NL9100708A - Hf-aandrijfkring voor een ionenprojectie-drukkop. - Google Patents

Description

Uittreksel.

Teneinde de hf-leidingen (electroden) van een ionenprojec-tie-printkop of -cartridge te bekrachtigen worden aandrijfkringen verschaft die hf-signalen op hoge spanning genereren die korte stijg-tijd en afval-tijd hebben zodat stippen van variërende dichtheid in overeenstemming met een grijsschaal kunnen worden gevormd op een snel bewegend diëlectrisch oppervlak. Een afzonderlijke hf-aandrijfkring voor elke leiding is voorzien van een actieve schakelinrichting, bij voorkeur een FET. Een serieresonantiekring is aangesloten over de actieve inrichting. Deze kring wordt verkregen door een smoorspoel die in serie is verbonden met de effectieve capaciteit die wordt gepresenteerd door de hf-electrode van de ionenproj eetiekop die wordt bekrachtigd. De smoorspoel en de effectieve capaciteit bepalen een serieresonantiekring. De actieve inrichting wordt bekrachtigd via een pulsver-sterker door pulsen die zich herhalen met de hf-frequentie, en de actieve inrichting is aangesloten aan een voedingr bij voorkeur via een parallelresonantiekring, die de frequentieresponsie-karakteristiek verbreedt (de effectieve resonantiepiek zoals gemeten over de hf-electrode, af vlakt), zodat de stroom die door de inrichting heen wordt geschakeld, voldoende sterkte heeft om een piek-tot-piek-spanning te ontwikkelen over de effectieve capaciteit van de hf-electrode van de kop om hf-perioden met een voldoend hoge piek-tot-piek-spanning te verkrijgen. Deze perioden kunnen zo worden gepoort dat zij ionenstippen ontwikkelen op het diëlectrische oppervlak met de verlangde grijsschaal-gradering, waarbij de grootte van de ionenlading en de grijsschaal afhangen van het aantal perioden van de hf-aandrijfspanning dat wordt gebruikt bij het projecteren van ionen op het diëlectrische oppervlak.

Hf-aandriifkring voor een ionenproiectie-drukkop.

De uitvinding heeft betrekking op een hf-aandrijfkring, en in het bijzonder op hf-aandrij f kringen voor het ontwikkelen van een hoge spanning over een reactieve belasting bij hoge rf-frequenties die 5 MHz (bijvoorbeeld 10 MHz - 100 MHz en hoger) overtreffen.

De uitvinding is bijzonder geschikt voor toepassing bij het verschaffen van een hf-aandrijf kring voor het produceren van een hf-signaal met hoge spanning dat snel kan worden aangeschakeld en uitgeschakeld, op hf-aandrijfleidingen van een ionenprojeetie-drukkop of -cartridge. De uitvinding is eveneens bruikbaar bij andere toepassingen waar hf-aandrijfpulsen worden verlangd: bijvoorbeeld voor het aandrijven van een omzetter die wordt gebruikt bij ultrasone afbeel-dingstoepassingen en bij radar-toepassingen.

Drukken door middel van ionenprojectie, hetgeen ook bekend staat als beeldvorming door ionen-afzetting, maakt gebruik van ionenpro j eet iekoppen of -cartridges die een veelheid van hf-leidingen hebben die selectief worden aangedreven met hf-signalen met hoge spanning voor het genereren van een plasma. Ionen of electronen worden geprojecteerd vanuit deze plasma's onder de besturing van electrodes die ladingstippen kunnen afzetten op een diëlectrisch oppervlak op regels en wel met een uiterst hoge snelheid (een snelheid die voldoende is om honderden pagina's per minuut aan beelden te genereren). Het ontwerpen van dergelijke koppen en hun toepassing bij het drukken met ionenprojectie is het onderwerp van een artikel van J.R. Rumsey en D. Bennewitz onder de titel "Ion Printing Technology" dat verscheen in Journal of Imaging Technology, deel 12, nr. 3, juni 1986, blz. 144 en volgende.

Teneinde een ionen-afzettingsdrukinrichting met hoge snelheid te laten werken en om in het bijzonder grijswaarden te verkrijgen in de stippen die worden gedrukt, is het noodzakelijk geworden de hf-leidingen van de printkop te bekrachtigen met hoge hf-frequenties, bijvoorbeeld 10 MHz en hoger. Bij dergelijke frequenties worden de technieken die zijn voorgesteld voor het aandrijven van de rf-leidingen, onbevredigend vanwege de vraag naar uiterst hoge aan- drijfstromen door de actieve schakelinrichtingen die worden gebruikt, heen. Dergelijke schakelingen maken gebruik van een omhoog-transforma-tor om de nodige spanningen in responsie op een door de actieve inrichting geschakelde stroom te ontwikkelen. De capaciteit van de hf-leiding (ook genaamd de hf-electrode) is over de secundaire wikkeling van de omhoog-transformator aangesloten, waarbij deze parallelle resonantiekring resoneert bij de verlangde hf-frequentie. Bij betrekkelijk lage rf-frequenties in de orde van 1 MHz, waarbij dergelijke parallelresonantiekring-aandrijvers worden gebruikt, is de impedantie die door de transformator waarin de actieve inrichting werkt, gereflecteerde impedantie voldoende hoog om de toepassing van beschikbare praktische actieve inrichtingen mogelijk te maken. Bij nog hogere frequenties zakt de impedantie snel: de impedantieverandering varieert hierbij in overeenstemming met de hf-frequentie en het met kwadraat van de wikkelverhouding van de transformator. De stroom die door de actieve inrichting moet worden geschakeld, wordt dan zo hoog (bijvoorbeeld in de orde van 100 A) dat hij niet door bestaande inrichtingen kan worden gehanteerd, in het bijzonder inrichtingen zoals FET's, van de benodigde grootte. Het probleem blijft daarom het opwekken van hoogfrequente hf-energie met hoge spanning voor de hf-leidingen van de kop. Dit probleem wordt nog verergerd door de noodzaak de hf-energie aan en uit te schakelen met een korte stijgtijd en een korte afvaltijd van de omhulling zodat de hf-signalen kunnen worden in multiplex gebracht op een veelheid (bijvoorbeeld 20) hf-leidingen van de ionenprint kop.

Voor verdere informatie wat betreft gebruikelijke hf-aandrijfkringen voor ionenafzetting-drukkoppen wordt verwezen naar het Amerikaanse octrooischrift 4.841.313.

Het is dus het eerste doel van de uitvinding een verbeterde hf-aandrijfkring te verschaffen die in het bijzonder geschikt is voor het produceren van een hf-signaal met voldoende amplitude en met een voldoend korte stijgtijd en afvaltijd voor de omhullende om een ionenprojeetie-drukknop van een zeer snelle ionenprojeetie-printer te laten werken.

Een bijkomend doel van de uitvinding is het verschaffen van een verbeterde hf-aandrijfkring die hf-energie met hoge spanning levert met gebruikmaking van praktische en verkrijgbare actieve inrichtingen, en in het bijzonder van inrichtingen die in een voldoend kleine ruimte kunnen worden opgenomen om in de onmiddellijke nabijheid te worden geplaatst van de belasting die de energie uit de kring gebruikt♦

Nog een ander doel van de uitvinding is het verschaffen van een verbeterde hf-aandri j f resonantiekring waarin de hierboven besproken tekortkomingen van de tot nu toe bekende techniek in belangrijke mate worden vermeden.

In het kort maakt een hf-aandrijfkring volgens de uitvinding die een hf-wisselspanning van voldoende piek-tot-piek-amplitude kan leveren voor het produceren van een plasma wanneer hij wordt aangelegd aan de hf-leidingen van een ionenprojectiekop (waarbij de leidingen een effectieve capaciteit presenteren), gebruik van een actieve schakelinrichting en van een aandrijfkring en een voeding voor het leveren van stroompulsen aan de inrichting met een herhalingstijd die in verband staat met de hoge frequentie die wordt verlangd. Een smoorspoel is in serie met de inrichting en met de effectieve capaciteit die wordt geleverd door de leiding van de kop die moet worden» aangedreven, verbonden, waarbij de zelfinductie van de smoorspoel en~ de effectieve capaciteit een serieresonantiekring bepalen die resonant is bij de verlangde hf-frequentie. De aandrij f kring en de voeding voor het laten werken van de actieve inrichting zijn zo dat de stroompulsen een voldoende amplitude hebben om de verlangde piek-tot-piek-amplitude van de hf-spanning over de effectieve capaciteit (namelijk de reactie-ve belasting) te ontwikkelen. Met andere woorden, de actieve inrichting wordt aangedreven bij ongeveer de resonantiefrequentie van de serieresonantiekring vanuit een vaste frequentiebron (zoals de klok van de besturing van de ionendrukkop) of, bij wijze van alternatief, vanuit een terugkoppeling die is afgeleid uit de uitgang (over de effectieve capaciteit die wordt gepresenteerd door de hf-leiding die wordt aangedreven) die de hf-aandrijfkring omvormt in een oscillator-schema. Een secundaire belastingskring wordt bij voorkeur tussen de actieve inrichting en de voeding gebruikt om zo een tweede belasting van de actieve inrichting te bieden. Deze secundaire belastingskring is bij voorkeur een parallelresonantiekring die resoneert bij de verlangde hf-frequentie. Over deze belastingskring kan een weerstand zijn aangesloten voor het effectief dempen van de secundaire resonan- ties die worden opgeroepen door de toevoeging van deze secundaire belastingskring. Als gevolg van de geringe impedantie die wordt gecreëerd door de serieresonantiebelastingskring bij resonantie, loopt het grootste deel van de wisselstroom door de serieresonantiebelas-tingskring. De lage impedantie maakt tevens de spanningszwaai aan de uitgang van de actieve inrichting minimaal. De wisselstroom die wordt geschakeld door de actieve inrichting, kan worden bestuurd door het besturen van het signaal voor het aandrijven van de inrichting en de spanning die de wisselstroom daardoorheen levert, waarbij daardoor de grootte van de wisselstroom die loopt door de serieresonantiekring wordt bestuurd. Bij wijze van alternatief bepalen de verliezen van de serieresonantiekring (die kunnen worden voorgesteld als een weerstand die in serie met de serieresonantiekring is aangesloten), samen met de verliezen van de actieve inrichting en de spanning van de voeding de grootte van de wisselstroom die door de actieve inrichting wordt geschakeld en daardoor tot stromen wordt gebracht door de hf-leiding heen. De spanning die op de hf-electrode (elke hf-leiding van de ionenprojeetiekop) wordt gedrukt, is daarom van voldoende grootte (bijvoorbeeld 1600 V van piek tot piek) om het benodigde ioniserende veld te ontwikkelen.

De hierboven vermelde en andere doelen, kenmerken en voordelen van de uitvinding, zowel als een op dit moment de voorkeur-hebbende uitvoeringsvorm daarvan zullen duidelijker worden uit een lezing van de volgende beschrijving in samenhang met de bijgaande tekeningen waarin: figuur 1 een schema is van een hf-aandrijfkring volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding; figuur 2 grafieken zijn die de frequentie-responsie (grafiek B) van de hf-aandrij f kring, zoals gepresenteerd over de actieve inrichting (de afvoer-electrode van de FET) en (grafiek A) op de belasting (de effectieve capaciteit van de hf-electrode of de hf-leiding) tonen; figuur 3 zijn grafieken die een kenmerkende hf-wissel-stroomsalvopuls laten zien zoals deze verschijnt aan de afvoerelectro-de van de FET die is getoond in figuur 1 (grafiek B) en aan de hf-electrode van de ionenprojectiekop (grafiek A); figuur 4 is een schema net als in figuur 1 van de aan- drijfkring in een opzet als van een gepoorte oscillator.

In figuur 1 wordt een electrisch schema getoond van een uitvoeringsvorm van de uitvinding die op dit moment de voorkeur heeft en die is ontworpen voor het aandrijven van een hf-leiding 10 van een ionenprojeetiekop. Deze leiding kan één van twintig dergelijke leidingen zijn die naast elkaar zijn geplaatst en in de richting lopen waarin regels met stippen worden gegenereerd door de kop in overeenstemming met signalen die worden aangeboden aan stuurelectroden of vingers van de kop. Elke leiding 10 vertoont een effectieve capaciteit, aangeduid als C6, tussen de leiding en het aardingsvlak van de kop. In een kenmerkende kop is deze capaciteit 120 pF. De kop is aangesloten aan de aandrijfkring door middel van connectors die schematisch bij PI en P2 zijn aangegeven. De hf-aandrijfkring volgens figuur 1 is ontworpen voor het genereren van hf-energie bij 10 MHz en met een piek-tot-piek-spanning van 1,6 kV, zoals getoond met de signaalvorm A in figuur 3.

Het ingangssignaal RFDR wordt in de besturing voor de ionenprojeetieprinter opgewekt. Het is een pulstreintje met een, herhalingsfrequentie van 10 MHz in deze uitvoeringsvorm van de uitvin-s ding. Andere aandrijffrequenties (bijvoorbeeld vanaf 5 tot 100 MHz) kunnen worden toegepast afhankelijk van de druksnelheid en van het aantal grijswaarden dat wordt verlangd. De besturing kan bijvoorbeeldt gebruik maken van transistor/transistorlogica (TTL) zodat het pulstreintje RFDR tussen 0 en +5 V varieert. Het pulstreintje is via R4 en C4 gekoppeld aan de basis van een transistorversterker. Deze versterker wordt bedreven als een klasse-C versterker en levert een versterking van ongeveer 10. Q1 buffert daarom het RFDR pulstreintje en vergroot de amplitude van zijn pulsen tot ongeveer 15 V. De aangelegde tegenspanning zorgt ervoor dat Q1 uit (niet-geleidend) staat tot het RFDR-signaal wordt vrijgegeven.

Q2 en Q3 vormen een klasse-B emittervolger-bufferversterker. Zij worden aangedreven door de versterkte (15 V) RFDR pulsen uit de trap Ql. Zij zorgen voor een geringe uitgangsimpedantie voor het aandrijven van de sterk capacitieve en betrekkelijk geringe impedantie (bijvoorbeeld 100 ohm bij 10 MHz) van de belasting die door de stuur-electrode van Ml wordt gepresenteerd. Dit zorgt ervoor dat de stijg-tijd en de afvaltijd van de voorkant, respectievelijk de achterkant van de pulsen minimaal zijn. D4 en D3 werken als onderdrukkers van spanningspieken. De gelijkstroom voor de FET Ml wordt geleverd uit een voeding (+80 V). Deze voeding is voorzien van ruisfilterende condensatoren Cl en C7 die zijn aangesloten over de voeding (tussen +80 V en de referentiepotentiaal). De kleinste van de twee condensatoren Cl filtert hf-ruis, terwijl de grotere electrolytische condensator C7 filtert ruiscomponenten van lage frequentie uit. Dit zorgt voor een lage wisselspanningsimpedantie van de voeding. Op dezelfde wijze zijn parallel aangesloten condensatoren C3 en C5 aangesloten over de 15 V voeding (tussen +15 V en referentiepotentiaal) om te zorgen voor een lage impedantie van de voeding.

Een smoorspoel LI is in serie met de hf-electrode of leiding-capaciteit C6 aangesloten waardoor een serieresonantiekring ontstaat die resoneert bij 10 MHz, de frequentie van het hf-signaal dat de rf-leiding bekrachtigt. Deze serieresonantiekring die een zeer geringe impedantie heeft bij of nabij zijn resonantiefrequentie en een oplopende impedantie bij frequenties van de resonantiefrequentie vandaan, is de overheersende belasting voor de FET Ml onder continue bedrijfsomstandigheden. Een kenmerk van resonantieketens is -Q, een waarde die de dempingsfactor van alle weerstandsverliezen in de resonantiekring voorstelt. In deze uitvoeringsvorm van de uitvinding is de resistieve verliescomponent van de impedantie die door de belasting wordt gepresenteerd, dat wil zeggen de waarde van een equivalente serieweerstand, in serie geplaatst met de serieresonantiekring, plus de weerstand van de FET Ml in geleidende toestand, kenmerkend ongeveer 6 ohm. Met een 80 V voeding stelt dit de FET Ml in staat een stroom van ongeveer 1300 A door de serieresonantiekring heen te schakelen. Omdat wordt gewerkt in de serieresonantie-modus wordt een hoge spanning van ongeveer 1700 V piek-tot-piek tot verschijnen gebracht over de hf-leiding (C6) die hoger is dan de spanning aan de af voer van de FET Ml (ongeveer 80 V piek-tot-piek). De spanning over de hf-leiding (C6) wordt getoond in de kromme A in figuur 3. De spanning over de FET (aan de afvoer van Ml) wordt getoond in de kromme B in figuur 3.

Een secundaire belastingskring die bestaat uit L2 en C2, is aangesloten tussen de gelijkspanningsvoeding (+80 V) en de afvoer. Behalve dat deze een bron van gelijkstroom voor de FET Ml oplevert, creëert deze kring samen met LI en C6 secundaire parallelle resonanties aan weerszijden van de serieresonantiefrequentie van LI en C6. Deze secundaire parallelresonanties die worden gedempt door de shunt-weerstand Rl, verbreden de effectieve resonantiepiek van de kring tot buiten die van de serieresonantiekring die bestaat uit alleen maar Ll en C6. De plaats van de secundaire parallelresonantiepieken wordt bepaald door de waarden van Ll, C6, L2 en C2. Rl is zo gekozen dat de responsie tussen de twee parallelresonantiepieken afvlakt om daardoor een gelijkmatige frequentieresponsie te creëren tussen deze pieken bij meting over C6. Dit wordt gedaan met het doel de stijgtijd en de afvaltijd van de omhullende van de hf-spanning (de stijgtijd en de afvaltijd worden getoond aan het begin, respectievelijk het eind van de signaalvorm A in figuur 3) minimaal te maken. De in verhouding lange stijgtijd van de omhullende (in vergelijking met de afvaltijd van de omhullende) in de getoonde kring is te wijten aan beperkingen in de voedingsspanning die de snelheid waarmee energie in de belasting kan worden gepompt, begrenzen. De korte afvaltijd wordt bereikt omdat de in de serieresonantiekring opgeslagen energie gelegenheid krijgt, een veel hogere spanning aan de afvoer van de FET Ml te veroorzaken voordat deze energie door D2 (een "transorb" zenerdiode) wordt gedis-sipeerd. Dl en D2 zijn naar keuze en regelen de piekspanning aan de af voer van Ml bij het wegnemen van het aandrijf signaal RFDR (de FET Ml wordt uitgeschakeld).

In bedrijf veroorzaakt de aan de stuurelectrode van de FET Ml aangelegde aandrijf spanning dat stroom uit de voeding (+80 V) wordt getrokken bij het schakelen naar zijn geleidende toestand, welke stroom een voldoende amplitude heeft voor het genereren van het verlangde (1,6 kV piek-tot-piek amplitude) hf-signaal op de hf-leiding 10 (over C6) (dat wil zeggen het product van de impedantie van de belasting en de stroom is voldoende voor het produceren van de verlangde piek-tot-piek-spanning).

Het kan ook wenselijk zijn de aandrijver te laten werken als een oscillator als in plaats van als een versterker. Zoals getoond in figuur 4 is een terugkoppelkring met een condensator C6 aangesloten tussen de uitgangsklem (tussen Ll en C5) van de hf-leiding en de uitgang van de tweede trap van een instelschakelaar (de trap met Q2 en Q3). Een spanningdeler (R5, R4 en C7) wordt gebruikt voor het kiezen van de amplitude van de terugkoppelspanning. De oscillator wordt aangezet door het hf-vrijgeefsignaal dat wordt aangeboden aan de eerste trap (Ql) van de instelschakelaar).

üit de hierboven staande beschrijving zal duidelijk zijn dat er een verbeterde hf-aandrijfkring wordt verkregen die bijzonder geschikt is voor het aandrijven van de hf-electroden of -leidingen van een ionenprojeetiekop. Variaties en modificaties in de hierin beschreven kring binnen de strekking van de uitvinding zullen zichzelf zonder enige twijfel voordoen aan de vakman. Bijvoorbeeld kan afhankelijk van de frequentie waarbij wordt gewerkt, extra capaciteit worden toegevoegd parallel aan de belastingscapaciteit van de hf-electrode om de relatieve impedanties van de serieresonantiekring en de parallelreso-nantiekring bij te stellen: in feite het wijzigen van de plaats van de dubbele pieken van de grafiek B in figuur 2. De belasting kan een inductieve belasting en een serieresonantie die wordt verkregen met een condensator, zijn. De getoonde kring is ook uitvoerbaar doordat de kring een hoge spanning levert die hoger is dan 1 kV piek-tot-piek wisselstroom bij hoge hf-frequenties en een korte stijgtijd en afval-tijd van de omhullende van de hf-spanning over de belasting. De referentiepotentiaal kan de voorinstelling zijn op het scherm van de ionenprojectiekop (bijvoorbeeld -650 V) in plaats van aarde, zoals getekend. Het zal duidelijk zijn dat de waarden van de componenten die zijn gegeven in de figuren 1 en 4, dienen ter toelichting en geen beperking zijn.

Claims (18)

1. Kring voor het genereren van een hf-wisselspanning met voldoende piek-tot-piek amplitude om een plasma te produceren bij aanleggen aan hf-leidingen die een effectieve capaciteit vertonen, van een ionenprojectiedrukkop, welke kring is voorzien van middelen waaronder een actieve schakelinrichting voor het verschaffen van stroompulsen door de inrichting met een herhalingstijd die in verband staat met de hoge frequentie, een smoorspoel die in serie is aangesloten met de inrichting en de effectieve capaciteit welke smoorspoel en effectieve capaciteit een serieresonantiekring bepalen die resonant is bij de hf-frequentie, en de stroompuls leverende middelen zijn voorzien van een orgaan voor het verschaffen van de stroompulsen met een voldoende amplitude om de voldoende piek-tot-piek amplitude over de effectieve capaciteit te ontwikkelen.

2. Kring volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de wisselstroomfrequentie hoger is dan ongeveer 5 MHz.

3. Kring volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de wisselstroomfrequentie in de orde van grootte van 10 MHz is.

4. Kring volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de serieresonantiekring een eerste frequentieresponsie heeft over de effectieve capaciteit, en dat voorts middelen aanwezig zijn die een tweede frequentieresponsiekarakteristiek bepalen over de effectieve capaciteit die breder is dan de eerste frequentieresponsie.

5. Kring volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de middelen voor het leveren van de stroompulsen door de· inrichting zijn voorzien van een bron van gelijkspanning en van een parallelresonan-tiekring die resoneert bij de hf-frequentie en in serie met de bron en de actieve inrichting is aangesloten.

6. Kring volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat verder een weerstand aanwezig is die is aangesloten over de parallelresonan-tiekring voor het afvlakken van de tweede frequentieresponsie.

7. Kring volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de actieve inrichting een stuurelectrode heeft en de middelen voor het zo leveren van de stroompulsen dat zij een voldoende amplitude hebben, een bron van de pulsen omvatten, alsmede een pulsversterkerorgaan dat reageert op de pulsen uit de bron, voor het aandrijven van de stuurelectrode.

8. Kring volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat het pulsversterkerorgaan is voorzien van een klasse "C"-versterkertrap die is aangesloten aan de pulsbron, en van een tweede kring met bipolaire transistoren van tegengesteld geleidingstype waarvan de collector-emitter-wegen in serie zijn aangesloten en waarvan de basiscontacten zijn aangesloten aan de klasse "C"-trap om een complementaire emitter-volgertrap te verschaffen, waarbij een verbindingspunt tussen de transistoren in de aangesloten collector/emitterwegen daarvan is aangesloten aan de stuurelectrode.

9. Kring volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de middelen voor het verschaffen van de reeks stroompulsen aan de inrichting omvatten een gelijkspanningsbron en een parallelresonantiekring die resoneert bij de hf-frequentie en die is aangesloten in serie met de bron en de actieve inrichting.

10. Kring volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de actieve inrichting een FET is met een stuurelectrode, een toevoerelec-trode en een afvoerelectrode, waarbij de serieresonantiekring is aangesloten tussen de aanvoerelectrode en de afvoerelectrode.

11. Kring volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de parallelresonantiekring is aangesloten tussen de afvoerelectrode en de gelijkspanningsbron.

12. Kring volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de middelen voor het leveren van de stroompulsen zijn voorzien van een orgaan voor het terugkoppelen van de spanning over de effectieve capaciteit naar de actieve inrichting om een oscillator te bepalen die werkt bij de hf-frequentie.

13. Kring volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat verder middelen aanwezig zijn voor het vrijgeven van de oscillator die is aangesloten aan de middelen voor het terugkoppelen van de spanning.

14. Hf-aandrij fkring voor het aandrijven van een belasting die een reactieve impedantie vertoont bij een voorafbepaalde piek-tot-piek spanning van een bepaalde hoge frequentie, voorzien van een actieve inrichting, een gelijkspanningsbron die is aangesloten aan de inrichting, een orgaan voor het aandrijven van de inrichting naar een aan-stand en een uit-stand om de stroom van een piek-amplitude te schakelen waarvan het product en de reactantie van de belasting overeenkomt met de piek-amplitude van de piek-tot-piek spanning met een frequentie die in verband staat met de hoge frequentie, een reactantie die is aangesloten aan de belasting en die een waarde van de reactieve impedantie heeft om met de belasting een serieresonantie-kring te bepalen die resoneert bij de hoge frequentie, waarbij de serieresonantiekring is aangesloten over de inrichting.

15. Kring volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat verder een parallelresonantiekring aanwezig is bij dezelfde frequentie die is aangesloten in serie met de gelijkspanningsbron en de inrichting.

16. Kring volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat verder een weerstand aanwezig is die is aangesloten aan de parallelresonantiekring voor het verminderen van de Q van de parallelresonantiekring.

17. Kring volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat verder een bron van aandrijfpulsen bij de frequentie aanwezig is, waarbij de actieve inrichting een stuurelectrode heeft, en een puls-versterker die de aandrijfpulsen verbindt met de toevoerelectrode en de amplitude daarvan voldoende vergroot om een stroom van de piek-amplitude te leveren voor de spanning die is aangelegd aan de inrichting vanuit de gelijkspanningsbron.

18. Kring volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat het aandrijforgaan wordt verschaft door een terugkoppelkring die is aangesloten tussen de belasting en de actieve inrichting om een oscillator te bepalen die werkt bij de frequentie.