NL7612483A - Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat.

Info

Publication number
NL7612483A
NL7612483A NL7612483A NL7612483A NL7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A NL 7612483 A NL7612483 A NL 7612483A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
metalization
substrate
manufacturing
Prior art date
Application number
NL7612483A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
Publication of NL7612483A publication Critical patent/NL7612483A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
NL7612483A 1975-11-11 1976-11-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat. NL7612483A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752550512 DE2550512A1 (de) 1975-11-11 1975-11-11 Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7612483A true NL7612483A (nl) 1977-05-13

Family

ID=5961412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7612483A NL7612483A (nl) 1975-11-11 1976-11-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4132813A (fr)
JP (1) JPS6040185B2 (fr)
DE (1) DE2550512A1 (fr)
FR (1) FR2331885A1 (fr)
GB (1) GB1537298A (fr)
NL (1) NL7612483A (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3107943A1 (de) * 1981-03-02 1982-09-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von loetbaren und temperfaehigen edelmetallfreien duennschichtleiterbahnen
DE3406542A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes
DE4028776C2 (de) * 1990-07-03 1994-03-10 Samsung Electronics Co Ltd Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht und Füllen einer Kontaktöffnung in einem Halbleiterbauelement
US6506672B1 (en) * 1999-06-30 2003-01-14 University Of Maryland, College Park Re-metallized aluminum bond pad, and method for making the same
US20060186180A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Northrop Grumman Corporation Accurate relative alignment and epoxy-free attachment of optical elements
KR100672810B1 (ko) * 2005-07-06 2007-01-22 썬텍 주식회사 면상 발열체 제조방법 및 그에 의하여 제조된 면상 발열체
DE102005044510B4 (de) * 2005-09-16 2011-03-17 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Vorderseitenmetallisierung sowie Verfahren zu dessen Herstellung und Leistungsdiode
US8354692B2 (en) * 2006-03-15 2013-01-15 Infineon Technologies Ag Vertical semiconductor power switch, electronic component and methods of producing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3479736A (en) * 1966-08-31 1969-11-25 Hitachi Ltd Method of making a semiconductor device
US3579375A (en) * 1968-10-18 1971-05-18 Rca Corp Method of making ohmic contact to semiconductor devices
US3633269A (en) * 1969-06-24 1972-01-11 Telefunken Patent Method of making contact to semiconductor devices
US3806361A (en) * 1972-01-24 1974-04-23 Motorola Inc Method of making electrical contacts for and passivating a semiconductor device
US3967296A (en) * 1972-10-12 1976-06-29 General Electric Company Semiconductor devices
US3922385A (en) * 1973-07-02 1975-11-25 Gen Motors Corp Solderable multilayer contact for silicon semiconductor
DE2340423A1 (de) * 1973-08-09 1975-02-20 Siemens Ag Weichgeloetete kontaktanordnung
US3965279A (en) * 1974-09-03 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
FR2331885A1 (fr) 1977-06-10
JPS6040185B2 (ja) 1985-09-10
GB1537298A (en) 1978-12-29
US4132813A (en) 1979-01-02
FR2331885B1 (fr) 1983-01-14
JPS5260583A (en) 1977-05-19
DE2550512A1 (de) 1977-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL185690C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL177094C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL187505C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL7613487A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag.
NL189220C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor.
NL172176C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vilt.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL178088B (nl) Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat.
NL7708157A (nl) Werkwijze voor het monteren van een depper.
NL7703038A (nl) Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een selectief oppervlak.
NL7702431A (nl) Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een oppervlak.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7602264A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat.
NL7610283A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL180707C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een positieve fotoresistlaag.
NL186667C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een kristallijn lichaam.
NL167611C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een katalysatorconstructie.
NL7704092A (nl) Werkwijze voor het afzetten van een metaal op een oppervlak.
NL7613644A (nl) Werkwijze voor het plakken van een vezelig substraat op polyvinylideenfluoride.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL186933B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.