NL163901B - Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Info

Publication number
NL163901B
NL163901B NL7402772.A NL7402772A NL163901B NL 163901 B NL163901 B NL 163901B NL 7402772 A NL7402772 A NL 7402772A NL 163901 B NL163901 B NL 163901B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
sequent
transfers
manufacture
storing
load
Prior art date
Application number
NL7402772.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL163901C (nl
NL7402772A (nl
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2316173A external-priority patent/JPS49114374A/ja
Priority claimed from JP7171373A external-priority patent/JPS57662B2/ja
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7402772A publication Critical patent/NL7402772A/xx
Publication of NL163901B publication Critical patent/NL163901B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL163901C publication Critical patent/NL163901C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4983—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET with a lateral structure, e.g. a Polysilicon gate with a lateral doping variation or with a lateral composition variation or characterised by the sidewalls being composed of conductive, resistive or dielectric material
    • H01L29/4991—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET with a lateral structure, e.g. a Polysilicon gate with a lateral doping variation or with a lateral composition variation or characterised by the sidewalls being composed of conductive, resistive or dielectric material comprising an air gap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42396—Gate electrodes for field effect devices for charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4983—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET with a lateral structure, e.g. a Polysilicon gate with a lateral doping variation or with a lateral composition variation or characterised by the sidewalls being composed of conductive, resistive or dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66946—Charge transfer devices
    • H01L29/66954—Charge transfer devices with an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76866—Surface Channel CCD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NL7402772.A 1973-02-28 1974-02-28 Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan. NL163901C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2316173A JPS49114374A (nl) 1973-02-28 1973-02-28
JP7171373A JPS57662B2 (nl) 1973-06-27 1973-06-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7402772A NL7402772A (nl) 1974-08-30
NL163901B true NL163901B (nl) 1980-05-16
NL163901C NL163901C (nl) 1980-10-15

Family

ID=26360477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7402772.A NL163901C (nl) 1973-02-28 1974-02-28 Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE2409664C2 (nl)
GB (1) GB1444047A (nl)
NL (1) NL163901C (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7510586A (nl) * 1975-09-09 1977-03-11 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een la- dingsoverdrachtinrichting en ladingsoverdracht- inrichting vervaardigd met behulp van de werk- wijze.
GB1527894A (en) * 1975-10-15 1978-10-11 Mullard Ltd Methods of manufacturing electronic devices
US4123300A (en) * 1977-05-02 1978-10-31 International Business Machines Corporation Integrated circuit process utilizing lift-off techniques
DE2939456A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nichtueberlappenden poly-silizium-elektroden
DE2939488A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nicht ueberlappenden poly-silizium-elektroden
NL8202777A (nl) * 1982-07-09 1984-02-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1075811A (en) * 1970-10-29 1980-04-15 George E. Smith Charge coupled device
US3756924A (en) * 1971-04-01 1973-09-04 Texas Instruments Inc Method of fabricating a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE2409664C2 (de) 1983-09-15
NL163901C (nl) 1980-10-15
NL7402772A (nl) 1974-08-30
GB1444047A (en) 1976-07-28
DE2409664A1 (de) 1974-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL7509266A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL176742C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van bruistabletten.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL171912C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van ijzerfoelie.
NL169049C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van biaxiaal gestrekte polyethyleennaftaleen-2,6-dicarboxylaatfoelies en magnetische banden daaruit.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL165108C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van zakken.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7706185A (nl) Inrichting voor het behandelen van voorwerpen, in het bijzonder delen van een verpakking.
NL186933C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL185044B (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161919C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat.
NL7413921A (nl) Werkwijze en inrichting voor het ontstrengelen van vezelwerk.
NL163901C (nl) Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL159284B (nl) Werkwijze voor het desinfecteren van koeieuiers, alsmede combinatieverpakking.
NL155527B (nl) Werkwijze voor het bereiden van cyclododecatrieen-1,5,9.
NL150147B (nl) Thermohardbare, dragervrije foelie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7610133A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van pakken houders, in het bijzonder pakken van houders voor voedsel.
NL7410215A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL7414512A (nl) Inrichting voor het transporteren van stortma- teriaal.
NL164581C (nl) Werkwijze voor het bereiden van polyamiden, alsmede daaruit bestaande voorwerpen.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent