NO802566L - Fremgangsmaate og anordning ved fremstilling av formede legemer av termoplastisk plast - Google Patents

Description

Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte og en anordning for fremstilling av formede legemer av termoplastisk harpiks som etter ønske lar seg innstille i sin delvis krys-, tallinske tilstand gjennom fysikalsk påvirkning, spesielt temperaturpåvirkninger, ved: - dannelse av et halvfabrikata, spesielt kontinuerlig ekstrudering av et bånd eller en slange av den plastifiserte harpiks, - stabilisering .av halvfabrikata ved avkjøling i<;>det minste på en overflate, - termokondisjonering av det stabiliserte halvfabrikata til termisk - formbarhet og

- termisk forming til. dannelse av formstabile endelige form-

ede legemer fra halvfabrikataet.

Fra DOS 28 30 740 og DOS 28 30 788 er det kjent fremgangs-

måter for fremstilling av tynnveggede artikler av krystall-

insk termoplastisk materiale. Det termoplastiske materialet

som skal' behandles i denne fremgangsmåten, spesielt polyole-

fin, er i et hvert tilfelle bare av krystallinsk type og gir derfor bare den mulighet å innstille den delvis krystallinske tilstand i veggen til legemet mer eller mindre sterkt krystallinsk og gjennom températurføring og anvendelsen av fysikalske inflytelser å påvirke krystallene som foreligger

i harpiksen i veggen til legemet. Følgelig tar disse kjente fremgangsmåter også sikte på å styre harpiksens krystallinske egenskaper og den fysikalske inflytelse på krystallene i kunststoffet ved fremstillingsmetoden av de formede legemer slik at det kan oppnås en optimal tilnærming til de ønskede

egenskapene til legemets vegg og samtidig brukbare forutset-ninger for den termiske forming.

Fra britisk patent 1 514 277 er det også kjent .fremstilling

av formede legemer, spesielt flasker, av pplyestermateriale V.ed kombinert sprøytestøping og blåseforming. Herunder skal

først et forut formet legeme fremstilles ved sprøyteforming og den utvendige flate stabiliseres ved avkjøling. Det skal så først skje en første utvidelse under strekning av de av-kjølte veggområder og deretter en fullstendig utforming ved

blåseformning... Denne kjente fremgangsmåte er relativt kom-plisert, tar betydelig tid og lar seg ikke utføre som kontinuerlig prosess under dannelse av et halvfabrikata.

Følgelig er en oppgave for oppfinnelsen å tilveiebringe en fremgangsmåte og en anordning som gjør det mulig for bruker-en ved behandling av kunststoffer hvilke ved hjelp av fysikalske påvirkninger, spesielt temperaturpåvirkninger etter ønske lar seg innstille amorfe eller delkrystallinske, etter ønske innstille harpiksen i veggene til de formede legemer amorfe eller i en ønsket krystallinsk tilstand og krystalli-seringsgrad og derved oppnå ønskede • fysikalske egenskaper,

f.eks. ønsket .elastisitet, -fasthet og henholdsvis eller temperaturtormbestandighet hos det.formede legeme.

Ifølge foreliggende oppfinnelse løses denne oppgave ved anvendelsen av de følgende fremgangsmåtekarakteristika: - for fremstilling av forskjellige gjenstander av slik harpiks hvis krystallinitetstilstand kan innstilles etter valg mellom amorf og delkrystallinsk, foretas innstillingen av den ønskede krystallinitetstilstand i veggen til det formede legemet ved en første' termokondisjonering som ut-føres på halvfabrikataet og en andre termokondisjonering som foretas på den formede gjenstanden: - de fysikalske påvirkninger som må - utøves på halvfabrikata et ved den første termokondisjonering som må utføres mellom stabilisering og termisk forming avstemmes og modifiser- es på forut bestemt måte for å oppnå en ønsket forberedende krystallinitetstilstand samt termoformbarhet av harpiksen til halvfabrikata, idet en forberedende temperaturprofil innstilles gjennom halvfarbikata-tverrsnittet som er avstemt på den etterfølgende termoformingsprosess og den ønskede endelige krystallinitetstilstand • i harpiksen i det formede legemets, vegg; og - den andre termokondisjoneringen. utføres under det termiske'formingsforløp.og etter ønske også deretter med temperatur-føring for å oppnå'henholdsvis opprettholde den ønskedeendelige krystallinitetstilstand i harpiksen i det form-

ede legemets vegg i forbindelse med frembringelse av form-, bestandigheten til det formede legemet.

Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen byr på den ene side på

mange modifiserbare og innstillbare prosessparametere hvilke reproduserbart og nøyaktig forut bestembart påvirker den endelige .krystallinitetstilstanden til harpiksen i det formede 'legemets vegg og de vesentlige fysikalske•egenskaper for bruken av det formede legemet. Den virksomme anvendelse og gjensidige kombinering av de benyttede prosessparametere, spesielt varmebehandlingen under prosessen, blir særlig gunstig ved å anvende to termokondisjoneringsoperasjoner.

Videre gir fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen også mulighet'

for å medta ytterligere,, fysikalske behandlingstrinn så som strekning, valsing, kalandrering, fortetning, bestråling, elektrostatisk behandling, elektromagnetisk behandling og lignende uten å påvirke stabiliteten av fremstillingsopera-sjonen og den ønskede stabile innstilling av krystallinitetstilstanden i .harpiksen i veggene til det formede legemet.

Også for disse ytterligere .fysikalske behandlingsskritt gir

de to termokondisjoneringsoperasjoner fordelaktige anvend-elses- og kombinasjonsmuligheter.

En gunstig prinsipiell fremgangsmulighet innenfor rammen av oppfinnelsen innebærer at

- halvfabrikataet ved stabiliseringen og den første termokondis jonering gjennom hele tverrsnittet avkjøles under innstilling av den ønskede endelige krystallinitetstil-

stand til en temperatur ved' hvilken ingen særlig endring av krystallinitetstilstanden finner sted lenger i harpiksen, og at også slike temperaturer overholdes ved anprd-. ningen av temperaturprofilen for kravene ved termoforming i alle halvfabrikataområder ved hvilke ingen vesentlig endring av'krystallinitetstilstanden opptrer, og - ved termoforming skjer en dyptrekning og andre termokondisjonering for å fiksere krystallinitetstilstanden i harpiksen og den derved formede og faste veggen til det formede legemet.

Ved dette innenfor rammen av oppfinnelsen mulige prinsip-

ielle fremgangsmåteforløp innstilles den ønskede endelige krystallinitetstilstand i harpiksen i veggen til det formede legemet allerede tidlig i stor grad, nemlig ved stabiliser-

ing og første termokondisjonering av halvfabrikataet og- bi-beholdes maksimalt frem til avslutningen av det formede legemet.

Man kan benytte denne prinsipielle fremgangsmåten til å innstille en i stor grad amorf tilstand i harpiksen i halvfabrikataet ved stabilisering og deretter første termokondisjonering, og oppnå denne vidtgående amorfe tilstanden ved andre termokondisjonering inklusive termoforming mest mulig. De formede gjenstander som fremstilles på■denne måten har praktisk talt amorf tilstand i harpiksen i veggene og utmerker seg ved relativt høy elastisitet og ettergivenhet. De har til gjengjeld bare forholdsvis liten temperaturformingssta-bilitet. En annen prinsipiell mulig fremgangsmåtevariant innenfor rammen av oppfinnelsen består i at

halvf abrikataet ved stabilisering og første termokondis jonering avkjøles raskt gjennom hele tverrsnittet og innstilles på en temperaturprofil som tillater termoforming, men holder temperaturer i alle halvf abrikata-områdene,. ved hvilke ingen vesentlige forandring av krystallinitetstilstanden inntrer i harpiksen;

- termoformingen skjer på minst en overflate av legemet som .

er oppvarmet til en temperatur ved hvilken krystallvekst inntrer i harpiksen og

- .den andre termokondisjonering som skjer eller begynner i berøringen av veggen til det formede legemet med den oppvarmede formoverflate i temperatur og tid avstemmes på

innstilling av en ønsket delkrystallinitet hos det formede legemets veggs harpiks..

'Ved denne fremgangsmåten innstilles forberedende en krystallinitetstilstand i harpiksen til halvfabrikataet og ut-fra denne.krystallinitetstilstand frembringes ved termoforming den ønskede endelige krystallinitetstilstand i det formede legemets vegg. Man kan derved holde halvfabrikataets harpiks ved første termokondisjonering i hovedsakelig amorf tilstand. Det er imidlertid også mulig å utsette halvfabrikataets harpiks for en første liten krystallvekst.ved første termokondisjonering. Valget av den ene eller andré mulighet avhenger bl.a. av den ønskede endelige krystallinitetstilstand i harpiksen i det formede legemets vegg og i den ønskede grad av krystallvekst under den termiske forming.

For å oppnå den ønskede grad av krystallvekst under den termiske forming kan formoverflåten holdes på en temperatur i området fra under til over den optimale temperatur for krystallvekst i den foreliggende harpiks. Vil man oppnå en høyest mulig grad av krystallvekst under den termiske forming ■ ved tilmålt kort termoformingstid, vil man holde formoverflaten på en temperatur for optimal krystallvekst for foreliggende harpiks., eventuelt i øvre del av dette temperaturområdet for raskest mulig å innstille den egnede temperatur for optimal krystallvekst i harpiksen.

Hvis man i fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen ved stabilisering og første termokondisjonering av halvfabrikataet innstiller slike' temperaturforhold, ved hvilke praktisk talt ingen eller bare meget små forandringer av den krystallinske tilstand inntreffer, kan man utsette halvfabrikataet under den første termokondisjonering og henholdsvis eller mellom den første termokondis jonering og termof. drmingen under praktisk talt bibehold av kunststoffets krystallinske tilstand for en strekning, f.eks. biakseal strekning som ytterligere fysikalsk behandling. Denne strekning kan skje i praktisk talt amorf tilstand av harpiksen eller også ved mer eller mindre delvis krystallinsk tilstand av harpiksen. Denne

strekning har innenfor.rammen av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen den overraskende virkning at de formede legemer

som er fremstilt under denne ytterligere fysikalske'påvirk-

■ning har' høy styrke, høy elastisitet og høy temperaturformstabilitet samtidig. En ytterligere utførelsesmulighet for fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse består i at - halvfarbikataet ved stabilisering og første termokondisjonering på overflateområdene innstilles på temperaturer for å.gjøre halvfabrikataet fast for håndtering og innvendig • på temperatur for optimal krystallvekst i foreliggende harpiks, og - termoformingen skjer på minst en formoverflate som er oppvarmet til en temperatur ved hvilken krystallveksten inntreffer i den foreliggende harpiks.

Den utførelsesvarianten av foreliggende oppfinnelse er sær-

lig egnet 1 slike tilfeller hvori en sterkest mulig utkrystallisering av harpiksen er ønsket i veggen til den formede gjenstand. Formede legemer som er fremstilt etter denne ut-førelsesvarianten av fremgangsmåten utmerker seg ved- spesi-

elt høy temperaturformbestandighet. Ved denne utførelses-varianten av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er imidler-

tid hensiktsmessig at harpiksen inne i halvfabrikataet gjennom innflytelsen av den innstilte temperatur og tids-

messige varighet av den første termokondisjonering innstilles for dannelse av en slik krystallinsk tilstand ved hvilken den foreliggende harpiks fortsatt er termisk formbar. Man kan imidlertid også når dette er ønsket overføre harpiksen inne i halvfabrikataet ved påvirkning av den innstilte temperatur og tidsforløpet av den første termokondisjonering i en krystallinsk tilstand som ligger utenfor grensen av den egentlige termiske formbarhet for den foreliggende harpiks. I dette tilfellet danner overflateområdene til halvfabrikata-

et, som holdes mer eller mindre i amorf eller bare finkrys-tallinsk tilstand under den termiske formning tilstrekkelig

holdbare skall, mellom hvilke den krystalliserte harpiks inne i halvfabrikataet fremdeles sikker kan formes utenfor den egentlige termiske formbarhet. Ved denne siste utførel-sesmuligheten av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er det særlig gunstig å oppvarme formoverflåtene, til en temperatur for optimal krystallvekst for den foreliggende harpiks. Det skjer derigjennom en siste gjennomvarmning av all harpiksen til veggen til det dannede legemet og derigjennom en jevn utkrystallisering.

En videre mulighet for utføringen av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen innebærer at

- halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering på overflateområdene til tverrsnittet på temperatur-

er for egnet hastighet for å håndtere halvfabrikataet og innvendig i det vesentlige på plastifiseringstemperatur som benyttes for ekstrudering av materialbåndet;

- termoformingen skjer på minst en formoverflate som er oppvarmet til en temperatur, ved hvilken krystallvekst inn-

trer i■den foreliggende harpiks, og

- veggen til det formede legemet for andre termokondisjoner-

ing holdes på en temperatur over en tid som er tilpasset den 'ønskede endelige krystallinske tilstanden i legemets vegg, ved hvilken krystallveksten finner sted i harpiksen i legemets vegg.

Ved denne mulige fremgangsmåteoperasjon innefor rammen av oppfinnelsen'holdes harpiksen inne i halvfabrikataet på en temperatur som ligger over det temperaturområdet hvori krystallvekst inntreffer i den foreliggende harpiks. Overflateområdene til halvfabrikataet avkjøles derimot så mye at deri fryses den foreliggende krystallinske tilstand inn, f.eks. amorfe tilstand eller lite delvis- krystallinske tilstand. I motsetning til den vanlige Inline-termiske form-ingsmetode skjer i den egentlige termiske formingsoperasjon nå en fullstendig gjennomvarming av hele den dannede vegg av

legemet og med denne gjennomvarming under den termiske form-

ing og andre termiske kondisjonering innstilling av den ønskede mer eller mindre sterkt delvis krystallinske til-

stand. Da harpiksen inne i halvfabrikataet ved denne type fremgangsmåteoperasjon medfører ubetydelige varmemengder i den første termokondisjonering og frem i. den termiske form-

•ing og andre termokondisjonering, vil man med fordel inn-

stille temperaturen på- formoverflåtene noe under temperatur-

en for optimal krystallvekst, for derved å frembringe en rask avkjøling av harpiksen inne i den dannede vegg av lege-.met.i det temperaturområdet hvori optimal krystallvekst inntreffer.

Ved alle fremgangsmåtevarianter ifølge oppfinnelsen ved

hvilke krystallvekst tillates under den egentlige termiske forming, kan man holde legemets vegg så lenge i berøring med formoverflaten at harpiksen har nådd den ønskede grad

av krystallinitet. Man kan imidlertid også .bare innlede krystallveksten på formoverflaten og ta det formede legemet vekk fra formoverflaten når tilstrekkelig formstabilitet er nådd og utføre den andre termokondisjonering i en varmebe-handlings anordn ing som følger etter utgangen.av den termiske formingsanordning. Denne andre termokondisjoneringen - som begynner på formoverflaten - kan utføres ved konstant temperatur. Man kan imidlertid også endre temperaturen under den andre termokondisjoneringen, f.eks. med temperering ved temperatur som synker med tiden. Ved den sistnevnte type temperaturoperasjon kan man gå ut fra en temperatur på formoverflaten som er egnet for optimal krystallvekst i den foreliggende harpiks og avkjøle legemets vegg tidsnok. Den termiske forming kan i fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen utfør-

es under utøvelse av formtrykk på harpiksen i legemets vegg. Dette formtrykket kan eventuelt velges egnet for en viss komprimering av harpiksen.

Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen tillater også at halvfabrikata mellom ekstruderingen og den termiske forming underkastes en kalandrerings- og henholdsvis eller valseoperasjon undertrykkelsesreduksjon for ytterligere fysikalsk

påvirkning av den krystallinske tilstand. Denne kalandrer-

ing henholdsvis valsing kan også inntas i stabiliseringen av - halvfabrikataet.

Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen lar seg fortrinnsvis anvende for fremstilling av formede legemer av polyetylentereftalat. Den kommer imidlertid også likefult i betraktning for fremstilling av formede legemer av modifisert polyetylentereftalat, f.eks. 1,4 cykloheksyldimetylen-terefta-

lat / isoftalat-kopolymerisat. Også fremstillingen av form-■ ede legemer av polybutylentereftalat er tenkelige ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen. I siste tilfellet må imidlertid bemerkes at temperaturområdet innenfor hvilket krystallveksten inntreffer i polybutylentereftalat, går langt under, d.v.s. til ca. 30°C.

For utføring av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er spe-

sielt en anordning egnet med en ekstruderingsanordning for kontinuerlig fremstilling av halvfabrikataet, en stabiliser-ingsanordning for halvfabrikataet og en termisk formingsanordning og en termokondisjoneringsanordning for halvfabrikataet, samt eventuelt en anordning for utskillelse av de formede gjenstander fra de omgivende deler av halvfabrikata-.

et. En slik anordning utmerker seg ifølge oppfinnelsen ved

de følgende trekk:

- Mellom stabiliseringsanordningen og den termiske formingsanordning er det anordnet en første termokondisjoneringsstasjon; - den termiske formingsanordning ligger i andre termokondisjoneringsstasjon;

- Stabiliseringsanordningen og den termiske formingsanord-

ning er utstyrt medregureriirgsinnretning for forut bestemt eventuell programmerbar regulering av den i stabiliseringsanordningen og den termiske formingsanordning fysikalske, spesielt termiske innvirkning på harpiksen i halvfabrikata-..et og

innretninger for fysikalsk,, spesielt termisk innvirkning på harpiksen i halvfabrikataet, henholdsvis det formede legemet og reguleringsinnretninger til forut fast bestemt eventuelt programmerbar regulering av innvirkningsinnret-ningen er tilordnet de termiske kondisjoneringsstasjoner.

En slik anordning byr på den fordel at den uten nevneverdige omstillinger praktisk talt kan gjennomføre alle ønskede vari-anter av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen. Den gir også den fordel at innretninger for ønskede spesielle, fysikalske innvirkninger.som strekking, valsing, bestråling o.s.v. uten vanskelighet kan innføres på ønsket sted i anordningen.

Anordningen ifølge oppfinnelsen kan i sin termokondisjoneringsstasjon gjerne i første termokondisjoneringsstasjon for. halvfabrikataer være utstyrt med varme- og kjøleinnretriinger for halvfabrikataet henholdsvis de formede gjenstander med reguleringsmulighet for temperatur og varme- henholdsvis kjøletid.. Med dette utstyret er termokondisjoneringen gjennomførbar i anordningen ifølge oppfinnelsen i alle tenkelige fremgangsmåtevarianter med absolutt sikkerhet og optimal virksomhet.

Den første termokondisjoneringsstasjon nemlig den for halvfabrikata, kan også ha en strekkanordning for halvfabrikata

med reguleringsmulighet for strekktemperatur, strekningsgrad og eventuelt strekningshastighet. Tilordningen av strekkanordningen til den første termokondisjoneringsstasjon har den spesielle fordel at strekningsoperasjonen foretas i et stadium av halvfabrikataet ved hvilket optimale betingelser for selve strekkingen og også optimale betingelser for inn-virkningen av strekningen på krystallinitetstilstanden til harpiksen kan innstilles og også opprettholdes frem til den 'termiske forming.

Vil man plassere ytterligere anordninger for kalandrering og henholdsvis eller valsing av et båndformet halvfabrikata

under tykkelsesredusering i anordningen ifølge oppfinnelsen,, kan disse, tilordnes stabiliseringsanordningen.

I anordningen ifølge oppfinnelsen kan de i stabiliserings-.anordningen plasserte kjøleinnretninger være utstyrt med - . innretninger for å gi eni tidsbestemt virksom, regulerbar temperaturføring på harpiksen i halvfabrikataet. Dette be-

tyr at ved å plassere flere kjøleinnretninger etter hver-

andre kan disse opereres ved forskjellige temperaturer.

I anordningen, ifølge oppfinnelsen bør den termiske' formings-,anordning gjerne være utstyrt med minst ett formingsverktøy,

som har én regulerbar varme-- og kjølbar formoverflate. Den termiske formanordning kan gjerne ha minst ett formverktøy,

som-er utstyrt med en reguleringsinnretning for å gi. en for-

ut bestembar eventuelt programmerbar tidsbestemt temperatur-endring :henholdsvis temperaturføring under den termiske formingsoperasjon på minst en formoverflate. Den termiske form-■ ingsanordning kan også inneholde minst et formverktøy som er utstyrt med innretninger for å gi et forut bestembart, regu-lerbart formningstrykk. - Disse innretninger for å gi formningstrykket kan være- utstyrt med reguleringsanordninger for regulerbar eventuelt programmerbar tidsbestemt variasjon av formningstrykket under den termiske formingsoperasjonen.

I anordningen ifølge oppfinnelsen kan med fordel den andre termiske kondisjoneringsstasjon romme den termiske formingsanordning i sitt inngangsområde og strekke seg ut gjennom utgangen til den termiske formingsanordning. Derunder kan den andre termiske kondisjoneringsstasjon inneholde en varmebehandlingsanordning for de formede legemer-som følger etter-• utgangen til den termiske formingsanordning.

Utførelseseksempler på oppfinnelsen anskueliggjøres i det følgende nærmere ved tegningen.

Den viser:

Fig. 1 et skjema for det prinsipielle forløpet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen henholdsvis den prinsipiel-

le oppbygning av en anordning ifølge oppfinnelsen;

Fig. 2 krystallveksthastighetens V avhengighet av tempera turen T for polyetylentereftalat;

Fig. 3 en gruppe av temperaturprofiler for en første utfør-.elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen med polyetylentereftalat; Fig. 4 en gruppe av temperaturprofiler for én andre utfør-elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen med polyetylentereftalat; Fig. 5 en gruppe av temperaturprofiler for en tredje utfør-.elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen-med polyetylentereftalat; Fig. 6 en gruppe av temperaturprofiler for en fjerde utfør-elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge-oppfinnelsen med polyetylentereftalat; Fig. 7 en gruppe av temperaturprofiler for en;femte utfør-elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen med polyetylentereftalat; Fig. 8 en gruppe'av temperaturprofiler for en sjette utfør-elsesmulighet a<y>fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen med polyetylentereftalat og Fig. 9 en gruppe av temperaturprofiler for en syvende utfør-elsesmulighet av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen med polyetylentereftalat. Fig. 1 illustrerer rekkefølgen av arbeidsoperasjoner i en foretrukken utførelsesform av oppfinnelsen for fremstilling av tynnveggede artikler av termoplastisk harpiks, som etter valg kan innstilles amorfe eller mer eller mindre delkrystallinske. I det viste eksemplet er det anordnet en'ekstruder-ingspresse 11 som er egnet til å oppta den granulerte termoplastiske harpiks, f.eks. :polyetylentereftalat og komprimere kontinuerlig og å oppvarme inntil det er smeltet og tilføre det med en temperatur T„ (fig. 3 til 8) til ekstruderings-

apparaturen, f.eks. en bredspaltet dyse 12, over det krystallinske smeltepunktet. Denne bredspaltede dyse 12 gir i

.foreliggende eksempel et båndformet halvfabrikata 10, som fra den bredspaltede dyse 12 innføres i stabiliseringsanordningen 13. I stabiliseringsanordningen 13 gjøres i første rekke halvfabrikataet 10 håndterbart ved avkjøling på minst en overflate for den videre behandling. Fra stabiliseringsanordningen 13 går det båndformede halvfabrikata 10 inn i

en første kondisjoneringsstasjon 14. Denne halvfabrikata-kondisjoneringsstasjonen 14 tjener i'første rekke det formål å innstille forberedende temperaturprofiler i halvfabrikataet 10. Hensikten med' halvfabrikatakondisjoneringsstasjonen 14 er imidlertid også å påvirke halvfabrikataet 10 ytterligere fysikalsk etter ønske og fiksere tilførte ytterligere fysikalske påvirkninger i halvfabrikataet.10.

For dette formål er halvfabrikatakondisjoneringsstasjonen

14 utstyrt med varmeinnretninger og kjøleinnretninger som

har reguleringsinnretninger hvilke etter ønske er reguler-bare og eventuelt programmerbare. Dertil kan halvfabrikata-kondis joneringsstas jonen 14 ha innretninger for fysikalsk påvirkning av halvfabrikataet 10. Derunder hører strekkan-ordninger, bestrålingsanordninger, eventuelt valse- og kom-presjonsanordninger. De siste anordninger kan dog også allerede inntas i stabiliseringsanordningen 13.

I det viste eksemplet er halvfabrikatakondisjoneringsstasjonen 14 utformet i to trinn, nemlig med et første trinn 14a som er utformet for behandling, d.v.s. for termokondisjonering av .det kontinuerlig gjennomførte halvfabrikata 10, og med et andre trinn 1.4b, som er utformet for behandling og termokondisjonering av- det skrittvis gjennomførte halvfabrikata 10. Mellom de to trinnene 14a og 14b i halvfabrikata-kondis joneringsstas jonen 14 - medtatt i halvfabrikata-kondisjoneringsstasjonen 14 - er plassert en anordning 15 for å styre og omsette bevegelsen av halvfabrikataet 10 fra kontinuerlig fremdrift til skrittvis fremdrift. Med denne anordningen 15 avstemmes fremskrittsbevegelsen til halvfabrikataet 10 på arbeidstakten til ferdigdel-kondisjoneringsstasjoh- en 17 med termisk formingsanordning 16 som opptar halvfabrikataet 10 skrittvis'.

'Denne f erdigdel-kondis joneringsstas jonen . 1.7 henholdsvis

andre termiske kondisjoneringsstasjon 17 inneholder i sin første del termoformingsanordningen 16, som i det viste eksempel er utstyrt med dyptrekningsappratur, hvis formflate etter valg kan oppvarmes eller kjøles og også være utformet for endring av temperaturen under hver arbeidsoperasjon.

Som vist i fig. 1 følger.etter den termiske formingsanord-

ning 16 også et avsnitt, av f erdigdel-kondis joneringsstas jon-

en 17, hvilket i det viste eksempel trinnvis gjennomløpes av

det båndformige halvfabrikata med utformede legemer 18 som. kommer fra den termiske formingsanordning 16. I dette andre avsnittet av ferdigdel-kondisjoneringsstasjonen 17 er det plassert varme- og kjøleinnretninger. Dertil kan også innretninger. f or fysikalsk behandling av de formede.gjenstander 18, f.eks. for bestråling eller lydpåvirkning eller lignende, være anordnet der.

Fra den andre termiske kondisjoneringsstasjonen 17 kommer

det båndformede halvfabrikata med utformede formede legemer

18 i en stanseanordning 19, hvormed de formede legemer 18 skjæres av og halvfabrikatarestene 20 føres vekk for materi-algjenvinning eventuelt direkte tilbakeføring av det knuste materialet til ekstruderingspressen .11.

Det ovenfor som eksempel på halvfabrikata 10 nevnte harpiks-bånd kan ved bearbeiding av polyetylentereftalat ha. en tykk-else på ca. 2 mm.

I stedet for båndformet halvfabrikata kommer også ethvert

annet tenkelig og kontinuerlig fremstillbart halvfabrikata

i betraktning, f.eks. rør, profilstrenger, o.l.

Halvfabrikataet kan også være sjiktmateriale av forskjellige

harpikser hvorav imidlertid en vesentlig del bør være slike • harpikser som gjennom fysikalske påvirkninger, spesielt ved

■temperaturføring, etter valg kan innstilles amorf eller del-

krystallinsk i ønsket utstrekning.

.En trykkbehandling. av harpiksen kan foretas på halvfabrikataet, f.eks. ved valsing eller kalandrering i stabiliserings-stasjonen 13 eller også i første del 14a av halvfabrikata-kondisjoneringsstasjonen 14. Det er imidlertid også tenkelig å utføre en trykkbehandling av harpiksen ved' trinnvis 'flatpressing ved trinnvis føring gjennom den andre delen 14b av halvfabrikata-kondisjoneringsstasjonen 14. Oppfinnelsen muliggjør videre.trykkbehandling på■det formede legemet, henholdsvis ferdigdel, d.v.s. innenfor den andre termiske kondis joneringsstas jon 17. Fortrinnsvis vil man' utføre denne trykkbehandlingen på den ferdige del ved å pålegge et forut-bestemt formtrykk i den termiske formingsanordning 16.

I stedet for trykkbehandlingen, enten på halvfabrikataet

eller på den ferdige del, eller i tillegg til dette, kan ' .'også en ultralydbehandling foretas. Trykkbehandlingen hen-■ holdsvis ultralydbehandling fører i tillegg til påvirkningen av den krystallinske tilstand også til vesentlig øket stiv-het og dermed forbedret kald-formstabilitet av de fremstilte formede legemer.

Kurven i fig. 2 viser avhengigheten av krystallveksthastig-heten V i polyetylentereftalat avhengig av temperaturen T

som er oppført i °C. Som fig. 2 viser har polyetylentereftalat mellom 100°C og det krystallinske smeltepunkt (250 - 260°C) et krystallveksttemperaturområde innefor hvilket optimal krystallvekst inntreffer ved ca. 170°C til 175°C. Over det krystallinske smeltepunkt går.polyetylentereftalatet over i plastifiser tilstand. Under 60°C foreligger poly-etylenteref talat i fast tilstand uten at ennå krystallvekst foregår i nevneverdig grad i materialet. Dette betyr at den foreliggende krystallinske tilstand i materialet lar seg inn-fryse ved avkjøling av polyetylentereftalatet under 60°C.

For å forenkle forklaringene skal innenfor rammen av denne ansøkning også den amorfe tilstand anses som krystallinitetstilstand, nemlig en tilstand med "krystallinitet null". Med fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen skal økonomisk gun-stige .fremstillingsmuligheter for formede legemer av kunst-stoff med de ovenfor.beskrevne egenskaper tilveiebringes, i idet■fremgangsmåten skal gi valgmulighet for den endelige krystallinske tilstand i harpiksen i veggen til det formede legemet. Prinsipielt oppnås dette med oppfinnelsen ved at man under utnyttelse av den operasjonsmåte som er forklart i forbindelse med figur 2 fremstiller et .halvfabrikata ved kontinuerlig ekstrudering ved en temperatur T (sammenlign fig. 3 til 8) av de her omtalte harpikser, hvilke ligger over det krystallinske smeltepunktet i et temperaturområde hvori materialet foreligger plastifisert. Fra denne plastifiserte tilstanden må materialet avhengig av de aktuelle ønsker og krav til den formede gjenstand avkjøles slik gjen-.

nom det krystallveksttemperaturområdet som er gjengitt i

■fig. 2 og kondisjoneres termisk slik at det når det kommer

til det temperaturområdet hvori det foreligger som fast stoff (ved polyetylentereftalat under 60°C) har en ønsket krystallinitetstilstand sammen méd ønskede fysikalske egenskaper.

Noen eksempler med muligheter som kan oppnås ved termokondisjoneringen ifølge oppfinnelsen fremgår av den følgende for-klaring på figurene 3 til 8.

I eksemplet på fig. 3 avkjøles halvfabrikataet 10 ved fremstillingen av formede legemer av polyetylentereftalat ved stabilisering sterkt og ved termokondisjonering til en temperaturprofil gjennom halvfabrikatatykkelsen. som ligger i området 55 til 100°C, hvori praktisk talt ingen krystallvekst henholdsvis ingen krystalldannelse inntreffer. De ytre områdene henholdsvis overflateområdene til halvfabrikataet kan derunder avkjøles til under dette temperaturområdet, mens' harpiksen inne i halvfabrikataet kan være opptil 100°C varmt,

men ikke bør overskride denne temperatur■nevneverdig. Ved stabilisering kan - som antydet i øvre del av fig. 3 - ut fra en ved ekstruderingen herskende temperaturprofil som ligger ved ekstruderingstemperaturen T£den amorfe tilstand-

en i harpiksen i det vesentlige opprettholdes henholdsvis

innfryses gjennom rask avkjøling til den temperatur'som er vist til venstre i den øvre del av fig. 3. Ved etterfølg-ende termokondisjonering (midtre del av fig. 3) og den andrettermokondisjonering som innbefatter den termiske forming

(fig. 3 nedre del) kan slike temperaturforhold opprettholdes

på og inne i halvfabrikataet 10 og den formede gjenstand 18

at da heller ikke vesentlig krystallvekst henholdsvis vesent-

lig krystalldannelse inntreffer. Det således fremstilte formede legemet er - når det består av pigmentfri harpiks - klar■gjennomsiktig, hvilket betyr at harpiksen i veggen til ■

det formede legemet praktisk talt er i amorf tilstand. Temp-,

- yrres- j-^ i f^Hæ-Rrefyn d^ggrTP^-yt-^ r^ f^- T^^^^ i^^ tj^^^ m Æ^j^CT^ j=^>. Ad—r a. -

Vil mah"ved""denne f remgarrg^iTrårteir tillate eller- danne én viss grad av delvis krystallinsk tilstand i harpiksen i veggen til det formede .legemet, kan dette skje ved stabili-

sering og 'første termokondisjonering ved at man foretar av-kjølingen av halvfabrikataet 10 langsommere og derved aller-.ede.lar delvis krystallinsk tilstand inntreffe i en ønsket grad., Denne.delvis krystallinske tilstand kan man bibeholde .

ved den termiske forming og andre termokondisjonering ved tilsvarende temperaturføring (sammenlign nedre del av fig. 3) i harpiksen til de formede legemer henholdsvis ferdige del.er i det vesentlige.

Fig. 4 illustrerer en mulighet for operasjon av fremgangs-

måten ifølge oppfinnelsen, ved hvilken man riktignok avkjøl-

er halvfabrikataet 10 raskt for å gjøre det fast og håndter-

lig på de ytre områder henholdsvis overflateområder. Harpiksen inne i halvfabrikataet forblir imidlertid på en temperatur som ligger betydelig over 10TP"c"^ Denne overgangen _fra temperaturprofilen som ligger ved ekstruderingstempera—

■ turen 1" le til den temperaturprof il som innstilles ved stabiliseringen fremgår av øvre del i fig. 4. Ved termokondisjoneringen som følger etter stabiliseringen av halvfabrikataet kan man så innstille en temperaturprofil, ved hvilken halvfabrikataets utvendige områder ligger på temperaturer ved opptil knapt over 50°C og halvfabrikataets kjerne på tempera-

turer over 100 C. Ved denne temperaturføringen under stabiliseringen og den første termokondisjonering inntreffer en

merkbar'krystalldannelse i polyetylentereftalatet inne i Ihalvfabrikataet 10 og merkbar krystallvekst, hvilket kommer

.til syne ved uklarhet i materialet. Da tidsrommet mellom halvf abrikatakondis joneringen (midtre del' av fig. 4) og den termiske forming med ferdigdel-kondisjonering (nedre del av

fig. 4) er fastlagt i fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen,

kan man forut bestemme hvor stor krystallisasjonsgraden i halvfabrikataet er ved begynnelsen av ferdigdelkondisjoneringen gjennom den temperaturprofil som er vist i midtre del av fig. 4 og den utstrekning hvori temperaturen inne i halvfabrikataet 10 ligger over 100°C.

Den' termiske forming skjer i dette eksemplet ved trekning av materialet til en varm formoverflate. hvis temperatur bør ligge ved 120 til 180°C. I det viste eksempel antas en temperatur på formoverflaten på 180°C. Ved den ferdigdel-kondisjonering som begynner under den termiske forming og even-

tuelt finner sted utover den termiske forming inntreffer dermed en vidtgående utkrystallisering av polyetylentereftalatet. Den formede gjenstand får en opak vegg, når man går

ut fra pigmentfritt materiale. Det formede legemets tempera-turf ormstabilitet ligger over 200°C.

Et lignende prosessforløp kunne oppnås ifølge fig. 5 hvis

man ved stabilisering og henholdsvis eller•halvfabrikatakon-disjoneringen Under trykk innstiller, en temperaturprofil.som vist i de ..øvre og midtre deler av figurene 3 og 5.- Vil man i dette tilfellet oppnå en utstrakt utkrystallisering i harpiksen ved f erdigdel-kondis joneringen,. ville man ut fra den nesten amorfe tilstanden av polyetylentereftalatet enten trenge lengre tid for utkrystallisering, eller man ville ikke få så høy krystallinitetsgrad som med utgangsbeting-

elsene ifølge fig. 4. Som antydet i den nedre temperaturprof ilen på fig. 5, kan man i slike tilfeller også eventuelt

arbeide med noe høyere temperatur på formoverflaten, f.eks. opptil 200°C. Man kan imidlertid også fremfor alt tidsmess-

ig forlenge ferdigdel-kondisjoneringen tilsvarende etter den

.termiske forming som antydet i fig. 1 med den andre termokondis joneringsstas jonen 17. De formede .legemer som fremstilles på denne måten•har (når man går ut fra pigmentfritt materi-

ale) gjennomsiktig vegg. Temperaturformstabiliteten til de såo ledes fremstilte formede legemer,ligger ved ca■ ..150 oC til 200°C.

Figur 6 gjengir en mulighet for operasjon av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen som adskiller seg fra den ifølge figur 3-henholdsvis den ifølge figur 5 ved at under halvfabrikata-kondis j oneringen (sammenlign midtre del av figur 6), d.v.s

.mellom stabiliseringen og den termiske forming foretas en strekning av halvfabrikataet 10. Ved denne strekningen inntreffer, som den midtre temperaturprofilen i figur 6 antyder - også en ytterligere kjøling av halvf abrikataet 10.'r.Det strukkede, fortrinnsvis biaksealt strukkede halvfabrikata 10 dyptrekkes så ved termiske forming på den varme formoverflaten som kan ha en temperatur fra'f..eks. 150 til 200°C.

I eksemplet på figuren 6 går man ut fra en temperatur på ca.

200°C på formoverflaten til det termiske formingsverktøy.

De formede gjenstander som fremstilles i fremgangsmåteopera-sjonen ifølge figur 6 har igjen gjennomsiktig vegg (når man anvender pigmentfritt materiale), men også en vesentlig bed-

re temperaturformstabilitet, nemlig opptil temperaturer fra 200°C til 250°C. Dessuten utmerkér de således fremstilte formede legemer seg ved øket stabilitet og elastisitet.

I eksemplet ifølge figur 7.innstilles i halvfabrikataet 10

ved stabilisering og deretter ved :termokondisjonering en temperaturprofil ved hvilken relativt tykke overflateområder 10a avkjøles til en temperatur under 100°C og holdes i prak-

tisk talt amorf tilstand av polyetylentereftalatet. Inne i halvfabrikataet 10 innstilles en temperatur på maksimalt 150°C. Ut fra denne temperaturprofil som er vist i midtre del av figur. 7 skjer den termiske forming'og ferdigdel-kondisjonering på' formoverflater som er oppvarmet til ca. 150

til 180°C. I det viste eksempel er temperaturen til begge 'formoverflåtene som den formede gjenstands vegg 18 dannes

'•mellom 180°C. Harpiksen i veggen 18 til den formede gjen-

stand utkrystalliseres i stor grad mellom de to formoverflat-

er som holdes på 180°C. Det.derved fremstilte formede legemet har en temperaturformstabilitet på ca. 200°C.

I eksemplet på figur 8 foretas en rask avkjøling av begge overflatene til halvfabrikataet 10 ved stabiliseringen. Ved halvfabrikatakondisjoneringen innstilles en temperatur mel-

lom ca. 50 og 100°C.på overflåtene til-halvfabrikataet 10,

:mens polyetylentereftalatet i kjernen henholdsvis inne i halvfabrikataet fremdeles i stor grad beholder ekstruderings-temperåturen, altså ligger på en temperatur ved ca. 270°C. Halvfabrikataet med denne temperaturprofil (vist i midtre

del av figur 8) formes termisk mellom to varme formoverflater. Formoverflåtene kan derunder ha en temperatur fra 150

til 160°C Mellom formoverflåtene inntreffer, som nedre del 1 av figur 8 viser - en vesentlig utjevning i temperaturprofil-

en. Derved utkrystalliseres polyetylentereftalatet ved ca. 160°C i■overflateområdene til veggen 18 av det formede leg-,emet og i det innvendige området av veggen 18 til det forme-

de legemet ved ca. 190°C i stor grad, altså i de ytre områd-

er noe under og i det indre området noe over den optimale krystallisasjonstemperatur på ca. 170°C. De formede legemer som fremstilles på denne måten har opake vegger (når man anvender pigmentfritt materiale). Temperaturformstabiliteten ligger ved ca. 200°C.

Figur 9 angir en modifisert operasjonsmåte hvori begge over-flater, til halvfabrikataet gjøres håndterlig ved stabiliser-

ing gjennom rask avkjøling. Ved halvfabrikatakondisjoneringen •innstilles en temperaturprofil som - som den midtre delen av figuren viser - ligger mellom ekstruderingstemperaturen (260°C til 290°C) og ca. 170°C. Ved termisk forming og ferdigdelkondisjonering innstilles en temperaturprofil mellom 120°C og 170°C på veggen til det formede legemet.

De formede legemer som er. fremstilt på denne modifiserte

måten har likeledes opake vegger (når man anvender pigment-

fritt materiale) og en temperaturformstabilitet ved ca. 200

i til 220°C.

I tillegg til det ovennevnte kan foruten deri nevnte strekningen også andre mekaniske og fysikalske behandlinger utfør-ies ved halvfabrikatakondisjonering og hensiktsmessig også:ved ferdigdelkondisjoneringen, f.eks. kompresjons- og tykk-elsesreduksjon ved valsing eller formtrykk, bestråling med-stråler av forskjellig type, ultralydbehandling og- lignende. De ovenfor beskrevne utførelsesmåter av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen lar seg utføre ved halvfabrikata av forskjellig type som f.eks. slanger, profillister, o.l.

Claims (30)

1. Fremgangsmåte ved fremstilling av formede legemer av termoplastisk harpiks, som lar seg innstille etter valg i sin delvis krystallinske tilstand ved hjelp av fysikalske påvirkninger, spesielt"temperaturpåvirkninger, ved: Dannelse av et halvfabrikata, spesielt kontinuerlig ekstru-■ . déring av et bånd eller slange av den plastifiserte hår-' piks, - stabilisering av halvfabrikataet ved avkjøling.i det mins.te på en overflate, - termokondisjonering av det stabiliserte halvfabrikataet til termisk formbarhet og - termisk forming for dannelse av formstabile endelige form ede legemer fra halvfabrikataet, karakterisert ved at - at man for å fremstille formede legemer av sådan harpiks hvis krystallinske tilstand etter valg kan innstilles mellom amorf og delkrystallinsk, foretar innstillingen av den ønskede krystallinske tilstand i det formede legemets vegg ved en første termokondisjonering som må utføres på halvfabrikataet og.en andre' termokondisjonering som må utføres på det formede legemet; - man avpasser og modifiserer de fysikålske påvirkninger som må utøves på halvfabrikataet på forut bestemt måte ved den første termokondisjoneringen som må utføres mellom stabilisering og termisk forming for å oppnå en ønsket forberedt krystallinsk tilstand samt termisk formbarhet av harpiksen -til halvfabrikataet og derved gjennom halvfabrikataets tverrsnitt innstiller en formberedende temperaturprofil som er avstemt på den påfølgende termiske formingsopera-'sjon og den ønskede endelige krystallinske tilstand i har piksen i veggen til det formede legemet; og - utfører, den andre termokondisjoneringen under.den termiske formingsoperasjon og om ønsket .også deretter med tempera-turføring for å oppnå eventuelt opprettholde den' ønskede endelige krystallinske tilstanden i harpiksen i det formede legemets•gjenstand.i forbindelse med frembringelse av formstabilitet.

2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at - halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering avkjøles gjennom hele tverrsnittet under innstilling av den ønskede endelige krystallinske tilstand til en temperatur, ved hvilken ingen betydelig forandring av den: krystallinske tilstand lenger finner sted i harpiksen, og også ved innstilling av temperaturprofilen etter kravene til termisk forming overholdes i alle.halvfabrikata-områdene slike temperaturer ved hvilke ingen vesentlig for- ' andring av den krystallinske tilstand inntreffer, og - det ved termisk forming skjer en dyptrekning og andre termokondis j onering for å fiksere den' krystallinske tilstanden i harpiksen til, den derved formede og faste veggen, i legemet.

3. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved at halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering under vidtgående bibehold av den amorfe tilstanden i harpiksen raskt avkjøles til en temperatur ved hvilken ingen vesentlig endring av den krystallinske tilstand finner sted.

4. Fremgangsmåte ifølge krav 2 eller 3, karakterisert ved at de formede legemer fremstilles av polyetylentereftalat og temperaturen i materialbåndet ved stabilisering og første termokondisjonering innstilles i et område ved 50° til 100°C.

5. Fremgangsmåte ifølge krav 1, kar akter i-sertvedat - halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering avkjøles raskt gjennom hele tverrsnittet og innstilles på en temperaturprofil som tillater den termiske forming men overholder temperaturer i alle halvfabrikataområder, ved hvilke ingen vesentlig endring av den krystallinske tilstand i den foreliggende harpiks inntreffer; - den termiske forming skjer på minst en formoverflate, hvilken er oppvarmet til en temperatur ved hvilken kry- .stallvekst inntreffer i den foreliggende harpiks og - den andre termokondisjonering som finner sted eller begynn er i berøringen til veggen, av den formede gjenstanden med den oppvarmede formoverflate avstemmes i temperatur og varighet på innstillingen av en ønsket delvis krystall— insk tilstand i harpiksen.

6. Fremgangsmåte ifølge krav 5, karakterisert ved at formoverflaten holdes på en temperatur i områdene under til over' temperaturen for optimal krystallvekst i foreliggende harpiks.

7. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 1 til 6, karakterisert ved at halvfabrikataet under den første termokondisjonering og henholdsvis eller mellom den" fø rste termokondisjonering og den termiske forming under i det vesentlige bibehold av den krystallinske tilstand for harpiksen underkastes en strekning, fortrinnsvis biakseal strekning som ytterligere fysikalsk påvirkning.

8. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 5 til 7, karakterisert ved at ved fremstilling av formede legemer av polyetylentereftalat - innstilles ved.stabilisering og første termokondisjoner ing av halvfabrikataet en temperatur fra 50 til 100°C og på formoverflaten opprettholdes en temperatur fra 120 til 180°C.

9. Fremgangsmåte ifølge krav 1, k a r a k t e r i - sertvedat halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjon ering innstilles på sine overflateområder på temperaturer som er egnet til at halvfabrikataet blir fast for håndtering og innvendig på temperaturer for optimal krystallvekst i den foreliggende harpiks og' - den termiske forming skjer på minst en formoverflate hvilken er oppvarmet til en temperatur ved hvilken krystallvekst inntreffer i den foreliggende harpiks.

10. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at formoverflåtene er oppvarmet til en temperatur for optimal krystallvekst i den foreliggende harpiks .

11. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 9 eller 10, karakterisert ved at ved fremstilling av. formede legemer av' polyetylentereftalat innstilles ved stabilisering og første termokondisjonering av materialbåndene ovérflateområdetemperaturen på ca. 50 til 100°C og den innvendige temperatur på ca. 14 0 til 160°C og formoverflaten oppvarmes ved termisk forming og andre termokondisjonering til ca. 120 til 180°C.

12. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakteri-sertvedat - halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering på overflateområdene til tverrsnittet innstilles på temperaturer som gir nødvendig fasthet for håndtering av halvfabrikataet og innvendig i det vesentlige'får beholde den plastifiseringstemperatur som benyttes ved ekstruderingen av materialbåndet; -■den termiske forming skjer på minst en formoverflate, hvilken er oppvarmet på en temperatur hvorved krystallvekst inntreffer i den foreliggende harpiks og - veggen til det formede legemet for den andre termokondisjonering holdes gjennom et tidsrom som er avstemt på den ønskede endelige krystallinske tilstand i veggen til den formede gjenstand på en temperatur, ved hvilken krystallvekst foregår i harpiksen i veggen til det formede legemet.

13. Fremgangsmåte ifølge krav 12, •' karakterisert ved at harpiksen i overflateområdene til halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering vidtgående holdes i amorf tilstand.

14. Fremgangsmåte ifølge krav 12, karakterisert ved at harpiksen i overflateområdene til halvfabrikataet ved stabilisering og første termokondisjonering overføres i forut bestemt svak delkrystallinsk tilstand.

15. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 12 til 14, . karakterisert ved at ved fremstilling av formede legemer av polyetylentereftalat - innstilles overflateområdetemperaturen på ca. 80°til 100°C ved stabilisering og første termokondisjonering av materialbåndene og temperaturen inne i båndet får bli på ca. 250° til 300°C og -'formoverflaten ved termisk forming og andre termokondisjon- o o ering hold.es pa ca. 140 til 160 C.

16. Fremgangsmåte- ifølge et av. kravene 5, til 15, karakterisert ved at veggen til det form ede legemet ved andre termokondisjonering holdes på i det vesentlige konstant temperatur.

17. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 5 til 15, karakterisert ved at veggen til det formede legemet tempereres ved andre termokondisjonering til tidsbestemt synkende temperatur.

18. Fremgangsmåte ifølge krav 17, karakterisert ved at temperaturføringen ved andre termokondis jonering i,, det vesentlige finner sted avkjølende ut fra temperaturen for optimal krystallvekst i den foreliggende harpiks.

19. Fremgangsmåte ifølge et av kravene .1 til 18, karakterisert ved at den termiske forming skjer under utøvelse av formtrekk på kunsstof-fet i veggen til det formede.legemet.

20. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 1 til 19, karakterisert ved at halvfabrikataet mellom ekstruderingen og den termiske forming underkastes en kalandrerings- og henholdsvis eller valseoperasjon under tykkelsesreduksjonen for ytterligere å fysikalsk påvirke den krystallinske tilstand..

21. Fremgangsmåte ifølge"krav 20, karakterisert ved at kalandrerings- henholdsvis valseopera-sjonen inntas i stabiliseringen av halvf abrikataet .■

22. Fremgangsmåte ifølge et av kravene 1 til 21, karakterisert ved at glykolmodifisert poly-etylenteref talat anvendes som termoplastisk fremstillingsmateriale.

23. Fremgangsmåte ifølge et av kravene.1 til. 21, karakterisert ved at polybutylentereftalat anvendes som termoplastisk fremstillingsmateriale.

24. Anordning for utførelse av fremgangsmåten ifølge et av kravene 1 til 23 med en ekstruderingsanordning for kontinuerlig, fremstilling av halvfabrikataet, en stabiliserings-anordning for halvfabrikataet og en termisk formingsanordning samt eventuelt en anordning for adskillelse av de formede legemer fra de omgivende deler av halvfabrikataet, karakterisert ved at det mellom stabiliseringsanordningen (13) og den termiske formingsanordning (16) er anordnet en første termokondisjoneringsstasjon (14); - den termiske formingsanordning (16) ligger i en andre termokondisjoneringsstasjon (17); - stabiliseringsanordningen (13) og den termiske formings-' anordning (16) er utstyrt med reguleringsinretning for forut bestemt, eventuelt programerbar regulering av de i stabiliseringsanordningen (13) og den termiske formingsanordning (16) forekommende fysikalske, spesielt termiske påvirkninger på harpiksen til halvfabrikataet (10); og - de termiske kondisjoneringsstasjoner (14, 17) er tilordnet inretninger for fysikalsk, spesielt termisk innvirkning på harpiksen til halvfabrikataet (10) henholdsvis formede legemer (18) og styreanordning for forut bestemt, eventuell programmerbar regulering av innvirkningsinnretninger.

25. Anordning ifølge krav 24, karakterisert ved at den første termokondisjoneringsstasjon (14)' har tilordnet en strekkanordning for halvfabrikataet (10) med reguleringsmulighet for strekktemperaturen, strekningsgrad og eventuelt strekningshastighet.

26. Anordning ifølge krav 25, karakterisert ved at strekkanordningen er utformet for biakseal strekning av'båndformig eller slangeformet halvfabrikata (10).

27. Anordning ifølge et av kravene 24 til 26, k a r a k - ter i sert ved at stabiliseringsanordningen (13) har tilordnet anordninger for kalandrering og eventuelt eller valsing av et båndformet halvfabrikata under tykkelses-: reduksjonen.

28. Anordning ifølge et av kravene 24 til 27, karakterisert ved at de i stabiliseringsanordningen (13) anordnede kjøleinnretninger er utstyrt med innretninger for frembringelse av en tidsbestemt virksom regulerbar temp-eraturf øring på harpiksen i halvfabrikataet (10).

29.. Anordning ifølge et av kravene 24 til 28, karakterisert ved at den andre termokondisjonerings- .stasjonen (17) i inngangsområdet inneholder termoformingsanordningen (16) og strekker seg ut gjennom utgangen til den termiske formingsanordning (16).

30. Anordning ifølge krav 29, karakterisert ved at en andre termokondisjoneringsstasjon (17) inneholder en varmebehandlingsanordning for de formede legemer som følger etter utgangen til den termiske formingsanordning (16) .