PL109265B1 - Source for horizontal vacuum evaporation - Google Patents
Source for horizontal vacuum evaporation Download PDFInfo
- Publication number
- PL109265B1 PL109265B1 PL19967877A PL19967877A PL109265B1 PL 109265 B1 PL109265 B1 PL 109265B1 PL 19967877 A PL19967877 A PL 19967877A PL 19967877 A PL19967877 A PL 19967877A PL 109265 B1 PL109265 B1 PL 109265B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- source
- horizontal
- vacuum evaporation
- horizontal vacuum
- box
- Prior art date
Links
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 235000005911 diet Nutrition 0.000 description 1
- 230000037213 diet Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003584 silencer Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest zródlo do pozio¬ mego parowania prózniowego, które moze byc za¬ stosowane do naparowywania cienkich warisitiw metali, pólprzewodników lub dielektryków.Dotychiczals isltolsoiwame sposoby naparowywania cienkich wiarsitw polegaja na podlgrzewaniiu paro¬ wanego materialu w tyglu, lódce lub podobnym zródle, przy czym pary materialu emitowane ze zródla tworza strumien skierowany pionowo do góry. Strumien ten feondensiuje na podlozu uJmie- saczonym poziomo w pewnej odleglosci maki zród¬ lem par.Przedstawiony dotychczasowy .sposób pionowego naparówywianda jesit inielkonzylstny w przypadkach wymagaj ajcych dwustronnego nalpariowywania wanstw irna plytce — podlozu ma przyklad takich jak dwustronna metalizacja [plytek kwarcowych stosowanych -do konistriufocji ogniw piezoelektrycz¬ nych lub dwustronne naparowywanie pólprzewod- miika ina plytce miki isitosiowanej do konisitruJkicji hallltronu podwójinego, gdyz po najpairowaniiu wy- maigainej warstwy na jedna ©trone podloza, trzeba dokonac odwrócenia podloza, co wymaga specjal¬ nego (ukladu mechanicznego lufo otwierania ko¬ mory próziniowieij.Celem wynalazku jest opracowanie zródla do poziomego parowania prózniowego, pozwalajacego na dwuistromne naparówyiwande podlozy, bez ich. odwracania w czasie procelsu nanoszenia warstw. 10 18 20 Cel ten osiagnieto wedlug wynalazku wykonujac zródlo w postaci zamknietej puiszJki z otworem wylotowym stnumieniia par znajdujacym sie w jednej z pionowych scianek .bocznych. Oltwór wy¬ lotowy jest lOtoczony poziomym komiinlkiem ogra¬ niczajacym rozrzut emitowanegio isitiriuimienia par, a przekrój poprzeczny pulszlki oraz doprowadzen isa jednakowe, Jednoczesne grzanie calosci takiego zródla po¬ zwala na wytwarzanie .stabilnego poziomtu skie¬ rowanego strumienia par.W|pr/0wadzenie plaskiej plytki Bjpelnialjacej role radiatora, przygrzanej posrodku dolnie,j - poziomej scianki zródla, warunkuje niezpacziny ispadek tem¬ peratury w porównaniu z pozostala powierzchnia zródla, co w przypadkach parowania metali ze stanu cieklego zabezpiecza przed szkodliwym pel¬ zaniem cieklego metalu po wewnetrznych scian¬ kach zródla. Wykonanie doprowadzen pradowych zródla w wyprofilowanej postaci z zalamaniami oiniemozlliwia silne deformacje calego zródla pod¬ czas grzania d zwieksza kilkakrotnie czals zywot¬ nosci zródla. Deformacja zródla jest sprowadzona do minimum na skutek przeniesienia jej do ob¬ szaru profilowanych doprowadzen.Umieszczenie w komorze prózniowej dwóch zró¬ del emitujacych poziome dwa strumienie pair skie- nowane do siebie wzdluz jednej prostej orafc u- miiesziczenie posrodku odleglosci pomiedzy ziród- 109 2653 109 265 4 lami podloza, którego naparowywane powierzch¬ nie sa polozone pionowo i jednoczesnie prosto¬ padle ido Ikiiietnumiku strumieni par, zapewnia dwu¬ stronna d jednoczesna kondensacje par na pod¬ lozu, bez, jego odwracania.Przedmiot wynalazlku jest uwidoczniony iw przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym na fig. 1 przedstawione jest zródlo do parowania pozio¬ mego, a na fig. 2 przedstawiony jest schemat dwu¬ stronnego naparowywania podlozy.Z cienkiej blachy lub tasmy z metalu trudno topliweigo, na przyklad molibdenu, wolframu lub tantalu, jest wykonana puszka 1. Polaczona jest ona z doprowadzeniami pradowymi 2, o przekro¬ ju takim marnym jalk przekrój poprzeczny puszki, wykonanymi z -tego sarniego materialu i grzana oporowo. Doprowaidizenia pradowe posiaidaija zala¬ mania 3 zabezpieczajace przeid deformacja calego zródla podczas grzania. W pionowej sciance^ do której nie jest przylaczone doprowadzenie prado¬ we, wykonany jest otwór z (kominikiem 4, stano¬ wiacy wylot strumienia par. Calosc zródla wedlug wynalazku, wykonana jest tak, ze zapewnia jed¬ norodnie grzanie scianek puszki 1 i kominka 4.W przypadlkach panowania materialów niesub- liimujacych, lecz parujacycih ze stanu cieklego, na przyklad metali Ag lub Au przygrzewa sie po¬ srodku dolnej i poziomej sciaimki puszki 1 plytki 5, wykonanej z tego sarniego materialu co puszka 1. Plytka 5 spelnia role raidiatora i zabezpiecza przed niekorzystnym pelzaniem wewnaftrz puszki cieklego materialu parujaoetgo, co moze wystepo¬ wac na slkutek (zaklócen jednorodnego grzania ca¬ losci puszki 1 i kominka 4.Dwustronne (naparowywanie podlozy z zastoso¬ waniem zródel parowiania poziomiego, wedlug wy¬ nalazku jest objasnione na fliig. 2.W komorze prózniowej na poziomym okregu A umieszcza sie podloze P w pozycji pionowej pla¬ szczyzny naparowywanych. Okrag A stanowi przy tym lobrzeze obrotowej karuzeli, obracajacej sie w poziomie wokól sriodfka O, co pozwala na jed¬ noczesne -dwustronne naparowywanie feerii podlo¬ zy.W poziomej plaszczyznie okregu A sa (Umiesz¬ czone wzdluz promienia, po obu stronach podlo¬ za P, diwa zródla Zx i Z2 do parowania poziome¬ go, wedlug wynalazku. Zródla te grzane jedno¬ czesnie lub kolejno, emituja poziome sitnutnianie par Si i S2, kondenlsiujace [jednoczesnie lub ko¬ lejno na obu powierzchniach nalparowywianych po¬ dloza P.Zastrzezenia patentowe H. Zródlo do poziomego parowania prózniowego cienikiicih warsitw metali, pólprzewodników Lub die¬ lektryków, znamienne tym, ze ma postac zamk¬ nietej puszki (1) z otworem wylotowym (4) w sciance bocznej, otoczonym poziomym kominkiem, oraz posiada doprowadzenia .pradowe (2) o wypro¬ filowanym ksztalcie z zalamaniami (3). 2. Zródlo wedlug zastrz, 1, znamienne tym, ze przekrój poprzeczny puszki' (1) oraz doprowadzen (2) sa jednakowe. 3. Zródlo wedlug zastrz. 1 ailibo 2, znamienne tym, ze posiada plaska plytke radiator (5) przy- grzana posrodku dolnej poziomej scianki zródla, 10 15 20 25 •109 265 Fiq.i ^ / Fig. 2 PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. H. Zródlo do poziomego parowania prózniowego cienikiicih warsitw metali, pólprzewodników Lub die¬ lektryków, znamienne tym, ze ma postac zamk¬ nietej puszki (1) z otworem wylotowym (4) w sciance bocznej, otoczonym poziomym kominkiem, oraz posiada doprowadzenia .pradowe (2) o wypro¬ filowanym ksztalcie z zalamaniami (3).
- 2. Zródlo wedlug zastrz, 1, znamienne tym, ze przekrój poprzeczny puszki' (1) oraz doprowadzen (2) sa jednakowe.
- 3. Zródlo wedlug zastrz. 1 ailibo 2, znamienne tym, ze posiada plaska plytke radiator (5) przy- grzana posrodku dolnej poziomej scianki zródla, 10 15 20 25 •109 265 Fiq.i ^ / Fig. 2 PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19967877A PL109265B1 (en) | 1977-07-15 | 1977-07-15 | Source for horizontal vacuum evaporation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19967877A PL109265B1 (en) | 1977-07-15 | 1977-07-15 | Source for horizontal vacuum evaporation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL199678A1 PL199678A1 (pl) | 1979-01-29 |
| PL109265B1 true PL109265B1 (en) | 1980-05-31 |
Family
ID=19983681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL19967877A PL109265B1 (en) | 1977-07-15 | 1977-07-15 | Source for horizontal vacuum evaporation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL109265B1 (pl) |
-
1977
- 1977-07-15 PL PL19967877A patent/PL109265B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL199678A1 (pl) | 1979-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6830626B1 (en) | Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum | |
| KR20040110718A (ko) | 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원 | |
| JP2001291589A (ja) | 熱物理蒸着源 | |
| KR100805531B1 (ko) | 증발원 | |
| JP2007063663A (ja) | 扇形蒸着源 | |
| KR101431606B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN101484966B (zh) | 电子束蒸发装置 | |
| KR20180047087A (ko) | 유도 가열 증발 증착 장치 | |
| JP2003293120A (ja) | 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置 | |
| KR20130098663A (ko) | 박막 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20060123578A (ko) | 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법 | |
| PL109265B1 (en) | Source for horizontal vacuum evaporation | |
| KR20180057601A (ko) | 유도 가열 증발 증착 장치 | |
| JP2002348658A (ja) | 蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置 | |
| US3777704A (en) | Apparatus for vaporizing metal on a substratum | |
| KR102680671B1 (ko) | 기상 증착 장치 및 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 방법 | |
| KR100647585B1 (ko) | 증착원 및 이를 이용한 증착 방법 | |
| JPH0661184A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09209126A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US3274372A (en) | Solid vaporization | |
| US20030051667A1 (en) | Vacuum coating apparatus | |
| KR20110016768A (ko) | 줄 가열을 이용한 증착 장치 및 방법 | |
| JP7483894B2 (ja) | 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源 | |
| CN216585178U (zh) | 一种高度集成的真空蒸镀机 | |
| JPH02225659A (ja) | 真空蒸着装置 |