NL139036B - Werkwijze voor het vormen van halfgeleidermateriaal, alsmede halfgeleiders geheel of gedeeltelijk verkregen door toepassing van deze werkwijze.
- Google Patents
Werkwijze voor het vormen van halfgeleidermateriaal, alsmede halfgeleiders geheel of gedeeltelijk verkregen door toepassing van deze werkwijze.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co LtdfiledCriticalMatsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of NL6604314ApublicationCriticalpatent/NL6604314A/xx
Publication of NL139036BpublicationCriticalpatent/NL139036B/xx
C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
C—CHEMISTRY; METALLURGY
C01—INORGANIC CHEMISTRY
C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
Landscapes
Chemical & Material Sciences
(AREA)
Organic Chemistry
(AREA)
Inorganic Chemistry
(AREA)
Photovoltaic Devices
(AREA)
Light Receiving Elements
(AREA)
NL666604314A1965-06-161966-03-31Werkwijze voor het vormen van halfgeleidermateriaal, alsmede halfgeleiders geheel of gedeeltelijk verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL139036B
(nl)
Procede et dispositif de depot sur un substrat d'une couche mince d'un compose comportant au moins un constituant cationique et au moins un constituant anionique
Werkwijze voor het reinigen van het oppervlak van een op een halfgeleider aangebrachte metaallaag door kathodeverstuiving, alsmede met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het isoleren van menselijk carcino- -embryonisch antigeenmateriaal, alsmede werkwijze voor het radiojoderen van het verkregen materiaal.
Werkwijze voor het vervaardigen van een, uit dunne lagen opgebouwde, geintegreerde schakeling, alsmede geintegreerde schakeling verkregen door toepassing van de werkwijze.
Werkwijze voor het stabiliseren en consolideren van grond bevattende samenstellingen, alsmede de geharde voorwerpen, die door toepassing van deze werkwijze worden verkregen.
Werkwijze voor het bereiden van een glas en halfgeleiderinrichting, waarvan halfgeleider en elektroden althans gedeeltelijk zijn bedekt met een materiaal, verkregen door dit glas gedeeltelijk te kristalliseren.
Werkwijze voor het instellen van de luchtspleet van een elektromagnetische omzetinrichting, alsmede elektromagnetische omzetinrichting verkregen door toepassing van de werkwijze.