Wytwarzanie proszku azotku krzemu wedlug wynalazku umozliwia skrócenie czasu azotowania do 2 godzin niezaleznie od ilosci wsadu. Sposób ten zapewnia otrzymanie fazy a- i 0-azotku krze¬ mu w (bardzo szerokim, regulowanym zakresie ich udzialów.Prowadzac proces w temperaturze 1450°C mozna uzyskac azotek krzemu zawierajacy okolo 80% fa- 112 952112 952 3 zy a o budowie ''wlniknisitej i oikolo 20% fazy p •o budowie ziarnistej. Znaczmy odzial kruchej fazy ulatwia proces rozdrabniania proszku.Po zakonczeniu procesu azotowania otrzymuje sie proszek o uziarnieni u umozliwiajacym jego bez¬ posrednie stosowanie w materialach ogniotrwalych.Jednoczesnie -stanowi on pólprodukt dla wyrobów ¦cifcrzymywanych metodami metaluirii proszków.Przyklad I. Pyl krzemu o uziarnieniu O.OSi— 0,2 mm wprowadzono do pieca lulkowo-opoirowego strumieniem a.zotu pod cisnieniem 0,3 Atm. Do procesu uzyto azoffcu wolnego od tlenu oraz krze¬ mu, o zawartosci zelaza 0,5% i lacznej zawartosci zanieczyszczen 3,i5%. Proces realizowano w tempe¬ raturze 1300°C w czasie 2 godziny. Stopien prze- reagowania wynosi. 92%. Otrzymano a,zotek krze¬ mu bedacy mieszanina 80% fazy a o budowie wlóknistej i 20% fazy 0 o budowie ziarnistej.Przyklad II. Proces prowadizono identycznie jak w przykladzie I, z ta róznica, ze uziarnienie krzemu wynosilo 0,2:—0,8 mm, temperatura procesu wynosila 1350°C, cisnienie azotu 0,5 Atm, czas re¬ akcji = 4 godz. Stopien przereagowania wynosi 95%. Otrzymano azotek krzemu bedacy miesza¬ lo 20 25 nina 6fl% fazy a o strukturze wlóknistej i 40%; fazy (} o budowie ziarnistej.Przyklad III. Proces prowadzono jak w przy¬ kladzie I, z ta róznica, ze1 uziarnienie krzemu wy¬ nosilo 0,08:—0,2 mm, temperatura proce.su 1400°C, cisnienie azo^tu 0,3 atm, cps realizacji 2,5 godziny.Otrzymano azotek krzemu bedacy mieszanina fazy a i (l w stosunku wagowym 1 : 1. Stopien pirzere- agowania 9-6%. ; P r z y k l a d IV. Proces! prowadzono, jak w przy¬ kladzie I, z ta róznica, ze; uziarnienie krzemu wy¬ nosilo 0,08—0,00: mm^, cisnienie azotu 0,15 Atm.Przez 2 godziny utrzymywano temperature 1300°C, a przez 2 nastepne godziny 1450°C. Stopien prze- reagowania = 96%. ' Otrzymano 25% fazy a i P 7-5%fazy. ' ] Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania azotku krzemu na zasadzie reakcji syntezy prowadzonej w temperaturze po¬ wyzej 1250°C przy uzyciu plazmy azotu jako jed¬ nego z reagentów, znamienny tym, ze pyl krzemo¬ wy wdmuchuje sie do reaktora za pomoca plazmy azotu pod cisnieniem 0,1—0,5 atm w 'temperaiturae nie wyzszej od 1G00°C.PZGraf. Kos7alin D-H1G4 100 A-4 Cena 45 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania azotku krzemu na zasadzie reakcji syntezy prowadzonej w temperaturze po¬ wyzej 1250°C przy uzyciu plazmy azotu jako jed¬ nego z reagentów, znamienny tym, ze pyl krzemo¬ wy wdmuchuje sie do reaktora za pomoca plazmy azotu pod cisnieniem 0,1—0,5 atm w 'temperaiturae nie wyzszej od 1G00°C. PZGraf. Kos7alin D-H1G4 100 A-4 Cena 45 zl PL
PL19584377A 1977-02-04 1977-02-04 Method of manufacture of silicon nitride PL112952B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19584377A PL112952B1 (en) 1977-02-04 1977-02-04 Method of manufacture of silicon nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19584377A PL112952B1 (en) 1977-02-04 1977-02-04 Method of manufacture of silicon nitride

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL195843A1 PL195843A1 (pl) 1978-08-14
PL112952B1 true PL112952B1 (en) 1980-11-29

Family

ID=19980832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19584377A PL112952B1 (en) 1977-02-04 1977-02-04 Method of manufacture of silicon nitride

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL112952B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL195843A1 (pl) 1978-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3334974A (en) Manufacture of refractory compounds
JPS6112844B2 (pl)
US3927154A (en) Process for preparing sintered uranium dioxide nuclear fuel
JPS59107908A (ja) 焼結性に優れた窒化珪素粉末の製造法
CN114409414B (zh) 一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法
JPS5913442B2 (ja) 高純度の型窒化珪素の製造法
Khedr Isothermal reduction kinetics of Fe2O3 mixed with 1–10% Cr2O3 at 1173–1473 K
US4789657A (en) Process for preparing iron-based catalysts for the synthesis of ammonia and catalysts so obtained
CN101983947A (zh) 催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法
PL112952B1 (en) Method of manufacture of silicon nitride
US5075091A (en) Process for the preparation of silicon nitride
Borovinskaya et al. Self-propagating high-temperature synthesis of titanium nitrides under high nitrogen pressures
EP0634359B1 (en) Preparation of high alpha-type silicon nitride powder
AU3975795A (en) Process and apparatus for making ceramic articles
US3056658A (en) Process for producing molybdenum disilicide
JPS6461307A (en) Production of beta-type silicon carbide fine powder
CN1087332A (zh) 用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及碳硅化合物
US3141737A (en) Method for the preparation of aluminum nitride refractory material
RU2175988C1 (ru) Способ получения карбида титана
US2965474A (en) Reduction of metal oxides
RU2099311C1 (ru) Способ получения изделий из карбида хрома
JPS5849500B2 (ja) 発泡ガラス焼結物の製造方法
US2441770A (en) Process for making iron powder
JPH09156909A (ja) 窒化ケイ素粉末の連続製造方法
Saiki et al. Processes for Producing a High Density Silicon Carbide Sinter