NL192358C - Werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum en condensator met het product van de werkwijze als isolerende tussenstof. - Google Patents
Werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum en condensator met het product van de werkwijze als isolerende tussenstof. Download PDFInfo
- Publication number
- NL192358C NL192358C NL7811300A NL7811300A NL192358C NL 192358 C NL192358 C NL 192358C NL 7811300 A NL7811300 A NL 7811300A NL 7811300 A NL7811300 A NL 7811300A NL 192358 C NL192358 C NL 192358C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- making
- sample
- dielectric
- capacitor
- mgtio3
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N lead(II,IV) oxide Inorganic materials O1[Pb]O[Pb]11O[Pb]O1 XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 3
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 101100296543 Caenorhabditis elegans pbo-4 gene Proteins 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/475—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on bismuth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
1 192358
Werkwijze voor het maken van een keramisch dlëlektricum en condensator met het product van de werkwijze als isolerende tussenstof
De uitvinding betreft een werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum door uit te gaan van 5 een poedermengsel dat strontium- en magnesiumtitanaat, met toevoegingen van bismuth-, titaan· en loodhoudende verbindingen bevat, uit dit poedermengsel vormlichamen te maken en de vormlichamen daarna bij een temperatuur rond 1200°C in een oxiderende atmosfeer te sinteren. Een dergelijke werkwijze is bekend uit het Franse octrooischrift 1.417.638.
Bij de bekende werkwijze gebruikt men als uitgangsmengsel een combinatie van 10-65 mol% MgTt03, 10 10-45 mol% SrTi03, 5-35 moi% PbTi03 en 5-40 mol% Bi2Ti207. Na persen tot vormlichamen en verhitten op een temperatuur rond 1200°C wordt daaruit een keramisch diëlektricum met een gemiddelde waaide van 1100-1175 voor de diëlektrische constante veikregen, welke diëlektrische constante in het temperatuur-gebied tussen 20 en 200°C slechts een variatie van ± 10% tot ± 15% vertoont. Condensatoren met een dergelijk keramisch diëlektricum zijn daardoor goed bij verhoogde temperatuur te gebruiken.
15 Bij nader onderzoek is thans gebleken dat een keramisch diëlektricum met een aanzienlijk hogere gemiddelde waarde van de diëlektrische constante, die eveneens slechts weinig variatie bij wisselende temperaturen vertoont, kan worden veikregen door in het uitgangsmengsel Fb304 in plaats van PbTiQa te gebruiken en daarbij een bepaalde verhouding van Pb304 tot MgTï03 in acht te nemen.
De uitvinding verschaft dan ook een werkwijze van het in de aanvang genoemde type, welke gekenmerkt 20 is, doordat men uitgaat van een poedermengsel uit: 30.0- 60,0 gew.% SrTi03, 2.0- 32,0 gew.% MgTi03, 10.0- 34,0 gew.% Bi203, 3.0- 15,0 gew.% Ti02, 25 2,0-20,0 gew.% Pb304, waarbij de gewichtsverhouding van Pb304 tot MgTi03 tussen 0,625 en 10,0 ligt.
Tevens verschaft de uitvinding een condensator met het product van de genoemde werkwijze ais isolerende tussenstof.
Door toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding kan een keramisch diëlektricum worden 30 verkregen, dat een gemiddelde waarde voor de diëlektrische constante van niet minder dan 1500 heeft, waarbij de variatie als gevolg van uiteenlopende temperaturen (zoals hierna gedefinieerd) niet meer dan 20% bedraagt, welk diëlektricum bovendien een verliesfactor van niet meer dan 1,00% en een doocstag-spanning van niet minder dan 13 kV/mm heeft. Een dergelijk diëlektricum kan toepassing vinden in keramische condensatoren van geringe afmetingen, die een grote capaciteit hebben en bij uiteenlopende 35 temperaturen en een hogere bedrijfsspanning (bijvoorbeeld 1000 V of meer) kunnen worden gebruikt.
In het algemeen geldt dat bij afwijking van de genoemde getalwaarden voor de gehaltes van de ingrediënten in het uitgangsmengsel niet de zojuist genoemde gunstige eigenschappen van het diëlektricum of de condensator worden verkregen.
De uitvinding wordt nader verduidelijkt door de volgende, slechts bij wijze van illustratie gegeven 40 voorbeelden.
Voorbeeld I
De uitgangsstoffen strontiumtitanaat (SrTi03) en magnesiumtitanaat (MgTi03) worden vooraf op bekende wijze gemaakt, uitgaande van poedervormige oxiden of carbonaten, namelijk Ti02, SrO en MgO (of 45 MgC03), met een zuiverheidsgraad van niet minder dan 98%.
Vervolgens worden de stoffen SrTi03 en MgTi03 tezamen met Bi203, Ti02 en Pb304 in wisselende hoeveelheden afgewogen en met elkaar vermengd ter verkrijging van uitgangsmengsels voor het maken van keramische diëlektrica. De samenstelling van deze uitgangsmengsels is in Tabel A vermeld.
Elk uitgangsmengsel wordt, tezamen met 3 gew.% organisch bindmiddel op polyvinylacetaatbasis, 10 50 uren dooreengemalen in een kogelmolen van polyvinylchloride die kogels van aluminium houdend porsefen bevat. De zo verkregen brij wordt ontwaterd, gedroogd en gezeefd. Het veikregen poeder wordt met een hydraulische pers tot schijven met een schijnbare dichtheid van 3,3 tot 3,5, een diameter van 15 mm en een dikte van 3,6 mm gevormd. Vervolgens worden de schijven in een houder van aluminiumoxide, waarvan de bodem met zirkoonoxidepoeder is bedekt, 2 uren bij 1180-1280°C gebakken ter verkrijgen van een 55 keramisch diëlektricum. Het bakken geschiedt in een oxiderend milieu, zoals lucht of een zuurstofhoudende atmosfeer, en kan in het algemeen 1-4 uren duren.
De gesinterde schijven worden aan weerszijden van zilveren elektroden voorzien ter verkrijging van keramische condensatoren.
Aan de monsters worden de waarden van de diëlektrische constante (e), de diëlektrische vertiesfactor (tan δ), de variatie van e met de temperatuur (C/C0) en de diëlektrische doorslagspanning (D.S.) bepaald.
De resultaten zijn in Tabel A verzameld, waarbij valt op te merken dat de van een sterretje (*) voorziene 5 monsters qua samenstelling buiten het kader van de uitvinding vallen.
De grootheden e en tan δ zijn gemeten met een automatische capadteitsbrug van Yokogawa Hewlett-Packard Co. onder een bedrijfsspanning van 1 V effectief bij een frequentie van 1 kHz. De variatie van de diëlektrische constante met de temperatuur is gevonden uit de volgende vergelijking: C/C0 = Cl~C2- x 100% i" C0 waarin C1 en C2 en C0 de capaciteitswaarden bij respectievelijk -30°C, +85°C en +25°C zijn.
TABEL A
15 -:-
Monster SrTiQ, MgTi03 Bi203 Ti02 Pb304 Pb304/ e tan δ AC/C D.S.
(gew.%) (gew.%) (gew.%) (gew.%) (gew.%) MgT103 (%) (%) kV/mm 1* 64,5 4,0 16,1 5,4 10,0 2,5 1350 0,00 -25 11,2 20 2 60,0 4,0 19,3 6,7 10,0 2,5 1680 0,00 -18 13,6 3* 60,0 0,0 29,8 10,2 0,0 - 1110 0,03 -23 10,5 4* 56,4 1,0 28,1 9,5 5,0 5,0 1194 0,20 -14 7,2 5* 57,0 5,0 28,3 9,7 0,0 0 1100 0,00 -10 10,0 6 55,8 2,0 27,7 9,5 5,0 2,5 1505 0,07 -13 14,5 25 7* 54,0 0,0 26,9 9,1 10,0 10,0 1300 0,40 -24 9,5 8 54,0 5,0 26,9 9,1 5,0 1,0 1507 0,00 -11 16,0 9 52,8 2,0 26,2 9,0 10,0 5,0 1618 0,02 -14 15,5 10* 51,6 4,0 17,2 17,2 10,0 2,25 1280 0,00 -26 17,0 11 51,6 4,0 20,6 13,8 10,0 2,25 1710 0,00 -17 15,7 30 12 51,6 4,0 22,9 11,5 10,0 2,25 2304 0,00 -14 16,5 13 51,6 4,0 25,6 8,8 10,0 2,25 2374 0,01 -13 17,0 14 51,6 4,0 28,6 5,8 10,0 2,25 2256 0,01 -12 17,0 15* 51,6 4,0 32,4 2,0 10,0 2,25 1210 2,50 -17 8,0 16* 51,0 15,0 ..,4 8,6 0,0 0 865 0,00 -8,1 9,0 35 17 48,6 4,0 24,1 8,3 15,0 3,75 3181 0,19 -15 12,0 18 48,0 10,0 23,9 8,1 10,0 1,0 1665 0,02 -13 16,5 19 45,6 4,0 22,6 7,8 20,0 5,0 4108 0,26 -17 13,0 20 45,0 10,0 22,4 7,6 15,0 1,5 2760 0,16 -15 14,0 21 45,0 15,0 22,4 7,6 10,0 0,66 1500 0,15 -14 16,5 40 22* 45,0 20,0 22,4 7,6 5,0 0,25 955 0,00 -11 9,5 23 43,0 4,0 32,3 10,7 10,0 2,25 1800 0,60 -8 17,5 24 42,0 10,0 20,9 7,1 20,0 2,0 3840 0,99 -20 14,0 25* 42,0 30,0 20,9 7,1 0,0 0 525 0,00 -8,5 8,0 26* 39,0 10,0 19,4 6,6 25,0 2,5 5130 2,60 -40 6,5 45 27 39,0 20,0 19,4 6,6 15,0 0,75 1516 0,30 -14 15,0 28* 38,7 4,0 35,4 11,9 10,0 2,25 1410 2,50 -11 8,0 29 36,0 20,0 17,9 6,1 20,0 1,0 2720 0,89 -18 13,0 30* 36,0 30,0 17,9 6,1 10,0 0,33 910 0,20 -12 9,0 31 30,0 30,0 14,9 5,1 20,0 0,66 1560 0,88 -15 14,0 50 32* 27,0 20,0 22,0 11,0 20,0 1,0 710 5,60 -25 8,0 33* 18,0 40,0 8,9 3,1 30,0 0,75 260 3,00 +34 6,0
Uit de tabel blijkt, dat de monsters, waarvan de uitgangssamenstelling binnen het kader van de uitvinding 55 valt, een hogere gemiddelde waarde voor de diëlektrische constante, namelijk 1500 of meer; een kleinere diëlektrische verliesfactor, namelijk 1,00% of minder; een kleinere waarde voor de variatie van e met de temperatuur, namelijk circa 20% of minder; en ook een hogere doorslagspanning (boven 13 kV/mm) 3 192300 vertonen dan de monsters waarvan de uitgangssamenstelling buiten het kader van de uitvinding valt. Vergelijkingsvoorbeeld 1
Uitgaande van SrTi03, Bi203, Ti02, MgO en PbTi03 worden op dezelfde wijze als in Voorbeeld I bekende 5 keramische dielektrica van het systeem SrTi03-Bi203.2Ti02-Mg0 of SrTi03-PbTi03-Bi203.37102 bereid. De meetresultaten van de verschillende elektrische eigenschappen voor deze materialen zijn in Tabel B opgenomen, evenals die voor de monsters 8,13,17,19 en 21 van Tabel A.
TABEL B
10 -
Monster e tan δ (%) AC/C0 (%)
SrTi03 (55,4 gew.%)-Bi203.2Ti02-(34,6 1100 0,02 -10 gew.%)-MgO(10,0 gew.%) 15 SrTi03 (50,4 gew.%)-PbTiO3-(16,0 2100 0,40 -26 gew.%)-Bi203.3T102 (33,6 gew.%)
Monster no. 8 1507 0,00 -11
Monster no. 13 2374 0,01 -13
Monster no. 17 3181 0,19 -15 20 Monster no. 19 4108 0,26 -17
Monster no. 21 1500 0,15 -14
Uit Tabel B blijkt, dat de volgens de uitvinding verkregen diëlektrica diëlektrische constante hebben die circa 25 1,4-3 maal zo groot is als de dielektrische constante van het vergelijkingsmateriaal met het systeem SrTi03-Bi203.2Ti02-Mg0. Uit de volgens de uitvinding verkregen materialen kunnen dus keramische condensatoren met een kleinere omvang worden verkregen dan uit het bekende materiaal. Vergeleken met het bekende materiaal van het systeem SrTi03-PbTi03-Bi203.3Ti02 vertoont het monster nr. 13 nagenoeg dezelfde waarde voor de diëlektrische constante, maar een 40 maal zo kleine waarde voor de diëlektrische 30 verliesfactor en een half maal zo kleine waarde voor de variatie met de temperatuur.
Vergelijkingsvoorbeeld 2
Uitgaande van mengsels uit SrTiOg, MgTi03, Bi203, Ti02 en Pb304, waarin het MgTi03 soms door MgO of MgC03 is vervangen en het Pb04 soms door PbTi03 is vervangen, worden op de wijze van Voorbeeld I 35 vergelijkingsmonsters gemaakt, met dien verstande, dat de schijven een dikte van 4,0 mm hebben en door dompelen met een epoxyhars zijn bekleed. De samenstelling van de uitgangsmengsels alsmede de meetresultaten van de diëlektrische eigenschappen zijn in Tabel C weergegeven, waarbij ook de gegevens voor het monster nr. 13 van Tabel A zijn opgenomen. De hoeveelheden MgO en MgCOs zijn uitgedrukt in molfracties MgTi03 terwijl de hoeveelheid PbTi03 is uitgedrukt in een molfractie Pb04/3.
40 Uit Tabel C blijkt, dat het monster nr. 13 bij een circa 100°C lagere temperatuur gesinterd kan worden dan de vergelijkingsmonsters 1-4 en aanzienlijk beter is wat betreft de diëlektrische eigenschappen en de diëlektrische doorslagspanning.
TABEL C
45 -
SrTi03 Bi203 Ti02 Vorm en Vorm en Bak- <= tan δ AC/C D.S.
hoeveelheid hoeveelheid temp. (%) (%) (kV/mm)
Mg Pb (°C) 1 2 3 4 5 6
Monster 51,6 25,6 8,8 MgTiO3=4,0 Pb304=10.0 1210 2374 0,01 -13,0 17,0 2 no. 13 3
Vergelijkings- 53,2 26,6 8,8 MgO=1,3 Pb304=10.0 1300 1650 0,28 -14,0 11,3 4 monster no. 1 5
Vergelijkings- 52,3 26,1 8,7 MgC03=2,8 Pb304=10.0 1320 1590 0,48 -15,0 8,7 6 monster no. 2
Claims (2)
1. Werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum door uit te gaan van een poedermengsel dat strontium· en magnesiumtitanaat, met toevoegingen van bismuth-, titaan- en loodhoudende verbindingen bevat, uit dit poedermengsel vormlichamen te maken en de vormlichamen daarna bij een temperatuur rond 1200°C in een oxiderende atmosfeer te sinteren, met het kenmerk, dat men uitgaat van een poeder- 20 mengsel uit 30.0- 60,0 gew.% SrTi03, 2.0- 32,0 gew.% MgTiOa, 10.0- 34,0 gew.% Bi203, 3.0- 15,0 gew.% Ti02, 25 2,0-20,0 gew.% Pb304, waarbij de gewichtsverhouding van Pb304 tot MgTi03 tussen 0,625 en 10,0 ligt.
2. Condensator met het product van de werkwijze van conclusie 1 als isolerende tussenstof.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52137492A JPS598923B2 (ja) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | 誘電体磁器組成物 |
| JP13749277 | 1977-11-15 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7811300A NL7811300A (nl) | 1979-05-17 |
| NL192358B NL192358B (nl) | 1997-02-03 |
| NL192358C true NL192358C (nl) | 1997-06-04 |
Family
ID=15199907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7811300A NL192358C (nl) | 1977-11-15 | 1978-11-15 | Werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum en condensator met het product van de werkwijze als isolerende tussenstof. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4226735A (nl) |
| JP (1) | JPS598923B2 (nl) |
| DE (1) | DE2849293A1 (nl) |
| GB (1) | GB2007639B (nl) |
| NL (1) | NL192358C (nl) |
| SG (1) | SG64282G (nl) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103532A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-18 | Tdk Corp | Power supply device |
| JPS5792703A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Murata Manufacturing Co | Dielectric porcelain composition for compensating temperature |
| JPS6018086B2 (ja) * | 1981-04-13 | 1985-05-08 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用磁器誘電体 |
| WO1983003028A1 (en) * | 1982-02-20 | 1983-09-01 | Masujima, Sho | Voltage sensitive current limiting element |
| JPS599807A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS61237304A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | キヤノン株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0666219B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1994-08-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックスコンデンサ |
| DE4141648C2 (de) * | 1990-12-17 | 1997-01-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Keramischer Kondensator |
| CA2847980C (en) * | 2013-04-04 | 2021-03-30 | Christopher Kelvin Harris | Temperature assessment using dielectric properties of an insulated conductor heater with selected electrical insulation |
| CN103193478B (zh) * | 2013-04-15 | 2014-04-09 | 陕西师范大学 | 低温烧结正钛酸镁基复合陶瓷及其制备方法 |
| US10553711B2 (en) | 2014-04-24 | 2020-02-04 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Tunable barrier transistors for high power electronics |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1471483B2 (de) * | 1963-05-18 | 1972-05-18 | Tdk Electronics Co. Ltd., Tokio | Keramisches dielektrikum |
| JPS5331280B2 (nl) * | 1972-09-20 | 1978-09-01 | ||
| JPS4959298A (nl) * | 1972-10-12 | 1974-06-08 | ||
| JPS5062214A (nl) * | 1973-10-04 | 1975-05-28 | ||
| US4058404A (en) * | 1973-12-10 | 1977-11-15 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Sintered ceramic dielectric body |
| JPS5095800A (nl) * | 1973-12-26 | 1975-07-30 | ||
| US4017320A (en) * | 1974-03-11 | 1977-04-12 | Tdk Electronics Company, Limited | Ceramic dielectric composition |
-
1977
- 1977-11-15 JP JP52137492A patent/JPS598923B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-11-13 GB GB7844276A patent/GB2007639B/en not_active Expired
- 1978-11-14 DE DE19782849293 patent/DE2849293A1/de active Granted
- 1978-11-15 NL NL7811300A patent/NL192358C/nl not_active IP Right Cessation
- 1978-11-15 US US05/961,043 patent/US4226735A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-12-24 SG SG642/82A patent/SG64282G/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2849293A1 (de) | 1979-05-17 |
| JPS598923B2 (ja) | 1984-02-28 |
| NL192358B (nl) | 1997-02-03 |
| US4226735A (en) | 1980-10-07 |
| JPS5469800A (en) | 1979-06-05 |
| SG64282G (en) | 1983-09-16 |
| NL7811300A (nl) | 1979-05-17 |
| GB2007639A (en) | 1979-05-23 |
| DE2849293C2 (nl) | 1990-03-29 |
| GB2007639B (en) | 1982-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL192358C (nl) | Werkwijze voor het maken van een keramisch diëlektricum en condensator met het product van de werkwijze als isolerende tussenstof. | |
| US5073523A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| EP0038044B1 (en) | Grain boundary layer dielectric ceramic compositions | |
| US4394456A (en) | Temperature-compensating ceramic dielectrics | |
| US4861736A (en) | Semiconductive ceramic composition | |
| US4721692A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| US4477581A (en) | High permittivity ceramic compositions | |
| JPS6118283B2 (nl) | ||
| DE3730821C2 (de) | Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante | |
| JPH0414442B2 (nl) | ||
| JP3305272B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| US2801181A (en) | High dielectric capacitors | |
| JPH0676627A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0571538B2 (nl) | ||
| JP3385136B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6115529B2 (nl) | ||
| KR940003969B1 (ko) | 적층칩 lc필터제조용 자기조성물 | |
| JPS6310847B2 (nl) | ||
| Sakabe et al. | Dielectric ceramic composition and process for its production containing MgTiO 3 and Pb 3 O 4 having a quantitative relationship | |
| JPH0815005B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH1095667A (ja) | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ | |
| JPS6235256B2 (nl) | ||
| GB2031398A (en) | High dielectric cosntant type ceramic composition | |
| JPH07211138A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08167323A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Free format text: 981115 |