NL152123B - Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting van galliumfosfide en inrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting van galliumfosfide en inrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze

Info

Publication number
NL152123B
NL152123B NL707011710A NL7011710A NL152123B NL 152123 B NL152123 B NL 152123B NL 707011710 A NL707011710 A NL 707011710A NL 7011710 A NL7011710 A NL 7011710A NL 152123 B NL152123 B NL 152123B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
manufacture
gallium phosphide
electroluminescent device
device obtained
Prior art date
Application number
NL707011710A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7011710A (xx
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7011710A publication Critical patent/NL7011710A/xx
Publication of NL152123B publication Critical patent/NL152123B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02392—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02543—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/119—Phosphides of gallium or indium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S252/00—Compositions
    • Y10S252/95—Doping agent source material
NL707011710A 1969-08-08 1970-08-07 Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting van galliumfosfide en inrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze NL152123B (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84854669A 1969-08-08 1969-08-08
US23368072A 1972-03-10 1972-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7011710A NL7011710A (xx) 1971-02-10
NL152123B true NL152123B (nl) 1977-01-17

Family

ID=26927146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL707011710A NL152123B (nl) 1969-08-08 1970-08-07 Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting van galliumfosfide en inrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze

Country Status (6)

Country Link
US (2) US3690964A (xx)
BE (1) BE754437A (xx)
DE (2) DE2065245C3 (xx)
FR (1) FR2056777A5 (xx)
GB (2) GB1320043A (xx)
NL (1) NL152123B (xx)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2175571B1 (xx) * 1972-03-14 1978-08-25 Radiotechnique Compelec
US3870575A (en) * 1972-03-21 1975-03-11 Sony Corp Fabricating a gallium phosphide device
US3727115A (en) * 1972-03-24 1973-04-10 Ibm Semiconductor electroluminescent diode comprising a ternary compound of gallium, thallium, and phosphorous
US3859148A (en) * 1972-12-01 1975-01-07 Bell Telephone Labor Inc Epitaxial crystal growth of group iii-v compound semiconductors from solution
US3875451A (en) * 1972-12-15 1975-04-01 Bell Telephone Labor Inc Near-infrared light-emitting and light-detecting indium phosphide homodiodes including cadmium tin phosphide therein
GB1429895A (en) * 1973-02-12 1976-03-31 Tokyo Shibaura Electric Co Red-emitting gallium phosphide device automat
US4017880A (en) * 1973-02-12 1977-04-12 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Red light emitting gallium phosphide device
US3951699A (en) * 1973-02-22 1976-04-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a gallium phosphide red-emitting device
US3853643A (en) * 1973-06-18 1974-12-10 Bell Telephone Labor Inc Epitaxial growth of group iii-v semiconductors from solution
DE2346198A1 (de) * 1973-07-27 1975-05-07 Siemens Ag Verfahren zur herstellung gelb leuchtender galliumphosphid-dioden
JPS5137915B2 (xx) * 1973-10-19 1976-10-19
US3915754A (en) * 1973-11-29 1975-10-28 Honeywell Inc Growth of gallium phosphide
JPS531192B2 (xx) * 1974-01-29 1978-01-17
IT1021854B (it) * 1974-01-31 1978-02-20 Tokyo Shibaura Electric Co Dispositivo a fosfuro di gallio per emissione di luce rossa
US4180423A (en) * 1974-01-31 1979-12-25 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing red light-emitting gallium phosphide device
JPS551717B2 (xx) * 1975-01-29 1980-01-16
US4235191A (en) * 1979-03-02 1980-11-25 Western Electric Company, Inc. Apparatus for depositing materials on stacked semiconductor wafers
JPS6013317B2 (ja) * 1979-03-19 1985-04-06 松下電器産業株式会社 発光ダイオ−ドの製造方法
JP2698891B2 (ja) * 1992-11-07 1998-01-19 信越半導体株式会社 ＧａＰ系発光素子基板
JP3324102B2 (ja) * 1993-11-22 2002-09-17 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL143402B (nl) * 1964-02-12 1974-09-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een een halfgeleiderlichaam bevattende gestuurde injectierecombinatiestralingsbron.
US3365630A (en) * 1965-01-29 1968-01-23 Bell Telephone Labor Inc Electroluminescent gallium phosphide crystal with three dopants
US3462320A (en) * 1966-11-21 1969-08-19 Bell Telephone Labor Inc Solution growth of nitrogen doped gallium phosphide
US3470038A (en) * 1967-02-17 1969-09-30 Bell Telephone Labor Inc Electroluminescent p-n junction device and preparation thereof
US3647579A (en) * 1968-03-28 1972-03-07 Rca Corp Liquid phase double epitaxial process for manufacturing light emitting gallium phosphide devices
US3592704A (en) * 1968-06-28 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electroluminescent device
US3619304A (en) * 1968-08-30 1971-11-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes

Also Published As

Publication number Publication date
FR2056777A5 (xx) 1971-05-14
NL7011710A (xx) 1971-02-10
BE754437A (fr) 1971-01-18
GB1320044A (en) 1973-06-13
GB1320043A (en) 1973-06-13
DE2065245B2 (de) 1975-01-02
DE2039381B2 (de) 1973-03-22
DE2039381A1 (de) 1971-02-25
US3690964A (en) 1972-09-12
US3703671A (en) 1972-11-21
DE2065245A1 (de) 1973-04-12
DE2065245C3 (de) 1975-08-07
DE2039381C3 (de) 1973-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152123B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting van galliumfosfide en inrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze
NL142428B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een entcopolymeer.
BE745576A (nl) Werkwijze en toestel voor het steken van een ongeroerd grondmonster
NL7505886A (nl) Werkwijze voor het behandelen van een onder- materiaal.
NL150861B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een kunstmatige draad volgens de smeltspinmethode en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze.
NL147858B (nl) Inrichting voor het onderzoeken van een edelsteen.
NL158024B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van de werkwijze.
BE796051A (nl) Werkwijze voor het maken van d-arabinose
NL139912B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies.
BE768625A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp van thermohardbare hars
BE753428A (nl) Werkwijze voor het disproportioneren van olefinen
BE787112A (nl) Werkwijze en inrichting voor het slachten van dieren
NL155947B (nl) Werkwijze en inrichting voor het steken van een ongeroerd grondmonster.
BE754752A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bedrijven van een oven
NL156917B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde geneesmiddelen met een geprotraheerde werking en volgens deze werkwijze verkregen gevormde geneesmiddelen.
BE744914A (nl) Werkwijze voor de disproportionering van olefinen
BE770972A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van 3-anilino-pyrazolin-5- onen
NL143794B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een insekticide preparaat.
BE787341R (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp van thermohardbare
NL147618B (nl) Werkwijze en inrichting voor het ononderbroken vervaardigen van toffees.
NL7501520A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxi- ag uit galliumfosfide.
NL7604601A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen van een dergelijke inrichting.
BE777345A (nl) Werkwijze voor het verwerken van dieren
NL143468B (nl) Werkwijze voor het continu vervaardigen van gelaagde voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze.
BE782100A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van boomschorschocolade

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: WESTERN ELEC