NL177263C - Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.Info
- Publication number
- NL177263C NL177263C NLAANVRAGE7215288,A NL7215288A NL177263C NL 177263 C NL177263 C NL 177263C NL 7215288 A NL7215288 A NL 7215288A NL 177263 C NL177263 C NL 177263C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- electrodiator
- composite
- layer
- semiconductor device
- device provided
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H10P14/6324—
-
- H10P14/69391—
-
- H10P14/69393—
-
- H10P95/00—
-
- H10W20/40—
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9140571A JPS557020B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1971-11-15 | 1971-11-15 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7215288A NL7215288A (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-05-17 |
| NL177263B NL177263B (nl) | 1985-03-18 |
| NL177263C true NL177263C (nl) | 1985-08-16 |
Family
ID=14025458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE7215288,A NL177263C (nl) | 1971-11-15 | 1972-11-10 | Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3848260A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| JP (1) | JPS557020B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE2252832C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB1414511A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (1) | NL177263C (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3987217A (en) * | 1974-01-03 | 1976-10-19 | Motorola, Inc. | Metallization system for semiconductor devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system |
| US4215156A (en) * | 1977-08-26 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating tantalum semiconductor contacts |
| US4206472A (en) * | 1977-12-27 | 1980-06-03 | International Business Machines Corporation | Thin film structures and method for fabricating same |
| DE3232837A1 (de) * | 1982-09-03 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen einer 2-ebenen-metallisierung fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer leistungshalbleiterbauelemente wie thyristoren |
| US5240868A (en) * | 1991-04-30 | 1993-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabrication metal-electrode in semiconductor device |
| GB2284710B (en) * | 1991-04-30 | 1995-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | Fabricating a metal electrode of a semiconductor device |
| US5679982A (en) * | 1993-02-24 | 1997-10-21 | Intel Corporation | Barrier against metal diffusion |
| US5684331A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Lg Semicon Co., Ltd. | Multilayered interconnection of semiconductor device |
| KR20000064615A (ko) * | 1997-01-16 | 2000-11-06 | 롤페스 요하네스 게라투스 알베르투스 | 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법 |
| US9653296B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-05-16 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor device and semiconductor device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3442701A (en) * | 1965-05-19 | 1969-05-06 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor contacts |
| US3409809A (en) * | 1966-04-06 | 1968-11-05 | Irc Inc | Semiconductor or write tri-layered metal contact |
| US3442012A (en) * | 1967-08-03 | 1969-05-06 | Teledyne Inc | Method of forming a flip-chip integrated circuit |
| US3465211A (en) * | 1968-02-01 | 1969-09-02 | Friden Inc | Multilayer contact system for semiconductors |
| DE1764434A1 (de) * | 1968-06-05 | 1971-07-22 | Telefunken Patent | Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes |
| US3672984A (en) * | 1969-03-12 | 1972-06-27 | Hitachi Ltd | Method of forming the electrode of a semiconductor device |
| US3663279A (en) * | 1969-11-19 | 1972-05-16 | Bell Telephone Labor Inc | Passivated semiconductor devices |
-
1971
- 1971-11-15 JP JP9140571A patent/JPS557020B2/ja not_active Expired
-
1972
- 1972-10-27 DE DE2252832A patent/DE2252832C2/de not_active Expired
- 1972-11-10 NL NLAANVRAGE7215288,A patent/NL177263C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-11-13 US US00305673A patent/US3848260A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-11-15 GB GB5285372A patent/GB1414511A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3848260A (en) | 1974-11-12 |
| DE2252832C2 (de) | 1984-08-02 |
| JPS557020B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1980-02-21 |
| JPS4856076A (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-08-07 |
| NL7215288A (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-05-17 |
| NL177263B (nl) | 1985-03-18 |
| DE2252832A1 (de) | 1973-05-24 |
| GB1414511A (en) | 1975-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL154012B (nl) | Reflectieverminderende, uit verscheidene deellagen opgebouwde meervoudige laag. | |
| NL173110C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht. | |
| NL181484C (nl) | Samengestelde hechtdraad. | |
| NL175772C (nl) | Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone. | |
| SE382528B (sv) | Termogenerator. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL172930C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een krimpbaar laminaat, met zuurstofwerende eigenschappen. | |
| NL149859B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL164425C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een koellichaam. | |
| NL141031B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL177263C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. | |
| NL178462C (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste een kruising tussen twee van elkaar geisoleerde elektrische verbindingen. | |
| CH546482A (de) | Halbleiterbauelement. | |
| NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| CH551188A (de) | Krankentransport-fahrzeug. | |
| NL7410978A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL175569C (nl) | Samengestelde transistorketen. | |
| NL168465C (nl) | Zak uit kunststoffolie met een klep. | |
| NL143194B (nl) | Inrichting voor het vormen van een, uit rijen bestaande laag steenvormlingen met bepaalde onderlinge tussenruimten tussen rijen van die laag. | |
| NL144987B (nl) | Werkwijze ter bereiding van een metallurgisch vloeimiddel, alsmede voorwerpen, die uit dit vloeimiddel zijn gevormd. | |
| ES210332Y (es) | Embalaje compuesto fraccionable. | |
| NL162869C (nl) | Gelaagd voorwerp, bestaande uit een metaallaag met een daaraan hechtende kunststoflaag. | |
| NO136618C (no) | Stableanordning for st}lprofiler el. lign. | |
| NL176414C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
| BE776810A (fr) | Bicyclette. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BC | A request for examination has been filed | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| DNT | Communications of changes of names of applicants whose applications have been laid open to public inspection |
Free format text: NEC CORPORATION |
|
| V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |