NL180466C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.

Info

Publication number
NL180466C
NL180466C NLAANVRAGE7403470,A NL7403470A NL180466C NL 180466 C NL180466 C NL 180466C NL 7403470 A NL7403470 A NL 7403470A NL 180466 C NL180466 C NL 180466C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
semiconductor
pattern
manufacturing
insulating material
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7403470,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7403470A (nl
NL180466B (nl
Inventor
Wilhelmus Henricus Verkuijlen
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NLAANVRAGE7403470,A priority Critical patent/NL180466C/xx
Priority to US05/552,976 priority patent/US3996077A/en
Priority to CH314275A priority patent/CH588165A5/xx
Priority to IT21190/75A priority patent/IT1034216B/it
Priority to GB10278/75A priority patent/GB1495460A/en
Priority to SE7502781A priority patent/SE402504B/xx
Priority to BR1440/75A priority patent/BR7501440A/pt
Priority to JP50030657A priority patent/JPS5754940B2/ja
Priority to DE2510951A priority patent/DE2510951C3/de
Priority to BE154366A priority patent/BE826722A/xx
Priority to FR7508034A priority patent/FR2264394B1/fr
Priority to AT197775A priority patent/AT347501B/de
Priority to AU79150/75A priority patent/AU498873B2/en
Publication of NL7403470A publication Critical patent/NL7403470A/xx
Publication of NL180466B publication Critical patent/NL180466B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL180466C publication Critical patent/NL180466C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NLAANVRAGE7403470,A 1974-03-15 1974-03-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal. NL180466C (nl)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7403470,A NL180466C (nl) 1974-03-15 1974-03-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
US05/552,976 US3996077A (en) 1974-03-15 1975-02-26 Method of manufacturing a semiconductor device having an insulation layer sunk in a semiconductor body and semiconductor device manufactured according to said method
IT21190/75A IT1034216B (it) 1974-03-15 1975-03-12 Metodo di fabricazione di un di spositivo semiconduttore presentan te uno strato isolante affondato in un corpa semiconduttore e di spositivo semiconduttore fabbri cato in accordo con tale metodo
GB10278/75A GB1495460A (en) 1974-03-15 1975-03-12 Semiconductor device manufacture
SE7502781A SE402504B (sv) 1974-03-15 1975-03-12 Sett att framstella en halvledaranordning med ett isolerande skikt, som er nedsenkt lokalt i en halvledarkropp
BR1440/75A BR7501440A (pt) 1974-03-15 1975-03-12 Processo de fabricar um dispositivo semicondutor
CH314275A CH588165A5 (ja) 1974-03-15 1975-03-12
DE2510951A DE2510951C3 (de) 1974-03-15 1975-03-13 Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung
JP50030657A JPS5754940B2 (ja) 1974-03-15 1975-03-13
BE154366A BE826722A (fr) 1974-03-15 1975-03-14 Procede de fabrication d'un dispositif semiconducteur
FR7508034A FR2264394B1 (ja) 1974-03-15 1975-03-14
AT197775A AT347501B (de) 1974-03-15 1975-03-14 Verfahren zur herstellung einer halbleiter- anordnung mit einer in einen halbleiterkoerper versenkten isolierschicht
AU79150/75A AU498873B2 (en) 1974-03-15 1975-03-17 Semiconductor device with sunken insulator layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7403470,A NL180466C (nl) 1974-03-15 1974-03-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7403470A NL7403470A (nl) 1975-09-17
NL180466B NL180466B (nl) 1986-09-16
NL180466C true NL180466C (nl) 1987-02-16

Family

ID=19820963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7403470,A NL180466C (nl) 1974-03-15 1974-03-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.

Country Status (13)

Country Link
US (1) US3996077A (ja)
JP (1) JPS5754940B2 (ja)
AT (1) AT347501B (ja)
AU (1) AU498873B2 (ja)
BE (1) BE826722A (ja)
BR (1) BR7501440A (ja)
CH (1) CH588165A5 (ja)
DE (1) DE2510951C3 (ja)
FR (1) FR2264394B1 (ja)
GB (1) GB1495460A (ja)
IT (1) IT1034216B (ja)
NL (1) NL180466C (ja)
SE (1) SE402504B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS598065B2 (ja) * 1976-01-30 1984-02-22 松下電子工業株式会社 Ｍｏｓ集積回路の製造方法
US4066473A (en) * 1976-07-15 1978-01-03 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method of fabricating high-gain transistors
JPS6035818B2 (ja) * 1976-09-22 1985-08-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
DE2728845A1 (de) * 1977-06-27 1979-01-18 Siemens Ag Verfahren zum herstellen eines hochfrequenztransistors
NL7709363A (nl) * 1977-08-25 1979-02-27 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3640806A (en) * 1970-01-05 1972-02-08 Nippon Telegraph & Telephone Semiconductor device and method of producing the same
US3648125A (en) * 1971-02-02 1972-03-07 Fairchild Camera Instr Co Method of fabricating integrated circuits with oxidized isolation and the resulting structure
US3796613A (en) * 1971-06-18 1974-03-12 Ibm Method of forming dielectric isolation for high density pedestal semiconductor devices
US3873989A (en) * 1973-05-07 1975-03-25 Fairchild Camera Instr Co Double-diffused, lateral transistor structure

Also Published As

Publication number Publication date
FR2264394B1 (ja) 1980-10-24
AU498873B2 (en) 1979-03-29
BE826722A (fr) 1975-09-15
DE2510951C3 (de) 1980-03-13
NL7403470A (nl) 1975-09-17
CH588165A5 (ja) 1977-05-31
AT347501B (de) 1978-12-27
BR7501440A (pt) 1975-12-09
IT1034216B (it) 1979-09-10
JPS50128480A (ja) 1975-10-09
DE2510951B2 (de) 1979-07-05
SE402504B (sv) 1978-07-03
FR2264394A1 (ja) 1975-10-10
AU7915075A (en) 1976-09-23
NL180466B (nl) 1986-09-16
GB1495460A (en) 1977-12-21
US3996077A (en) 1976-12-07
DE2510951A1 (de) 1975-09-25
ATA197775A (de) 1978-05-15
JPS5754940B2 (ja) 1982-11-20
SE7502781L (ja) 1975-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL182999C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7412383A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een in- richting met een geleiderpatroon.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7507970A (nl) Werkwijze voor het bedrijven van een inrichting voor het vervaardigen van een kunststofprofiel- streng en voor de werkwijze uitgevoerde inrich- ting.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7504220A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een contact- lichaam.
NL7607298A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL180466C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
NL7513111A (nl) Werkwijze en inrichting voor het doorlopend ver- vaardigen van een schuimstofstreng.
NL7501503A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van vlies- ialen met dwarselasticiteit.
NL7504227A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een contact- lichaam.
NL186046C (nl) Inrichting met een piezo-elektrische baan en werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting met een piezo-elektrische baan.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee