NL7612483A - Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat.Info
- Publication number
- NL7612483A NL7612483A NL7612483A NL7612483A NL7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- metalization
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752550512 DE2550512A1 (de) | 1975-11-11 | 1975-11-11 | Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7612483A true NL7612483A (nl) | 1977-05-13 |
Family
ID=5961412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7612483A NL7612483A (nl) | 1975-11-11 | 1976-11-10 | Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4132813A (ja) |
JP (1) | JPS6040185B2 (ja) |
DE (1) | DE2550512A1 (ja) |
FR (1) | FR2331885A1 (ja) |
GB (1) | GB1537298A (ja) |
NL (1) | NL7612483A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3107943A1 (de) * | 1981-03-02 | 1982-09-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von loetbaren und temperfaehigen edelmetallfreien duennschichtleiterbahnen |
DE3406542A1 (de) * | 1984-02-23 | 1985-08-29 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes |
DE4028776C2 (de) * | 1990-07-03 | 1994-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht und Füllen einer Kontaktöffnung in einem Halbleiterbauelement |
US6506672B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-01-14 | University Of Maryland, College Park | Re-metallized aluminum bond pad, and method for making the same |
US20060186180A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-24 | Northrop Grumman Corporation | Accurate relative alignment and epoxy-free attachment of optical elements |
KR100672810B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-01-22 | 썬텍 주식회사 | 면상 발열체 제조방법 및 그에 의하여 제조된 면상 발열체 |
DE102005044510B4 (de) * | 2005-09-16 | 2011-03-17 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Vorderseitenmetallisierung sowie Verfahren zu dessen Herstellung und Leistungsdiode |
US8354692B2 (en) * | 2006-03-15 | 2013-01-15 | Infineon Technologies Ag | Vertical semiconductor power switch, electronic component and methods of producing the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3479736A (en) * | 1966-08-31 | 1969-11-25 | Hitachi Ltd | Method of making a semiconductor device |
US3579375A (en) * | 1968-10-18 | 1971-05-18 | Rca Corp | Method of making ohmic contact to semiconductor devices |
US3633269A (en) * | 1969-06-24 | 1972-01-11 | Telefunken Patent | Method of making contact to semiconductor devices |
US3806361A (en) * | 1972-01-24 | 1974-04-23 | Motorola Inc | Method of making electrical contacts for and passivating a semiconductor device |
US3967296A (en) * | 1972-10-12 | 1976-06-29 | General Electric Company | Semiconductor devices |
US3922385A (en) * | 1973-07-02 | 1975-11-25 | Gen Motors Corp | Solderable multilayer contact for silicon semiconductor |
DE2340423A1 (de) * | 1973-08-09 | 1975-02-20 | Siemens Ag | Weichgeloetete kontaktanordnung |
US3965279A (en) * | 1974-09-03 | 1976-06-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors |
-
1975
- 1975-11-11 DE DE19752550512 patent/DE2550512A1/de not_active Ceased
-
1976
- 1976-10-22 US US05/734,770 patent/US4132813A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-08 JP JP51134015A patent/JPS6040185B2/ja not_active Expired
- 1976-11-09 GB GB46527/76A patent/GB1537298A/en not_active Expired
- 1976-11-10 NL NL7612483A patent/NL7612483A/xx unknown
- 1976-11-10 FR FR7633988A patent/FR2331885A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5260583A (en) | 1977-05-19 |
FR2331885B1 (ja) | 1983-01-14 |
FR2331885A1 (fr) | 1977-06-10 |
JPS6040185B2 (ja) | 1985-09-10 |
DE2550512A1 (de) | 1977-05-12 |
GB1537298A (en) | 1978-12-29 |
US4132813A (en) | 1979-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL176818C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL185690C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
NL177094C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking. | |
NL186984C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting. | |
NL187505C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
NL7613487A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag. | |
NL189220C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor. | |
NL172176C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vilt. | |
NL186478C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL178088B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat. | |
NL7708157A (nl) | Werkwijze voor het monteren van een depper. | |
NL7703038A (nl) | Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een selectief oppervlak. | |
NL7702431A (nl) | Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een oppervlak. | |
NL176416C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting. | |
NL7602264A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat. | |
NL7610283A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor. | |
NL7608923A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL180707C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een positieve fotoresistlaag. | |
NL186667C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kristallijn lichaam. | |
NL167611C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een katalysatorconstructie. | |
NL7704092A (nl) | Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een oppervlak. | |
NL7613644A (nl) | Werkwijze voor het plakken van een vezelig substraat op polyvinylideenfluoride. | |
NL188124C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. | |
NL7505134A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL186933B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type. |