NL188606C - Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met geisoleerde poort. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met geisoleerde poort.

Info

Publication number
NL188606C
NL188606C NLAANVRAGE8103565,A NL8103565A NL188606C NL 188606 C NL188606 C NL 188606C NL 8103565 A NL8103565 A NL 8103565A NL 188606 C NL188606 C NL 188606C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
field effect
effect transistor
insulated gate
insulated
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8103565,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL188606B (nl
NL8103565A (nl
Original Assignee
Suwa Seikosha Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha Kk filed Critical Suwa Seikosha Kk
Publication of NL8103565A publication Critical patent/NL8103565A/nl
Publication of NL188606B publication Critical patent/NL188606B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL188606C publication Critical patent/NL188606C/xx

Links

Classifications

    • H10W20/021
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H10P32/302
    • H10W20/01
    • H10W20/40
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
NLAANVRAGE8103565,A 1980-09-08 1981-07-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met geisoleerde poort. NL188606C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55124264A JPS5748270A (en) 1980-09-08 1980-09-08 Semiconductor device
JP12426480 1980-09-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8103565A NL8103565A (nl) 1982-04-01
NL188606B NL188606B (nl) 1992-03-02
NL188606C true NL188606C (nl) 1992-08-03

Family

ID=14881022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8103565,A NL188606C (nl) 1980-09-08 1981-07-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met geisoleerde poort.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5748270A (member.php)
DE (1) DE3135103A1 (member.php)
FR (1) FR2490011B1 (member.php)
GB (1) GB2083698B (member.php)
NL (1) NL188606C (member.php)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194693A (ja) * 1990-11-28 1992-07-14 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 道路空洞探査レーダシステム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583380B2 (ja) * 1977-03-04 1983-01-21 株式会社日立製作所 半導体装置とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2490011B1 (fr) 1985-09-27
GB2083698B (en) 1984-10-31
JPS5748270A (en) 1982-03-19
NL188606B (nl) 1992-03-02
GB2083698A (en) 1982-03-24
FR2490011A1 (fr) 1982-03-12
DE3135103C2 (member.php) 1988-07-14
DE3135103A1 (de) 1982-05-06
NL8103565A (nl) 1982-04-01
JPH0216019B2 (member.php) 1990-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL186355B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor met geisoleerde poort van een paar complementaire transistors.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7612850A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transis- tor.
NL186831C (nl) Werkwijze voor het isoleren van een pijp.
NL8007022A (nl) Pijpplaat; werkwijze voor het vervaardigen van een pijpplaat.
NL185899C (nl) Werkwijze voor het in gesloten matrijzen smeden.
NL177840C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een polyetheendraad.
NL7700600A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een isolerende pijpkoppeling.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL190256B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogevoelige inrichting.
NL191587C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.
NL185882C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL189102C (nl) Transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL7610283A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL7902338A (nl) Werkwijze voor het vormen van een klep en daarmede gevormde klep.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL179774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugeninrichting met een zwevende geheugenelektrode.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL180174C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een racketraam.
NL7709870A (nl) Complementair geisoleerde veldeffecthalfgeleider- inrichting met poortwerking en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL178749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een racket frame.
NL194524B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor.

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee