NL1025122C2 - Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker. - Google Patents

Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker. Download PDF

Info

Publication number
NL1025122C2
NL1025122C2 NL1025122A NL1025122A NL1025122C2 NL 1025122 C2 NL1025122 C2 NL 1025122C2 NL 1025122 A NL1025122 A NL 1025122A NL 1025122 A NL1025122 A NL 1025122A NL 1025122 C2 NL1025122 C2 NL 1025122C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
mask
raw
raw mask
unprocessed
light
Prior art date
Application number
NL1025122A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1025122A1 (nl
Inventor
Tarek Lutz
Markus Menath
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Ag filed Critical Infineon Technologies Ag
Publication of NL1025122A1 publication Critical patent/NL1025122A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1025122C2 publication Critical patent/NL1025122C2/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/958Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische ei genschappen van een onbewerkt masker.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker, en in het bijzonder op een inrichting en een werkwijze voor het bepalen van mechani-5 sche spanningen en/of doorbuigingen van een onbewerkt masker.
Onbewerkte maskers zijn [lacune] in gereedschapswerktuigen voor het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen om te dienen als een belichtingsmasker voor bijvoorbeeld in een stepperinrichting. Meestal omvat een onbewerkt masker 10 een draaginrichting, bij voorkeur vervaardigd van glas met een dikte van ongeveer 6 millimeter, waarop een molybdeen-siliciumnitridelaag is aangebracht die bij voorkeur een dikte heeft van 100 nm en, over deze laatste, een chroomlaag eveneens met een dikte van 100 nm als hard masker. Daarboven is 15 een fotoresistlaag aangebracht met een dikte van bijvoorbeeld 500 nm.
Om te kunnen dienen als patroonmasker, moet het onbewerkte masker of de lagen die op het glas zijn aangebracht worden voorzien van patronen in diverse bewerkingsstappen.
20 Dit voorzien van patronen wordt bijvoorbeeld uitgevoerd in patroongenerators. Voor dit doel wordt het onbewerkte masker heel in het algemeen geklemd in een fixeer- of kleminrich-ting. Gebruikelijke kleminrichtingen klemmen een onbewerkt masker door middel van mechanische veerelementen. Dit leidt 25 vaak tot mechanische spanningen of doorbuigingen van het onbewerkte masker en daardoor tot een verminderde kwaliteit van het van een patroon voorziene masker.
Tot nu toe zijn dergelijke dislocaties en rekken slechts ontdekt of geïdentificeerd bij het eind van het pro-30 ces van het vervaardigen van het onbewerkte masker of van het masker in de vorm van registratiefluctuaties, nauwkeurigheid of positiefluctuaties en andere fouten. Onbewerkte maskers die buiten het tolerantiegebied liggen moeten worden afgescheiden door sorteren. Daarbuiten is het een doel van de on- 10251 22 ! _____ 2 derhavige uitvinding om een inrichting en een werkwijze te verschaffen om de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker te bepalen, waardoor de kwaliteitsborging en/of inspectie van de onbewerkte maskers wordt vereenvoudigd en in 5 situvaststelling mogelijk wordt gemaakt.
Dit doel wordt bereikt door middel van de inrichting voor het bepalen van fysische eigenschappen van een onbewerkt masker volgens conclusie 1 en door middelen van de werkwijze voor het bepalen van fysische eigenschappen van een onbewerkt 10 masker volgens conclusie 12.
Het idee waarop de onderhavige uitvinding is gebaseerd bestaat in wezen uit het genereren van een tomogram van een onbewerkt masker door het aanbrengen van een vooraf bepaald licht en het detecteren van het licht dat verstrooid is 15 in het onbewerkte masker, waardoor de plaats wordt bepaald van de strooibronnen bijvoorbeeld als gevolg van doorbuigin-gen, mechanische spanningen, veroorzaakt door de absorberende laag of als gevolg van klemmen van het onbewerkte masker of ten gevolge van insluitingen of verontreinigingsdeeltjes.
20 In de onderhavige uitvinding wordt het probleem dat wordt genoemd in de inleiding, in het bijzonder opgelost door het verschaffen van een inrichting om de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker te bepalen, voorzien van een verlichtingsinrichting om een vooraf bepaald licht zijdelings 25 in het onbewerkte masker te stralen; een detectie-inrichting tegenover de verlichtingsinrichting voor het detecteren van het licht dat verstrooid is en/of door het onbewerkte masker gaat; en een evaluatie-inrichting om de fysische eigenschappen van het onbewerkte masker te bepalen uit het licht dat 30 verstrooid is en/of door het onbewerkte masker is gegaan en dat is gedetecteerd in de detecteerinrichting.
Op deze wijze wordt het tomogram van het onbewerkte masker gegenereerd in een evaluatie-inrichting, bij voorkeur een computer, waardoor vooraf bepaalde eigenschappen of de 35 toestand van het onbewerkte masker worden gekarakteriseerd.
Voordelige ontwikkelingen en verbeteringen van de zaken van het betreffende onderwerp van de uitvinding worden gevonden in de onderconclusies.
10251 22'I _ 11 3
In overeenstemming met een voorkeursuitvoeringsvorm, is de verlichtingsinrichting voorzien van een laserinrichting of laserdiodes.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikke-5 ling, zijn de verlichtingsinrichting, het onbewerkte masker en de detectie-inrichting gehuisvest in een gereedschap voor maskerproductie.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, zijn de verlichtingsinrichting en de detectie-10 inrichting zo gerangschikt dat zij diametraal tegenover elkaar liggen en roteerbaar zijn over ten minste 180° in het vlak van het onbewerkte masker rond het onbewerkte masker dat zich daartussenin bevindt.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikke-15 ling, zijn de verlichtingsinrichting en de detectie- inrichting gerangschikt zodat zij naar binnen wijzen in een uitsparing, waarin het onbewerkte masker is gerangschikt.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, zijn laserdiodes als verlichtingsinrichting en laserde-20 tectors als detectie-inrichting afwisselend naast elkaar geplaatst, in welk geval bij voorkeur de laserdiodes allemaal in serie zijn verbonden en het licht dat door het onbewerkte masker gaat kan tegelijkertijd worden gedetecteerd door al de laserdetectors.
25 In overeenstemming met een andere voorkeursontwikke ling, kan een data-analyse van het gedetecteerde licht door de detectie-inrichting op basis van een Fourier transformatie, worden verschaft in de evaluatie-inrichting, voor het creëren van een karakteristiek van het onbewerkte masker.
30 In overeenstemming met een andere voorkeursontwikke ling, wordt het onbewerkte masker gefixeerd in een fixeerin-richting met een instelbare klemkracht.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, vindt het fixeren van het onbewerkte masker in de 35 fixeerinrichting plaats door piëzo-elementen, bij voorkeur buispiëzo-elementen.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, is de klemkracht van de fixeerinrichting van het onbe- 0251 22 " \ 1 v' 4 werkte masker instelbaar afhankelijk van de geëvalueerde vooraf bepaalde eigenschap van het onbewerkte masker.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, is de fixeerinrichting van de onbewerkte maskers voor-5 zien van ten minste drie gescheiden bestuurbare klemelemen-ten, bij voorkeur piëzo-elementen.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, worden strooiingsbronnen, zoals bijvoorbeeld insluitingen of mechanische spanningen en/of doorbuigingen in het on-10 bewerkte masker, berekend en gelokaliseerd in de evaluatie-inrichting op basis van de ontvangen gegevens van de detec-tie-inrichting.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikkeling, wordt op basis van de gegevens van gelokaliseerde ver-15 strooiingsbron, die wordt veroorzaakt door een mechanisch doorbuigen, een instelbare bevestigingsinrichting, die het onbewerkte masker vastklemt, zodanig bestuurd, dat de door-buiging wordt verminderd.
In overeenstemming met een andere voorkeursontwikke-20 ling, komt de detectie van het licht dat door het onbewerkte masker gaat in de detectie-inrichting tot stand met gebruikmaking van het Kerr effect.
Voorbeelden van uitvoeringsvormen van de uitvinding worden geïllustreerd in de tekeningen en in meer detail ver-25 klaard in de hier onderstaande beschrijving.
In de figuren:
Figuur 1 toont een schuin aanzicht in diagramvorm van een inrichting voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker om een eerste uitvoerings-30 vorm van de onderhavige uitvinding toe te lichten;
Figuur 2 toont een schuin aanzicht in diagramvorm van een inrichting voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker om een tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding toe te lichten; 35 Figuur 3 toont een schuin aanzicht in diagramvorm van een tomogram van een onbewerkt masker om het functioneren van een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding toe te lichten; en n ? R1 9 9 " *» *» 5
Figuur 4 toont een schuin aanzicht in diagramvorm van een dynamische kleminrichting voor een onbewerkt masker om een detail van een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding toe te lichten; 5 In de figuren geven gelijke verwijzingssymbolen identieke of functioneelidentieke samenstellende delen aan.
Figuur 1 illustreert een onbewerkt masker 10, dat in wezen een draaginrichting 11 omvat, bijvoorbeeld een glaslichaam met een dikte van ongeveer 6 mm met een rechthoekig ba-10 sisgebied, en een reeks lagen 12 daarop aangebracht. De reeks lagen 12 op de draaginrichting 11 omvat bij wijze van voorbeeld, een molybdeen-siliciumnitridelaag, aan de omtrek een chroomlaag en in de verticale richting een afsluitende foto-resistlaag.
15 Een verlichtingsinrichting 14 die gericht is naar een zijgebied 13 van het onbewerkte masker 10, bij voorkeur een laser, straalt vooraf bepaald licht 15 in op het onbewerkte masker 10 in wezen loodrecht op de zijwand 13 van het onbewerkte masker 10. Het licht 15 loopt in wezen evenwijdig 20 aan de serie lagen 12, gaan door het onbewerkte masker 10 en wordt indien van toepassing verstrooid bij dislocaties, rekken, andere vervormingen zoals mechanische spanningen of doorbuigingen of bij defecten of verontreinigingsdeeltjes in het onbewerkte masker 10. Licht 16 dat door het onbewerkte 25 masker 10 gaat of daarin wordt verstrooid wordt opgevangen in een detectie-inrichting 17. De detectie-inrichting 17 staat diametraal tegenover de verlichtingsinrichting 14, waarbij het onbewerkte masker 10 zo is gerangschikt dat het er tussenin ligt. De verlichtingsinrichting 14, de detectie-30 inrichting 17 en het onbewerkte masker 10 liggen in een vlak.
Om nu een tomogram of een afbeelding te kunnen maken van het inwendige van het onbewerkte masker, wordt de verlichtingsinrichting 14 verbonden met de detectie-inrichting 17 over tenminste een hoek α van tenminste 180° rond het on-35 bewerkte masker 10 bewogen, zodat in een evaluatie-inrichting 18, bijvoorbeeld een computer, strooibronnen die aanwezig zijn in het materiaal van het onbewerkte masker en de positie van de genoemde strooibronnen met behulp van berekeningen 1 Π9 c; 1 9 9 !
, I * I
6 kunnen worden afgeleid uit de combinatie van alle uitgezonden en gedetecteerde lichtstralen 15, 16.
Het laserlicht 16 dat wordt verstrooid in het onbewerkte masker 10 wordt opgeslagen op een positieafhankelijke 5 wijze in de computer 18. De afbeelding van het onbewerkte masker die op deze wijze is gegenereerd kan dan gebruikt worden als referentie voor elk ander gereedschap (patroongenera-tor, metrologie, etc.) of als basis voor correcties. Een afbeelding die op deze wijze is gegenereerd is evenzo geschikt 10 om de kwaliteit van het onbewerkte masker te bepalen, in welk geval deze bepaling van de vooraf bepaalde eigenschappen zoals bijvoorbeeld doorbuigingen van het onbewerkte masker en deeltjes die worden omvat in het onbewerkte masker 10 kunnen evenzo worden uitgevoerd tijdens het bewerkingsproces van een 15 onbewerkt masker 10 in een bewerkingsgereedschap voor onbewerkte maskers.
Een evaluatie van de gegevens van de detectie-inrichting 17 in de evaluatie-inrichting 18 vindt bij voorkeur plaats op de basis van de Fouriertransformatie. De eva-20 luatie-inrichting 18 verwerkt en analyseert niet alleen de gegevens van de detectie-inrichting 17 maar bestuurt bij voorkeur evenzo de verlichtingsinrichting 14 en derhalve het opvallende licht 15.
In een tweede uitvoeringsvorm in overeenstemming met 25 figuur 2, is het onbewerkte masker 10 gelijk aan het onbewerkte masker dat is beschreven met verwijzing naar figuur 1. In overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm, omvat een verlichtingsinrichting 14 een veelvoud van lichtbronnen 19, bijvoorbeeld laserdiodes. Een detectie-inrichting 15 [sic] 30 omvat evenzo een veelvoud van detectors 20, bij voorkeur la-serdetectors, die, evenals de laserdiodes 19, rond het onbewerkte masker 10 zijn gerangschikt in een vlak met het onbewerkte masker 10. De verlichtingsinrichting 14 en de detectie-inrichting 17 zijn bij voorkeur inwendig aangebracht in 35 een uitsparing 21 om het onbewerkte masker 10 te ontvangen, waarbij zowel de verlichtingsinrichting 14 als de detectie-inrichting 17 in hoofdzaak loodrecht is gepositioneerd op de zijgebieden 13 van het onbewerkte masker 10.
-ΠΟΚ1 9 9 4, I > ' 7
De laserdiodes 19 en de laserdetectors 20 zijn bij voorkeur afwisselend naast elkaar gerangschikt. De laserdiodes 19 zijn in serie verbonden en de detectors ontvangen allemaal tegelijkertijd de laserverstrooiingsgolven die ver-5 strooid zijn in het onbewerkte masker 10. De gegevens die worden verschaft door de detector 20 worden bij voorkeur gedetecteerd of geëvalueerd door gebruik te maken van het Kerr effect. In dit geval wordt eveneens, zoals is beschreven met verwijzing naar figuur 1, een gegevensanalyse van de uitvoer-10 gegevens van detectors 20 uitgevoerd in een evaluatie- inrichting 18, bij voorkeur een computer, bijvoorbeeld met behulp van de Fouriertransformatie, waarbij een karakteristiek van het onbewerkte masker, tomogram of een afbeelding van het onbewerkte masker 10 wordt gecreëerd uit deze gegene-15 reerde informatie-onderwerpen. Een dergelijk tomogram kan daarna als een referentie worden gebruikt, in elke stap voor het vervaardigen van het onbewerkte masker 10, voor meetgegevens of wijzigingen in het onbewerkte masker in de individuele bewerkingsstappen.
20 Als het onbewerkte masker 10 wordt gefixeerd in een fixeerinrichting (niet geïllustreerd) met een instelbare klemkracht, dan kan een doorbuiging van het onbewerkte masker 10 die mogelijk wordt veroorzaakt door het klemmen, worden geïdentificeerd en gecorrigeerd als de evaluatie-inrichting 25 18 verbonden is met de instelbare klem of fixeerinrichting.
Figuur 3 illustreert een schuin aanzicht in diagram-vorm van een afbeelding van een onbewerkt masker 10', waarbij vervormingen, mechanische spanningen in het onbewerkte masker 10 of doorbuigingen 22 van het onbewerkte masker 10 worden 30 geïllustreerd door de gebogen roostersamenstelling. Om een hoge kwaliteitsstandaard van het onbewerkte masker 10 te waarborgen, is het noodzakelijk om vervormingen of doorbuigingen 22 van het onbewerkte masker 10 te vermijden, die geïdentificeerd kunnen worden in een afbeelding 10' van een on-35 bewerkt masker.
Figuur 4 illustreert een detail, namelijk een fixeerinrichting 23 in de vorm van instelbare klemelementen, bij voorkeur piëzo-elementen zoals buispiëzo-elementen bij- 0251 22 !|
, I S
8 voorbeeld. Het onbewerkte masker 10 wordt bij voorkeur gefixeerd door middel van drie piëzo-inrichtingen [sic] 23, die elk variabel bestuurd kunnen worden door middel van een aparte gelijkspanning 24. Wanneer een inrichting volgens de uit-5 vinding, bijvoorbeeld volgens de uitvoeringsvorm zoals is getoond in figuur 1 of 2, een mechanische rek 22 heeft gelokaliseerd vanuit onbewerkte masker 10 met behulp van een afbeelding 10' van het onbewerkte masker in overeenstemming met figuur 3, dan kunnen de klemelementen 23, die onafhankelijk 10 van elkaar bestuurd kunnen worden, zo op het onbewerkte masker 10 inwerken dat de mechanische rek of doorbuiging 22 wordt gecorrigeerd of verminderd. Aanleggen van een spanning 24 aan de buispiëzo's die worden gebruikt als klem of fixeer-inrichting 23 laten deze uitzetten. Een buispiëzo-element 15 heeft een buisstructuur waarbij in dit geval de instelbare gelijkspanning 24 wordt verbonden met de buitenwand, dat wil zeggen de buitenzijde van de buis, door een pool en aan de binnenwand, dat wil zeggen het inwendige van de buis, door een pool. De regeling van de gelijkspanning 24 kan extern 20 worden verschaft, bijvoorbeeld met behulp van een potentiometer (niet geïllustreerd). Op deze wijze kan een variabele klemkracht en daarmee de mechanische spanning in een onbewerkt masker 10 actief worden bestuurd en als gevolg daarvan, kunnen gedetecteerde doorbuigingen van het onbewerkte masker 25 10 worden verminderd.
Alhoewel de onderhavige uitvinding hierboven is beschreven op basis van voorbeelden van voorkeursuitvoeringsvormen, is het daartoe niet beperkt, maar kan op een verscheidenheid van manieren worden gewijzigd.
30 Zo is de verlichtingsinrichting niet beperkt tot in richtingen op laserbasis, maar kunnen ze bijvoorbeeld ook worden verschaft door een verlichtingsinrichting met lange coherente golftreinen zoals een kwikdamplamp bijvoorbeeld. Daarnaast zijn andere geometrieën dan rechthoekige samenstel-35 lingen en derhalve geometrieën van de verlichtingsinrichting of van de detectie-inrichting zoals een cirkelvormige configuratie bijvoorbeeld ook denkbaar in principe.
1 n?fi 1 22 'i 9
Lijst van verwijzingscijfers 10 onbewerkt masker 10' afbeelding van onbewerkt masker of tomogram 5 van het onbewerkte masker 11 draaginrichting, bij voorkeur glasplaat 12 reeks lagen bijvoorbeeld MoSi(Ni), Cr, fotore-sist 13 zijgebied van het onbewerkte masker 10 14 verlichtingsinrichting, bij voorkeur laser 15 vooraf bepaald licht, bijvoorbeeld laserstraal 16 licht dat verstrooid is en/of door het onbewerkte masker is gegaan 17 detectie-inrichting 15 18 evaluatie-inrichting bijvoorbeeld computer 19 laserdiode 20 laserdetector 21 uitsparing voor het ontvangen van het onbewerkte masker 20 22 doorbuiging of vervorming van het onbewerkte masker 23 instelbaar klemelement, bij voorkeur piëzo-element 24 apart bestuurbare gelijkspanningsbron 10Z5122 i

Claims (19)

1. Inrichting voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker (10) voorzien van: een verlichtinginrichting (14) om een vooraf bepaald licht (15) zijdelings op het onbewerkte masker (10) in te stralen; 5 een detectie-inrichting (17) tegenover de verlichtingsinrich-ting (14) voor het detecteren van het licht (16) dat is verstrooid en/of door het onbewerkte masker (10) gaat en een evaluatie-inrichting (18) voor het bepalen van de fysische eigenschappen van het onbewerkte masker (10) uit het 10 licht (16) dat verstrooid is en/of door het onbewerkte masker (10) is heengegaan en is gedetecteerd in de detectie-inrichting (17) .
1 . t 1 >
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verlichtingsinrichting (14) een laserinrichting of la- 15 serdiodes (19) heeft.
3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk/ dat de verlichtingsinrichting (14), het onbewerkte masker (10) en de detectie-inrichting (17) zijn gehuisvest in een productiegereedschap voor maskers.
4. Inrichting volgens een van de voorgaande conclu sies, met het kenmerk, dat de verlichtingsinrichting (14) en de detectie-inrichting (17) zo zijn gerangschikt dat zij diametraal tegenover elkaar liggen en roteerbaar zijn over ten minste 180° in het vak van het onbewerkte masker (10) rond 25 het onbewerkte masker (10) dat daar tussenin is gesitueerd.
5. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies 1-3, met het kenmerk, dat de verlichtingsinrichting (14) en de detectie-inrichting (17) naar binnen wijzend zijn gerangschikt in een uitsparing (21), waarin het onbewerkte mas- 30 ker (10) is aangebracht.
6. Inrichting volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat laserdiodes (19) als verlichtingsinrichting (14) en la-serdetectors (20) als detectie-inrichting (17) afwisselend naast elkaar zijn gerangschikt, in welk geval bij voorkeur de 35 laserdiodes allen in serie zijn verbonden en het licht (16) dat door het onbewerkte masker (10) gaat tegelijkertijd kan λ n o r 4 o o worden gedetecteerd door al de laserdetectors.
7. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een gegevensanalyse van het licht (16) dat wordt gedecteerd door de detectie-inrichting (17) op 5 basis van een Fouriertransformatie met het doel om een karakteristiek te creëren van het onbewerkte masker (10) kan worden uitgevoerd in de evaluatie-inrichting (18).
8. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het onbewerkte masker (10) is ge- 10 fixeerd in de fixeerinrichting (23) met een instelbare klem-kracht.
9. Inrichting volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat het fixeren van het onbewerkte masker (10) in de fixeerinrichting (23) wordt uitgevoerd door piëzo-elementen, bij 15 voorkeur buispiëzo-elementen.
10. Inrichting volgens conclusie 8 of 9, met het kenmerk, dat de klemkracht van de fixeerinrichting (23) van het onbewerkte masker (10) instelbaar is afhankelijk van de geëvalueerde vooraf bepaalde eigenschappen van het onbewerkte 20 masker (10) .
11. Inrichting volgens een van de conclusies 8-10, met het kenmerk, dat de fixeerinrichting (23) van het onbewerkte masker (10) is voorzien van tenminste drie gescheiden bestuurbare klemelementen (23), bij voorkeur piëzo-elementen.
12. Werkwijze voor het bepalen van fysische eigen schappen van een onbewerkt masker (10) dat de stappen omvat van: het zijdelings stralen van vooraf bepaald licht (15) op het onbewerkte masker (10) door middel van een verlich- 30 tingsinrichting (14); het detecteren van het licht (16) dat verstrooid is in het onbewerkte masker (10) door middel van een detectie-inrichting (17) tegenover de verlichtingsinrichting (14); en het bepalen van de eigenschappen van een onbewerkt 35 masker (10) uit het gedetecteerde verstrooide licht (16) in een evaluatie-inrichting (18).
13. Werkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat een gegevensanalyse van de gegevens die worden aangele- 1025122 I, verd door de detectie-inrichting (17), op basis van een Fou-riertransformatie, met het doel om fysische eigenschappen van het onbewerkte masker (10) te bepalen, wordt uitgevoerd in de evaluatie-inrichting (18), bij voorkeur een computer.
14. Werkwijze volgens conclusie 12 of 13, met het kenmerk, dat strooibronnen (22), zoals bijvoorbeeld insluitingen of mechanische spanningen, en/of doorbuigingen (22) in het onbewerkte masker (10), worden berekend en gelokaliseerd in de evaluatie-inrichting (18), op basis van de ontvangen 10 gegevens van de detectie-inrichting (17).
15. Werkwijze volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat op basis van de gegevens van een gelokaliseerde strooi-bron (22), veroorzaakt door een mechanisch doorbuigen, en een instelbare fixeerinrichting (23), die het onbewerkte masker 15 (10) vastklemt, zodanig wordt bestuurd dat de doorbuiging wordt verminderd.
16. Werkwijze volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de instelbare fixeerinrichting (23) is voorzien van elektrisch bestuurbaar piëzo-elementen, bij voorkeur buispiëzo- 20 elementen om het onbewerkte masker (10) vast te klemmen, door middel waarvan mechanische spanningen en/of doorbuigingen in het onbewerkte masker (10) worden gecorrigeerd.
17. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies 12-16, met het kenmerk, dat de bepaling van fysische ei- 25 genschappen van het onbewerkte masker (10) plaatsvindt in ten minste een bewerkings- en/of verwerkingsgereedschap van het onbewerkte masker (10) voor het bijbehorende bewerken en/of verwerken van het onbewerkte masker (10).
18. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclu-30 sies 12-16, met het kenmerk, dat de eigenschappen van het onbewerkte masker (10), wanneer deze eenmaal zijn bepaald, gebruikt worden als een referentie voor volgende verwerkings-en/of bewerkingsstappen van het onbewerkte masker (10).
19. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclu-35 sies 12-18, met het kenmerk, dat de detectie van het licht (16) dat door het onbewerkte masker (10) gaat in de detectie- inrichting (17) plaatsvindt door gebruik maken van het Kerr 1025122 i ,. *. effect. i0?m22'U
NL1025122A 2002-12-27 2003-12-24 Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker. NL1025122C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10261323 2002-12-27
DE10261323A DE10261323B3 (de) 2002-12-27 2002-12-27 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung struktureller und/oder geometrischer Eigenschaften eines Maskenblanks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1025122A1 NL1025122A1 (nl) 2004-06-29
NL1025122C2 true NL1025122C2 (nl) 2008-02-05

Family

ID=32863776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1025122A NL1025122C2 (nl) 2002-12-27 2003-12-24 Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7289231B2 (nl)
DE (1) DE10261323B3 (nl)
NL (1) NL1025122C2 (nl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008107320A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Fujifilm Corp 検出装置、検出方法、及び光透過性部材

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814946A (en) * 1972-12-04 1974-06-04 Asahi Glass Co Ltd Method of detecting defects in transparent and semitransparent bodies
JPH0682392A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Nhk Spring Co Ltd 透明体の破損検出装置
JPH07103904A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Asahi Glass Co Ltd 透光性物体内部の欠点検出方法
US5680207A (en) * 1992-12-14 1997-10-21 Nikon Corporation Defect inspecting apparatus and defect inspecting method
EP0927883A1 (en) * 1997-07-17 1999-07-07 Hoya Corporation Method of checking unevenness of light-transmitting substance, apparatus therefor, and method of sorting transparent substrates
JP2001305072A (ja) * 2000-04-25 2001-10-31 Advantest Corp 基板の欠陥検出方法及び装置
US20020196433A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Steve Biellak System and methods for inspection of transparent mask substrates

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4139302A (en) * 1977-02-17 1979-02-13 Dr. Ralph M. Grant Engineering Consultants, Inc. Method and apparatus for interferometric deformation analysis
JPS59186324A (ja) * 1983-04-07 1984-10-23 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 異物検査装置
JP2571245B2 (ja) * 1987-12-29 1997-01-16 ホーヤ株式会社 表面検査装置
JP3368139B2 (ja) * 1996-03-19 2003-01-20 東芝機械株式会社 電子ビーム描画装置用試料ステージ
US6909500B2 (en) * 2001-03-26 2005-06-21 Candela Instruments Method of detecting and classifying scratches, particles and pits on thin film disks or wafers
US6287732B1 (en) * 1999-07-19 2001-09-11 Marc David Levenson Generic phase shift masks
JP3210654B1 (ja) * 2001-05-02 2001-09-17 レーザーテック株式会社 光学式走査装置及び欠陥検出装置
US6627362B2 (en) * 2001-10-30 2003-09-30 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814946A (en) * 1972-12-04 1974-06-04 Asahi Glass Co Ltd Method of detecting defects in transparent and semitransparent bodies
JPH0682392A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Nhk Spring Co Ltd 透明体の破損検出装置
US5680207A (en) * 1992-12-14 1997-10-21 Nikon Corporation Defect inspecting apparatus and defect inspecting method
JPH07103904A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Asahi Glass Co Ltd 透光性物体内部の欠点検出方法
EP0927883A1 (en) * 1997-07-17 1999-07-07 Hoya Corporation Method of checking unevenness of light-transmitting substance, apparatus therefor, and method of sorting transparent substrates
JP2001305072A (ja) * 2000-04-25 2001-10-31 Advantest Corp 基板の欠陥検出方法及び装置
US20020196433A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Steve Biellak System and methods for inspection of transparent mask substrates

Also Published As

Publication number Publication date
DE10261323B3 (de) 2004-10-07
NL1025122A1 (nl) 2004-06-29
US7289231B2 (en) 2007-10-30
US20040194039A1 (en) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6895985B2 (ja) Hhg源、検査装置、および測定を実施する方法
US7880872B2 (en) Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
US7781237B2 (en) Alignment marker and lithographic apparatus and device manufacturing method using the same
US7292326B2 (en) Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US8345231B2 (en) Method of determining defects in a substrate and apparatus for exposing a substrate in a lithographic process
JP4519822B2 (ja) リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク
US10508906B2 (en) Method of measuring a parameter and apparatus
WO1985003353A1 (en) Inspection system utilizing dark-field illumination
US11092902B2 (en) Method and apparatus for detecting substrate surface variations
JP2009094512A (ja) 位置合わせ方法及び装置、リソグラフィ装置、計測装置、及びデバイス製造方法
KR101637392B1 (ko) 리소그래피 장치에서의 컬렉터 디바이스의 정렬
US20160033879A1 (en) Methods and controllers for controlling focus of ultraviolet light from a lithographic imaging system, and apparatuses for forming an integrated circuit employing the same
CN110730930A (zh) 对准测量系统
KR101619272B1 (ko) 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
NL1025122C2 (nl) Inrichting en werkwijze voor het bepalen van de fysische eigenschappen van een onbewerkt masker.
JP2019140288A5 (nl)
NL1036125A1 (nl) Lithographic apparatus and method.
US11314174B2 (en) Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
JP5079767B2 (ja) ケーブル及び/又はホースをガイドするガイドデバイス及びガイドアセンブリ、並びにリソグラフィ装置
US20070035709A1 (en) End effector with integrated illumination system for reticle pre-alignment sensors
JP4922270B2 (ja) 基板キャリア及びリソグラフィ装置
JPH01185434A (ja) X線露光用マスクのマスク上異物検査方法
US6832517B1 (en) Optical level detector
KR20230069123A (ko) 계측을 수행하는 방법, 기계 학습 모델을 트레이닝시키는 방법, 2차원 재료를 포함하는 층을 제공하는 방법, 계측 장치
US5675409A (en) Plate holder for a surface inspection system

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20071203

PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20090701