NL160433B - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft.

Info

Publication number
NL160433B
NL160433B NL7210358.A NL7210358A NL160433B NL 160433 B NL160433 B NL 160433B NL 7210358 A NL7210358 A NL 7210358A NL 160433 B NL160433 B NL 160433B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
procedure
manufacture
same type
conductor circuit
Prior art date
Application number
NL7210358.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7210358A (nl
NL160433C (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7210358A publication Critical patent/NL7210358A/xx
Publication of NL160433B publication Critical patent/NL160433B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL160433C publication Critical patent/NL160433C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
    • H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8222—Bipolar technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/087—I2L integrated injection logic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
NL7210358.A 1971-08-02 1972-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft. NL160433C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00168034A US3817794A (en) 1971-08-02 1971-08-02 Method for making high-gain transistors

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7210358A NL7210358A (nl) 1973-02-06
NL160433B true NL160433B (nl) 1979-05-15
NL160433C NL160433C (nl) 1979-10-15

Family

ID=22609812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7210358.A NL160433C (nl) 1971-08-02 1972-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3817794A (nl)
JP (1) JPS5145944B2 (nl)
BE (1) BE786889A (nl)
CA (1) CA954637A (nl)
DE (1) DE2236897A1 (nl)
FR (1) FR2148175B1 (nl)
GB (1) GB1340306A (nl)
IT (1) IT961727B (nl)
NL (1) NL160433C (nl)
SE (1) SE374457B (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5147762B1 (nl) * 1974-02-04 1976-12-16
JPS5148978A (ja) * 1974-10-24 1976-04-27 Nippon Electric Co Handotaisochinoseizohoho
JPS5180786A (nl) * 1975-01-10 1976-07-14 Nippon Electric Co
DE2532608C2 (de) * 1975-07-22 1982-09-02 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Planardiffusionsverfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung
US4026740A (en) * 1975-10-29 1977-05-31 Intel Corporation Process for fabricating narrow polycrystalline silicon members
DE3020609C2 (de) * 1979-05-31 1985-11-07 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung mit wenigstens einem I↑2↑L-Element
US4298402A (en) * 1980-02-04 1981-11-03 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method of fabricating self-aligned lateral bipolar transistor utilizing special masking techniques
DE3317437A1 (de) * 1983-05-13 1984-11-15 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Planartransistor mit niedrigem rauschfaktor und verfahren zu dessen herstellung
GB2188479B (en) * 1986-03-26 1990-05-23 Stc Plc Semiconductor devices
JPH02230742A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5138413A (en) * 1990-10-22 1992-08-11 Harris Corporation Piso electrostatic discharge protection device

Also Published As

Publication number Publication date
US3817794A (en) 1974-06-18
FR2148175B1 (nl) 1977-08-26
IT961727B (it) 1973-12-10
FR2148175A1 (nl) 1973-03-11
NL7210358A (nl) 1973-02-06
JPS5145944B2 (nl) 1976-12-06
NL160433C (nl) 1979-10-15
BE786889A (fr) 1972-11-16
JPS4825483A (nl) 1973-04-03
DE2236897A1 (de) 1973-02-15
SE374457B (nl) 1975-03-03
CA954637A (en) 1974-09-10
DE2236897B2 (nl) 1975-09-04
GB1340306A (en) 1973-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL159534B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren.
NL188608C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL167317B (nl) Hef- en transportinrichting voor invaliden.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL145396B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL160433C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft.
NL154872B (nl) Een werkwijze voor het vervaardigen van omhulsels voor halfgeleiderelementen en voor geintegreerde halfgeleiderschakelingen en omhulsels vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL180264C (nl) Bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL170902C (nl) Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder monolithische geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL159833B (nl) Geintegreerde schakeling voorzien van een aantal gelijkstroom-gekoppelde hoog- of tussenfrequentversterker- trappen.
CH546482A (de) Halbleiterbauelement.
NL161920B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL182765C (nl) Halfgeleiderschakeling van het ladinggekoppelde type, alsmede transversaal filter en lijnbeeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
SE389366B (sv) Takelement samt forfarande for tillverkning av detsamma.
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
NL162762C (nl) Ten aanzien van zijn functie bewaakt informatiegeheugen van het geintegreerd halfgeleidertype.
NL7410215A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL179248C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: WEST ELECTRIC

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent