NL165331B - Werkwijze voor de vervaardiging van een veldeffekt- transistor met een geisoleerde stuurelektrode. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een veldeffekt- transistor met een geisoleerde stuurelektrode.

Info

Publication number
NL165331B
NL165331B NL7212627.A NL7212627A NL165331B NL 165331 B NL165331 B NL 165331B NL 7212627 A NL7212627 A NL 7212627A NL 165331 B NL165331 B NL 165331B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
field
effect transistor
control electrode
insulated control
Prior art date
Application number
NL7212627.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL165331C (nl
NL7212627A (nl
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7290071A external-priority patent/JPS4840386A/ja
Priority claimed from JP182472A external-priority patent/JPS4871887A/ja
Priority claimed from JP47003301A external-priority patent/JPS4871976A/ja
Priority claimed from JP47059746A external-priority patent/JPS4921079A/ja
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of NL7212627A publication Critical patent/NL7212627A/xx
Publication of NL165331B publication Critical patent/NL165331B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL165331C publication Critical patent/NL165331C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components
    • H10D84/83—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET]
    • H10D84/84—Combinations of enhancement-mode IGFETs and depletion-mode IGFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/013—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator
    • H10D64/01302—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H10D64/01332—Making the insulator
    • H10D64/01336—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. chemical oxidation using a liquid
    • H10D64/0134—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. chemical oxidation using a liquid with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the insulator and before the formation of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/013—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator
    • H10D64/01302—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H10D64/01332—Making the insulator
    • H10D64/01336—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. chemical oxidation using a liquid
    • H10D64/01344—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. chemical oxidation using a liquid in a nitrogen-containing ambient, e.g. N2O oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator
    • H10D64/681—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator having a compositional variation, e.g. multilayered
    • H10D64/685—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator having a compositional variation, e.g. multilayered being perpendicular to the channel plane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator
    • H10D64/693—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator the insulator comprising nitrogen, e.g. nitrides, oxynitrides or nitrogen-doped materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/0163—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including enhancement-mode IGFETs and depletion-mode IGFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/20—Diffusion for doping of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
NL7212627.A 1971-09-18 1972-09-18 Werkwijze voor de vervaardiging van een veldeffekt- transistor met een geisoleerde stuurelektrode. NL165331C (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7290071A JPS4840386A (nl) 1971-09-18 1971-09-18
JP182472A JPS4871887A (nl) 1971-12-27 1971-12-27
JP47003301A JPS4871976A (nl) 1971-12-28 1971-12-28
JP47059746A JPS4921079A (nl) 1972-06-15 1972-06-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7212627A NL7212627A (nl) 1973-03-20
NL165331B true NL165331B (nl) 1980-10-15
NL165331C NL165331C (nl) 1981-03-16

Family

ID=27453490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7212627.A NL165331C (nl) 1971-09-18 1972-09-18 Werkwijze voor de vervaardiging van een veldeffekt- transistor met een geisoleerde stuurelektrode.

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE2245165A1 (nl)
FR (1) FR2153004B1 (nl)
GB (1) GB1379838A (nl)
NL (1) NL165331C (nl)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1039154B (it) * 1974-08-12 1979-12-10 Ibm Miglioramento a processi di fabricazione di dispositivi impieganti semiconduttori particolarmente strutture mos
NL7710635A (nl) * 1977-09-29 1979-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Also Published As

Publication number Publication date
NL165331C (nl) 1981-03-16
FR2153004A1 (nl) 1973-04-27
NL7212627A (nl) 1973-03-20
FR2153004B1 (nl) 1977-04-01
GB1379838A (en) 1975-01-08
DE2245165A1 (de) 1973-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL175772C (nl) Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone.
NL160512C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat.
BE785513A (nl) Inwendige isolatie voor een oven.
NL186355B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor met geisoleerde poort van een paar complementaire transistors.
NL7612850A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transis- tor.
NL159815B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van een geisoleer- de stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor met n-type kanaal.
NL185882C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL174006C (nl) Besturingsinrichting voor een elektromagneet.
NL171912C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van ijzerfoelie.
NL161306C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van veldeffecttransis- toren met geisoleerde stuurelektrode.
NL173113C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode van polykristallijn silicium.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL164321C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een enzymatisch actief membraan.
NL164098C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een elektrode voor elektrochemische processen.
NL173662C (nl) Elektrode voor elektrochemische processen.
NL159532B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor van het verrijkingstype, alsmede veldeffecttransistor, vervaardigd met deze werkwijze.
NL162790C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL155399B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren.
NL145730B (nl) Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL164944C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geisoleerde pijp.
NL7506288A (nl) Complementair veldeffekttransistorstelsel met geisoleerde poortelektrode.
NL165331B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een veldeffekt- transistor met een geisoleerde stuurelektrode.
NL162420B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat.
NL168024C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dakbedekkingselement, alsmede een inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee