NO180151B - Fremgangsmåte ved fremstilling av ultratynne uorganiske membraner samt membraner fremstilt ved fremgangsmåten - Google Patents
Fremgangsmåte ved fremstilling av ultratynne uorganiske membraner samt membraner fremstilt ved fremgangsmåten Download PDFInfo
- Publication number
- NO180151B NO180151B NO925026A NO925026A NO180151B NO 180151 B NO180151 B NO 180151B NO 925026 A NO925026 A NO 925026A NO 925026 A NO925026 A NO 925026A NO 180151 B NO180151 B NO 180151B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- oxide
- porous substrate
- porous
- metal
- surface layer
- Prior art date
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 51
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 48
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 NgO Substances 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910007932 ZrCl4 Inorganic materials 0.000 description 3
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009523 YCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical group C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical class O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- AHKZTVQIVOEVFO-UHFFFAOYSA-N oxide(2-) Chemical compound [O-2] AHKZTVQIVOEVFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/12—Composite membranes; Ultra-thin membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0072—Inorganic membrane manufacture by deposition from the gaseous phase, e.g. sputtering, CVD, PVD
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/024—Oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/50—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their shape or configuration
- B01J35/58—Fabrics or filaments
- B01J35/59—Membranes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/02—Preparation of oxygen
- C01B13/0229—Purification or separation processes
- C01B13/0248—Physical processing only
- C01B13/0251—Physical processing only by making use of membranes
- C01B13/0255—Physical processing only by making use of membranes characterised by the type of membrane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
- C04B41/455—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/10—Fuel cells with solid electrolytes
- H01M8/12—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte
- H01M8/124—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte
- H01M8/1246—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte the electrolyte consisting of oxides
- H01M8/1253—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte the electrolyte consisting of oxides the electrolyte containing zirconium oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2323/00—Details relating to membrane preparation
- B01D2323/10—Specific pressure applied
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2210/00—Purification or separation of specific gases
- C01B2210/0043—Impurity removed
- C01B2210/0046—Nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00793—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as filters or diaphragms
- C04B2111/00801—Membranes; Diaphragms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av ultratynne uorganiske membraner som er anvendelige innen mange områder som for eksempel i prosesser for å separere oksygen fra oksygenholdige gassblandinger og i prosesser for å oksydere hydrokarboner til deres tilsvarende oksyderte produkter. Et passende uorganisk membran innbefatter et yttrium-oksydstabilisert zirkoniumoksydsjikt med en tykkelse på ca. < 0.5 pm som er avsatt på et porøst lantan-dopet aluminaoverflatesjikt på et porøst aluminasubstrat.
Behovet for oksygen i stadig større mengder er påkrevet ved industrielle forbrennings- og oksydasjonsprosesser. Industrielle prosesser for å separere luft til oksygen og tilhørende bestanddeler er typisk basert på kryogendestilla-sjon, adsorptiv separasjon, kjemisk absorpsjon og diffe-rensiell permeering gjennom membranmedier. Mange analysa-tikere mener at de høye utstyrs- og driftskostnadene til disse prosessene har redusert bruken av oksydenbaserte teknologier innen visse områder. Det skjer derfor et betydelig arbeid for å finne mer økonomiske metoder for å fremstille oksygen. En av de mest lovende nye teknologiene innbefatter uorganiske membraner som er fremstilt av flerkomponent metalliske oksyder som for eksempel titanoksyd-dopet yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyd (YSZ) og presodymoksydmodifisert zirkoniumoksyd.
Prosesser for å separere luft som anvender uorganiske membraner fremstilt av flerkomponent metalliske oksyder opereres typisk ved høye temperaturer (for eksempel 800 °C eller mer) hvor membranene leder både oksygenioner og elektroner. Når det er tilstede en differanse i oksygenpar-tialtrykket på hver side av det uorganiske membranet og driftsbetingelsene er tilstrekkelig kontrollert, blir det fremstilt en oksygen når oksygenionene migrerer til lav-trykkssiden av membranet, mens det skjer en elektronflux i motsatt retning for å opprettholde ladningen.
Uorganiske membraner fremstilt ved deponering av tynne filmer av stabilisert zirkoniumoksyd på porøse substrater har vært fremstilt ved flere metoder innbefattende kjemisk dampdeponering (CVD) og elektrokjemisk dampdeponering (EVD). CVD prosessene anvender et mangfold gassformige forløpere som reagerer ved en aktivert prosess og danner et eller flere faste produkter som avsettes på substratoverflaten. Typiske CVD prosesser innbefatter (a) transportere gassfasereaktanter til substratet og (2) omsette forløperne for å danne en krystallvekst av faststoff på substratet.
EVD er en spesialisert kjemisk dampdeponeringsteknikk som anvender ionekonduktivitet og også elektronkonduktivitet til det blandede ledende oksydet for å avsette det ønskede oksydsjiktet på substratoverflaten. Prosessen innebærer å føre en blanding av metallhalogenider i kontakt med den ene siden av et porøst substrat og en oksygenkilde på den andre, hvorved reaktantene diffunderer inn i porene i det porøse substratet og reagerer og danner et flerkomponent metalloksyd som avsettes på poreveggene. Fort<i>satt deponering medfører poreforsnevring inntil eventuelt hele poren blir tettet igjen med f lerkomponent metalloksydet.,
Fortsatt vekst av avsetningen kan deretter skje på grunn av ledning av oksygen fra oksygenkilden gjennom den avsatte pluggen av flerkomponentoksyd.
Pal og medarbeidere ved Westinghouse R & D center, Pitts-burgh, PA (High Temperature Science 27 (1990) 251) har beskrevet en EVD prosess hvor et flerkomponent metalloksyd avsettes i porene på et porøst substrat vie<d> å føre forskjellige metallhalogenider tilsvarende metallene i flerkomponentoksydet i kontakt med en blanding av hydrogen og vann på motsatt side av substratet. Reaktantene diffunderer inn i substratporene og reagerer og danner flerkomponent metalloksydet som avsettes på poreveggene. Etter lukking av porene kan filmveksten fortsette på overflaten av det porøse substratet ved EVD.
A.J. Burggraaf og medarbeidere (J. European CER. Soc., 8
(1991) 59) har beskrevet en fremgangsmåte for å avsette yttrium-oksyd stabilisert zirkoniumoksydfilmer på porøse substrater med relativt store porer med et diameterområde fra 0.1 pm til 0.4 pm. En første CVD deponering er antatt å medføre poreforsnevring, selv om dette ikke er bekreftet med målinger av gasspermeering som en funksjon av trykkfall. I et etterfølgende EVD trinn ble en film av yttriumoksyd stabilisert zirkoniumoksyd med en tykkelse på 1.5 til 8 pm avsatt på overflaten til substratet ved å omsette YCI3 og ZrCl4 med oksygen som elektrokjemisk ledes av det avsatte sjiktet ved temperaturer over 1000°C. Røntgendiffraksjons-forsøk indikerte at materialet hadde en kubisk struktur, orientert i [100] retning med en mindre monoklinal eller tetragonal fase.
Selv om de ovennevnte fremgangsmåtene er i stand til å frembringe tynne gasstette stabiliserte zirkoniumoksydfilmer på porøse substrater, er det et behov for en forbedret fremgangsmåte for å deponere et ultratynt tett sjikt på mindre enn ca. 0.5 pm av et f lerkomponent metalloksyd på en porøs bærer for å oppnå forbedret oksygenflux i membranet. Det er ønskelig at behandlingstemperaturene blir redusert, sammenlignet med kjente prosesser for å forbedre dannelsen av belegg med lav påkjenning, redusere de kjemiske reaksjonene mellom det tette flerkomponente oksydsjiktet og det porøse substratet og minimalisere endringer av substratets mikrostruktur som typisk er forårsaket av oppvarming av materiale til unødig høye temperaturer.
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av ultratynne uorganiske membraner som kan brukes innen mange områder, innbefattende prosesser for å separere oksygen fra oksygenholdige gassblandinger, katalyt-iske membranreaktorer for partiell oksydasjon av hydrokarboner til deres tilhørende oksyderte produkter og i fast oksyd brenselceller og oksygensensorer.
De uorganiske membranene i henhold til foreliggende oppfinnelse innbefatter et sjikt av et flerkomponentoksyd med en tykkelse på ca. < 0.5 um som er avsatt på et, porøst substrat. Flerkomponent oksydsjiktet er frembragt ved å omsette en blanding av metallhalogenider med et oksydasjonsmiddel i mikroporene til overflatesjiktet av det porøse substratet med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50j nm. Ytterligere vekst kan deretter fortsette ved hjelp av EVD.
Flerkomponentoksyder som avsettes i mikroporene til det porøse substratets overflatesjikt og på overflaten til det porøse substratet, frembringes ved å omsette minst to metallhalogenider representert ved fluorider, klorider, bromider og iodider av metaller valgt fra gruppene 2, 3, 4 og
i
15 og F blokklantanider i det periodiske system ifølge IUPAC. Med begrepet "F-blokk lantanider" menes elementene med atomnummer 57 - 71 i det periodiske system.; Et foretrukket flerkomponentoksyd er yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyd som er fremstilt ved å omsette YCI3 og ZrCl4 med et oksydasjonsmiddel bestående av en blanding av oksygen og vann.
De porøse substratene som flerkomponentoksydene avsettes på, er valgt fra porøse substrater som innbefatter et porøst overflatesjikt med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50nm. Passende porøse substrater innbefatter aluminiumoksyd, silika, magnesiumoksyd, titanoksyd, høytemperatur oksygen-kompatible metallegeringer, metalloksydstabilisert zirkoniumoksyd og forbindelser og blandinger derav. Den midlere porediameteren til det porøse substratets overflatesjikt er et viktig trekk ved oppfinnelsen.
Et foretrukket membran innbefatter yttriumoksydstabilisert zirkoniumoksyd som er avsatt i mikroporene, til et lantan-dopet aluminiumoksyd overflatesjikt til et porøst aluminasubstrat med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50 nm og på overflatesjiktet til aluminasubstratet hvor tykkelsen av yttriumoksydstabilisert zirkoniumoksyd er ca. < 0.5 pm. Det yttriumoksydstabiliserte zirkoniumoksydsjiktet blir avsatt ved en temperatur fra ca. 700 til 1100° C, og et trykk i området fra 1 torr til 760 torr i en tidsperiode på 1 minutt til 2 timer.
Fremgangsmåten for fremstilling av de angjeldende uorganiske membranene innbefatter (a) uavhengig oppvarme minst to metallhalogenider som er istand til å danne det ønskede flerkomponentoksydet til en temperatur tilstrekkelig til å fordampe hvert av metallhalogenidene; (b) føre de fordampede metallhalogenidene inn i et første kammer i en reaktor innbefattende to kammere som er forbundet med et avtagbart porøst substrat med et nettverk av porer som er istand til å transportere gasser mellom de to kammerne, hvilket avtagbart porøst substrat ytterligere innbefatter et porøst overflatesjikt med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50nm; (c) føre et oksydasj onsmiddel inn i et andre kammer i reaktore; (d) føre metallhalogenidene og oksyderingsmidlet i kontakt i porene til det porøse overflatesjiktet ved en temperatur, et trykk og et tidsrom som er tilstrekkelig for å deponere plugger av flerkomponentoksydet i porene til overflatesjiktet til substratet og begrense veksten av pluggene til en tykkelse på 0.5 pm, for å danne det uorganiske membranet.
Søkerens fremgangsmåte er istand til å deponere et flerkomponent metalloksyd i mikroporene til overflatesjiktet av et porøst substrat og på overflaten av det porøse substratet, hvor tykkelsen av det deponerte flerkomponentoksydet er ca.
< 0.5 pm. De definerte tykkelsene refererer til den totale dimensjonen til flerkomponentoksydet deponert i mikroporene og flerkomponentoksydet deponert på overflatesjiktet av det porøse substratet.
De uorganiske membranene fremstilt ved foreliggende fremgangsmåte utviser oksygen permeringsflukser;i størrelsesorden 10~<8> mol/cm^ som er uventet høyere enn for membranet fremstilt ved kjente fremgangsmåter. Videre er deponerings-temperaturene redusert sammenlignet med kjente prosesser, noe som promoterer dannelsen av belegg med; lav påkjenning, reduserer kjemiske reaksjoner mellom det tette flerkomponentoksydsjiktet og det porøse substratet :og minimaliserer endringer i substratets mikrostruktur forårsaket av oppvarming av materialet til en uønsket høy temperatur.
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av ultratynne uorganiske membjraner som har en rekke anvendelsesområder, innbefattende prosesser for å separere oksygen fra oksygenholdige gassblandinger, katalyt-tiske membranreaktorer for partiell oksydasjon av hydrokarboner til deres korresponderende oksyderte prlodukter og i fast oksyd brendselceller og oksygensensorer.
Ved søkerens fremgangsmåte er man istand til å deponere et f lerkomponent metalloksyd i mikroporene til' overf lates j iktet av et porøst substrat og på overflaten av det porøse substratet, hvor den totale tykkelsen av det deponerte flerkomponentoksydet er ca. <0.5 pm. Membranene fremstilt ved foreliggende fremgangsmåte utviser oksygenpermerings-flukser i størrelsesorden 10-^ mol/cm^ som er uventet høyere enn membraner innbefattende samme blandinger fremstilt ved kjente fremgangsmåter. '
Flerkomponentoksydene som er deponert i '. mikroporene til overf lates j iktet av det porøse substratet og<1> på overflaten av det porøse substratet er fremstilt ved å omsette minst to metallhalogenider representert ved iodider, fluorider, bromider og klorider av metaller valgt fra.gruppene 2, 3, 4 og 15 og F-blokk lantanidene i det periodiske systemet i henhold til IUPAC med et oksydasjonsmiddel under de spesifi-serte reaksjonsbetingelser. Et mer foretrukket flerkomponentoksyd inneholder zirkoniumoksyd i tillegg til et eller flere ytterligere metaller og metalloksyder.
Ved begrepet "metallhalogenid" menes forbindelse med en halogenid-funksjonalitet og en metallisk komponent som korresponderer til et av metallene som føres inn i flerkomponentoksydet. Et foretrukket flerkomponentoksyd er yttriumoksydstabilisert zirkoniumoksyd som kan fremstilles ved å omsette YCI3 og ZrCl4 med et oksydasjonsmiddel som for eksempel en blanding av oksygen og vann. Fortrinnsvis innbefatter materialet fra 3 mol# til ca. 12 mol% Y2O3 og har en kubisk fase eller en blanding av kubiske og tetragona-le faser. Mengden av Y2O3 som er tilstede i materialet bør kontrolleres for å forhindre termisk indusert monoklinal/- tetragonal fasetransformering av zirkoniumoksyd ved høye temperaturer.
De porøse substratene som flerkomponentoksydene av settes på, er valgt fra porøse substrater som innbefatter et porøst overflatesjikt med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50nm. Passende porøse substrater innbefatter aluminiumoksyd, silika, magnesiumoksyd, titanoksyd, høytemepratur oksygenkom-patible metallegeringer, metalloksydstabilisert zirkoniumoksyd og forbindelser og fysiske blandinger derav. Passende substrater kan derfor fremstilles fra en fysisk blanding av et eller flere av de angitte materialene og også forbindelse fremstilt av et eller flere slike materialer. Den midlere porediameteren til det porøse substratets overflatesjikt er et viktig trekk ved foreliggende oppfinnelse. Fremstillings-metoden bør derfor skreddersys i henhold til velkjente prosedyrer for å kontrollere midlere porediameter.
Et foretrukket membran innbefatter et yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyds j ikt med en tykkelse på ca. <0.5 pm som er avsatt i mikroporene til et metalldopet aluminaoverflatesjikt av et porøst aluminasubstrat og på overflaten av aluminasubstratet. Passende metaller for å dope substratene i henhold til oppfinnelsen innbefatter F-blokk lantanidene i det periodiske system. Doping av overflatesjiktet til det porøse substratet øker temperaturen for fasetransformeringen fra gamma til alfa AI2O3 og stabiliserer porediameterne med
< 1000°C.
Med begrepet "flerkomponent metalloksyd" menes et oksyd av minst to forskjellige metaller eller en blanding av minst to forskjellige metalloksyder fremstilt ved å omsette en blanding av metallhalogenider med et oksydasjonsmiddel under passende reaksjonsbetingelser som utviser elektronkonduktivitet og også oksydion konduktivitet ved høye. temperaturer. Det porøse substratet i henhold til oppfinnelsen innehar et nettverk av porer gjennom hele substratets dybde, slik at oksygenmolekylet kan permeere gjennom substratet. Begrepet porøst substrat henviser derfor ikke til materialer som kun har overflate-eller lukket porøsitet.
Enhver kombinasjon av porøse substrater og; flerkomponent metalloksyd kan anvendes så lenge som deres termiske ekspansjonskoeffisienter er kompatible og det ikke skjer ødeleggende kjemiske reaksjoner mellom det poqøse substratet og flerkomponentoksydet ved det uorganiske membranets driftstemperaturer. De porøse substratene som er beskrevet her, virker som en kompatibel mekanisk bærer for det tette flerkomponentoksydsjiktet.
Fremgangsmåten for fremstilling av de aktuelle uorganiske membranene innbefatter (a) uavhengig oppvarme minst to metallhalogenider som er istand til å danne det ønskede flerkomponent metalloksydet til temperaturer tilstrekkelig til å fordampe hver av metallhalogenidene; (b) føre de fordampede metallhalogenidene inn i et første kammer i en reaktor innbefattende to kammere som er forbundet med en avtagbar porøs substrat med et nettverk av porer som er istand til å transportere gasser mellom de to kamrene, hvilket avtagbart porøst substrat ytterligere innbefatter et porøst overflatesjikt med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50nm; (c) føre et oksydasj onsmiddel inn i et andre kammer i reaktoren; (d) føre metallhalogenidene og oksydasjonsmidlet i kontakt i porene til det porøse overflatesjiktet med en temperatur, et trykk og en tid som er tilstrekkelig til å deponere plugger av flerkomponentoksyd i porene til substratets overflatesjikt og for å begrense veksten av pluggene til en tykkelse på ca. <0.5 pm for å danne det uorganiske membranet.
Det første trinnet i søkerens fremgangsmåte for fremstilling av de uorganiske membranene innbefatter uavhengig oppvarming av minst to metallhalogenider til temperaturer som er tilstrekkelig til å fordampe hver av metallhalogenidene. Metallhalogenidene er forløpere som senere vil omdannes til det tilsvarende flerkomponent metalloksydet når de omsettes i nærvær av et oksydasjonsmiddel eller reaksjonsbetingelser som er tilstrekkelig for å frembringe omdannelsen. For uavhengig å fordampe metallhalogenidene valgt som kilder for de individuelle metalloksydene som utgjør flerkomponentmetallok-sydet som skal dannes, er et mangfold av sublimasjonssjikt uavhengig plassert i et tilsvarende antall kammere under redusert trykk. Antallet sublimasjonssjikt som brukes er basert på antallet metallhalogenider som er nødvendig for å danne det ønskede flerkomponent metalloksydet.
Sublimasjonssjiktene inneholdende metallhalogenidene blir uavhengig oppvarmet til en temperatur som er tilstrekkelig for å oppnå det ønskede damptrykket til metallhalogenidet som skal føres inn i reaktoren. Enhver konvensjonell opp-varmingsanordning kan anvendes som for eksempel motstandsopp-varming og induksjonsoppvarming. Ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse blir en konvensjonell CVD/EVD reaktor anvendt, hvor reaktoren har to kammere for å motta reaktanter. Reaktoren er konstruert slik at det porøse substratet som skal belegges med det ultratynne flerkomponent metalloksydet, adskiller de to kamrene.
Fordampede metallhalogenider er føres inn i et første kammer i reaktoren og et oksydasjonsmiddel føres inn i det andre kammeret i reaktoren. De to reaktorkamrerie er forbundet av et nettverk av porer i det porøse -substratet som er istand til å transportere gasser mellom de to kamrene. Inertgass kan anvendes for å hjelpe til med overføringen av metallhalogenidene inn i det første kammeret av reaktoren. Representative inertgasser innbefatter de som ikke vil reagere med metallhalogenidene som brukes for å danne flerkomponentoksydet eller det porøse substratet under de angitte prosessbetingelsene. Slike inertgasser innbefatter argon, nitrogen og helium.
i
En forutbestemt mengde av hvert metallhalogenid kan overføres til reaktorkammeret ved oppvarming av hvert metallhalogenid under kontrollerte betingelser og basert på damptrykket til hvert respektive metallhalogenid som dannes, som en funksjon av temperaturen og bæregassmengden. Passenjde fordampings-temperaturer er lett å bestemme for fagmannen innen området og vil variere, avhengig av det ønskede damptrykket av metallhalogenid, den ønskede veksthastigheten og ønskede filmtykkelsen til flerkomponentoksydet somj skal avsettes på det porøse substratet.
Mengden av oksydasj onsmiddel som skal tilfø'res reaktoren, vil variere, avhengig av de spesielle metallhalogenidene som anvendes, damptrykket til metallhalogenidene, hvor lett oksydasjonen av metallhalogenidene skjer og lignende. Passende oksydasjonsmidler innbefatter, jmen er ikke be-grenset, til luft, oksygen, ozon, NgO, vann og blandinger derav. De foretrukne oksydasjonsmidlenej er blandinger av oksygen og vann eller en blanding av hydrogen og vann.
I det neste trinnet ved fremgangsmåten blir en blanding av metallhalogenidene og oksydasjonsmidlet ført i kontakt i porene til det porøse overflatesjiktet til et porøst substrat ved en temperatur, et trykk og en tidsperiode som er tilstrekkelig til å avsette plugger av flerkomponentoksydet i mikroporene til overflatesjiktet av substratet og begrense veksten av pluggene til en tykkelse på ca. <0.5pm for å danne det uorganiske membranet.
I de første reaksjonstrinnene blir flerkomponentoksydet avsatt i porene til overflatesjiktet til det porøse substratet ved en CVD mekanisme, inntil porene får en betydelig avsmalnet diameter eller lukkes. Deponeringstemperaturen kontrolleres ved å følge porelukningen for å minimalisere ytterligere vekst av flerkomponentsjiktet ved EVD mekanismen som medfører ionisk ledning av oksygen gjennom flerkomponent-oksydpluggene. Passende generelle reaksjonsbetingelser for å kontrollere dybden av flerkomponentoksydet, innbefatter et temperaturområde fra 600° til 1300°C, et trykkområde fra 1 til 760 torr og en tid i området fra 1 minutt til 10 timer. Reaksjonsbetingelsene for å deponere yttrium-oksydstabilisert sirkoniumoksyd på en metalldopet aluminaoverflate til et aluminasubstrat, innbefatter temperaturområde fra 700 til 1100°C, et trykkområde fra 1 til 760 torr og en reaksjonstid i området fra 1 minutt til 2 timer.
Søkeren har oppdaget at det kan dannes meget tynne plugger av yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyd (0.3 til 0.5pm) i mikroporene av det porøse sjiktet til et porøst substrat, samtidig som fortsatt vekst av yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyd kan minimaliseres ved hjelp av EVD. Hastig-heten for porelukning ved 800°C ble funnet å avhenge av damptrykkene til de respektive halogenidforløperne og var omvendt proporsjonal med poreradius og er i sterk grad avhengig av nærværet av vanndamp som oksydasjonsmiddel. Poreforsnevringen ble begreftet ved hjelp av heliumpermeabi-1 itetsmålinger som viste en reduksjon av viskositetsforholdet i henhold til Knudsen strømning gjennom membranene etter 20 minutter ved deponering ved 800°C i substratene med 10nm porediameter.
Etter dannelsen av en plugg av f lerkomponenitoksydet skjer fortsatt filmvekst via EVD basert på den blandede konduktivi-teten til flerkomponentoksydet, inntil den ønskede mengden flerkomponentoksyddeponering skjer. Oksygen eller vann reduseres ved oksyden/filmgrenseflaten og 'opksygenionene migrerer gjennom den voksende filmen til metallklorid/ filmgrenseflaten og oppveies av elektronmigrering i filmen. Oksygenionene reagerer ved metallklorid/filmgrenseflaten og danner igjen metalloksydet. Siden den ioniske og elek-troniske ledningsevnen til de blandede ledende oksydene er avhengig av temperaturen, kan graden av fortteatt filmvekst ved EVD kontrolleres ved å justere deponeringstemperaturen. Ytterligere filmvekst blir derved minimalisert ved å operere ved temperaturer på ca. 800°C.
De følgende eksempler illustrerer fremgangsmåten for fremstilling av uorganiske membraner i henhold til foreliggende oppfinnelse. Eksemplene er kun illustrative og er ikke ment å begrense beskyttelsesomfanget til de medfølgende krav.
EKSPERIMENTELL DEL;
Enhver konvensjonell CVD/EVD reaktor kan anpasses for å utføre fremgangsmåten i henhold til oppfinnelsen. En passende reaktorkonstruksjon er angitt i J. Europ. Ceramic Society 8 (1991) 59, hvilken tekst herved innlemmes som referanse. Reaktoren som ble brukt for å .fremstille de uorganiske membranene i henhold til foreliggende oppfinnelse innbefatter tre seksjoner: reaktoren, vakuumkjontrollseksjo-nen og reaktanttilførselsseksjonen.
Reaktoren besto av tre tette aluminarør. Det største røret er to meter langt og har en indre diameter på'75 mm. De to andre rørene er montert konsentrisk inne i det størst røret, ved siden av hverandre. Det porøse substratet blir sementert inn i enden av det minste røret og adskiller derved reaktor-rommet i to kammere, referert til som metallhalogenidkammere med et volum på 8030 ml. og vannkammeret (eller oksydasjonsmiddelkammeret) med et volum på 375 ml.
Sublimasjonssjiktet for hvert respektive metallhalogenid er plassert i det større indre aluminarøret. To typer sub-1imasjonssjikt kan anvendes, det første er konstruert av grafitt i en utførelsesform slik at inert gasstrømmen kan føres over metallhalogenidpulveret i sjiktet. Den andre typen er fremstilt av kvarts i en utførelsesform slik at en inertgassbærestrøm kan føres gjennom et pakket sjikt av metallhalogenidpulver blandet med grafittgranuler.
Røret inneholdende sublimasjonssjiktene understøttes av en grafittring som samtidig virker som en oksygenfjerner i metallhalogenidkammeret og som en isoterm sone for substratet. Reaktoren er plassert i en rørovn med seks soner, hvor hver sone kontrolleres av en temperaturregulator for å gi den ønskede temperaturprofilen i reaktoren. En vakuumpum-pe og automatiske strupeventiler brukes for å regulere trykket i metallhalogenidkammeret og oksydasjonsmiddelkammeret. To trykksensorer brukes også for å måle trykket i hvert av kamrene.
Et sett på tre massestrømregulatorer brukes for å regulere inertbærergass strømningsmengden til metallhalogenidkamme-eret, oksydasjonsmiddelkammeret og metallhalogenid sub-limer ingssj iktene , henholdsvis. Hydrogen/vann eller luft/vannblandingen genereres ved å boble hydrogen eller luft gjennom en oppvarmet spreder fylt med to ganger destillert vann. Vannsprederen er plassert i et termostatisk kontrollert bad for å sikre konstant temperatur. Luftstrømsmengden og totaltrykket til den vannmettede blandingen i sprederen er kontrollert av en massestrømsregulator og en trykkregulator. Den vannholdige gassblandingen kan føres enten til baksiden av substratet i vannkammeret eller direkte til pumpen ved å bruke en treveisventil. En ekstra ledning for å spyle vannkammeret i reaktoren med en inertgass som for eksempel argon, kan tilveiebringes. Alle komponentene i systemet ble valgt og systemet ble konstruert slik at deponeringsmetoden automatisk kunne reguleres av en mikroprosessor eller ved manuell regulering.
Generelle prosedyrer:
Zirkonium og yttriumklorider er meget hygroskopiske. Derfor bør metallkloridene håndteres i en hanskeboks spylt med nitrogen for å forhindre at det dannes hydrater og/eller
l
oksyklorider. Hanskeboksen er forbundet til metallhaloge-nidsiden av reaktoren og tillater derved direkte overføring til metallkloridsublimasjonssjiktet i reaktoren. Kvarts-sublimasjonssjiktene er fylt med en blanding av metallhalogenidet og grafittgranuler. Grafitten virker som en oksygenfjerner for restoksygen som fremdeles er tilstede i gassatmosfæren i hanskeboksen og metallhalogenidkammeret.
EKSEMPEL 1
FREMSTILLING AV ET
PORØST a- ALUMINA PORØST SUBSTRAT
I
Det plateformede porøse keramiske substratet ble fremstilt ved en uni-aksiell pressing av a-alumina pulver (Phillips Maatschappij B.V. Einhoven, Nederland) etterfulgt av sintring i en ovn ved ca. 1150°C. Disse a-aluminasubstratene (platestørrelse 39 mm x 2 mm) hadde en porøsitet på 50 volum-% og en midlere porediameter på 0.16 pm. Platene ble polert med sandpapir, etterfulgt av rensing i et ultralyd acetonbad. Deretter ble platene brent igjen ved 1150°!C i mer enn 30 timer for å sikre en god termisk stabilitet i substrat-porestrukturen.
EKSEMPEL 2
FREMSTILLING AV ET
LANTANIMPREGNERT ALUMINASUBSTRAT
En boemite sol (IM boemitt) ble fremstilt ved å tilsette aluminium sekundært butoksyd (Janssen Chimica, Belgia) til vann og peptisere løsningen med salpetersyre (HNO3 (mol) /alkoksyd(mol) = 0.07) i henhold til prosedyren beskrevet av A.F.M. Leenaars og medarbeidere (J. Mater, Sei., 19 (1984) 1077). En løsning av polyvinylalkohol (PVA) (mollmasse 72000) (Fluka Chemika, Sveits) ble fremstilt ved å tilsette 3.5 g PVA til 100 ml ved 0.05 M HN03 løsning.
PVA løsningen ble blandet med boemittsolen (volumforhold 2:3) for danne PVA-boemittsolen. De porøse a-alumina substratene fremstilt i eksempel 1, ble dyppbelagt med PVA-boemittsol ved å føre en side av den porøse a-aluminaplaten i kontakt med PVA-boemittsolen for en kort tid (3-5 sekunder) for å danne en understøttet gel. Den substratunderstøtte gelen er tørket ved 40° C i luft etterfulgt av en lengere kalsineringsperiode ved 450 "C Det kalsinerte substratet ble nedsenket i 10 ml ved 0.3 M lantannitratløsning, etterfulgt av tørking i luft ved romtemperatur og ytterligere kalsinering ved 450°C for å fremstille et lantan-impregnert aluminasubstrat.
EKSEMPEL 3
FREMSTILLING AV ET
LANTAN- IMPREGNRT ALUMINASUBSTRAT
En boemittsol (1 M boemitt) ble fremstilt i henhold til eksempel 2. En liten mengde av lantannitratløsning (0.3 m, pH = 1) ble blandet med boemittsolen for å danne en lantanimpregnert boemittsol (molforhold La(N0s)3 til gamme-alumina var 0.033). PVA løsningen fremstilt i eksempel 2 ble blandet med den lantan-impregnerte boemittsolen (volumforhold 2:3) for å danne den lantanimpregnerte PVA-boemittsolen. Det
i
porøse a-aluminasubstratet fremstilt i eksempel 1 ble dyppbelagt med lantanimpregnert PVA-boemittsol ved å føre en side av den porøse cx-aluminaplaten i kontakt med den lantanimpregnerte PVA boemittsolen for kort tid (3-5 skunder) for å danne en understøttet gel. Den substratunderstøttede gelen ble tørket ved 40° C i luft, etterfulgt av en lengere periode med nøyaktig kalsinering ved 450°C 'for å danne et lantan-impregnert aluminasubstrat.
Sammenlignet med substratet fremstilt av ikke-understøttet lantanimpregnert PVA-boemittsol fremstilt ved tørking av 40 ml av solen i en 10 cm diameter petri-skål ved romtemperatur etter 30 timers kalsinering ved 450°C, vår den midlere porediameteren 3nm, bestemt ved nitrogendesorpsjonsisotermer. Etter 30 timers kalsinering ved 1000°C og 1100°C, var midlere porediametere henholdsvis 9nm og 17nm. Tykkelsen til det understøttede toppsjiktet ble estimert til å, være 5 pm ved hjelp av scanning elektronmikroskopi.
i
EKSEMPEL 4
FREMSTILLING AV ET
ULTRATYNT UORGANISK MEMBRAN
Et porøst substrat fremstilt i eksempel 3 ble sementert til
i
en ende av det minste røret i EVD reaktoren beskrevet i den eksperimentelle delen over. For å dele opp | reaktoren i et metallkloridkammer og et oksydasjonsmiddelkammer hvor substratet var orientert slik at det porøse overflatesjiktet ble forbundet med metallkloridkammeret.
Det øvre sjiktet av det lantan-dopede aluminasubstratet hadde midlere porediameter på ca. 10nm og en sjikttykkelse på 3 pm. EVD eksperimenter ble utført med et totaltrykk på 2 mbar, både i klorid-og oksydasjonsmiddelkamrene. En blanding av vanndamp (dobbeltdestillert) og luft (teknisk kvalitet, Hoekloos) ble brukt som oksydasjonsmiddel i et 1:1 volumforhold ved å føre luft gjennom en vannfordeler ved 40°C.
ZrCl4 (99.9$ 200 mesh, CERAC) og YC13 (99.9$ 60 mesh, CERAC) sublimasjonssjiktene ble holdt ved henholdsvis 155°C og 613°C og kloriddampene ble transportert til det lantandopede aluminasubstratet ved å bruke en argonbærergass (99.999$ (UHP 5.0), UCAR) som ble ført gjennom sublimasjonssjiktene, med en total argonbaerergasstrøm på 27.5 sccm. EVD ble utført med en substrattemperatur på 1000°C og oppnådde porelukking i en periode på 10 minutter, med en total avsetningstid på 30 minutter for å danne en film med en tykkelse på ca. 0.2 pm.
Etter deponeringen av YSZ-sjiktet, ble den ultratynne YSZ-filmen ugjennomtrengelig for inertgasser som for eksempel Ar, He og Ng som ble bekreftet ved null flux av disse gassene gjennom membranet for et totalt trykkfall på 4 bar over membranet. Oksygenpermeabiliteten til det ultratynne YSZ membranet ble bestemt ved 1000°C ved totaltrykk på 150 mbar på begge sider av membranet, med luft og argon med høy renhet (oksygenpartialtrykk på ca. 10"^ atm) initielt på begge sider av membranet. Resultatene er vist i tabellen.
EKSEMPEL 5
FREMSTILLING AV ET
ULTRATYNT UORGANISK MEMBRAN'
Et uorganisk membran innbefattende yttriumoksyd-stabilisert zirkoniumoksyd deponert på et lantan-dopet overflatesjikt til et aluminasubstrat med en midlere porediameter på 20 nm ble fremstilt i henhold til prosedyren i eksempel 4, bortsett fra at ZrC^-sublimasjonssj iktet ble holdt ved 140°C, og deponeringen ble utført ved en temepratur<1> på 800° C i 5 minutter. På slutten av deponeringen hadde et yttriumoksyd-
i
stabilisert zirkoniumoksydsjikt en tykkelse på ca. 0.3 pm,
i
deponert på substratet. Heliumpermeabilitetsforsøk utført på
i
substratet før og etter deponering av f lerjkomponentoksyder viste at heliumpermeabiliteten gjennom membranet ble redusert med ca. 90$, noe som indikerer poreforsnevring på grunn av at flerkomponentoksydet var deponert i porene til substratets overf lates j ikt. Ved en temperatur på ca. j800°C vil deponeringen av flerkomponentoksydet fortsette inntil porene er plugget, hvoretter ytterligere materiale vil i dannes langsomt ved en EVD mekanisme, men ved en mye lavere hastighet enn tilfellet i eksempel 4.
De ultratynne uorganiske membranene i henhold til foreliggende oppfinnelse kan anvendes innen et bredt anvendelsesom-råde innbefattende prosesser for å separere<1> oksygen fra en oksygenholdig gassblanding som for eksempel luft. Apparatet
i
og prosedyrene for å anvende disse uorganiske membranene er
i
vel kjent. En fagmann innen området kan lett tilpasse
i
tilgjengelige apparater for å separere oksygen fra luft ved å bruke de uorganiske membranene i henhold til foreliggende oppf innelse.
Fremgangsmåten for å separere oksygen fra, oksygenholdige gassblandinger innbefatter komprimering av gassblandingen til et trykk i området fra 1 til 250 psig, oppvarming av den trykksatte oksygenholdige gassblandingen til én temperatur i området fra ca. 450 til 1100°C, mate den komprimerte oppvarmede gassblandingen til det uorganiske membranet som er selektivt til permering av oksygen fremfor andre komponenter i gassblandingen og separere oksygenet ved selektiv permering av oksygen gjennom membranet.
Videre er de uorganiske membranene ifølge foreliggende oppfinnelse spesielt anpasset til anvendelse i fast oksyd-brenselcellereaktorer (SOFC). Det ultratynne flerkomponent-oksydsjiktene har en tykkelse mindre eller lik 0.5 pm og kan avsettes som en tynn gasstett film på et ønsket porøst substrat for å gi forbedret brenselcelleegenskaper. Konstruksjonen av SOFC som er vel anpasset for utøvelse av foreliggende oppfinnelse, er vel kjent.
Claims (16)
1.
Fremgangsmåte for fremstilling av et ultratynt uorganisk membran innbefattende et flerkomponentoksyd i en tykkelse på mindre eller lik ca. 0.5 pm som er avsatt ! på et porøst substrat med et porøst overflatesjikt, ka jr akter i-sert ved at fremgangsmåten innbefatter: (a) uavhengig oppvarme minst to metallhalogenider til temperaturer tilstrekkelig til å fordampe hvert av metallhalogenidene; (b) føre de fordampede metallhalogenidene inn i et første
kammer i en reaktor innbefattende to kammere som er
i forbundet med en avtagbar porøs substrajt med et nettverk av porer som er istand til å transportere gasser mellom de to kamrene, hvilket porøse substrat ytterligere innbefatter et porøst overflatesjikt med en midlere porediameter på mindre eller; lik ca. 50nm: (c) føre et oksydasjonsmiddel inn i det andre kammer i reaktoren; (d) føre metallhalogenidene og oksydasjonsmidlet i kontakt i porene i det porøse overflatesjiktet ved en temperatur i området fra 600 til 1300°C, et trykk i området fra 1 til 760 torr og en tid i området fra 1 minutt til 10 timer for å avsette plugger av f lerkomponentoksyd i porene til subsjtratets overflatesjikt og begrense veksten av pluggene til en tykkelse på mindre eller lik 0.5 pm for å danne det uorganiske membranet.
2.
Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at det porøse substratet er valgt fra gruppen bestående av alumina, silika, magnesiumoksyd, titanoksyd, en høytemperatur oksygenkompatibel metallegering, et metalloksyd stabilisert zirkoniumoksyd og forbindelser og blandinger derav.
I
3.
Fremgangsmåte i henhold til krav 2, karakterisert ved at metallhalogenidene som skal fordampes er representert ved fluorider, klorider, bromider og iodider av metaller valgt fra gruppene 2, 3, 4 og 15 og F-blokk lantanidene i det periodiske system.
4.
Fremgangsmåte i henhold til krav 3, karakterisert ved at det porøse substratet som forbinder det første kammeret og det andre kammeret er orientert slik at det porøse overflatesjiktet kommer i kontakt med de fordampede metallhalogenidene.
5 .
Fremgangsmåte i henhold til krav 4, karakterisert ved at metallhalogenidene som skal fordampes ytterligere innbefatter et halogenid av zirkonium.
6.
Fremgangsmåte i henhold til krav 5, karakterisert ved at oksydasjonsmidlet er valgt fra gruppen bestående av oksygen, ozon, NgO, vann og blandinger derav.
7 .
Fremgangsmåte i henhold til krav 5, karakterisert ved at oksydasjonsmidlet er valgt fra gruppen bestående av en blanding av oksygen og vann og en blanding av hydrogen og vann.
8.
Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at metallhalogenidene som skal fordampes er valgt fra gruppen bestående av klorider, bromider og iodider av zirkonium og yttrium.
9.
Fremgangsmåte i henhold til krav 8, karakterisert ved at det porøse substratet innbefatter alumina.
i
10.
Fremgangsmåte i henhold til krav 9, karakterisert ved at det porøse substratet innbefatter et metalldopet alumina.
11.
Fremgangsmåte i henhold til krav 10, karakterisert ved at det metalldopede alumina innbefatter lantandopet alumina.
12.
Et ultratynt uorganisk membran fremstilt ved fremgangsmåten i henhold til krav 1, karakterisert ved at membranet innbefatter et flerkomponent oksydsjikt med en
i
tykkelse mindre eller lik ca. 0.5 pm som i er avsatt på et overflatesjikt til et porøst substrat med en midlere porediameter på mindre enn ca. 50nm.
i
13.
Uorganisk membran i henhold til krav 12, karakterisert ved at det porøse substratjet er valgt fra gruppen bestående av alumina, silika, magnesiumoksyd, titanoksyd, en høytemperatur oksygenkompatibel metallegering og et metalloksydstabilisert zirkoniumoksyd og forbindelser og blandinger derav.
14 .
Uorganisk membran i henhold til krav 12-13, karakterisert ved at flerkomponentoksydet innbefatter to eller flere metaller valgt fra gruppene 3, 4 og 15 og F blokk lantanidene i det periodiske system.
15 .
Uorganisk membran i henhold til krav 14, karakterisert ved at flerkomponentoksydet ytterligere innbefatter zirkoniumoksyd.
16 .
Uorganisk membran i henhold til krav 12, karakterisert ved at det porøse overf latesj iktet til det porøse substratet innbefatter en sammensetning som er forskjellig fra sammensetningen av det porøse substratet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/816,206 US5160618A (en) | 1992-01-02 | 1992-01-02 | Method for manufacturing ultrathin inorganic membranes |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO925026D0 NO925026D0 (no) | 1992-12-28 |
NO925026L NO925026L (no) | 1993-07-05 |
NO180151B true NO180151B (no) | 1996-11-18 |
NO180151C NO180151C (no) | 1997-02-26 |
Family
ID=25219966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO925026A NO180151C (no) | 1992-01-02 | 1992-12-28 | Fremgangsmåte ved fremstilling av ultratynne uorganiske membraner samt membraner fremstilt ved fremgangsmåten |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5160618A (no) |
EP (1) | EP0550049B1 (no) |
JP (1) | JP2554434B2 (no) |
CA (1) | CA2086401C (no) |
DE (1) | DE69217890T2 (no) |
ES (1) | ES2101021T3 (no) |
NO (1) | NO180151C (no) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4117284A1 (de) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Verfahren zur herstellung von mikroporoesen keramikmembranen fuer die trennung von gas- und fluessigkeitsgemischen |
US6165431A (en) * | 1993-12-08 | 2000-12-26 | Eltron Research, Inc. | Methods for separating oxygen from oxygen-containing gases |
US6033632A (en) * | 1993-12-08 | 2000-03-07 | Eltron Research, Inc. | Solid state oxygen anion and electron mediating membrane and catalytic membrane reactors containing them |
US6592782B2 (en) | 1993-12-08 | 2003-07-15 | Eltron Research, Inc. | Materials and methods for the separation of oxygen from air |
US5516359A (en) * | 1993-12-17 | 1996-05-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Integrated high temperature method for oxygen production |
US5565017A (en) * | 1993-12-17 | 1996-10-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | High temperature oxygen production with steam and power generation |
US5447555A (en) * | 1994-01-12 | 1995-09-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Oxygen production by staged mixed conductor membranes |
US5534471A (en) * | 1994-01-12 | 1996-07-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Ion transport membranes with catalyzed mixed conducting porous layer |
US5599383A (en) * | 1995-03-13 | 1997-02-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Tubular solid-state membrane module |
US5766317A (en) * | 1995-06-01 | 1998-06-16 | Technology Management, Inc. | Microspheres for combined oxygen separation, storage and delivery |
US5910238A (en) * | 1995-06-01 | 1999-06-08 | Technology Management, Inc. | Microspheres for combined oxygen separation, storage and delivery |
US5562754A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Production of oxygen by ion transport membranes with steam utilization |
DE69619299T2 (de) * | 1995-06-07 | 2002-10-10 | Air Prod & Chem | Sauerstoffproduktion mit Ionentransportmembranen und Energierückgewinnung |
DE69721764T2 (de) * | 1997-02-07 | 2004-03-11 | Nkk Corp. | Verfahren zum reparierenund/oder verstärkung einer schutzplatte für einen mit schutzplatten versehenen wärmetauscher |
JP2002531246A (ja) | 1998-12-02 | 2002-09-24 | マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー | 水素分離及び水素化/脱水素反応のための集積されたパラジウムをベースとする微小膜 |
US6471921B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-10-29 | Eltron Research, Inc. | Mixed ionic and electronic conducting ceramic membranes for hydrocarbon processing |
US7163713B2 (en) * | 1999-07-31 | 2007-01-16 | The Regents Of The University Of California | Method for making dense crack free thin films |
US6146549A (en) * | 1999-08-04 | 2000-11-14 | Eltron Research, Inc. | Ceramic membranes for catalytic membrane reactors with high ionic conductivities and low expansion properties |
EP1456900A4 (en) | 2001-12-18 | 2008-05-07 | Univ California | CURRENT CURRENT COLLECTION PROTECTED BY OXIDE FILM |
ATE508488T1 (de) * | 2001-12-18 | 2011-05-15 | Univ California | Verfahren zur herstellung dichter dünnfilme |
AU2003256251A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-10 | The Regents Of The University Of California | Planar electrochemical device assembly |
WO2003096470A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-20 | The Regents Of The University Of California | Electrochemical cell stack assembly |
AU2003301727A1 (en) * | 2002-05-29 | 2004-05-25 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Solid oxide electrolyte with ion conductivity enhancement by dislocation |
US7338624B2 (en) * | 2002-07-31 | 2008-03-04 | Praxair Technology Inc. | Ceramic manufacture for a composite ion transport membrane |
JP4879490B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2012-02-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | フッ素分離および発生装置 |
RU2236068C1 (ru) * | 2003-06-10 | 2004-09-10 | Мятиев Ата Атаевич | Электрод-электролитная пара на основе двуокиси циркония (варианты), способ ее изготовления (варианты) и органогель |
RU2240280C1 (ru) | 2003-10-10 | 2004-11-20 | Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед | Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты) |
US7547334B2 (en) * | 2004-01-30 | 2009-06-16 | General Motors Corporation | Continuous reactor |
US7641997B2 (en) * | 2004-09-23 | 2010-01-05 | Ut-Battelle Llc | Design and synthesis of guest-host nanostructures to enhance ionic conductivity across nanocomposite membranes |
US7604690B2 (en) * | 2005-04-05 | 2009-10-20 | Wostec, Inc. | Composite material for ultra thin membranes |
US20090139497A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Bo Shi | Engine having thin film oxygen separation system |
EP2237357B1 (en) * | 2009-03-23 | 2013-10-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Ionic electrolyte membrane structure, method for its production and solid oxide fuel cell making use of ionic electrolyte membrane structure |
WO2013006077A1 (en) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wostec, Inc. | Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using |
EP2740162B1 (en) | 2011-08-05 | 2019-07-03 | Wostec, Inc. | Light emitting diode with nanostructured layer, method of making a light emitting diode and nanomask used in the method. |
US9057704B2 (en) | 2011-12-12 | 2015-06-16 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using |
US9653627B2 (en) | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
US9134250B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-09-15 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
WO2014142700A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Wostec Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
US20170194167A1 (en) | 2014-06-26 | 2017-07-06 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
JP2017024961A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | ニッポン高度紙工業株式会社 | 無機酸化物成形体の製造方法 |
WO2018093284A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
WO2018156042A1 (en) | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
US11819806B1 (en) | 2018-10-15 | 2023-11-21 | Ampcera Inc. | Methods for manufacturing a solid state ionic conductive membrane on a macro porous support scaffold |
US11177498B1 (en) | 2018-10-15 | 2021-11-16 | Ampcera Inc. | Redox flow batteries, components for redox flow batteries and methods for manufacture thereof |
US11600853B1 (en) | 2019-05-14 | 2023-03-07 | Ampcera Inc. | Systems and methods for storing, transporting, and handling of solid-state electrolytes |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4902307A (en) * | 1988-11-18 | 1990-02-20 | California Institute Of Technology | Synthesis of SiO2 membrane on porous support and method of use of same |
US5106654A (en) * | 1990-07-20 | 1992-04-21 | Westinghouse Electric Corp. | Method of forming a dense, high temperature electronically conductive composite layer on a porous ceramic substrate |
-
1992
- 1992-01-02 US US07/816,206 patent/US5160618A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-28 DE DE69217890T patent/DE69217890T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-28 JP JP4348216A patent/JP2554434B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-28 ES ES92122073T patent/ES2101021T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-28 NO NO925026A patent/NO180151C/no unknown
- 1992-12-28 EP EP92122073A patent/EP0550049B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-29 CA CA002086401A patent/CA2086401C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0550049B1 (en) | 1997-03-05 |
JP2554434B2 (ja) | 1996-11-13 |
NO925026L (no) | 1993-07-05 |
JPH05254805A (ja) | 1993-10-05 |
ES2101021T3 (es) | 1997-07-01 |
US5160618A (en) | 1992-11-03 |
EP0550049A1 (en) | 1993-07-07 |
NO180151C (no) | 1997-02-26 |
DE69217890D1 (de) | 1997-04-10 |
DE69217890T2 (de) | 1997-06-12 |
CA2086401C (en) | 1997-01-28 |
CA2086401A1 (en) | 1993-07-03 |
NO925026D0 (no) | 1992-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO180151B (no) | Fremgangsmåte ved fremstilling av ultratynne uorganiske membraner samt membraner fremstilt ved fremgangsmåten | |
US5683797A (en) | Inorganic membranes | |
Xomeritakis et al. | Fabrication of a thin palladium membrane supported in a porous ceramic substrate by chemical vapor deposition | |
Xomeritakis et al. | CVD synthesis and gas permeation properties of thin palladium/alumina membranes | |
Yan et al. | Thin palladium membrane formed in support pores by metal-organic chemical vapor deposition method and application to hydrogen separation | |
Ha et al. | Properties of the TiO2 membranes prepared by CVD of titanium tetraisopropoxide | |
US6592782B2 (en) | Materials and methods for the separation of oxygen from air | |
US6165431A (en) | Methods for separating oxygen from oxygen-containing gases | |
Kim et al. | Synthesis and oxygen‐permeation properties of thin YSZ/Pd composite membranes | |
EP0550070B1 (en) | Method for manufacturing inorganic membranes by organometallic chemical vapor infiltration | |
Jin et al. | Fabrication of La0. 2Sr0. 8Co0. 8Fe0. 2O3− δ mesoporous membranes on porous supports from polymeric precursors | |
Han et al. | Electrochemical vapor deposition synthesis and oxygen permeation properties of dense zirconia–yttria–ceria membranes | |
Han et al. | Oxygen permeation through thin zirconia/yttria membranes prepared by EVD | |
De Haart et al. | Modified CVD of nanoscale structures in and EVD of thin layers on porous ceramic membranes | |
Mineshige et al. | Preparation of Yttria‐Stabilized Zirconia Microtube by Electrochemical Vapor Deposition | |
Brinkman et al. | Morphology of very thin layers made by electrochemical vapour deposition at low temperatures | |
Abrutis et al. | Metal-organic chemical vapour deposition of mixed-conducting perovskite oxide layers on monocrystalline and porous ceramic substrates | |
Siadati et al. | CVD of CeO2‐Doped Y2O3‐Stabilized Zirconia onto Dense and Porous Substrates | |
CN110092664B (zh) | 一种自分相混合导体三相膜材料及其制备方法与应用 | |
Cao et al. | Deposition of YSZ on porous ceramics by modified CVD | |
áde Vries | Kinetic study of the modified chemical vapour deposition process in porous media | |
Xing et al. | Thermochemically stable ceramic composite membranes based on Bi 2 O 3 for oxygen separation with high permeability | |
Mineshinge et al. | Preparation of hollow YSZ fibre by electrochemical vapour deposition | |
Brinkman et al. | Kinetics and morphology of electrochemical vapour deposited thin zirconia/yttria layers on porous substrates | |
JPH0718451A (ja) | 多孔質基板上に酸化物膜を作成する方法および装置 |