NL7410978A - Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Info

Publication number
NL7410978A
NL7410978A NL7410978A NL7410978A NL7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
procedure
manufacturing
manufactured according
conductor
Prior art date
Application number
NL7410978A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7410978A publication Critical patent/NL7410978A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
    • H10D30/831—Vertical FETs having PN junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/026—Deposition thru hole in mask
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/053—Field effect transistors fets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/106—Masks, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
NL7410978A 1973-08-21 1974-08-16 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. NL7410978A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7330278A FR2241875B1 (OSRAM) 1973-08-21 1973-08-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7410978A true NL7410978A (nl) 1975-02-25

Family

ID=9124148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7410978A NL7410978A (nl) 1973-08-21 1974-08-16 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3951694A (OSRAM)
JP (1) JPS5223232B2 (OSRAM)
CA (1) CA1008974A (OSRAM)
DE (1) DE2438109A1 (OSRAM)
FR (1) FR2241875B1 (OSRAM)
GB (1) GB1479974A (OSRAM)
IT (1) IT1020027B (OSRAM)
NL (1) NL7410978A (OSRAM)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2460037A1 (fr) * 1979-06-22 1981-01-16 Thomson Csf Procede d'auto-alignement de regions differemment dopees d'une structure de semi-conducteur
DE2945854A1 (de) * 1979-11-13 1981-05-21 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Ionenimplantationsverfahren
JPS6074447U (ja) * 1983-10-28 1985-05-25 東北金属工業株式会社 密閉構造の電子装置
US4557794A (en) * 1984-05-07 1985-12-10 Rca Corporation Method for forming a void-free monocrystalline epitaxial layer on a mask
GB9326344D0 (en) * 1993-12-23 1994-02-23 Texas Instruments Ltd High voltage transistor for sub micron cmos processes
JP2016500914A (ja) * 2012-09-25 2016-01-14 ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッドＰｓｔ Ｓｅｎｓｏｒｓ （Ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ） Ｌｉｍｉｔｅｄ 電流切換トランジスタ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3413531A (en) * 1966-09-06 1968-11-26 Ion Physics Corp High frequency field effect transistor
US3457632A (en) * 1966-10-07 1969-07-29 Us Air Force Process for implanting buried layers in semiconductor devices
US3431150A (en) * 1966-10-07 1969-03-04 Us Air Force Process for implanting grids in semiconductor devices
GB1269359A (en) * 1968-08-22 1972-04-06 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to semiconductors and methods of doping semiconductors
GB1324507A (en) * 1969-12-18 1973-07-25 Mullard Ltd Methods of manufacturing a semiconductor device
US3713922A (en) * 1970-12-28 1973-01-30 Bell Telephone Labor Inc High resolution shadow masks and their preparation

Also Published As

Publication number Publication date
FR2241875B1 (OSRAM) 1977-09-09
IT1020027B (it) 1977-12-20
JPS5223232B2 (OSRAM) 1977-06-22
FR2241875A1 (OSRAM) 1975-03-21
CA1008974A (en) 1977-04-19
JPS5051675A (OSRAM) 1975-05-08
GB1479974A (en) 1977-07-13
US3951694A (en) 1976-04-20
DE2438109A1 (de) 1975-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7506519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze.
NL182780C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een vuurvaste module, in het bijzonder een katalysatordrager.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL160512C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat.
NL7410874A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een aantal filamenten, alsmede produkten verkregen volgens de werkwijze.
NL152214B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL171732B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een niet-geweven vezelbaan, alsmede inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL186478B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL181696C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7312547A (nl) Halfgeleiderinrichting, werkwijze ter vervaardiging daarvan en schakeling bevattende de inrichting.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161619C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7416779A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL159824B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtgevoelig half- geleiderelement.
NL161920B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL148364B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een treksluiting, alsmede treksluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.