PL111109B1 - Method of manufacturing a metal templet having a pattern of perforations - Google Patents

Method of manufacturing a metal templet having a pattern of perforations Download PDF

Info

Publication number
PL111109B1
PL111109B1 PL1977197004A PL19700477A PL111109B1 PL 111109 B1 PL111109 B1 PL 111109B1 PL 1977197004 A PL1977197004 A PL 1977197004A PL 19700477 A PL19700477 A PL 19700477A PL 111109 B1 PL111109 B1 PL 111109B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photosensitive layer
layer
moisture
pattern
development
Prior art date
Application number
PL1977197004A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Schablonentechnik Kufstein Gesmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schablonentechnik Kufstein Gesmbh filed Critical Schablonentechnik Kufstein Gesmbh
Publication of PL111109B1 publication Critical patent/PL111109B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 25.09.1981 • 111109 [czytelnia Urzedu Patentowego Int. Cl.2 B41G 1/14 Twórca wynalazku: — Uprawniony z patentu: SchaWonentechnik Kufstein Gesellschaft m.b.H., Kufstein-Schaftenau (Austria) Sposób wytwarzania metalowego szablonu, zaopatrzonego w dziurkowany wzór Przedmiotem wynalaizku jest sposób wytwarza¬ nia metalowego szablonu, zaopatrzonego w dziur¬ kowany wzór, zwlaszcza szablonu stosowanego do rotacyjnego druku szablonowego, polegajacy na tym, ze na metalowy nosnik nanosi sie swiatlo¬ czula warstwe, ipo czyim te swiatloczula warstwe naswietla sie poprzez film z rasterem, odpowiada¬ jacy dziurkowanemu wzorowi i wywoluje sie ja, a nastepnie nanosi sie galwanicznie metalowy szablon.Metalowe szablony zaopatrzone we wzór dziur¬ kowany stosuje sie czesto jako szablony sitodru¬ kowe do druku rotacyjnego szablonowego. Tego rodzaju szablony sitodrukowe wytwarza sie obec¬ nie w ten sposób, ze na walec metalowy naklada sie swiatloczula warstwe lakieru, nastepnie po wyschnieciu lakieru naklada sie na nia film, który naswietla sie po przeslonieciu go wedlug wzoru.Po wywolaniu warstwy, swiatloczulej, której wla¬ snosci chemiczne zostaly miejscowo zmienione przez naswietlenie, miejscami powierzchnia walca metalowego zostaje odslonieta. Na tych miejscach osadza sie sposobem galwanicznym cienka war¬ stwe nikllowa, dzieki czemu po usunieciu walca metalowego oraz resztek warstwy swiatloczulej otrzymuje sie metalowy szablon, zaopatrzony we wzór dziurkowany.Niedogodnoscia dotychczasowego sposobu wy¬ twarzania takich szablonów jest to, ze otwory w szablonie sa mniejsze niz punkty wzoru istnie¬ jacego na filmie. Przyczyna lezy w tym, ze pod¬ czas osadzania sie metalu nanoszonego galwanicz¬ nie?, 'metal osadza isie nie tylko prostopadle od krawedzi otworów do podloza lecz równiez po- s czyna przyrastac w otworach. Stwierdzono, ze przyrost ten jest proporcjonalny do grubosci sza¬ blonu, to znaczy, im mniejsza jest grubosc szablo¬ nu, tym mniejsze mozna wytwarzac otwory.Nie jest mozliwe dowolne zmniejszanie grubosci 10 szablonu, poniewaz musi on byc odporny na obcia¬ zenia powstale przy drukowaniu. I tak poprzez otwory te przetlacza sie farbe i srodki pomiedzy otworami 'musza wytrzymac tan nacisk.Celem wynalazku jest udoskonalenie sposobu 15 wytwarzania tego rodzaju szablonów i usuniecie tych niedogodnosci.Cel wedlug wynalazku zostal osiagniety dzieki temu, ze po naswietleniu poprzez raster swiatlo¬ czulej warstwy zawierajacej równiez porofor, co 20 najmniej pozostale po wywolaniu czesci tej lub pod nia lezacej warstwy doprowadza sie do zetk¬ niecia z czynnikiem przenoszacym na nie wilgoc lub ro^puszczalnilk i/lub podgrzewa sie wzglednie poddaje dalszemu naswietlaniu, az grubosc tej 25 warstwy zwiekszy sie wielokrotnie, po czym lub w trakcie pecznienia warstwy nanosi sie na nia galwanicznie metailowy szablon.Okazalo sie, ze dzieki zastosowaniu sposobu we¬ dlug Wynalazku srednica otworów niemal doklad- so nie odpowiada ipunktom wzoru na filmie, to zna- 111 109111 a czy, ze podczas galwanicznego osadzania nie wy¬ stepuje wspomniany przyrost w perforacji. Mozna wiec uzywac szablonów o wiekszych grubosciach, co okazuje sie byc duza zaleta przy drukowaniu.Ponadto mozna stosowac drobniejsze rastry, a tym samym uzyskiwac wieksza zdolnosc roz¬ dzielcza szablonu sitodrukowanego dla odwzoro¬ wywanego na nim wzoru przeznaczonego do dru¬ kowania. Poza tym mozna stosowac szablony do drukowania póltonów, poniewaz klin szarosci, uzy¬ skiwany za pomoca takiego szablonu jest znacznie wiekszy. Poniewaz w przypadku nowych szablo* nów sitodrukowych nie odczuwa sie trudnosci przenikania, gdyz przez otwory w szablonie moze przedostawac sie duzo farby, to szablony sitodru¬ kowe wytworzone sposobem wedlug wynalazku mozna stosowac korzystnie do drukowania dywa¬ nów, przy czym dokladnosc odwzorowania rastrów dotychczas stosowanych zostaje zwiekszona wielo¬ krotnie.Ma to duze znaczenie wlasnie przy drukowaniu dywanów, by grubosc scianek szablonów sitodru¬ kowych zostala zwiekszona. Natezenie pradu pod¬ czas galwanizowania sposobem wedlug wynalazku mozna zmniejszyc do polowy lub nawet 1/4 w sto¬ sunku do dotychczas stosowanego.Zasadniczo w sposobie wedlug wynalazku mozna stosowac na taka warstwe swiatloczula zarówno material swiatloczuly pozytywowy jak i negaty¬ wowy, przy czym jednak najczesciej stosuje sie warstwy pozytywowe, nip. w postaci zwiazków benzenodwuazoniowych, zwiazków ortochinono- dwuazoniowych osadzonych w zywicy. Grubosc warstwy swiatloczulej jest zazwyczaj rzedu wiel¬ kosci 6/1000 min. Grubosc ta moze sie jednak za¬ wierac pomiedzy 0,002 do 0,010 mm.Z ponizszych tabel mozna odczytac jak polepszy¬ la sie przepuszczalnosc dla farby oraz powiekszyla sie srednica dziurek dla róznych rastrów przy zastosowaniu sposobu wedlug wynalazku w po¬ równaniu do dotychczas znanych sposobów, w któ¬ rych nie stosowano napeczniania.Z wyjatkiem pecznienia szablony byly wykony¬ wane w identyczny sposób, stosowano równiez jednakowo rastrowany film negatywowy. O ile nie oznaczono inaczej, wymiary sa podane w mm.Tablica 1 Raster podzialka srednica dziurek szerokosc srodnika grubosc scianki przepuszczalnosc dla \' ¦ farby dotychczas 32 0,3125 0,09 0,22 0,06 6;56% obecnie 32 0,3125 0,20 0,112 0,06 41,08% Tablica 2 :-: i.." ¦; .-¦..¦¦.¦ ¦. •; -.--•.Raster podzialka srednica dziurek szerokosc srodnika grubosc scianki przepuszczalnosc dla farby dotychczas 40 0,25 0,07 0,18 0,08 ,- .7,8% obecnie 40 0,25 0,18 0,07 0,16 .... 51,8% 109 4 Tablica 3 Raster podzialka srednica dziurek szerokosc srodnika grubosc scianki przepuszczalnosc dla | farby dotychczas 16 0,62 0,34 ' 0,28 0,13 30% obecnie 16 0,625 0,50 0,125 0,18 64% Sposobem wedlug wynalazku czesc warstwy swiatloczulej napecznia sie. Korzystnie pecznienie to wywoluje sie przez wprowadzenie wilgoci, przy 15 czym najpierw powoduje sie wzrost porowatosc* czesci przeznaczonych do napeczniania.Sposób w jaki czesci przeznaczone do napecz¬ niania doprowadza sie do pecznienia, zalezy od skladu chemicznego z jednej strony i od zalozo- 20 nego celu z drugiej. W nastepstwie jest podanych kilka mozliwosci. Po naswietleniu warstwe swia¬ tloczula wywolano w zwykly sposób. W przy¬ padku warstwy pozytywowej naswietlona czesc warstwy zostaje rozlozona i moze byc wyplukana roztworem alkalicznym.Pozostale czesci warstwy swiatloczulej korzyst¬ nie byly wystawione na dzialanie pary wodnej, aby napecznialy, przy czym korzystna okazala sie byc dla niej temperatura od 50 do 60°. Okres czasu naparowywania wynosil 5 do 7 godzin.W przypadku warstwy swiatloczulej negatywo¬ wej w miejsce pary wodnej korzystnie stosuje sie pare rozpuszczalnika. Korzystnym okazalo sie byc równiez zanurzanie w rozpuszczalnikach. Naparo¬ wywanie para rozpuszczalnika korzystnie stosuje sie równiez w przypadku warstw swiatloczulych pozytywowych.Po naparowaniu lub zanurzeniu w rozpuszczal¬ niku przeprowadza sie w znany sposób galwani*. zowanie. 40 Inna mozliwosc polega na tym, ze szablon u- mieszcza sie w komorze klimatyzacyjnej, w której w przeprowadzonej próbie panowala wilgotnosc od 80 do 90% przy temperaturze 20 do 50°C.Warstwe swiatloczula po wywolaniu korzystnie 45 powleka sie warstwa zawierajaca wilgoc. Najko¬ rzystniejsza dla tego przypadku okazala sie byc zelatyna, która byla zmywana woda po dwóch dc szesciu godzinach. Zamiast zelatyny stosuje sie tez i inne substancje chlonace i zwracajace wil- 50 góc. Dobre wyniki otrzymuje sie w przypadku stosowania gliceryny, alkoholu poliwinylowego czy polioctanu' winylu.Inna mozliwo-sc polega na tym, ze do warstwy swiatloczulej dodaje sie poroforu, np. fenylohydra¬ zyny lub polialkoholu winylu, reagujacych na dzialanie wilgoci. Korzystnie stosuje sie równiez porofory reagujace na dzialanie ciepla, np. zwiazki kanbamidowe lub tez w kombinacji z azotkiem sodowym, nadtlenkiem wodoru, weglanem sodo¬ wym lub tez farby sublimujace. 60 Pecznienie wywoluje sie równiez w ten sposób, ze po- wywolaniu warstwy swiatloczulej pozostale czesci warstwy doswietla sie, przez co równiez i w tych miejscach powoduje sie oddzielenie sie czasteczek gazu w warstwie swiatloczulej, np. N& 65 a zatem wytworzenie sie struktury rozkladowej111 109 6 lub pecherzykowej przy. .równoczesnym napecznie- riiu. Do tych pozostalych czesci warstwy swiatlo¬ czulej mozna, oprócz tego wprowadzic wilgoc.W celu doswietlenia korzystne, jak stwierdzono,; jest natezenie oswietlenia wynoszace okolo polowy tego natezenia, jakie stosuje sie podczas naswiet¬ lania pierwotnego.Poza tym istnieje jeszcze mozliwosc poddania obróbce rozpuszczalnikiem, np. trójchloroetanem z ewentualnym dodatkiem wody, oczyszczonej matrycy, to jest tego koirjpuisu, na który nanosL sie warstwe swiatloczula. Nastepnie nanosi sie na nia warstwe swiatloczula i w takim stanie nasyca ja wilgocia.Sposób wedlug wynalazku nadaje sie do zasto¬ sowania nie tylko do wytwarzania szablonów si¬ todrukowych lecz równiez do wytwarzania blasz- kowatych sitek tnacych do maszynek do golenia i do wytwarzania obwodów drukowanych.Rozmiary pecznienia warstwy swiatloczulej moz¬ na zmieniac w szerokim zakresie, dostosowujac do danego przypadku zastosowania i uzywanego materialu swiatloczulego. Pecznienie nie moze jed¬ nak przekraczac dziesieciokrotnej wartosci pier¬ wotnej grubosci warstwy.Ponadto sposób wedlug wynalazku stosuje sie korzystnie do wytwarzania szablonów lakierowa¬ nych.Przyklad I. Sposobem wedlug wynalazku wytwarzany byl szablon na walcu niklowym, któ¬ rego dlugosc wynosila 2 m, a srednica 300 mm.W praktyce srednica walca niklowego wynosi od 100 do 1000 mm, natomiast dlugosc korzystnie wynosi od 500 do 6000 mm. Na walec niklowy zostala naniesiona warstwa swiatloczula o grubo¬ sci od 0,001 do 0,2 mm, a w tym szczególnym przypadku 0,08 mniir Jako r warstwye ,swiat^zu£a zastosowano materia- który zwykle stosuje sie do wytwarzania szablonów, a mianowicie zywice swiatloczula.Warstwa swiatloczula zostala naswietlona po¬ przez matryce, która zawierala raster zlozony z punktów o rozkladzie szesciokatnym, których odleglosc srodków wynosila 2 mm. Przy tym na warstwie swiatloczulej zostal odwzorowany za po¬ moca rzutnika raster szesciokatny, o odleglosci srodków punktów od siebie wynoszacej 0,03 mm, dobranej odpowiednio do grubosci tej warstwy.Poszczególne punkty mialy srednice wynoszaca okolo 0,04 mm. W ogólnosci wynosi ona 0,4 do 0,7 odpowiednio odleglosci srodków punktów i gru¬ bosci warstwy swiatloczulej.Walec byl naswietlany moca promienista wy¬ noszaca 8000 W lacznie okolo 5 min., przy czym walec byl obracany, a usytuowane obok siebie linie obwodowe byly zaopatrzone w raster punk¬ towy.Nastepnie warstwa swiatloczula zostala wywo¬ lana, a naswietlone czesci warstwy zostaly wy¬ plukane 0,8 do 5 procentowym roztworem lugu sodowego: Pozostale punkty byly napeczniane przy 100% wilgotnosci dotad, az obwód punktów po¬ wiekszyl sie o 700 do 1100%.Nastepnie przeprowadzono galwaniczne osadza¬ nie metalu przy czym elektrody znajdowaly sie w odleglosci 12 do 18 cm od podloza. Osadzona warstwa metalu miala grubosc 0,06 do 0,4 mm.Gestosc pradu podczas galwanizowania wynosila 5 A/dm2. Stosowany byl elektrolit w postaci wod- 5 nego roztworu fosforanu sodowego. Stwierdzono, ze dziejki zastosowaniu pecznienia wedlug wyna¬ lazku otwarte pole przekroju poprzecznego szablo¬ nów moze wynosic 52% calkowitego pola prze¬ kroju poprzecznego, natomiast bez pecznienia o- M twarte pole przekroju poprzecznego wynosi tylko 7 do 15% calkowitego pola szablonu. PL

Claims (15)

  1. Zastrzezenia patentowe 15 20 25 30 .35 1. Sposób wytwarzania metalowego szablonu, za¬ opatrzonego w dziurkowany wzór, zwlaszcza sza¬ blonu stosowanego do rotacyjnego druku szablo¬ nowego, polegajacy na tym, ze na metalowy nosnik nanosi sie swiatloczula warstwe, po czym te.swia¬ tloczula warstwe naswietla sie poprzez film z ra- sterem, odpowiadajacy dziurkowanemu wzorowi i wywoluje sie ja, a nastepnie nanosi sie galwa¬ nicznie metalowy szablon, znamienny tym, ze po naswietlaniu poprzez raster swiatloczulej warstwy zawierajacej równiez porofor, co najmniej pozo¬ stale po wywolaniu czesci tej lub pod nia lecacej warstwy doprowadza sie do zetkniecia z czynni¬ kiem przenoszacym na nie willgoc lub rozpuszczal¬ nik i/lub podgrzewa sie wzglednie poddaje dal¬ szemu naswietlaniu, az grubosc tej warstwy zwiekszy sie wielokrotnie, po czym lub w trakcie pecznienia warstwy nanosi sie na nia galwanicz¬ nie metalowy szablon.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przed wprowadzeniem wilgoci na czesci swiatlo¬ czulej warstwy podwyzsza sie porowatosc pozo¬ stalych czesci tej swiatloczulej warstwy. "'¦£¦'3* Sfpcsob -wedlug z&sfófiR^i, znamienny tym, ze
  3. 3. Wywolana swiatloc^iUla vSlstwe naparowuje sie, zwlaszcza para wodna lub para rozpuszczalnika.
  4. 4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze naiparowanie swiatloczulej warstwy przeprowadza sie w temperaturze 50 do 60°C, w ciagu zasadni¬ czo 5 do 7 minut.
  5. 5. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze swiatloczula warstwe po wywolaniu zanurza sie w rozpuszczalniku.
  6. 6. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 4 albo 5, zna¬ mienny tym, ze warstwe swiatloczula po wywo¬ laniu : powleka sie warstwa zawierajaca wilgoc, a zwlaszcza warstwa zelatyny, która ponownie usuwa sie przed Wprowadzeniem do kapieli gal¬ wanicznej.
  7. 7. Sposób wedlug zastrz. 6, znamienny tym, ze 55 material warstwy swiatloczulej traktuje sie poro- foreiTL
  8. 8. Sposób wedlug zastrz. 7, znamienny tym, ze dodaje sie por&foru reagujacego na wilgoc, w po¬ staci fenylohydrazyny.
  9. 9. Sposób wedilug zastrz. 7, znamienny tym, ze dodaje sie porOforu reagujacego na cieplo, takiego jak zwiazki karbamidowe.
  10. 10. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 4 albo 5 albo 7, znamienny tym, ze po wywolaniu pozostale czesci 65 warstwy swiatloczulej naswietla sie, po czym 45 50 60111 109 wprowadza sie do tych czesci wilgoc i osadza sie galwanicznie metalowy szablon na obszary wolne od warstwy swiatloczulej znajdujace sie pomiedzy naipecznialymi czesciami warstwy swiatloczulej.
  11. 11. Sposólb wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze wprowadzanie wilgoci i galwanizowanie prze¬ prowadza sie równoczesnie.
  12. 12. Spos6b wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie naswietlanie po wywolywaniu o po¬ lowe slabsze niz naswietlanie stosowane podczas odwzorowywania wzoru dziurkowanego. 8 10
  13. 13. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 11, znamienny tym, ze na podloze warstwy swiatloczulej nanosi sie, przed jej nalozeniem, warstwe zwracajaca wilgoc.
  14. 14. Sposób wedlug zastrz. 13, znamienny tym, ze na podloze warstwy swiatloczulej naklada sie warstwe wprowadzajaca do niej pecherzyki gazu.
  15. 15. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 11, znamienny tym, ze galwan i zowahnie przeprowadza sie pradem o natezeniu zmniejszonym do 1/2 do 1/4 natezenia pradu stosowanego dotyohJczas. RSW Zakl. Graf. W-wa, Srebrna 16, z. 116-81[O Cena 45 il 100 + 20 egz. PL
PL1977197004A 1976-03-29 1977-03-29 Method of manufacturing a metal templet having a pattern of perforations PL111109B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT228376A AT358072B (de) 1976-03-29 1976-03-29 Verfahren zum herstellen einer metallschablone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL111109B1 true PL111109B1 (en) 1980-08-30

Family

ID=3531475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1977197004A PL111109B1 (en) 1976-03-29 1977-03-29 Method of manufacturing a metal templet having a pattern of perforations

Country Status (25)

Country Link
US (1) US4118288A (pl)
JP (1) JPS52117840A (pl)
AT (1) AT358072B (pl)
AU (1) AU501755B2 (pl)
BE (1) BE852744A (pl)
CA (1) CA1104869A (pl)
CH (1) CH627794A5 (pl)
CS (1) CS190343B2 (pl)
DD (1) DD130013A5 (pl)
DE (1) DE2640268C2 (pl)
DK (1) DK146174C (pl)
ES (1) ES457221A1 (pl)
FR (1) FR2346150A1 (pl)
GB (1) GB1526604A (pl)
GR (1) GR62570B (pl)
HU (1) HU176024B (pl)
IL (1) IL51693A (pl)
IN (1) IN145850B (pl)
NL (1) NL165856C (pl)
PL (1) PL111109B1 (pl)
RO (1) RO85183B (pl)
SE (1) SE428110B (pl)
SU (1) SU657768A3 (pl)
YU (1) YU79877A (pl)
ZA (1) ZA771655B (pl)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2808933A1 (de) * 1978-03-02 1979-09-06 Duchenaud Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines hohlzylinders von selbsttragender wandstaerke durch elektrolytische ablagerung sowie nach dem verfahren und mit der vorrichtung hergestellter hohlzylinder
GB2150596A (en) * 1983-11-30 1985-07-03 Pa Consulting Services Mesh structures especially for use in television camera tubes
GB2184045A (en) * 1985-12-16 1987-06-17 Philips Electronic Associated Method of manufacturing a perforated metal foil
US4797175A (en) * 1987-03-09 1989-01-10 Hughes Aircraft Company Method for making solid element fluid filter for removing small particles from fluids
US4818661A (en) * 1987-07-21 1989-04-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for fabricating thin film metallic meshes for use as Fabry-Perot interferometer elements, filters and other devices
US5328537A (en) * 1991-12-11 1994-07-12 Think Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing screen printing plate
US5359928A (en) * 1992-03-12 1994-11-01 Amtx, Inc. Method for preparing and using a screen printing stencil having raised edges
US5478699A (en) * 1992-03-12 1995-12-26 Amtx, Inc. Method for preparing a screen printing stencil
US5322763A (en) * 1992-05-06 1994-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making metal ledge on stencil screen
US5573815A (en) * 1994-03-07 1996-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making improved metal stencil screens for screen printing
FR2737927B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de trous dans une couche de materiau photosensible, en particulier pour la fabrication de sources d'electrons
GB2354459B (en) 1999-09-22 2001-11-28 Viostyle Ltd Filtering element for treating liquids, dusts and exhaust gases of internal combustion engines
US20110127282A1 (en) * 2009-05-26 2011-06-02 Lisa Carvajal Disposable Splatter Screens
JP5335146B2 (ja) * 2009-10-23 2013-11-06 ストルク プリンツ オーストリア ゲーエムベーハー レリーフ部を備えた有孔または部分有孔テンプレートの製造方法
USD792723S1 (en) * 2015-11-24 2017-07-25 Serta, Inc Mattress foundation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2225734A (en) * 1937-12-10 1940-12-24 Trumbull Metal Products Compan Electrolytic method of making screens
US3763030A (en) * 1971-08-02 1973-10-02 P Zimmer Apparatus for the production of seamless hollow cylinders
US3953309A (en) * 1972-12-14 1976-04-27 Dynachem Corporation Polymerization compositions and processes having polymeric binding agents
US3976524A (en) * 1974-06-17 1976-08-24 Ibm Corporation Planarization of integrated circuit surfaces through selective photoresist masking
US4022932A (en) * 1975-06-09 1977-05-10 International Business Machines Corporation Resist reflow method for making submicron patterned resist masks

Also Published As

Publication number Publication date
JPS52117840A (en) 1977-10-03
DE2640268C2 (de) 1978-08-10
ZA771655B (en) 1978-02-22
DE2640268B1 (de) 1977-12-15
DK138077A (da) 1977-09-30
RO85183A (ro) 1984-10-31
DK146174C (da) 1983-12-12
GR62570B (en) 1979-05-10
BE852744A (fr) 1977-07-18
AU501755B2 (en) 1979-06-28
DK146174B (da) 1983-07-18
SU657768A3 (ru) 1979-04-15
FR2346150A1 (fr) 1977-10-28
US4118288A (en) 1978-10-03
DD130013A5 (de) 1978-03-01
AT358072B (de) 1980-08-25
YU79877A (en) 1983-01-21
SE7703116L (sv) 1977-09-30
CA1104869A (en) 1981-07-14
ATA228376A (de) 1980-01-15
IL51693A (en) 1979-12-30
HU176024B (en) 1980-11-28
IN145850B (pl) 1979-01-06
NL165856B (nl) 1980-12-15
JPS5753875B2 (pl) 1982-11-15
GB1526604A (en) 1978-09-27
FR2346150B1 (pl) 1980-05-09
AU2371277A (en) 1978-10-05
ES457221A1 (es) 1978-06-16
CH627794A5 (de) 1982-01-29
IL51693A0 (en) 1977-05-31
NL7611333A (nl) 1977-10-03
RO85183B (ro) 1984-11-30
CS190343B2 (en) 1979-05-31
NL165856C (nl) 1981-05-15
SE428110B (sv) 1983-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL111109B1 (en) Method of manufacturing a metal templet having a pattern of perforations
FI71692B (fi) Foerfarande foer bildande av en bild pao en plantryckdel och vid detta foerfarande anvaendbar oeverdragskomposition
US3493371A (en) Radiation-sensitive recording material
DE19781578C2 (de) Bildgebendes Material, Verfahren zur Bildgebung, Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Druckplatte und Anlage, die dafür verwendet wird, Verfahren zur Herstellung einer Platte für eine lithographische Druckplatte und Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leitungsplatte
EP0036595A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siebdruckschablonen auf galvanischem Wege
DE10063819B4 (de) Maskenerstellung zur Herstellung einer Druckform
US3708295A (en) Process for the manufacture of metallic,electrically conductive patterns
KR950000193B1 (ko) 금속 섬유직물로 구성된 스크린 인쇄 원판(The screen printing stencil made of metallic fabric)과 그 제조방법
US3586609A (en) Method for making a cylindrical metallic designed stencil
EP0052806B1 (en) Dot-enlargement process for photopolymer litho masks
US4301232A (en) Method of producing continuous tone gradation prints
US1957433A (en) Method of making a photographic printing plate
DE1671630A1 (de) Schablonentraeger fuer Siebdruck
JPS56150592A (en) Machine plate for use in lithographic printing
US1407303A (en) Process of making grain etchings
DE1765645A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung oder Stanze
US1723612A (en) Printing element and process of producing the same
US1901468A (en) Method of producing photogravure plates
US3432406A (en) Photoconductographic material and process of preparation
US3281340A (en) Process of preparing lithographic plates
RU1784494C (ru) Способ изготовлени трафаретной печатной формы
AT284876B (de) Schablonenträger für Siebdruck
JPH10158422A (ja) 多孔質フィルム及びその製造方法
SU836617A1 (ru) Способ изготовлени сеткотрафаретов
DE2254503A1 (de) Flaechiges material, geeignet fuer die herstellung von bimetallplatten fuer den flachdruck