NL8501542A - Ladingsgekoppelde inrichting. - Google Patents

Description

f i EHN 11.398 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

"Ladingsgekoppelde inrichting".

De uitvinding heeft betrekking op een ladingsgekoppelde inrichting omvattende een monokristallij n half geleider lichaam met een aan een hoofdoppervlak grenzend laagvormig gebied van het ene geleidingstype dat is voorzien van : een ladingstransportkanaal voor het opslaan en trans-5 porteren van ingevoerde informatie in de form van ladingspakketten; elektrische aansluitmiddelen voor het aanleggen van een spanning aan het laagvcrmige gebied; een ingangscircuit, omvattende een zone, ingangsdiode genoemd van het tweede geleidingstype, en middelen cm aan de ingangsdiode een signaalafhankelijke spanning toe te voeren.

10 Ladingsgekoppelde inrichtingen waarin het ingangssignaal als een spanning aan de ingangsdiode wordt toegevoerd zijn algemeen bekend.

Door aan de eerste opslagelektrede (input gate) een geschikte spanning aan te leggen wordt in het kanaal een potentiaalkuil geïnduceerd, die gevuld kan worden net een ladingspakket. Tussen de ingangsdiode en de 15 eerste opslagelektrode is een hemonsteringspoort aanwezig, met behulp waarvan de ingangsdiode en het genoemde ladingspakket met elkaar kunnen warden verbonden en van elkaar kunnen warden geïsoleerd. De grootte van het ladingspakket hangt af van de potentiaal van de ingangsdiode en daarmee van het ingangssignaal. In het algemeen wordt het nul-niveau, althans 20 bij oppervlakte-CCD1 s, zodanig gekozen dat ook bij een ingangssignaal 0, enige lading in de genoemde potentiaalkuil wordt ingevoerd (fat-zero of referentielading). Het maximum-niveau hangt af van de diepte van de potentiaalkuil. Wanneer het ladingspakket en de ingangsdiode van elkaar geïsoleerd zijn, kan het ladingspakket verder getransporteerd worden, bij-25 voorbeeld door aan de eerstvolgende klokelektrode een voldoende hoge spanning aan te leggen waardoor onder deze klokelektrode een diepere potentiaalkuil wordt gevormd, die het ladingspakket qpneenrt.

In de praktijk is gebleken dat met een dergelijk ingangscircuit vaak onverwacht grote vervormingen van de signalen optreden. Deze ver-30 vormingen kunnen zelfs zo groot zijn, dat bijvoorbeeld bij digitale informatie waarbij slechts een "0 "-niveau en een "1 "-niveau (volle errmer) voorkanen, het moeilijk is aan de uitgang deze niveaus onderling te onderscheiden, omdat het "Q"-niveau (lege emmer) praktisch volgelopen is.

85 51β 4 2 PHN 11.398 2

Deze vervormingen treden in het bijzonder op in ladingsgekoppelde inrichtingen waarbij de klokelektreden een overdrachtgedeelte en een opslag-gedeelte omvatten, waarbij inwendig middelen aanwezig zijn, zoals verschil in doteringsconcentratie of verschil in oxydedikte, om een verschil in 5 drempelspanning te genereren. Een dergelijke elektrodenconfiguratie komt bijvoorbeeld voor in een 2-phase CCD, waarbij onder het overdrachtgedeelte een potentiaalbarrière ten opzichte van het opslaggedeelte dient te worden gevormd. Door deze asymetrische configuratie wordt, zoals algemeen bekend, bereikt dat er slechts ladings transport in één richting kan 10 plaatsvinden.

De uitvinding beoogt een ladingsgekoppelde inrichting van de in de aanhef beschreven soort aan te geven, waarin deze vervormingen van de signalen praktisch geheel worden vermeden.

Een ladingsgekoppelde inrichting volgens de uitvinding is daar-' 15 door gekenmerkt dat genoemde middelen een spanningsdeler omvatten met een verbindingspunt dat gekoppeld is met de ingangsdiode en met een eerste weerstandselement tussen het verbindingspunt en een referentiespanning, en een tweede weerstandselement tussen het verbindingspunt en V , dat een, tuiten het monokristallijne half geleider lichaam aangebrachte element 20 omvat.

De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat de lekstromen die de hier beschreven signaalvervormingen veroorzaken, voor een groot deel het gevolg zijn van overspraak tussen het half geleider substraat en de klokelektroden, waardoor althans plaatselijk de potentiaal van het 25 substraat (of althans het laagvormige gebied van het substraat) met de klokspanningen mee varieert. Door deze spanningsvariaties kunnen pn-overgangen in het ingangscircuit, in het bijzonder van zones die aan de substraatspanning VRR zijn gelegd, en zelf minder gevoelig voor klokover-spraak dan het substraat zijn, periodiek in de voorwaartsrichting worden 30 voorgespannen en lading in het substraat injecteren die althans ten dele bij de signaallading wordt gevoegd. Door toepassing van een buiten het halfgeleiderlichaam aangebracht weerstandselement, bijvoorbeeld van een polykristallijne weerstand, is het mogelijk de aanwezigheid van zones die op substraatspanning νββ worden voorgespannen te vermijden en daarmee de 35 beschreven signaalvervorming te voorkomen.

De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de bijgaande schematische tekening waarin figuur 1 een doorsnede van een ladingsgekoppelde inrichting geeft; 8501542 ESN 11.398 3 figuur 2 de potentiaalverdeling die op twee tijdstippen tijdens bedrijf in het in figuur 1 getoonde deel, in de inrichting wordt geïnduceerd; figuur 3 de klokspanningen 0^, die aan de inrichting volgens 5 figuur 1 worden aangelegd, als functie van de tijd t weergeeft; figuur 4 een ingangscircuit voor de inrichting van figuur 1 volgens de uitvinding weergeeft; figuur 5 het schakelschema van een in figuur 4 schematisch weergegeven cmkeertrap geeft; 10 figuur 6 een bovenaanzicht van een in figuur 4 toegepaste span- ningsdeler geeft; figuur 7 een doorsnede van deze spanningsdeler langs de lijn VII-VII in figuur 6 geeft.

De uitvinding zal worden toegelicht aan de hand van een n-kanaal 15 oppervlakte CCD. Het zal echter voor de vakman duidelijk zijn dat het principe van de uitvinding ook in p-kanaal CCDrs in ladingsoverdrachtinrich-tingen van het errmertjesbrigadetype of in ladingsgekoppelde inrichtingen van het begraven kanaaltype toepasbaar is.

Figuur 1 toont een cp zichzelf bekende 2-phase ladingsgekoppelde 20 inrichting. De inrichting is aangebracht in een halfgeleiderlichaam 2 van silicium, waarvan althans een aan het oppervlak 3 grenzend gebied 4 van het p-type is. Gewoonlijk is het gehele halfgeleiderlichaam 2 van het p-type. In het gebied is het ladingstransportkanaal 5 gedefinieerd, voor het opslaan en transporteren van informatie in de vorm van ladingspakket-25 ten van elektronen. Boven het kanaal 5 is een dunne diëlaktrische laag 6 aangebracht, die in dit voorbeeld bestaat uit een ongeveer 30^nm dikke oxide laag, maar die uiteraard ook andere diëlektrische materialen, zoals siliciumnitride, of combinaties van andere materialen kan omvatten. Cp de oxidelaag 6 zijn in een 2-laags installisering klokelektroden 7,8 aange-30 bracht, geschikt voor 2-phase bedrijf, die een opslaggedeelte 7a respek-tievelijk 8a, en een o verdrachts gedeelte 7b respectievelijk 8b omvatten.

De opslaggedeelten 7a, 8a zijn aangebracht in een eerste metalliserings-laag, in het bijzonder in een polykristallijne siliciumlaag. De over-drachtsgedeelten 7b, 8b zijn van Al, maar kunnen uiteraard ook van poly-35 kristallijn silicium of een andere geschikte geleider zijn gemaakt. De klokelektroden 7, 8 zijn verbonden met een klokspanningsbron waarmee de klokspanningen φ^ respectievelijk 02 worden aangelegd. Cm de ladingstrans-portrichting vast te leggen (van links naar rechts) zijn onder de Al- 5.-Ó0 1 54 2 PEN 11.398 4 gedeelten 7b, 8b, p-zones 9 aangebracht, net een hogere dotering dan het gebied 3, die zoals bekend, bewerkstelligen dat, bij het aanleggen van dezelfde spanning aan de opslaggedeelten en de overdrachtsgedeelten, onder de overdrachtsgedeelten een potentiaalbarriêre (voor elektronen) en onder 5 de opslaggedeelten een potentiaalkuil geïnduceerd worden. In plaats van p-zones 9, kan deze asymetrie ook net andere, op zichzelf bekende technieken verkregen worden, zoals bijvoorbeeld door dikker oxide onder de overdrachtgedeelten 7b, 8b.

De ingang omvat een n-type oppervlaktezone 11, verder ingangs-10 diode genoemd, die voorzien is van een elektrische aansluiting 12 voor het toevoeren van ingangssignalen. De ladingspakketten worden gevormd onder een ingangspoort 13, die via de aansluiting 14 aan d.c.-spanning wordt gelegd. De verbinding tussen het opslaggebied onder de ingangspoort 13 en de ingangsdiode 11 kan worden gesloten c.g. verbroken door middel 15 van de poort 15, (bemonsteringspoort), waaraan de klokspanning ^ wordt aangelegd. De ingangspoortelek trede 13 en de bemons ter ingspoort 15 zijn in de polykristallijne silicium respektievelijk Al-laag aangebracht.

Onder de bemons ter ingspoort 15 is een p-zone 9 aangebracht identiek aan de zones 9 onder de overdrachtgedeelten 7b, 8b van de klokelektroden 7,8.

20 De bemonsteringspoort 15 kan direkt naast de ingangsdiode 11 worden aangebracht. In het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld echter is tussen de bemonsteringspoort 15 en de ingangsdiode 11 nog een extra poort 17 aangebracht, die aan een d.c.-spanning wordt gelegd, en die een aantal voordelen biedt. In de eerste plaats voorkomt deze poort dat klokspan-25 ningen overspreken op de ingangsdiode. Bovendien heeft deze poort, die in de polykristallijne siliciumlaag wordt verwijderd, het voordeel dat de definitie van de M-bemons ter ingspoort 15 beter is.

Tijdens bedrijf wordt aan het p-type halfgeleidergebied 3 een negatieve spanning V.^ van bijvoorbeeld -3,5 Volt via de aansluiting 18 30 aangelegd. Aan de klokelektroden 7, 8 worden de klokspanningen respektievelijk J2>2 aangelegd, die in figuur 3 als functie van de tijd t zijn weergegeven, en die tussen een hoog niveau van bijvoorbeeld 5V en een laag niveau van bijvoorbeeld OV (aarde) variëren. De ingangspoort 13 wordt aan aarde gelegd, en de poort 17 aan de (positieve) voeding Vdd, 35 zodat onder de poort 17 altijd een geleidend kanaal aanwezig is. De ingangsdiode 11 varieert, afhankelijk van de in te voeren informatie, tussen een laag niveau van bijvoorbeeld -2.5V (vol ladingspakket) overeenkomend met een logische "1" en 'een niveau van ongeveer 0.2V (fat zero) t 1 £ A 9 .¾ v' o J ^ L· %- « PHN 11.398 5 overeenkomend met een logische "0".

In de figuren 2a, b,c zijn de potentiaalprofielen getekend die in het in figuur 1 weergegeven deel van de ladingsgakoppelde inrichting geïnduceerd worden op de in figuur 3 aangegeven tijdstippen t^, res-5 pektievelijk t^. Zoals gebruikelijk is de positieve potentiaal naar beneden uitgezet. Het niveau van de potentiaal van de ingangsdiode 11, overeenkomend met een logische "1" is met de lijn 20 aangegeven. Het niveau, overeenkomend met een "0" is net de onderbroken lijn 21 aangegeven. In figuur 2a is de situatie weergegeven dat ~ ov' na een 10 jZ^-puls in figuur 3). De informatie is nu opgeslagen onder de klok-elektroden 8. In de tekening is een klein pakket 22 weergegeven, dat een ”0" voorstelt en een groot (vol) pakket 23, dat een ”1" voorstelt. Tegelijk is onder de ingangspoort 13 een pakket 24 gevormd dat met een "1" overeenkomt. De verbinding tussen dit pakket 24 en de ingangsdiode 11 is 15 door de potentiaalbarriêre onder de barons ter ingspoort 15 geblokkeerd.

Op t2 is P-j hoog, waardoor de ladingspakketten 22-24 worden overgeheveld naar potentiaalputten onder de klokeléktroden 7a. Dit is in figuur 2b ver gegeven. In figuur 2c is de situatie weergegeven dat bij een (t3 in figuur 3) de ladingspakketten worden overgeheveld naar potentiaal-20 kuilen onder de klokelektreden 8a. Tegelijk wordt de potentiaalbarriêre onder de banons ter ingselek trede 15 afgebroken, waardoor weer lading van de ingangsdiode in de potentiaalkuil onder de ingangspoort 13 kan stromen.

Voor een goed ladingstransport moeten de klokspanningen φ^, 02 25 zo groot zijn dat de potentiaalbarrières onder de overdrachtgedeelten 7b, 8b van de ontvangende klokelektroden beneden de potentiaalkuilen van de opslaggedeelten 7a, 8a van de andere klokelektroden die op het lage niveau staan, liggen. Door de grote amplituden van de klokpulsen kan ook de potentiaal van het qppervlaktegebied 4 reet de klokken φ^ en 30 β2 ^°°r capacitieve overspraak mee variëren. Figuur 4 geeft het schakelschema van een ingangscircuit volgens de uitvinding dat zodanig is qpge-bouwd dat voorkomen wordt dat door genoemde klokoverspraak pn-overgangen in de voorwaartsrichting warden gezet en daarmee signaalvorming kunnen veroorzaken. Het circuit bevat daartoe een spanningsdeler 26 met twee 35 verstandselementen 27 en 28 tussen een referentiespanning (aarde) en een verbindingspunt 29 respektievelijk tussen het verbindingspunt 29 en een punt met de substraatspanning v . De ingangsdiode 11 is, via de

DD

geleider 12, en via een schakelaar 30 verbonden met het verbindingspunt 29, 83^1 SΛ 9 ·-/ V -» * v L.

PHN 11.398 6

Volgens de uitvinding wordt het element 28 dat net V_ is verbonden, ge-vormd door een element dat buiten het substraat 2 is gelegen. Doordat het element 28, dat van alle circuitelementen van het ingangscircuit met de laagste potentiaal is verbonden, buiten het substraat 2 (oppervlakte-5 gebied 4) is gelegen en derhalve geen pn-overgang met het substraat vertoont, zullen potentiaalfluctuaties in het substraat geen of althans praktisch geen invloed op het element 28 hebben. Doordat verder de overige circuitelementen, of delen daarvan, aan een hogere potentiaal liggen, zullen pn-overgangen die deze elementen (of delen daarvan) net het sub-10 straat vormen steeds gesperd blijven, ook wanneer potentiaalfluctuaties in het substraat optreden ten gevolge van klokoverspraak.

In praktische uitvoeringen kan de spanningsdeler of althans het element 28 gevormd worden door elementen c.q. een element dat buiten de omhulling waarin de ladingsgekcppelde inrichting gebruikelijkerwijze wordt 15 aangebracht is gelegen. In het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld echter is het weerstandselement 28 aangebracht boven op het halfgeleiderlichaam 2, in het bijzonder, als een weerstand van polykristallijne silicium materiaal. Het weerstandselement 27 kan daarbij desgewenst uit een gebruikelijke MOS-trans is tor, die in het lichaam 2 is genoemd, bestaan. In de 20 hier te beschrijven uitvoering echter wordt het element 27 ook door een polykristallijne siliciumweerstand gevormd. In figuur 6 en 7 zijn een bovenaanzicht respektievelijk een dwarsdoorsnede van de spanningsdeler 26 weergegeven. De weerstand is aangebracht op de, relatief dikke oxidelaag 32 die de delen van het oppervlak 4 buiten de aktieve gedeelten, bedekt.

25 De weerstanden 27, 28 kunnen uit dezelfde polykristallijne siliciumlaag als de klokelektroden 7a, 8a worden vervaardigd. De vierkantsweerstand van deze laag bedraagt ongeveer 30 ohm. Om, binnen een redelijke oppervlakte, een voldoende hoge weerstandswaarde te verkrijgen is de weerstand opgevouwd, waardoor een meanderstruktuur ontstaat met een totale 30 weerstand tussen 10 en 15 kn.JJe meander cmvat drie aansluitingen, namelijk de aansluitingen 33 en 34 aan de uiteinden, die verbonden worden net ν„_

BB

respektievelijk aarde, en de aansluiting 35 die korrespondeert met het verbindingspunt 29 in figuur 4. De plaats van aansluiting 29 kan nauwkeurig bepaald worden uit de verhouding van de weerstanden 27 en 28. Het 35 polymateriaal kan, na de definitie van de meander, met thermische oxide 36 bedekt worden, tegelijk roet het aanbrengen van het oxide op de poly-elektroden 7a en 8a. In deze oxidelaag kunnen contactgaten worden aangebracht ter plaatse van de aansluitvlakken 33-35, waarna op, op zichzelf 8501542 PHN 11.398 7 takende wijze, Al-contacten en Al-geleidersporen kunnen worden aange-hracht.

Het referentieniveau voor het "0"-signaal (fat zero) wordt gegenereerd roet de spanningsdeler 37, met de verbindingspcort 38 tussen 5 twee weerstandselementen, voor het afnemen van de referentiespanning.

De spanningsdeler 37 die geschakeld is tussen aarde en het verbindingspunt 29, kan van een soortgelijke opbouw zijn als de spanningsdeler 26.

In het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld echter cravat de spanningsdeler 37 een derde weerstaröseleraent 39 en een vierde weerstandselement 40 in 10 de vorm van veldeffekttransistoren, waarbij de transistor 39 tussen aarde en het verbindingspunt 38 is geschakeld en de transistor 40 tussen het verbindingspunt 38 en het verbindingspunt 29. De poortelektroden van de transistoren 39 en 40 zijn roet aarde verbonden. De potentiaal in punt 38, bijvoorbeeld -0.2V, kan door de vakman op eenvoudige wijze inge-15 steld worden door middel van de geometrische verhouding van de transis-toren 39 en 40.

Het verbindingspunt 38 is via een schakelaar, bestaande uit een MOS-trans is tor 41, en via de aansluiting (geleider) 12 met de ingangs-dicde 11 verbonden. De poorten van de MOS-trans is toren 30 en 41 zijn ver-20 bonden met de uitgang en van twee, in serie geschakelde crakeerschakeling-en 42 respektievelijk 43. De informatie wordt via de ingangsklem 44 van crakeerschakeling 43 toegevoerd. Wanneer = 1 (hoog) dan is het uitgangssignaal van crakeerschakeling 43 laag waardoor transistor 41 niet-geleidend is. Het uitgangssignaal van crakeerschakeling 42 is weer hoog, 25 zodat transistor 30 geleidend is, en de ingangsdiode 11 via geleiders 12 met het punt 29 wordt verbonden. Omgekeerd is, bij Vin = 0 (laag) transistor 41 geleidend en is transistor 30 niet-geleidend waardoor de ingangsdiode 11 met het punt 38 wordt verbonden. De cmkeerschakelingen 42, 43 kunnen van een op zichzelf bekende samenstelling zijn, zoals in Figuur 30 5 wordt getoond. De schakeling omvat een cmkeertransistor 45 waarvan de aanvoerzone, met Vgs (aarde) is verbonden. De ingangssignalen worden toegevoerd via de klem 46 aan de poortelektrode van de transistor 45. De afvoer van transistor 45 is verbonden met de aanvoer van een belastings-transistor 47. De poortelektrode van deze transistor - die van het ver-35 armingstype is - , is met zijn aanvoer verbonden. De afvoer van de transistor 47 is met de positieve voeding verbonden. Het uitgangssignaal van de crakeerschakeling kan aan de klem V ^ warden af genomen.

Opgemerkt wordt dat de laagste potentiaal die in de crakeerscha- Λ -S * * * I ƒ5 s -Jr W v * V .

PHN 11.398 8 kelingen 42, 43 optreedt de aardpotentiaal Vgg is. Aangezien deze potentiaal veel hoger is dan Vgg, zal ook in de otikeerschakelingen 42, 43 geen of nauwelijks enig gevaar bestaan dat door klokoverspraak tussen het substraat en de klokelektroden pn-overgangen in de ankeerschakelingen in de 5 voorwaarts komen te staan..

Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet is beperkt tot het hier gegeven uitvoer ingsvoorbeeld, maar dat binnen het kader van de uitvinding voor de vakman nog veel variaties mogelijk zijn. Zo kan de uitvinding met voordeel in andere typen ladingsgekoppelde inrichtingen 10 dan hier beschreven woorden toegepast, zoals bijvoorbeeld in 1 bit/elek-trode ladingsgekoppelde inrichtingen waarbij in een groep van m opeenvolgende elektroden (mr1) bits worden opgeslagen, en waarbij het transport plaatsvindt door de lege emmer in de richting tegengesteld aan de ladingstransportrichting te verplaatsen. Verder kan het weerstandsele-15 ment 28 ook gevormd worden door een ander schakelingselement dan een weerstand, bijvoorbeeld een in de polykristallijne siliciumlaag aangebrachte MOS-trans istor.

20 25 30 35 8 ü 0 1 5 4 2

Claims (9)

1. Ladingsgekoppelde inrichting omvattende een monokristallijn half geleider lichaam met een aan een hoofdoppervlak grenzend laagvormig gebied van het ene geleidingstype dat is voorzien van : een ladingstrans-portkanaal voor het opslaan en transporteren van ingevoerde informatie in 5 de vorm van ladingspakketten; elektrische aansluitmiddelen voor het aanleggen van een spanning aan het laagvormige gebied; een ingangscircuit, omvattende een zone, ingangsdiode genoemd van het tweede geleidings type, en middelen cm aan de ingangsdiode een signaalafhankelijke spanning toe te voeren; met het kenmerk dat genoemde middelen een spanningsdeler cm- 10 vatten met een verbindingspunt dat gekoppeld is met de ingangsdiode en met een eerste weerstandselement tussen het verbindingspunt en een refe-rentiespanning, en een tweede weerstandselement tussen het verbindingspunt en Vgg, dat een, buiten het monokir s talli j ne half geleider lichaam aangebracht element omvat.

2. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 1, met het ken merk, dat boven het ladingstransportkanaal een rij van klokelektroden aanwezig is, die elk, in de ladingstransportrichting gezien, achter elkaar, een overdrachtdeel en een opslagdeel omvatten, waarbij inwendige middelen aanwezig zijn waardoor, bij het aanleggen van een gelijke span- 20 ning aan beide delen, onder het overdrachtdeel een potentiaalbarriêre voor de te transporteren ladingsdragers, en onder het opslagdeel een potentiaalkuil worden geïnduceerd,

3. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 1 cf 2, met het kenmerk, dat het tweede weerstandselement gevormd wordt door een weer- 25 standslaag die op een, het opppervlak van het halfgeleiderlichaam bedekkende, isolerende laag is aangebracht.

4. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat het eerste weerstandselement eveneens door een op de isolerende laag neergeslagen weerstandslaag 3P

5. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 3 of 4, met het kenmerk, dat de weerstands laag een laag van polykris talli jn silicium omvat.

6. Ladingsgekoppelde inrichting volgens een of meer van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de referentiespanning een spanning Vgg, 35 bijvoorbeeld aardpotentiaal is, waarvoor geldt |Vssj<£jVBB£

7. Ladingsgekoppelde inrichting volgens een of meer van de voorgaande conclusies, roet het kenmerk, dat tussen de genoemde referentiespanning en het genoemde verbindingspunt, verder eerste verbindingspunt genoemd van Q ^ 1 2 ' PHN 11.398 10 de genoemde spanningsdeler, verder eerste spanningsdeler, een tweede spanningsdeler is geschakeld, met een derde weerstandselemsnt tussen referentiespanning en een tweede verbindingspunt, en een vierde weerstandselenent tussen het tweede verbindingspunt en het eerste verbin-5 dingspunt, en dat schakelmiddelen aanwezig zijn met behulp waarvan de ingangsdiode, afhankelijk van. het ingangssignaal met het eerste of het tweede verbindingspunt wordt verbonden.

8. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 7, net het kenmerk, dat het derde en het vierde weerstandselement elk een veldeffekt- 10 transistor met geïsoleerde poortelektrode omvatten.

9. Ladingsgekoppelde inrichting volgens conclusie 7 of 8, net het kenmerk, dat de genoemde schakelmiddelen twee veldeffekttransistoren net geïsoleerde poortelektrode omvatten, waarvan er een tussen het eerste verbindingspunt en de ingangsdiode en de andere tussen het tweede ver- 15 bindingspunt en de ingangsdiode is geschakeld, en dat verdere middelen aanwezig zijn, met behulp waarvan aan de poortelektrode van de ene veld-effekttransistor het ingangssignaal en aan de poortelektrode van de andere veldeffekttransistor het geïnverteerde ingangssignaal kunnen worden toegevoerd. 20 25 30 35 8501542