NL160987C - Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL160987C
NL160987C NL7217827.A NL7217827A NL160987C NL 160987 C NL160987 C NL 160987C NL 7217827 A NL7217827 A NL 7217827A NL 160987 C NL160987 C NL 160987C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
procedure
manufacturing
schottky diode
conductor device
Prior art date
Application number
NL7217827.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7217827A (enrdf_load_stackoverflow
NL160987B (nl
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7217827A publication Critical patent/NL7217827A/xx
Publication of NL160987B publication Critical patent/NL160987B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL160987C publication Critical patent/NL160987C/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5893—Mixing of deposited material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0112—Integrating together multiple components covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating multiple BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611—Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/613—Combinations of vertical BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/617—Combinations of vertical BJTs and only diodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
NL7217827.A 1972-01-03 1972-12-29 Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan. NL160987C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21459072A 1972-01-03 1972-01-03

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7217827A NL7217827A (enrdf_load_stackoverflow) 1973-07-05
NL160987B NL160987B (nl) 1979-07-16
NL160987C true NL160987C (nl) 1979-12-17

Family

ID=22799670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7217827.A NL160987C (nl) 1972-01-03 1972-12-29 Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS5348075B2 (enrdf_load_stackoverflow)
CA (1) CA965189A (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2167603B1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1410701A (enrdf_load_stackoverflow)
IT (1) IT977986B (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL160987C (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60234621A (ja) * 1984-05-07 1985-11-21 照井　ヨシヱ 水切り受台
IT1185964B (it) * 1985-10-01 1987-11-18 Sgs Microelettronica Spa Procedimento e relativa apparecchiatura per realizzare contatti metallo-semiconduttore di tipo ohmico
JPS63257269A (ja) * 1987-04-14 1988-10-25 Fujitsu Ltd 半導体装置のコンタクト形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1808342A1 (de) * 1967-11-15 1970-04-09 Western Electric Co Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
US3658489A (en) * 1968-08-09 1972-04-25 Nippon Electric Co Laminated electrode for a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
FR2167603A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1973-08-24
DE2264322B2 (de) 1977-02-24
FR2167603B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1977-02-04
CA965189A (en) 1975-03-25
DE2264322A1 (de) 1973-07-19
GB1410701A (en) 1975-10-22
NL7217827A (enrdf_load_stackoverflow) 1973-07-05
JPS5348075B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1978-12-26
NL160987B (nl) 1979-07-16
IT977986B (it) 1974-09-20
JPS4879979A (enrdf_load_stackoverflow) 1973-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL155983B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en aldus vervaardigde transistor.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
IT998854B (it) Diodi schottky a barriera
NL7604388A (nl) Halfgeleiderinrichting met een schottky grens- laag.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL161619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL154623B (nl) Halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL152122B (nl) Halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
IT967244B (it) Dispositivo di immagazzinamento a barriera di schottky
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL151564B (nl) Geintegreerde halfgeleiderketen met een schottky-diode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL158298B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gemigreerde seismische registratie, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL160987C (nl) Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
IT981505B (it) Dispositivo a semiconduttori a cariche accoppiate perfezionato
NL144820B (nl) Inrichting voor het aanbrengen van een snede in de hals van vogels.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: PHILIPS