NO118985B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO118985B NO118985B NO168092A NO16809267A NO118985B NO 118985 B NO118985 B NO 118985B NO 168092 A NO168092 A NO 168092A NO 16809267 A NO16809267 A NO 16809267A NO 118985 B NO118985 B NO 118985B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- film
- mask
- silicon
- semiconductor body
- anodic treatment
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- -1 aluminum silicates Chemical class 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBKNKFIRGXQLDB-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroethenylbenzene Chemical compound FC=CC1=CC=CC=C1 KBKNKFIRGXQLDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRAYOBSWCVTIN-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N Chemical compound OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.OB(O)O.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N.N OTRAYOBSWCVTIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M [(1s,2s)-2-amino-1,2-diphenylethyl]-(4-methylphenyl)sulfonylazanide;chlororuthenium(1+);1-methyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical compound [Ru+]Cl.CC(C)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)[N-][C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@@H](N)C1=CC=CC=C1 AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010289 potassium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 239000004304 potassium nitrite Substances 0.000 description 1
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
- H01L21/3144—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/043—Dual dielectric
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/114—Nitrides of silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
Description
Fremgangsmåte ved fremstilling av halvledende anordninger.
Foreliggende oppfinnelse angår en fremgangsmåte ved fremstilling av halvledende anordninger, særlig for formgivning av di-, elektriske overtrekk på en overflate av halvledende legemer.
Ved halvledende anordninger»særlig plane sådanne»som danner integrerte kretser, anvendes formede filmer eller filmsja-blonger som er avsatt på det halvledende legemes overflate for å danne masker både under diffusjons- og utfellingsprosessene. Disse filmer utgjor beskyttelser, og sådanne av silisiumoksyd er tidligere blitt anvendt, mens man senere er gått over til andre anorganiske forbindelser, såsom f.eks. silisiumnitrid, aluminiumoksyd og bland-ede silikater, såsom aluminiumsilikat.
Silisiumoksyd har vært av særlig interesse som folge av at det med fordel kan anvendes i forbindelse med den kjente fotoresist- prosess, særlig motstanden av organisk fotoresist likeoverfor
flussyre, det vanligvis brukte etsemiddel for silisiumoksyd. Imidlertid er de ovennevnte materialer, som for byeblikket er av stbrst interesse, ikke så gunstige som silisiumoksyd, idet de i visse tilfelle krever etsemidler som angriper den organiske fotoresist. Således angriper f.eks. fosforsyre, et vanlig brukt etsemiddel for silisiumnitrid, fotoresist-materialene som fblgelig ikke kan anvendes ved avmasking av halvledende legemer.
En av hensiktene med foreliggende oppfinnelse er å for-enkle fremstillingen av halvledende anordninger og forandre etsbar-heten av visse anorgåniske filmer ved en anodisk behandling.
Nærmere bestemt angår oppfinnelsen en fremgangsmåte ved fremstilling av halvledende anordninger, og det særegne ved oppfinnelsen er at der på overflaten av et halvlederlegeme dannes en fbrste og annen dielektrisk film, idet den fbrste film er i overensstemmelse med et maskemonster og den annen film dekker hele overflaten, at filmene utsettes for en anodisk behandling hvorved opplbseligheten endres av de deler av den annen film som ikke grenser til den fbrste maskefilm, og at nevnte legeme behandles i en etsende opplbsning som»angriper bare de deler av den annen film som har endret opplbselighet.
Masken kan være i kontakt med halvlederlegemets overflate og den annen film ligge ovenpå masken, eller man kan også gå frem på omvendt måte.
Oppfinnelsen skal forklares nærmere i det fblgende under henvisning til tegningen, på hvilken fig. 1 viser et snitt av et halvledende legeme med forskjellige anorganiske overtrekk, fig. 2 et snitt av et bad for anodisk behandling av det på fig. 1 viste legeme, fig. 3 samme legeme neddykket i et etsebad etter anodiser-ingen, og fig. 4 legemet ved den videre behandling for å danne en maske i overensstammelse méd oppfinnelsen.
Fig. 1 viser et halvledende legeme 10 med organiske overtrekk på den ene overflate. Underlagsskiven 11 er av silisium og utgjor bare en liten dei av en stbrre skive av halvledende silisium. Det er innlysende at den nedenfor beskrevne behandling vil bli foretatt på hele skiven. Hensikten med behandlingen av skiven 11 er å tilveiebringe en egnet maske som i dette tilfelle omfatter er lag av silisiumnitrid som dekker legemets ovre overflate unntatt det parti 14 som ikke er dekket av silisiumoksyd. 1 henhold til en spesiell behandlingsteknikk dannes et overtrekk av silisium oksyd enten ved at overtrekket bringes til å vokse under termisk behandling eller bringes til å slå seg ned. Derpå avsettes en fotoresist-maske på oversiden av overtrekket 12 for å utsette partiet 14 for lys. Den avmaskede overflate behandles derpå med flussyre som ved etsing vil fjerne det oksyd som er blitt utsatt for lysets virkning og således frilegge partiet 14. Et overtrekk av silisiumnitrid 13 dannes derpå over hele den avmaskede overflate» således at dette annet overtrekk både vil dekke det gjenværende oksydovertrekk 12 og overflatepartiet 14.
Etter denne behandling anbringes legemet 10 i et bad for anodisk behandling, se fig. 2. Badets beholder er betegnet med 21 og er fremstilt av et materiale som er motstandsdyktig mot den elektrolytt som anvendes. Beholderen har i bunnen en brbnn, hvis tverrsnittsareal er mindre enn tverrsnittsarealet av legemet 10, således at de to rom adskilles når legemet 10 bringes i den på fig.
2 viste stilling. De to elektrolytter, den katodiske elektrolytt
22 og den anodiske elektrolytt 23, utgjbres av en opplbsning av pyrofosforsyre i tetrahydrofurfuryl-alkohol. En annen brukbar elektrolytt består av en opplbsning av kaliumnitritt i tetrahydrofurfuryl. Begge deler av badet inneholder platina-elektroder 24
og 25 som er forbundet med en 1ikestrbmkilde 26.
Ved en spesiell utfbrelse hadde silisiumoksydovertrekket 12 en tykkelse på ca. 3000 Å og silisiumnitridovertrekket 13 en tykkelse på ca.. 860 Å. Elektrolytten var en opplbsning av 7,5 volum% pyrofosforsyre i tetrahydrofurfuryl-alkohol. Over legemet 10 ble der påtrykt et felt som ga en i det vesentlige konstant strbm på 5 mA/cm inntil spenningen steg til 380 V. I lbpet av denne periode ble silisiumlegemet 10 omdannet til silisiumoksyd på over-flateområdet 14.
Deretter ble legemet fjernet fra badet og ved hjelp av en pinsett 33 overfort til et etsebad 32 i en beholder 31. Etsebadet besto av pufferet flussyre som i lbpet av ca. 10 sek. opploste alle de deler av overtrekket 13 som ikke dekket oksydmasken 12. Det ferdige produkt er vist på fig. 4, ifblge hvilken maskene av silisiumoksyd 12 og silisiumnitrid 13 etterlater en ikke-masket del 14 av skiven 11.
Ved den beskrevne behandling blir silisiumnitridovertrekket mottagelig for en selektiv forming ved avmasking når der anvendes flustyré som etsemiddel. Dette etsemiddel kan anvende» sammen med alle de bvrige materialer som brukes. Ennvidere er etsemidlets angrepshastighet meget stbrre når filmene har vært utsatt for en anodisk behandling, enn når denne forbehandling ikke anvendes. Fjernelsen av nitridet finner sted for der skjer noen nevneverdig etsing av oksydet. Den beskrevne anodiske behandling egner seg ved et silisiummateriale med en middels lav motstandsevne» Hvis skiven 11 imifllertid har hby motstandsevne, er det onskelig å slippe lys inn i cellen på det halvledende legeme under den anodiske behandling for å danne et tilstrekkelig minimum av bærere i silsiummaterialet ved optisk injeksjon for å opprettholde den nbdvendige strømstyrke.
Oet er også kjent at den anodiske behandling kan foretas ved en i det vesentlige konstant spenning og avtagende strbm. I dette tilfelle vil imidlertid elektrolytten bli oppvarmet.
Ved en annen utfbrelse ble en silisiumnitridfilm 13 av
omtrent den dobbelte tykkelse i forhold til det ovennevnte eksempel anvendt og derpå samme behandling foretatt. En film av en tykkelse på 1750 Å hadde etter den anodiske behandling en delvis opplbselighet i pufferet flussyre, og i lbpet av 10 sek ble nitridfilmen re-dusert til en tykkelse på ca. 870 Å, ved hvilken tykkelse etsing i det vesentlige opphbrte. Legemet blir derpå utsatt for en ytter-ligere anodisk behandling til 380 V nivået og derpå igjen etset for å få fjernet sitt nitrid som ikke var avmasket.
Fremgangsmåten ifblge oppfinnelsen kan også anvendes i forbindelse med andre anorganiske overtrekk, såsom aluminiumoksyd-filmer og filmer av en blanding av aluminiumoksyd og silisiumoksyd av silikattypen. Fremgangsmåten kan også anvendes ved silisium-karbidfilmer som kan omdannes til silisiumoksyd ved anodisk behandling og derved bli opplbselige i flussyre.
Ved de ovenfor beskrevne utfbrelser av oppfinnelsen ble der anvendt en silisiumoksyd-filmmaske under et silisiumnitridover-trekk. Det er imidlertid også mulig å anbringe et nitrid- eller aluminiumoksyd-overtrekk på det halvledende legemes overflate og anbringe en silisiumoksydmaske utenpå det fbrste overtrekk. Man kan også anvende andre stoffer enn silisiumoksyd for avmasking. Generelt sett kan en hvilkensomhelst dielektrisk film som er uopp-lbselig i elektrolytten, utsettes for en anodisk behandling. Således har det f.eks. vist seg at et organisk fotoreaist-materiale kan anvendes som maske ved den anodiske behandling. 1 stedet for å forandre uopplbseligheten av anorganiske,
dielektriske filmer som beskrevet ovenfor, kan man også gjbre et ailisiumoksyd-overtrekk som er dannet ved termisk vekst, mer opplbselig ved at det utsettes for anodisk behandling. En sådan film blir ennu mer opplbselig ved anodisk behandling, hvor den påtrykte spenning er over 1 V for hver 5 Å oksydtykkelse• Hvis et silisium-oksytibelegg som er dannet ved termisk vekst, således anvendes som dielektrisk maske, må det ha en tilstrekkelig tykkelse til å kunne motstå den spenning som påtrykkes ved den anodiske behandling. Tykkelsen uttrykt i A må være mer enn 5 ganger den maksimale påtrykte spenning uttrykt i V.
En annen faktor som er av betydning for fremgangsmåten ifblge oppfinnelsen, er valget av den anvendte elektrolytt, idet denne er avgjorende for forandringen av den dielektriske films opplbselighet. Det har vist seg at elektrolyttopplbsningen fortrinns-vis bare bor inneholde opplbsningsmolekyler og elektrolyttiske anioner av stor stbrrelse. Ved et eksperiment ved hvilket en kry-stallinsk aluminiumoksydfilm ble utsatt for anodisk behandling i en opplbsning av ammonium-pentaborat i vann, ble filmen riktignok.ane-disert, men beholdt sin opplbselighet i flussyre. Den anodiske behandling ble gjentatt i en opplbsning av pyrofosforsyre i tetra-hydrof urf uryl-alkohol , hvilket gjorde filmen opplbselig i flussyre. Det antas at i fbrstnevnte tilfelle trengte de små oksygen- eller hydroksyl-ioner gjennom den krystallinske aluminiumoksydfilm langs korngrenser eller langs klbvningsplan, således at nytt oksyd som utelukkende dannes på overgangen mellom silisiumoksyd og aluminiumoksyd, gjor at aluminiumoksydftimen forblir uforandret med hensyn til sineegenskaper. I det annet tilfelle var der ingen små anioner til disposisjon, og filmveksten oppsto sannsynligvis gjennom tykkelsen av den foreliggende aluminium-oksydfilm, hvilket bevirket at den kjemiske sammensetning ble forandret og filmen ble gjort opplbselig.
Claims (7)
1*Fremgangsmåte ved fremstilling av halvledende anordninger,karakterisert vedat der på overflaten av et halvlederlegeme dannes en fbrste og annen dielektrisk film, idet den fbrste film er i overensstemmelse med et maskembnster og den annen film dekker hele overflaten, at filmene utsettes for en anodisk behandling hvorved opplbseligheten endre<s>Se deler av den annen film som ikke grenser til den fbrste maskefilm, og at nevnte legeme behandles i en etsende opplbsning som angriper bare de deler av den annen
film som har endret opplbselighet.
2. Fremgangsmåte ifolge krav 1,karakterisertved at masken er i kontakt med halvlederlegemets overflate og at den annen film ligger ovenpå masken.
3. Fremgangsmåte ifolge krav 1,karakterisertved at den annen film er i kontakt med halvlederlegemets overflate og at masken ligger ovenpå den annen film.
4. Fremgangsmåte ifolge et av de foregående krav,karakterisert vedat der på overflaten av et halvlederlegeme dannes en fbrste film av silisiumoksyd og en annen film av silisiumnitrid, aluminiumoksyd, aluminiumsilikater eller silisiumkar-bid.
5. Fremgangsmåte ifolge et av de foregående krav,karakterisert vedat den anodiske behandling består i at legemet anbringes i en elektrolytt, idet der påtrykkes et elektrisk felt. over legemet og gjennom filmene i en tid som er tilstrekkelig til å oke opplbseligheten av deler av den annen film.
6. Fremgangsmåte ifolge krav 5,karakterisertved at det elektriske felt påtrykkes ved konstant strom, idet spenningen stiger til et forutbestemt nivå.
7. Fremgangsmåte ifolge krav 5,karakterisertved at det elektriske felt påtrykkes ved konstant spenning, idet strbmmen tillates å synke inntil i det vesentlige hele den påtrykte spenning fremkommer ovdr den dielektriske film.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US54933866A | 1966-05-11 | 1966-05-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO118985B true NO118985B (no) | 1970-03-09 |
Family
ID=24192584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO168092A NO118985B (no) | 1966-05-11 | 1967-05-10 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3438873A (no) |
BE (1) | BE696330A (no) |
ES (1) | ES341094A1 (no) |
GB (1) | GB1188507A (no) |
IL (1) | IL27728A (no) |
NL (1) | NL6706537A (no) |
NO (1) | NO118985B (no) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3979768A (en) * | 1966-03-23 | 1976-09-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor element having surface coating comprising silicon nitride and silicon oxide films |
US3645807A (en) * | 1966-12-26 | 1972-02-29 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing a semiconductor device |
USRE28402E (en) * | 1967-01-13 | 1975-04-29 | Method for controlling semiconductor surface potential | |
US3767463A (en) * | 1967-01-13 | 1973-10-23 | Ibm | Method for controlling semiconductor surface potential |
US3887407A (en) * | 1967-02-03 | 1975-06-03 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing semiconductor device with nitride oxide double layer film |
DE1614435B2 (de) * | 1967-02-23 | 1979-05-23 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von aus Germanium bestehenden, doppeldiffundierten Halbleiteranordnungen |
US3537921A (en) * | 1967-02-28 | 1970-11-03 | Motorola Inc | Selective hydrofluoric acid etching and subsequent processing |
US3541676A (en) * | 1967-12-18 | 1970-11-24 | Gen Electric | Method of forming field-effect transistors utilizing doped insulators as activator source |
US3807038A (en) * | 1969-05-22 | 1974-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Process of producing semiconductor devices |
US3663279A (en) * | 1969-11-19 | 1972-05-16 | Bell Telephone Labor Inc | Passivated semiconductor devices |
DE2047998A1 (de) * | 1970-09-30 | 1972-04-06 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung |
US3924321A (en) * | 1970-11-23 | 1975-12-09 | Harris Corp | Radiation hardened mis devices |
US3707656A (en) * | 1971-02-19 | 1972-12-26 | Ibm | Transistor comprising layers of silicon dioxide and silicon nitride |
US4058887A (en) * | 1971-02-19 | 1977-11-22 | Ibm Corporation | Method for forming a transistor comprising layers of silicon dioxide and silicon nitride |
US3760242A (en) * | 1972-03-06 | 1973-09-18 | Ibm | Coated semiconductor structures and methods of forming protective coverings on such structures |
FR2466101A1 (fr) * | 1979-09-18 | 1981-03-27 | Thomson Csf | Procede de formation de couches de silicium polycristallin localisees sur des zones recouvertes de silice d'une plaquette de silicium et application a la fabrication d'un transistor mos non plan autoaligne |
US4596627A (en) * | 1983-02-28 | 1986-06-24 | Hewlett-Packard Company | Etching a layer over a semiconductor |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
WO1997045955A1 (de) | 1996-05-24 | 1997-12-04 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2974075A (en) * | 1957-10-28 | 1961-03-07 | Bell Telephone Labor Inc | Treatment of semiconductive devices |
US3160539A (en) * | 1958-09-08 | 1964-12-08 | Trw Semiconductors Inc | Surface treatment of silicon |
US3088888A (en) * | 1959-03-31 | 1963-05-07 | Ibm | Methods of etching a semiconductor device |
-
1966
- 1966-05-11 US US549338A patent/US3438873A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-03-30 BE BE696330D patent/BE696330A/xx unknown
- 1967-04-03 IL IL27728A patent/IL27728A/xx unknown
- 1967-04-18 GB GB07721/67A patent/GB1188507A/en not_active Expired
- 1967-05-10 ES ES341094A patent/ES341094A1/es not_active Expired
- 1967-05-10 NO NO168092A patent/NO118985B/no unknown
- 1967-05-10 NL NL6706537A patent/NL6706537A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3438873A (en) | 1969-04-15 |
NL6706537A (no) | 1967-11-13 |
IL27728A (en) | 1970-09-17 |
ES341094A1 (es) | 1968-06-16 |
BE696330A (no) | 1967-09-01 |
GB1188507A (en) | 1970-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO118985B (no) | ||
DE69901142T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung mit Kupfer-Verbindungsleitungen | |
DE69332231T2 (de) | Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2754396C2 (no) | ||
DE3872859T2 (de) | Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat. | |
JP2000174025A (ja) | エレクトロマイグレ―ション抵抗力を有する微細構造及びその製造方法 | |
DE2901697C3 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Leitungsverbindungen auf einem Substrat | |
US3827949A (en) | Anodic oxide passivated planar aluminum metallurgy system and method of producing | |
DE10326273A1 (de) | Verfahren zur Reduzierung der Scheibenkontaminierung durch Entfernen von Metallisierungsunterlagenschichten am Scheibenrand | |
US3798135A (en) | Anodic passivating processes for integrated circuits | |
NO168092B (no) | Fortoeyningsanordning | |
US3294653A (en) | Method for fabricating printed circuit components | |
US3723258A (en) | Use of anodized aluminum as electrical insulation and scratch protection for semiconductor devices | |
JPS5970800A (ja) | アルミニウムコンデンサ箔のエツチング法 | |
US6727138B2 (en) | Process for fabricating an electronic component incorporating an inductive microcomponent | |
DE10341059A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren | |
GB2057513A (en) | Forming hydrous oxide layers on aluminium capacitor foils | |
CN104332330A (zh) | 一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法 | |
JPH06204403A (ja) | 表面積が極大化されたキャパシタ製造方法 | |
US3728236A (en) | Method of making semiconductor devices mounted on a heat sink | |
JPS591667A (ja) | シリコンに対する白金の無電解めつき法 | |
US3436285A (en) | Coatings on germanium bodies | |
DE2221072A1 (de) | Duennfilm-Metallisierungsverfahren fuer Mikroschaltungen | |
DE2224468A1 (de) | Verfahren zum aetzen von vorzugsweise glas- bzw. siliciumdioxydschichten | |
DE69837251T2 (de) | Elektrochemische Abscheidung von Metallen in Halbleiteranordnungen |