PL109265B1 - Source for horizontal vacuum evaporation - Google Patents

Source for horizontal vacuum evaporation Download PDF

Info

Publication number
PL109265B1
PL109265B1 PL19967877A PL19967877A PL109265B1 PL 109265 B1 PL109265 B1 PL 109265B1 PL 19967877 A PL19967877 A PL 19967877A PL 19967877 A PL19967877 A PL 19967877A PL 109265 B1 PL109265 B1 PL 109265B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
source
horizontal
vacuum evaporation
horizontal vacuum
box
Prior art date
Application number
PL19967877A
Other languages
English (en)
Other versions
PL199678A1 (pl
Inventor
Stanislaw A Ignatowicz
Jozef Figaszewski
Krzysztof Mokrzynski
Original Assignee
Inst Tele I Radiotech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tele I Radiotech filed Critical Inst Tele I Radiotech
Priority to PL19967877A priority Critical patent/PL109265B1/pl
Publication of PL199678A1 publication Critical patent/PL199678A1/pl
Publication of PL109265B1 publication Critical patent/PL109265B1/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest zródlo do pozio¬ mego parowania prózniowego, które moze byc za¬ stosowane do naparowywania cienkich warisitiw metali, pólprzewodników lub dielektryków.Dotychiczals isltolsoiwame sposoby naparowywania cienkich wiarsitw polegaja na podlgrzewaniiu paro¬ wanego materialu w tyglu, lódce lub podobnym zródle, przy czym pary materialu emitowane ze zródla tworza strumien skierowany pionowo do góry. Strumien ten feondensiuje na podlozu uJmie- saczonym poziomo w pewnej odleglosci maki zród¬ lem par.Przedstawiony dotychczasowy .sposób pionowego naparówywianda jesit inielkonzylstny w przypadkach wymagaj ajcych dwustronnego nalpariowywania wanstw irna plytce — podlozu ma przyklad takich jak dwustronna metalizacja [plytek kwarcowych stosowanych -do konistriufocji ogniw piezoelektrycz¬ nych lub dwustronne naparowywanie pólprzewod- miika ina plytce miki isitosiowanej do konisitruJkicji hallltronu podwójinego, gdyz po najpairowaniiu wy- maigainej warstwy na jedna ©trone podloza, trzeba dokonac odwrócenia podloza, co wymaga specjal¬ nego (ukladu mechanicznego lufo otwierania ko¬ mory próziniowieij.Celem wynalazku jest opracowanie zródla do poziomego parowania prózniowego, pozwalajacego na dwuistromne naparówyiwande podlozy, bez ich. odwracania w czasie procelsu nanoszenia warstw. 10 18 20 Cel ten osiagnieto wedlug wynalazku wykonujac zródlo w postaci zamknietej puiszJki z otworem wylotowym stnumieniia par znajdujacym sie w jednej z pionowych scianek .bocznych. Oltwór wy¬ lotowy jest lOtoczony poziomym komiinlkiem ogra¬ niczajacym rozrzut emitowanegio isitiriuimienia par, a przekrój poprzeczny pulszlki oraz doprowadzen isa jednakowe, Jednoczesne grzanie calosci takiego zródla po¬ zwala na wytwarzanie .stabilnego poziomtu skie¬ rowanego strumienia par.W|pr/0wadzenie plaskiej plytki Bjpelnialjacej role radiatora, przygrzanej posrodku dolnie,j - poziomej scianki zródla, warunkuje niezpacziny ispadek tem¬ peratury w porównaniu z pozostala powierzchnia zródla, co w przypadkach parowania metali ze stanu cieklego zabezpiecza przed szkodliwym pel¬ zaniem cieklego metalu po wewnetrznych scian¬ kach zródla. Wykonanie doprowadzen pradowych zródla w wyprofilowanej postaci z zalamaniami oiniemozlliwia silne deformacje calego zródla pod¬ czas grzania d zwieksza kilkakrotnie czals zywot¬ nosci zródla. Deformacja zródla jest sprowadzona do minimum na skutek przeniesienia jej do ob¬ szaru profilowanych doprowadzen.Umieszczenie w komorze prózniowej dwóch zró¬ del emitujacych poziome dwa strumienie pair skie- nowane do siebie wzdluz jednej prostej orafc u- miiesziczenie posrodku odleglosci pomiedzy ziród- 109 2653 109 265 4 lami podloza, którego naparowywane powierzch¬ nie sa polozone pionowo i jednoczesnie prosto¬ padle ido Ikiiietnumiku strumieni par, zapewnia dwu¬ stronna d jednoczesna kondensacje par na pod¬ lozu, bez, jego odwracania.Przedmiot wynalazlku jest uwidoczniony iw przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym na fig. 1 przedstawione jest zródlo do parowania pozio¬ mego, a na fig. 2 przedstawiony jest schemat dwu¬ stronnego naparowywania podlozy.Z cienkiej blachy lub tasmy z metalu trudno topliweigo, na przyklad molibdenu, wolframu lub tantalu, jest wykonana puszka 1. Polaczona jest ona z doprowadzeniami pradowymi 2, o przekro¬ ju takim marnym jalk przekrój poprzeczny puszki, wykonanymi z -tego sarniego materialu i grzana oporowo. Doprowaidizenia pradowe posiaidaija zala¬ mania 3 zabezpieczajace przeid deformacja calego zródla podczas grzania. W pionowej sciance^ do której nie jest przylaczone doprowadzenie prado¬ we, wykonany jest otwór z (kominikiem 4, stano¬ wiacy wylot strumienia par. Calosc zródla wedlug wynalazku, wykonana jest tak, ze zapewnia jed¬ norodnie grzanie scianek puszki 1 i kominka 4.W przypadlkach panowania materialów niesub- liimujacych, lecz parujacycih ze stanu cieklego, na przyklad metali Ag lub Au przygrzewa sie po¬ srodku dolnej i poziomej sciaimki puszki 1 plytki 5, wykonanej z tego sarniego materialu co puszka 1. Plytka 5 spelnia role raidiatora i zabezpiecza przed niekorzystnym pelzaniem wewnaftrz puszki cieklego materialu parujaoetgo, co moze wystepo¬ wac na slkutek (zaklócen jednorodnego grzania ca¬ losci puszki 1 i kominka 4.Dwustronne (naparowywanie podlozy z zastoso¬ waniem zródel parowiania poziomiego, wedlug wy¬ nalazku jest objasnione na fliig. 2.W komorze prózniowej na poziomym okregu A umieszcza sie podloze P w pozycji pionowej pla¬ szczyzny naparowywanych. Okrag A stanowi przy tym lobrzeze obrotowej karuzeli, obracajacej sie w poziomie wokól sriodfka O, co pozwala na jed¬ noczesne -dwustronne naparowywanie feerii podlo¬ zy.W poziomej plaszczyznie okregu A sa (Umiesz¬ czone wzdluz promienia, po obu stronach podlo¬ za P, diwa zródla Zx i Z2 do parowania poziome¬ go, wedlug wynalazku. Zródla te grzane jedno¬ czesnie lub kolejno, emituja poziome sitnutnianie par Si i S2, kondenlsiujace [jednoczesnie lub ko¬ lejno na obu powierzchniach nalparowywianych po¬ dloza P.Zastrzezenia patentowe H. Zródlo do poziomego parowania prózniowego cienikiicih warsitw metali, pólprzewodników Lub die¬ lektryków, znamienne tym, ze ma postac zamk¬ nietej puszki (1) z otworem wylotowym (4) w sciance bocznej, otoczonym poziomym kominkiem, oraz posiada doprowadzenia .pradowe (2) o wypro¬ filowanym ksztalcie z zalamaniami (3). 2. Zródlo wedlug zastrz, 1, znamienne tym, ze przekrój poprzeczny puszki' (1) oraz doprowadzen (2) sa jednakowe. 3. Zródlo wedlug zastrz. 1 ailibo 2, znamienne tym, ze posiada plaska plytke radiator (5) przy- grzana posrodku dolnej poziomej scianki zródla, 10 15 20 25 •109 265 Fiq.i ^ / Fig. 2 PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. H. Zródlo do poziomego parowania prózniowego cienikiicih warsitw metali, pólprzewodników Lub die¬ lektryków, znamienne tym, ze ma postac zamk¬ nietej puszki (1) z otworem wylotowym (4) w sciance bocznej, otoczonym poziomym kominkiem, oraz posiada doprowadzenia .pradowe (2) o wypro¬ filowanym ksztalcie z zalamaniami (3).
  2. 2. Zródlo wedlug zastrz, 1, znamienne tym, ze przekrój poprzeczny puszki' (1) oraz doprowadzen (2) sa jednakowe.
  3. 3. Zródlo wedlug zastrz. 1 ailibo 2, znamienne tym, ze posiada plaska plytke radiator (5) przy- grzana posrodku dolnej poziomej scianki zródla, 10 15 20 25 •109 265 Fiq.i ^ / Fig. 2 PL
PL19967877A 1977-07-15 1977-07-15 Source for horizontal vacuum evaporation PL109265B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19967877A PL109265B1 (en) 1977-07-15 1977-07-15 Source for horizontal vacuum evaporation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19967877A PL109265B1 (en) 1977-07-15 1977-07-15 Source for horizontal vacuum evaporation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL199678A1 PL199678A1 (pl) 1979-01-29
PL109265B1 true PL109265B1 (en) 1980-05-31

Family

ID=19983681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19967877A PL109265B1 (en) 1977-07-15 1977-07-15 Source for horizontal vacuum evaporation

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL109265B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL199678A1 (pl) 1979-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6830626B1 (en) Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20040110718A (ko) 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원
JP2001291589A (ja) 熱物理蒸着源
KR100805531B1 (ko) 증발원
JP2007063663A (ja) 扇形蒸着源
KR101431606B1 (ko) 기판 처리 장치
CN101484966B (zh) 电子束蒸发装置
KR20180047087A (ko) 유도 가열 증발 증착 장치
JP2003293120A (ja) 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
KR20130098663A (ko) 박막 제조 장치 및 그 제조 방법
KR20060123578A (ko) 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법
PL109265B1 (en) Source for horizontal vacuum evaporation
KR20180057601A (ko) 유도 가열 증발 증착 장치
JP2002348658A (ja) 蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置
US3777704A (en) Apparatus for vaporizing metal on a substratum
KR102680671B1 (ko) 기상 증착 장치 및 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 방법
KR100647585B1 (ko) 증착원 및 이를 이용한 증착 방법
JPH0661184A (ja) プラズマ処理装置
JPH09209126A (ja) 真空蒸着装置
US3274372A (en) Solid vaporization
US20030051667A1 (en) Vacuum coating apparatus
KR20110016768A (ko) 줄 가열을 이용한 증착 장치 및 방법
JP7483894B2 (ja) 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源
CN216585178U (zh) 一种高度集成的真空蒸镀机
JPH02225659A (ja) 真空蒸着装置