NO125957B - - Google Patents

Description

Transis torfor sterker.

Foreliggende oppfinnelse vedrører en forsterker som omfatter to forsterkertrinn med transistorer.

Formålet med oppfinnelsen er å skaffe en to-trinns transistor-forsterker som krever lite plass og omfatter et fåtall kob-lingselementer, men som dog er effektivt temperaturstabilisert og dessuten kan til-sluttes til en to-tråds ledning som både tjener som uttaksledninger for forsterkerens utgangs-vekselspenning og som til-førselsledninger for den likestrømenergi som kreves til forsterkerens drift.

Forsterkeren ifølge oppfinnelsen egner seg særlig som mikrofonforsterker i slike høyttaleranlegg og lignende hvor mikrofo-nen er forbundet med effektforsterkeren over en lang ledning.

Ved forsterkeren ifølge oppfinnelsen er emitteren felles elektrode (jordet emitter) for inngangs- og utgangskretsen i det første forsterkertrinn, mens kollektoren er felles elektrode (jordet kollektor) for inngangs- og utgangskretsen i det annet forsterkertrinn; de to forsterkertrinn tilføres de nødvendige likespenninger fra en felles spenningskilde over to ledere som samtidig tjener som uttaksledere for utgangsvekselspenningen fra forsterkeren; den ene av disse ledere er over en stabilise-ringsimpedans forbundet med emitteren i første transistor, og første transistors emitter er også direkte forbundet med den annen transistors basis, samtidig som den første transistors basis er forbundet med et uttak på en spenningsdeler som er koblet mellom de to ledere.

Oppfinnelsen skal i det følgende be-

skrives nærmere i tilslutning til tegningen som viser et koblingsskjema for en forsterker utført i henhold til oppfinnelsen.

Transistoren i første forsterkertrinn er på tegningen betegnet med TS1 og transistoren i annet forsterkertrinn med TS2. Emitteren i hver transistor er betegnet med i, basis med b og kollektor med k. Transistoren TS1 er emitter-j ordet, mens TS2 er kollektor jordet og har således en høy inngangsimpedans og relativt lav ut-gangsimpedans.

Den til forsterkerens drift nødvendige likestrøm tilføres over klemmene 3 og 4 med den angitte polaritet. Transistorens TS1 emitter tilføres likestrøm fra klemmen 3 over en impedans R3 og er direkte forbundet med basis i den annen transistor TS2. Impedansen R3 tjener til temperatur-stabilisering av transistoren TS1 og dan-ner sammen med denne transistor en spenningsdeler, fra hvilken basis i transistoren TS2 får sin likespenning. Basis i transistoren TS1 får sin likespenning fra et uttak på en spenningsdeler som er dan-net av motstandene RI og R2 som ligger i serie mellom klemmene 3 og 4. Spennin-gen fra uttaket tilføres basis i transistoren TS1 over en mikrofon M som er forbundet med forsterkerens inngangsklem-mer 1 og 2. Uttaket på spenningsdeleren RI—R2 er også forbundet med transistorens TS1 emitter over en kondensator Cl.

Også transistoren TS2 er temperaturstabilisert, nemlig ved hjelp av impedansen R4 som er innkoblet mellom klemmen 3 og transistorens TS2 emitter. Impedansen R4 er shuntet av en kondensator C2 med høy kapasitet.

Utgangsvekselspenningen fra forsterkeren tjener også som uttaksledninger for den utgående vekselspenning.

Impedansen R3 inngår som serieim-pedans i belastningskretsen for transistoren TS1, og vekselspenningsfallet over denne impedans tilføres som styrespen-ning til transistoren TS2. Man kan si at impedansen R3 inngår i belastningskretsen for kollektoren i transistoren TS1, da det hovedsakelige vekselspenningsfall over transistoren TS1 finnes mellom basis og kollektor, mens spenningsfallet mellom basis og emitter er ubetydelig. Kollektorvekselspenningen på transistoren TS2 blir om-trent lik kollektorvekselspenningen for transistoren TS1. Vekselspenningen mellom emitteren og basis i transistoren TS2 er også liten. Transistoren TS2 bevirker altså ingen spenningsforsterkning, men bare strømforsterkning. Impedansen R3 belaster transistoren TS1 relativt ubetydelig og kan derfor gis en lav verdi, f. eks. av størrelsesordenen 2000 ohm, uten at der derved forbrukes noen større effekt, og man kan i alle tilfelle utnytte transistorens TS2 høye inngangsimpedans.

Impedansen R3 kan være rent ohmsk, men kan også med fordel være både ohmsk og reaktiv.

Ved den på tegningen viste forsterker forutsettes transistorene å være spisstran-sistorer eller skikttransistorer av P-N-P-typen. Koblingen ifølge oppfinnelsen kan imidlertid også anvendes for skikttransistorer av N-P-N-typen, men polariteten av den forsterkeren tilførte likespenning må da være motsatt den som er angitt på tegningen.

Ved koblingen ifølge oppfinnelsen kreves et mindre antall komponenter (motstander og kondensatorer) enn ved de hit-til kjente transistorforsterkere med tem-peraturstabilisering. Forsterkeren ifølge oppfinnelsen kan sammenbygges til en kompakt enhet som krever meget liten plass.

De mest hensiktsmessige verdier for de i forsterkeren inngående motstander og kondensatorer, vil selvsagt inntil en viss grad avhenge av de anvendte transistorers karakteristikk. Ved en i praksis utført forsterker med det på tegningen viste koblingsskjema har motstander og kondensatorer følgende verdier: RI = 68 000 ohm, R2 = 33 000 ohm, R3 = 2200 ohm, R4 = 330 ohm, Cl = 10 ±iF og C2 = 32 (.iF, Disse verdier er bare angitt som eksempler og kan variere betydelig innenfor oppfinnel-sens ramme.

Claims (3)

1. Forsterker som omfatter et første og et annet forsterkertrinn med transistorer, karakterisert ved at emitteren er felles elektrode (jordet emitter) for inngangs- og utgangskretsen i det første trinn, mens kollektoren er felles elektrode (jordet kollektor) for inngangs- og utgangskretsen i det annet trinn og at de to forsterkertrinn tilføres de nødvendige likespenninger fra en felles spenningskilde over to ledere (3 og 4) som samtidig tjener som uttaksledere for utgangsvekselspenningen fra forsterkeren, idet den ene (3) av disse ledere over en stabiliseringsim - pedans (R3), er forbundet med emitteren i første transistor (TS1) og at første transistors emitter er direkte forbundet med den annen transistors (TS2) basis, samtidig som første transistors basis er forbundet med et uttak på en spenningsdeler (RI— R2) som er koblet mellom de to ledere.

2. Forsterker ifølge påstand 1, karakterisert ved at første transistors (TS1) basis er koblet til spenningsdelerens uttak over en med forsterkerens inngang forbundet signalgenererende anordning (M), f. eks. en mikrofon og at nevnte uttak er koblet til første transistors emitter over en kondensator (Cl).

3. Forsterker ifølge påstand 1 eller 2, karakterisert ved at en annen stabilise-ringsimpedans (R4) er koblet mellom annen transistors (TS2) emitter og den ene (3) av de nevnte ledere.