PL104268B1 - Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora - Google Patents

Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora Download PDF

Info

Publication number
PL104268B1
PL104268B1 PL18206875A PL18206875A PL104268B1 PL 104268 B1 PL104268 B1 PL 104268B1 PL 18206875 A PL18206875 A PL 18206875A PL 18206875 A PL18206875 A PL 18206875A PL 104268 B1 PL104268 B1 PL 104268B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
oscillator
resistor
thermal compensation
effect transistor
amplitude
Prior art date
Application number
PL18206875A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18206875A priority Critical patent/PL104268B1/pl
Publication of PL104268B1 publication Critical patent/PL104268B1/pl

Links

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad kompen¬ sacji termicznej ampliltury drgan oscylatora.
Znane sa uklady kompensacji termicznej ampli¬ tudy drgan oscylatorów wykorzystujace generato¬ ry, w których, w petle ujemnego sprzezeniazwrotne¬ go wzmacniacza miedzy wyjscie wzmacniacza, je¬ go wejscie odwracajace faze i mase, zalaczony jest tranzystor polowy jako element kompensacji ter¬ micznej i regulacji generatora. Znane sa równiez uklady kompensacji termicznej, w których ele¬ ment kompensacji termicznej stanowia diody pól¬ przewodnikowe wlaczone w obwód wzmocnienia wzmacniacza. Dobrany przeciwnie wspólczynnik termiczny elementów stabilizacji termicznej kom¬ pensuje wspólczynniki termiczne pozostalych ele¬ mentów oscylatora, przez co osiaga sie stabilizacje termiczna drgan wyjsciowych oscylatora.
Istota wynalazku polega na tym, ze bramka tran¬ zystora -polowego, stanowiacego element kompen¬ sacji termicznej, polaczona jest poprzez .rezystor z anoda diody i polaczonej inna dioda kompen¬ sacyjna w ukladzie podwajacza napiecia. W ukla¬ dzie tym zmiana rezystancji tranzystora polowego w funkcji temperatury kompensowana jest samo¬ czynna zmiana napiecia sterujacego bramka tran¬ zystora.
Wynalazek zostal uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawiajacym schemat ideowy oscylatora z ukladem kompensacji termi¬ cznej.
J|5 Uklad kompensacji termicznej wedlug wynala¬ zku zostal wykorzystany w oscylatorze z mostkiem Wiena. Mostek stanowia galaz pojemnosciowo-re- zystorowa zawierajaca rezystor RIO i kondensator" C4, galaz rezystoroiwo-pojemnosciawa zawierajaca rezystor R8 i kondensator C3, galaz zawierajaca szeregowo polaczone rezystory R9, R6, R5 i tran¬ zystor Tl. Wartosc amplitudy wyjsciowej oscylato¬ ra ustala sie przy pomocy dzielnika rezystorowe- go, zawierajacego rezystory Rl, R2, R3 i regulowa¬ ny rezystor R4. Uklad oscylatora zawiera petle dodatniego sprzezenia zwrotnego utworzonego przez szeregowe polaczenie kondensatora C4 i rezy¬ stora RIO oraz równolegle polaczenie kondensatora C3 i rezystora R8.
Ujemna petle sprzezenia zwrotnego zalaczona pomiedzy wyjscie wzmacniacza operacyjnego W i jego wejscie odwracajace faze, tworzy polaczenie rezystora R9 z suma rezystancji R5 i R6 oraz re¬ zystancji tranzystora polowego Tl. Tranzystor po¬ lowy Tl uzyty jest jako element kompensacji ter¬ micznej. Polaryzacje bramki tranzystora polowego Tl uzyskuje sie przez dzielnik rezystorowy Rl, R2, R3, R4 z ukladu podwajacza napiecia utworzonego przez uklad pojemnosciowo-diodowy Cl, C2, Dl, D2.
Okreslenie punktu kompensacji -termicznej po¬ lega na doborze rezystancji R5 i R6 wlaczonych pomiedzy punkt A ukladu na wejsciu wzmacniacza operacyjnego W a dren D tranzystora Tl. Spelnie- 104 268104 26S nie w ukladzie warunku generacji ku • /?=1 powo¬ duje, ze suma rezystancji rezystorów R5 i R6 oraz rezystancja tranzystora polowego Tl umieszczona miedzy punktem A ukladu a masa jest stala przy nie zmienionych pozostalych elementach ukladu.
Poprzez zmiane rezystancji rezystorów R5 i R6 nastepuje automatyczna zmiana rezystancji tran¬ zystora polowego Tl i przesuniecie punktu pracy poza punkt autokompensacji, to jest obszar, w któ¬ rym zmiany rezystancji dynamicznej tego tran¬ zystora wystepujace w funkcji temperatury kom¬ pensuje termiczny wplyw pozostalych elementów ukladu glównie diod pólprzewodnikowych Dl i D2.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora, w którym, w petle sprzezenia zwrotne¬ go generatora, miedzy wyjscie wzmacniacza, jego wejscie i mase, zalaczony jest tranzystor polowy jako jeden z elementów kompensacji, który to tran¬ zystor polowy podlaczony jest do ukladu poprzez regulowany rezystor polaczony szeregowo z rezy¬ storem nieregulowanym, znamienny tym, ze bram¬ ka (G) tego tranzystora polowego polaczona jest poprzez rezystor (Rl) z anoda diody (Dl), polaczo¬ nej z dioda (D2) w ukladzie podwajacza napiecia. ci 4= lmiQ0rz\. 1
PL18206875A 1975-07-15 1975-07-15 Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora PL104268B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18206875A PL104268B1 (pl) 1975-07-15 1975-07-15 Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18206875A PL104268B1 (pl) 1975-07-15 1975-07-15 Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL104268B1 true PL104268B1 (pl) 1979-08-31

Family

ID=19972962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18206875A PL104268B1 (pl) 1975-07-15 1975-07-15 Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL104268B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4216371A (en) Device for heat regulation of an enclosure particularly for oscillating piezoelectric crystal, and enclosure comprising such a device
US4158804A (en) MOSFET Reference voltage circuit
EP1681608A3 (en) Electronic circuit, semiconductor device, electronic equipment, and timepiece
JPS5812764B2 (ja) オンドホシヨウケイエミツタケツゴウマルチバイブレ−タカイロ
JPS6269308A (ja) 基準電圧発生回路装置
US5084632A (en) Asymmetrical signal generator circuit
PL104268B1 (pl) Uklad kompensacji termicznej amplitudy drgan oscylatora
CA1087698A (en) Temperature compensated crystal oscillator
US3487322A (en) High gain low voltage amplifier
US3651428A (en) Gradual on-off keying circuit for an oscillator
US3339156A (en) Amplitude stabilized alternating current generator
KR900015449A (ko) 리액턴스 제어회로
JP2827947B2 (ja) 減衰回路
SU853623A1 (ru) Управл емый генератор тока
SU696431A1 (ru) Источник опорного напр жени
JP2609668B2 (ja) レベルシフト回路
JP2003298349A (ja) 電圧制御型発振回路
KR910008939A (ko) 온도보상용 공급전압 안정화회로
RU1790029C (ru) Триггер Шмитта
JPS58976Y2 (ja) トランジスタノバイアスカイロ
SU423111A1 (ru) Стабилизатор напряжения постоянного тока
KR790001471B1 (ko) 가변이득 제어회로
JPS5849045B2 (ja) デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タ
US4001727A (en) Power control circuit for a power oscillator
SU1058020A1 (ru) @ -Генератор