NL160983C - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied.Info
- Publication number
- NL160983C NL160983C NL6800572.A NL6800572A NL160983C NL 160983 C NL160983 C NL 160983C NL 6800572 A NL6800572 A NL 6800572A NL 160983 C NL160983 C NL 160983C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- manufacturing
- area
- collector
- strongly
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2205—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities from the substrate during epitaxy, e.g. autodoping; Preventing or using autodoping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/037—Diffusion-deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60943867A | 1967-01-16 | 1967-01-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6800572A NL6800572A (nl) | 1968-07-17 |
NL160983B NL160983B (nl) | 1979-07-16 |
NL160983C true NL160983C (nl) | 1979-12-17 |
Family
ID=24440801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL6800572.A NL160983C (nl) | 1967-01-16 | 1968-01-12 | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3479233A (nl) |
FR (1) | FR1548858A (nl) |
GB (1) | GB1194752A (nl) |
NL (1) | NL160983C (nl) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
BE758683A (fr) * | 1969-11-10 | 1971-05-10 | Ibm | Procede de fabrication d'un dispositif monolithique auto-isolant et structure de transistor a socle |
FR2092730A1 (en) * | 1970-06-12 | 1972-01-28 | Radiotechnique Compelec | Boron diffusion in silicon - from diborane, oxygen nitrogen mixtures |
IT947674B (it) * | 1971-04-28 | 1973-05-30 | Ibm | Tecnica di diffusione epitassiale per la fabbricazione di transisto ri bipolari e transistori fet |
DE2131993C2 (de) * | 1971-06-28 | 1984-10-11 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses |
US3967307A (en) * | 1973-07-30 | 1976-06-29 | Signetics Corporation | Lateral bipolar transistor for integrated circuits and method for forming the same |
US4170501A (en) * | 1978-02-15 | 1979-10-09 | Rca Corporation | Method of making a semiconductor integrated circuit device utilizing simultaneous outdiffusion and autodoping during epitaxial deposition |
US4571275A (en) * | 1983-12-19 | 1986-02-18 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing autodoping during epitaxial deposition utilizing a graded pattern subcollector |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3183178A (en) * | 1961-06-06 | 1965-05-11 | Hydrocarbon Research Inc | Two stage hydrogenating process employing two different particle sizes |
NL297820A (nl) * | 1962-10-05 | |||
US3268374A (en) * | 1963-04-24 | 1966-08-23 | Texas Instruments Inc | Method of producing a field-effect transistor |
US3340598A (en) * | 1965-04-19 | 1967-09-12 | Teledyne Inc | Method of making field effect transistor device |
-
1967
- 1967-01-16 US US609438A patent/US3479233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-07 FR FR1548858D patent/FR1548858A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-01-12 NL NL6800572.A patent/NL160983C/nl not_active IP Right Cessation
- 1968-01-12 GB GB1861/68A patent/GB1194752A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3479233A (en) | 1969-11-18 |
NL160983B (nl) | 1979-07-16 |
NL6800572A (nl) | 1968-07-17 |
GB1194752A (en) | 1970-06-10 |
FR1548858A (nl) | 1968-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL160143C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een afgesloten neutro- nengenerator. | |
NL161591B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
NL159124B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL156631B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies. | |
NL161164B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een sequestreermiddel. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
NL147499B (nl) | Werkwijze voor het versterken van een bodemgebied. | |
NL158541B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van laminaten. | |
NL148079B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van kunststofoppervlakken met een geleidende metaallaag. | |
NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL162011B (nl) | Inrichting voor het opbouwen van een banddeel. | |
NL160983C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL146522B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerde foelies van polyethyleentereftalaat. | |
NL162710C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ladder en een met behulp van de werkwijze vervaardigde ladder. | |
NL162865B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting. | |
NL158623B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogeleidend registreermateriaal. | |
NL141401B (nl) | Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen. | |
NL157095B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een buis en zo verkregen buis. | |
NL145001B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een poreuze foelie. | |
NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL159771B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfsmerend voor- werp en aldus vervaardigd voorwerp. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: IBM |