NL165795C - Verwarmbare, uit halfgeleidermateriaal bestaande buis voor het diffunderen van doopstoffen in halfgeleider- lichamen. - Google Patents

Verwarmbare, uit halfgeleidermateriaal bestaande buis voor het diffunderen van doopstoffen in halfgeleider- lichamen.

Info

Publication number
NL165795C
NL165795C NL7007490A NL7007490A NL165795C NL 165795 C NL165795 C NL 165795C NL 7007490 A NL7007490 A NL 7007490A NL 7007490 A NL7007490 A NL 7007490A NL 165795 C NL165795 C NL 165795C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
dopes
heatable
diffusing
semi
conductor material
Prior art date
Application number
NL7007490A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7007490A (xx
NL165795B (nl
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL7007490A publication Critical patent/NL7007490A/xx
Publication of NL165795B publication Critical patent/NL165795B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL165795C publication Critical patent/NL165795C/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NL7007490A 1969-06-30 1970-05-22 Verwarmbare, uit halfgeleidermateriaal bestaande buis voor het diffunderen van doopstoffen in halfgeleider- lichamen. NL165795C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691933128 DE1933128C3 (de) 1969-06-30 1969-06-30 Rohr zum Eindiffundieren von Dotierungsstoffen in Halbleiterkörper

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7007490A NL7007490A (xx) 1971-01-04
NL165795B NL165795B (nl) 1980-12-15
NL165795C true NL165795C (nl) 1981-05-15

Family

ID=5738424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7007490A NL165795C (nl) 1969-06-30 1970-05-22 Verwarmbare, uit halfgeleidermateriaal bestaande buis voor het diffunderen van doopstoffen in halfgeleider- lichamen.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS4823710B1 (xx)
AT (1) AT328509B (xx)
CH (1) CH518622A (xx)
DE (1) DE1933128C3 (xx)
FR (1) FR2051429A5 (xx)
GB (1) GB1282363A (xx)
NL (1) NL165795C (xx)
SE (1) SE358667B (xx)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2126417A (en) * 1982-08-26 1984-03-21 Heraeus Schott Quarzschmelze Support systems for conveying semiconductor devices into hostile environments during manufacture
GB2135115A (en) * 1983-02-09 1984-08-22 Heraeus Schott Quarzschmelze Improvements in or relating to support systems
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4740249A (en) * 1984-05-21 1988-04-26 Christopher F. McConnell Method of treating wafers with fluid
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4738272A (en) * 1984-05-21 1988-04-19 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4856544A (en) * 1984-05-21 1989-08-15 Cfm Technologies, Inc. Vessel and system for treating wafers with fluids
WO1998035765A1 (en) * 1997-02-18 1998-08-20 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing chamber

Also Published As

Publication number Publication date
SE358667B (xx) 1973-08-06
NL7007490A (xx) 1971-01-04
AT328509B (de) 1976-03-25
DE1933128A1 (de) 1971-01-21
DE1933128B2 (de) 1977-12-08
DE1933128C3 (de) 1978-08-10
JPS4823710B1 (xx) 1973-07-16
CH518622A (de) 1972-01-31
FR2051429A5 (xx) 1971-04-02
GB1282363A (en) 1972-07-19
NL165795B (nl) 1980-12-15
ATA583270A (de) 1975-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152214B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking.
NL159321B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van geextrudeerde buis.
NL151437B (nl) Werkwijze voor het bereiden van l-lysine.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143167B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151213B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL171788C (nl) Inrichting voor het in zakken verpakken van voorwerpen.
NL165795C (nl) Verwarmbare, uit halfgeleidermateriaal bestaande buis voor het diffunderen van doopstoffen in halfgeleider- lichamen.
NL145876B (nl) Werkwijze voor het bereiden van polysiloxanalcoholen.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151298B (nl) Inrichting voor het drogen van waterbevattend, rubberachtig materiaal.
NL167701C (nl) Werkwijze voor het bereiden van tris-hydroxymethylfosfienoxide.
NL168807B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen uit op- zwelbare klei, alsmede inrichting voor het toepassen van de werkwijze.
NL7409114A (nl) Inrichting voor het behandelen van in het bij- zonder textielmaterialen.
NL167951C (nl) Werkwijze voor het bereiden van 7-hydroxydihydrocitronellal.
BE750088A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting
NL167381B (nl) Inrichting voor het transporteren van in hoofdzaak cilindrische voorwerpen.
NL168233B (nl) Werkwijze voor het verwijderen van nikkel bevattende verontreinigingen uit polymeren.
NL176919C (nl) Inrichting voor het vormen van voorwerpen uit thermohardende kunststof.
NL164581C (nl) Werkwijze voor het bereiden van polyamiden, alsmede daaruit bestaande voorwerpen.
NL144436B (nl) Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder planaire transistor.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee