NL141710B - Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Info

Publication number
NL141710B
NL141710B NL63302630A NL302630A NL141710B NL 141710 B NL141710 B NL 141710B NL 63302630 A NL63302630 A NL 63302630A NL 302630 A NL302630 A NL 302630A NL 141710 B NL141710 B NL 141710B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
germanium
silicon
procedure
application
Prior art date
Application number
NL63302630A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
North American Aviation Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North American Aviation Inc filed Critical North American Aviation Inc
Publication of NL141710B publication Critical patent/NL141710B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • C30B31/22—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation by ion-implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/918—Special or nonstandard dopant

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NL63302630A 1963-01-18 1963-12-24 Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze. NL141710B (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25251863A 1963-01-18 1963-01-18
US308617A US3293084A (en) 1963-01-18 1963-09-09 Method of treating semiconductor bodies by ion bombardment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL141710B true NL141710B (nl) 1974-03-15

Family

ID=26942387

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL302630D NL302630A (hu) 1963-01-18
NL63302630A NL141710B (nl) 1963-01-18 1963-12-24 Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL302630D NL302630A (hu) 1963-01-18

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3293084A (hu)
BE (1) BE642710A (hu)
DE (1) DE1489135B2 (hu)
GB (1) GB1035151A (hu)
NL (2) NL141710B (hu)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3401107A (en) * 1965-08-05 1968-09-10 Gen Electric Method of manufacturing semiconductor camera tube targets
USB421061I5 (hu) * 1964-12-24
US3383567A (en) * 1965-09-15 1968-05-14 Ion Physics Corp Solid state translating device comprising irradiation implanted conductivity ions
US3459603A (en) * 1966-01-12 1969-08-05 Us Air Force Method for preparing electroluminescent light sources
US3461361A (en) * 1966-02-24 1969-08-12 Rca Corp Complementary mos transistor integrated circuits with inversion layer formed by ionic discharge bombardment
US3413531A (en) * 1966-09-06 1968-11-26 Ion Physics Corp High frequency field effect transistor
US3457632A (en) * 1966-10-07 1969-07-29 Us Air Force Process for implanting buried layers in semiconductor devices
US3468727A (en) * 1966-11-15 1969-09-23 Nasa Method of temperature compensating semiconductor strain gages
US3515956A (en) * 1967-10-16 1970-06-02 Ion Physics Corp High-voltage semiconductor device having a guard ring containing substitutionally active ions in interstitial positions
US3520741A (en) * 1967-12-18 1970-07-14 Hughes Aircraft Co Method of simultaneous epitaxial growth and ion implantation
US3544398A (en) * 1968-07-11 1970-12-01 Hughes Aircraft Co Method of preventing avalanching in semiconductor devices
JPS4915377B1 (hu) * 1968-10-04 1974-04-15
US3667116A (en) * 1969-05-15 1972-06-06 Avio Di Felice Method of manufacturing zener diodes having improved characteristics
US3634738A (en) * 1970-10-06 1972-01-11 Kev Electronics Corp Diode having a voltage variable capacitance characteristic and method of making same
US3940847A (en) * 1974-07-26 1976-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating ion implanted znse p-n junction devices
US4111720A (en) * 1977-03-31 1978-09-05 International Business Machines Corporation Method for forming a non-epitaxial bipolar integrated circuit
CA1131797A (en) * 1979-08-20 1982-09-14 Jagir S. Multani Fabrication of a semiconductor device in a simulated epitaxial layer
US20080073899A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Parker Kevin P Apparatus and method for binding thick sheets including photographs
US20080072469A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Parker Kevin P Apparatus and method for binding thick sheets including photographs

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL88584C (hu) * 1950-01-31
US2787564A (en) * 1954-10-28 1957-04-02 Bell Telephone Labor Inc Forming semiconductive devices by ionic bombardment
US3132408A (en) * 1962-01-18 1964-05-12 Gen Electric Method of making semiconductor strain sensitive devices

Also Published As

Publication number Publication date
US3293084A (en) 1966-12-20
DE1489135B2 (de) 1970-06-04
BE642710A (hu) 1964-05-15
NL302630A (hu) 1900-01-01
DE1489135A1 (hu) 1970-06-04
GB1035151A (en) 1966-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL141710B (nl) Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7607571A (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een actief gebied van amorf silicium.
NL160680B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL7705330A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektro- magnetische inrichting alsmede inrichting ver- vaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7713855A (nl) Werkwijze voor het door middel van ionen-im- plantatie veranderen van de elektrische eigen- schappen van mos-inrichtingen.
NL159533B (nl) Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL145396B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL140656B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL139912B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies.
NL161301C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL160988B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
BE618081A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van elektrische halfgeleiderinrichtingen
NL7511259A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van microbedradingen voor het contacteren van halfgeleiderschakelkringen.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL155687B (nl) Ophangklem voor het ophangen van een elektrische bovenleidingskabel of dergelijke.
NL151384B (nl) Werkwijze voor het concentreren van een waterige latex en voorwerpen, vervaardigd onder toepassing van de aldus verkregen latex.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
FR1444297A (fr) Circuits et dispositifs semi-conducteurs, et procédés pour améliorer les caractéristiques électriques de ces derniers

Legal Events

Date Code Title Description
VJC Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application