NL7008349A - - Google Patents

Info

Publication number
NL7008349A
NL7008349A NL7008349A NL7008349A NL7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A
Authority
NL
Netherlands
Application number
NL7008349A
Other versions
NL170068C (nl
NL170068B (nl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of NL7008349A publication Critical patent/NL7008349A/xx
Publication of NL170068B publication Critical patent/NL170068B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL170068C publication Critical patent/NL170068C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
    • H10D8/25—Zener diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
NLAANVRAGE7008349,A 1969-06-10 1970-06-09 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. NL170068C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83188369A 1969-06-10 1969-06-10

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7008349A true NL7008349A (enrdf_load_stackoverflow) 1970-12-14
NL170068B NL170068B (nl) 1982-04-16
NL170068C NL170068C (nl) 1982-09-16

Family

ID=25260092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7008349,A NL170068C (nl) 1969-06-10 1970-06-09 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.

Country Status (9)

Country Link
BE (1) BE751635A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2028632C3 (enrdf_load_stackoverflow)
ES (2) ES380358A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2045944B1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1271896A (enrdf_load_stackoverflow)
MY (1) MY7300409A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL170068C (enrdf_load_stackoverflow)
SE (1) SE361555B (enrdf_load_stackoverflow)
YU (1) YU36240B (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967670A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Toshiba Corp 半導体装置
JPS5988871A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 バ−・ブラウン・コ−ポレ−ション 高安定低電圧集積回路表面下降状ダイオ−ド構造体及びその製造方法
IT1221019B (it) * 1985-04-01 1990-06-21 Ates Componenti Elettron Dispositivo elettronico integrato per il comando di carichi induttivi,con elemento di ricircolo

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305913A (en) * 1964-09-11 1967-02-28 Northern Electric Co Method for making a semiconductor device by diffusing impurities through spaced-apart holes in a non-conducting coating to form an overlapped diffused region by means oftransverse diffusion underneath the coating
FR1529360A (fr) * 1966-10-05 1968-06-14 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs
FR1559607A (enrdf_load_stackoverflow) * 1967-06-30 1969-03-14
FR1557080A (enrdf_load_stackoverflow) * 1967-12-14 1969-02-14

Also Published As

Publication number Publication date
GB1271896A (en) 1972-04-26
DE2028632B2 (de) 1981-04-16
NL170068C (nl) 1982-09-16
NL170068B (nl) 1982-04-16
YU147470A (en) 1981-04-30
ES380358A1 (es) 1973-04-16
DE2028632C3 (de) 1982-01-21
FR2045944B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1974-02-01
FR2045944A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1971-03-05
MY7300409A (en) 1973-12-31
BE751635A (fr) 1970-11-16
ES410121A1 (es) 1976-01-01
DE2028632A1 (de) 1970-12-17
SE361555B (enrdf_load_stackoverflow) 1973-11-05
YU36240B (en) 1982-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU465452B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU5461069A (enrdf_load_stackoverflow)
AU442375B2 (enrdf_load_stackoverflow)
FR2045944B1 (enrdf_load_stackoverflow)
AU470301B1 (enrdf_load_stackoverflow)
AU5113869A (enrdf_load_stackoverflow)
AU442538B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442357B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU417208B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442380B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442463B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442285B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442322B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442554B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU442535B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU410358B2 (enrdf_load_stackoverflow)
CS151006B2 (enrdf_load_stackoverflow)
CS149297B1 (enrdf_load_stackoverflow)
AU5397469A (enrdf_load_stackoverflow)
AU5077469A (enrdf_load_stackoverflow)
AU5109569A (enrdf_load_stackoverflow)
CS151562B2 (enrdf_load_stackoverflow)
AU4949169A (enrdf_load_stackoverflow)
AU5228269A (enrdf_load_stackoverflow)
CS151568B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent