MXPA06013788A - Metodo y sistema para proporcionar renovacion propia sin uniones para renovacion directa de banco en memorias volatiles. - Google Patents

Metodo y sistema para proporcionar renovacion propia sin uniones para renovacion directa de banco en memorias volatiles.

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MXPA06013788A
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MXPA06013788A
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Robert Michael Walker
Perry Willmann Remaklus Jr
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Abstract

Se proporciona un sistema de memoria. El sistema incluye una memoria volatil que tiene un numero de bancos y configurada para acoplarse en uno de un numero de modos de operacion que incluye un modo de auto-renovacion y un modo de renovacion propia, y un controlador de memoria configurado para dirigir a la memoria volatil para acoplarse en uno de los modos de operacion. Con el controlador de memoria dirigiendo la memoria volatil para acoplarse en el modo de renovacion propia, el controlador de memoria ademas se configura para proporcionar una direccion de banco de entrada para la memoria volatil, la direccion de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovacion propia. Con la memoria volatil saliendo del modo de renovacion propia, la memoria volatil ademas se configura para hacer disponible una direccion de banco de salida para el controlador de memoria, la direccion de banco de salida corresponde al ultimo banco que se renovo antes de que la memoria volatil saliera del modo de renovacion propia.

Description

MÉTODO Y SISTEMA PARA PROPORCIONAR RENOVACIÓN PROPIA SIN UNIONES PARA RENOVACIÓN DIRECTA DE BANCO EN MEMORIAS VOLÁTILES Campo de la Invención La presente descripción se refiere generalmente a dispositivos de memoria, y más específicamente a métodos y sistemas para proporcionar renovación propia sin uniones para renovación directa de banco en memorias volátiles.
Antecedentes de la Invención La memoria volátil es un medio de almacenamiento que generalmente se estructura como un número de disposiciones (o bancos) . Cada banco además se dispone como una matriz de "celdas de memoria" en filas y columnas, con cada columna siendo dividida adicionalmente por ancho de entrada/salida (E/S) de la memoria. Ubicaciones dentro de la memoria se especifican únicamente por banco, fila y columna. Un controlador de memoria puede utilizarse para recuperar datos de la memoria al indicar la ubicación del banco, fila y columna de datos. Por ejemplo, para una memoria de 128Mb de banco cuadrante con un bus de datos externo de 16 bits, un mapeo de dirección lógica posible incluye una dirección de columna de 9 bits, una dirección de banco de 2 bits y una dirección de fila de 12 bits.
Antes de leer o escribir una ubicación de memoria, la fila correspondiente primero debe abrirse. El proceso de abrir una fila requiere un número mínimo de ciclos de reloj , t CO, que representa el retardo de fila a columna. Una vez que se abre una fila, las direcciones de columnas dentro de la fila pueden leerse o escribirse como se desee. Para algunas memorias dinámicas de acceso aleatorio (las DRAM) , tales como las DRAM sincrónicas (las SDRAM) , solamente una fila por banco puede mantenerse abierta en cualquier momento; un acceso de memoria subsecuente se realiza dentro del mismo banco pero una fila diferente requiere cerrar la fila actual y abrir una nueva. En el caso de memorias volátiles dinámicas, cada celda debe renovarse, o re-energizarse, periódicamente en un intervalo promedio, tREFI, para poder mantener la integridad de los datos . Las celdas tienen que renovarse debido a que se diseñan alrededor de condensadores que almacenan cargas eléctricas, los cuales pueden descargarse con el tiempo. La renovación es el proceso de recargar o re-energizar las celdas en la memoria. Las celdas generalmente se renuevan una fila a la vez. Actualmente existe un número de métodos que se diseña para renovar memorias volátiles. Algunos de, si no es que todos, estos métodos incurren en alto costo en rendimiento y/o potencia. Por ejemplo, existen dos métodos comunes o técnicas que generalmente se utilizan para controlar la renovación de memorias volátiles en sistemas digitales modernos. Un método se basa en la memoria para estar al tanto de la fila y banco que necesitan renovarse utilizando mecanismos de renovación integrados que están disponibles en la memoria, el otro método se basa en el controlador de memoria para estar al tanto de la fila y banco que necesitan renovarse. El primer método comúnmente usado es utilizado por las funciones de auto-renovación y renovación propia de las memorias volátiles. Estas funciones utilizan la dirección de renovación integrada de la memoria. Durante el uso activo de la memoria, cuando se requiere un ciclo de renovación, el controlador de memoria precarga todos los bancos, y después utiliza el comando de auto-renovación para decir a la memoria que emita un ciclo de renovación interna. Con la recepción del comando de auto-renovación, la memoria incrementa el contador de dirección de renovación interna y ejecuta el ciclo de renovación interna. En el modo de auto-renovación, la memoria utiliza la dirección de renovación en su contador de dirección de renovación interna para determinar cuáles filas/bancos realizan el ciclo de renovación y ciclan a través de las filas relevantes. En una implementación, el contador de dirección de renovación interna incluye un registro de dirección de fila y un registro de dirección de banco. El contador de dirección de renovación interna se controla por un reloj de renovación. El registro de dirección de banco se incrementa para ciclar a través de cada uno de los bancos de memoria con la ejecución del registro de dirección de banco provocando que el registro de dirección de fila incremente. Otras implementaciones no tienen un registro de dirección de banco ya que todos los bancos se renuevan simultáneamente. Una desventaja de las presentes implementaciones de auto-renovación de banco no simultáneas es que debido a que el controlador de memoria no sabe cuál banco interno se renovará, el controlador de memoria se requiere para cerrar todas las filas abiertas antes de emitir un comando de auto-renovación. Como resultado, la disponibilidad del bus de datos de la memoria durante una secuencia de auto-renovación es nula. En el mejor de los casos, esta secuencia requiere ciclos tRP+tRFc+tRcDr donde tRP representa un retardo de fila-precarga, tRFC representa el tiempo de ciclo de renovación y tRCD representa el retardo de fila a columna. Para una memoria de 133 MHz, ésta puede ser de 16 ciclos de reloj (120 ns). Estos ciclos algunas veces se refieren como ciclos muertos puesto que el bus de datos de memoria no está disponible durante este período. Durante períodos de no uso, el controlador de memoria puede poner a la memoria en el modo de renovación propia. En el modo de renovación propia, la memoria utiliza su propio reloj interno y contador de dirección de renovación para generar renovaciones para renovar las filas de la memoria. Este método es bueno para ahorrar energía durante los estados inactivos puesto que el modo de renovación propia puede utilizarse. El estado de renovación propia utiliza una pequeña cantidad de energía y mantiene los contenidos de la memoria al renovar la memoria. Debido a la pequeña cantidad de energía necesaria, este método se utiliza típicamente para aplicaciones de baja energía. Un segundo método algunas veces se utiliza para evitar los ciclos muertos en el bus de datos de memoria antes mencionado. De acuerdo con este segundo método, el control de la renovación se efectúa mediante el controlador de memoria. Este método no utiliza ninguno de los mecanismos de renovación integrados que están disponibles en la memoria. Bajo este método, a intervalos regularmente dados (tREFi) i d controlador de memoria genera explícitamente renovaciones al abrir y cerrar filas en una forma secuencial utilizando combinaciones de direcciones de bancos/filas. El reloj de renovación, el cual determina la proporción de renovación, y las combinaciones de direcciones de bancos/filas son parte interna del controlador de memoria. Este método es mejor para aplicaciones de alta velocidad/alto rendimiento. Este método permite al controlador de la memoria renovar un banco de memoria particular mientras permite que otros bancos de memoria permanezcan abiertos para el acceso, resultando en más alto rendimiento; las lecturas y escrituras en otros bancos pueden continuar generalmente en paralelo y sin interrupción. Lo malo de este método es que durante los estados prolongados sin energía o inactivos del sistema, cuando el controlador de memoria no está renovando la memoria, la memoria no puede mantenerse en un estado de renovación propia. Como se menciona en lo anterior, el estado de renovación propia es una función integrada de la mayoría de las memorias volátiles. Puesto que la función de renovación propia de la memoria incrementa una dirección de renovación (es decir, la dirección de fila/banco) almacenada en un contador de dirección de renovación en la memoria, independiente del controlador de la memoria, la dirección de renovación mantenida por la memoria no es consistente o se sincroniza con el controlador de memoria. Operaciones de renovación pueden reducir el rendimiento de los subsistemas de la memoria debido a que cada ciclo de renovación mete a la memoria en un estado inactivo, durante el cual, el acceso de datos no está disponible. Por ejemplo, si un ciclo de renovación se requiere para un banco de memoria particular mientras el banco está en un estado activo, el banco tiene que apagarse para permitir que la operación de renovación tenga lugar. Apagar el banco quiere decir que cualquiera de las operaciones de datos que se fueran a realizar tiene que retardarse, por consiguiente, afectando el rendimiento del sistema. Algunos esquemas existentes están disponibles para reducir el impacto de rendimiento de las operaciones de renovación. Tales esquemas típicamente involucran utilizar una proporción de renovación más alta que la requerida, de tal forma que más bancos de memoria puedan renovarse dentro de un período de renovación predeterminado. Al tener más bancos de memoria renovados, se reducen las posibilidades de tener que apagar un banco de memoria activa para renovación. Utilizando una proporción de renovación más alta, sin embargo, tiene sus desventajas. Por ejemplo, un incremento en la proporción de renovación quiere decir que se necesita mas potencia lo cual, a su vez, resulta en más bajo rendimiento. También, utilizar solamente una proporción de renovación más alta no siempre obvia la necesidad de apagar un banco de memoria activa cuando se requiere renovación; en algunas situaciones, un banco de memoria activa tiene que apagarse independientemente, de este modo, negando cualesquier beneficios de utilizar una proporción de renovación más alta.
Por lo tanto, puede ser deseable proporcionar métodos más eficientes y sistemas para proporcionar renovación propia sin uniones para renovación directa de banco en memorias volátiles.
SUMARIO DE LA INVENCIÓN En un aspecto de la presente invención, un sistema de memoria incluye una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos y configurado para acoplarse en uno de una pluralidad de modos de operación que incluyen un modo de auto-renovación y un modo de renovación propia, y un controlador de memoria configurado para dirigir la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad de modos de operación, en donde con el controlador de memoria dirigiendo la memoria volátil para acoplarse en el modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para proporcionar una dirección de banco de entrada a la memoria volátil, la dirección de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovación propia, y donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para hacer disponible una dirección de banco de salida para el controlador de memoria, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia. En otro aspecto de la presente invención, un sistema de memoria incluye una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida, y una pluralidad de bancos, y un controlador de memoria configurado para dirigir la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad de modos de operación que incluyen un modo de auto-renovación y un modo de renovación propia, en donde con el controlador de memoria dirigiendo la memoria volátil para acoplarse en el modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para cargar una dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovación propia, y donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar una dirección de banco de salida en el seguro de dirección de banco de salida, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia, y donde el seguro de dirección de banco de salida es accesible para el controlador de memoria. En aún otro aspecto de la presente invención, un sistema de memoria incluye una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, primer medio de almacenamiento configurado para almacenar una dirección de banco adentrada y segundo medio de almacenamiento configurado para almacenar una dirección de banco de salida, y un controlador de memoria configurado para dirigir a la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad de modos de operación que incluyen un modo de auto-renovación y un modo de renovación propia, en donde, el controlador de memoria dirigiendo la memoria volátil para acoplarse en el modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para cargar la dirección de banco de entrada en el primer medio de almacenamiento, la dirección de banco de entrada que corresponde al primer banco que se renovará durante el modo de renovación propia, y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar la dirección de banco de salida en el segundo medio de almacenamiento, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia, y donde el segundo medio de almacenamiento es accesible para el controlador de memoria. En un aspecto de la presente invención, un sistema de memoria incluye una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida, un reloj de renovación y contador de renovación, el contador de renovación además tiene un contador de dirección de fila y un contador de incremento de fila, donde el reloj de renovación se configura para controlar el contador de renovación y el seguro de dirección de banco de entrada, donde el contador de incremento de filas se configura para incrementar el contador de dirección de fila, y un controlador de memoria configurado para controlar la memoria volátil para acoplarse en un modo de auto-renovación o un modo de renovación propia, el controlador de memoria además configurado para cargar una dirección de banco para un banco objetivo en el seguro de dirección de banco de entrada, donde el controlador de memoria se configura además para dirigir la memoria volátil para acoplarse en el modo de auto-renovación para realizar una operación de auto-renovación en el banco objetivo, donde el contador de incremento de fila se configura para incrementarse cada vez que se realiza una operación de auto-renovación, donde el contador de incremento de fila además se configura para incrementar el contador de dirección de fila después de un número predeterminado de operaciones de auto-renovación que se hayan realizado, donde el contador de dirección de fila incluye una dirección de fila que se puede utilizar para identificar una fila en el banco objetivo para la operación de auto-renovación, en donde, con la memoria volátil entrando en el modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para realizar una o más operaciones de renovación propia utilizando la dirección de banco almacenada en el seguro de dirección de banco de entrada, donde la memoria volátil además se configura para incrementar el seguro de dirección de banco de entrada después de cada operación de renovación propia, y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil se configura para cargar el valor actual del seguro de dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de salida, el valor en el seguro de dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia. En aún otro aspecto de la presente invención, un sistema de memoria incluye una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de división de banco salida, una pluralidad de bancos, una pluralidad de contadores de fila de renovación, cada contador de fila de renovación asociado con un banco correspondiente y configurado para almacenar una dirección de fila objetivo, y un controlador de memoria configurado para dirigir a la memoria volátil para acoplarse en un modo de auto-renovación, el controlador de memoria además configurado para cargar una dirección de banco objetivo en el seguro de dirección de banco de entrada, donde la memoria volátil se configura para realizar una operación de auto-renovación en el modo de auto-renovación, la operación de auto-renovación se realiza en un banco objetivo identificado por la dirección de banco objetivo utilizando la dirección de fila objetivo almacenada en el contador de fila de renovación asociado con el banco objetivo, donde el controlador de memoria se configura además para dirigir a la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia, donde la memoria volátil se configura además para ciclar a través de la pluralidad de bancos en el modo de renovación propia al incrementar el seguro de dirección de banco de entrada para generar la dirección de banco objetivo actual, y donde, durante cada operación de renovación propia, la memoria volátil además se configura para renovar el banco identificado por la dirección de banco objetivo actual basándose en la dirección de fila objetivo almacenada en el contador de fila de renovación asociado, y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar el valor almacenado en el seguro de dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de salida, el valor de seguro de dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia . En un aspecto adicional de la presente invención, un método para controlar una renovación de memoria para una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, incluye enviar una dirección de banco de entrada a la memoria volátil, dirigir la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia para realizar una o más operaciones de renovación propia basándose en la dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde a un banco objetivo donde una o más operaciones de renovación propia para comenzar, y dirigir la memoria volátil para hacer disponible una dirección de banco de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia. En aún otro aspecto de la presente invención, un método para controlar renovación de memoria para una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida y una pluralidad de bancos, incluye cargar una dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de dirección de banco de entrada, dirigida a la memoria volátil para recuperar la dirección de banco de entrada del seguro de dirección de banco de entrada, dirigir la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia para realizar una o más operaciones de renovación propia basándose en la dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde a un banco objetivo donde una o más operaciones de renovación propia es para comenzar y almacenar una dirección de banco de salida en el seguro de dirección de banco de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia. Se entiende que otras modalidades de la presente invención se volverán fácilmente aparentes para aquellos con experiencia en la técnica a partir de la siguiente descripción detallada, donde varias modalidades de la invención se muestran y describen por medio de ilustración. Como se observará, la invención tiene capacidad de otras y diferentes modalidades y sus detalles diversos tienen capacidad de modificación en otros diversos respectos, todos sin apartarse del espíritu y alcance de la presente invención. Por consiguiente, los dibujos y la descripción detallada se tomarán como ilustrativos en naturaleza y no como restrictivos.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS Aspectos de la presente invención se ilustran por medio del ejemplo, y no por medio de limitación, en los dibujos anexos, en donde: La FIGURA 1 es un diagrama de bloque simplificado que ilustra una disposición que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones de acuerdo con la presente descripción; la FIGURA 2 es un diagrama de bloque simplificado que ilustra una modalidad de una memoria volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones de acuerdo con la presente descripción; la FIGURA 3 es un diagrama de tiempos simplificado que ilustra varias señales durante la operación del método de renovación de acuerdo con la presente descripción; la FIGURA 4 es un diagrama de bloque simplificado que ilustra otra modalidad de una memoria volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones de acuerdo con la presente descripción; la FIGURA 5 es un diagrama de bloque simplificado que ilustra otra modalidad de una memoria volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones de acuerdo con la presente descripción; y la FIGURA 6 es un diagrama de bloque simplificado que ilustra otra modalidad de una memoria volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones de acuerdo con la presente descripción.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN La descripción detallada establecida en lo siguiente junto con los dibujos anexos se pretende como una descripción de varias modalidades de la presente invención y no se pretende para representar las únicas modalidades en las cuales puede practicarse la presente invención. La descripción detallada incluye detalles específicos para el propósito de proporcionar un entendimiento completo de la presente invención. Sin embargo, será aparente para aquellos con experiencia en la técnica que la presente invención puede practicarse sin estos detalles específicos. En algunos casos, estructuras bien conocidas y componentes se muestran en diagrama de bloque para poder evitar oscurecer los conceptos de la presente invención. Varias modalidades de un sistema de memoria ahora se describirán. En una modalidad, un método de renovación sin uniones se proporciona el cual permite a un banco especifico identificarse para la primera operación de renovación propia con una memoria que entra al modo de renovación propia; el método de renovación también permite que la información que se refiere al último banco renovado se transporte a un controlador de memoria con la memoria saliendo del modo de renovación propia. La FIGURA 1 muestra una disposición 100 que puede utilizare para practicar el método de renovación sin uniones. Como se muestra en la FIGURA 1, el método de renovación sin uniones puede practicarse con una memoria 110 volátil y un controlador 120 de memoria configurado para controlar la memoria 110 volátil. La memoria 110 volátil por ejemplo, puede ser una DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámica) , una SDRAM (DRAM sincrónica), y otros diversos tipos de DRAM, etc. Basándose en la descripción y enseñanzas proporcionadas en la presente, una persona de experiencia ordinaria en la técnica apreciará como practicar la presente descripción con otros tipos de memorias que requieren operaciones de renovación. En una modalidad, el método de renovación sin uniones se efectúa mediante lógica de control o un procesador (no mostrado) que controla el controlador 120 de memoria y la memoria 110 volátil. Se debe entender que la lógica de control o procesador puede implementarse como un módulo independiente o integrarse como parte de otro componente tal como el controlador 120 de memoria. La FIGURA 2 ilustra una modalidad de la memoria 110 volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación sin uniones. La memoria 110 volátil además puede incluir un número de bancos 200, un seguro 210 de dirección de banco de entrada y un seguro 220 de dirección de banco de salida. El método de renovación sin uniones optimiza la transición entre los ciclos de auto-renovación y ciclos de renovación propia. Cuando el controlador 120 de memoria comanda la memoria 110 volátil para entrar al modo de renovación propia, el controlador 120 de memoria señala a la memoria 110 volátil cual banco renovar después al utilizar una dirección de banco objetivo. La dirección de banco objetivo se carga en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. La FIGURA 3 muestra que en el Ciclo "2" el controlador 120 de memoria emite el comando para poner a la memoria 110 volátil en el modo de renovación propia indicando que el primer ciclo de renovación propia de la memoria va a realizarse en un banco específico, BankX. Entonces, en el Ciclo "m+l", la memoria 110 volátil sale del modo de renovación propia y carga la dirección de banco del último banco renovado, BankY, en el seguro 220 de dirección de banco de salida. El controlador 120 de memoria recupera el contenido del seguro 220 de dirección de banco de salida y después lo utiliza para identificar el último banco que la memoria 110 volátil renovó antes de salir del modo de renovación propia. Puesto que el controlador 120 de memoria no conoce cuando este último banco se renovó, el controlador 120 de memoria dirige a la memoria 110 volátil para realizar una operación de auto-renovación en el siguiente banco, BankY+1, es decir conveniente para renovación tan pronto como se pueda practicar. En otra modalidad como se muestra en la FIGURA 6, la memoria 110 volátil puede incluir además un seguro 230 de dirección de fila de salida. Antes de salir del modo de renovación propia, la dirección de fila de la última fila renovada puede cargarse en el seguro 230 de dirección de fila de salida. Los contenidos del seguro 230 de dirección de fila de salida son accesibles para el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) . Por lo tanto, después de que la memoria 110 volátil sale del modo de renovación propia, la información que se refiere a la dirección de banco y la dirección de fila de la última fila y banco renovados está disponible para el controlador 120 de memoria desde el seguro 230 de dirección de fila de salida y el seguro 220 de dirección de banco de salida. El controlador 120 de memoria puede entonces utilizar esta información para operaciones futuras por consiguiente. Basándose en la descripción y enseñanzas proporcionadas en la presente, una persona de experiencia ordinaria en la técnica apreciará como aplicar el método de renovación sin uniones descrito en la presente para diferentes disposiciones de memoria volátil de acuerdo con los conceptos descritos en la presente descripción. Por ejemplo, el método de renovación sin uniones puede utilizarse junto con dos procedimientos que se han propuesto que permiten a un controlador de memoria dirigir renovaciones a un banco específico en una memoria en el modo de auto-renovación. En el primer procedimiento, un controlador de memoria es capaz de proporcionar una dirección de banco objetivo para un banco específico para una memoria volátil para la operación de auto-renovación en el modo de auto-renovación. La FIGURA 4 muestra una modalidad de la memoria 110 volátil que puede utilizarse para practicar un método de renovación directo bajo el primer procedimiento. La memoria 110 volátil además puede incluir un contador 400 de renovación que tiene un contador 450 de dirección de fila y un contador 420 de incremento de fila, un activador 440 de renovación, el seguro 210 de dirección de banco de entrada y un número de bancos 410. El activador 440 de renovación puede utilizarse para controlar el contador 400 de renovación y el seguro 210 de dirección de banco de entrada. El activador 440 de renovación se utiliza por la memoria 110 volátil para iniciar una operación de renovación ya sea en el modo de auto-renovación o el modo de renovación propia. Por ejemplo, al recibir un comando de auto-renovación del controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1), la memoria 110 volátil puede dirigir al activador 440 de renovación para iniciar la operación de auto-renovación. El activador 440 de renovación por ejemplo, puede ser un reloj u otros mecanismos de sincronización. El contador 450 de dirección de fila puede utilizarse para almacenar la dirección de fila objetivo para la fila que va a renovarse. El seguro 210 de dirección de banco de entrada puede utilizarse para almacenar la dirección de banco objetivo para el banco específico que contiene la fila que va a renovarse. El controlador 120 de memoria puede dirigir a la memoria 110 volátil para auto-renovar un banco de memoria específico dentro de la memoria 110 volátil mientras otros bancos de memoria permanecen disponibles para su acceso. Para cada ciclo de auto-renovación iniciado por el controlador 120 de memoria, la dirección 470 de banco puede cargarse por el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) en seguro 210 de dirección de banco de entrada. La dirección 470 de banco se utiliza para seleccionar uno de los bancos 410 para renovación. Debido a que el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) está al tanto del banco específico que se renueva, el acceso a otros bancos internos puede continuar sin interrupción. Esto tiende a maximizar la utilización del bus de datos de memoria, reduce en consumo de energía al evitar secuencias innecesarias de cierre/apertura de fila, y sirve para minimizar la latencia de transferencia. El contador 420 de incremento de fila puede inicializarse con el encendido o reinicio. El valor inicializado para el contador 420 de incremento de fila puede ser arbitrario. El contador 420 de incremento de fila provoca que el contador 450 de dirección de fila se incremente después de un número predeterminado de operaciones de auto-renovación se haya realizado. El contador 450 de dirección de fila contiene la dirección de fila objetivo para una fila que va a renovarse. El contador 450 de dirección de fila señala a la misma fila en todos los bancos 410. El controlador 120 de memoria inicia cada ciclo de auto-renovación al emitir un comando de auto-renovación a la memoria 110 volátil y carga la dirección 470 de banco para el banco que va a renovarse en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. Al recibir el comando de auto-renovación, la memoria 110 volátil utiliza el activador 440 de renovación para iniciar cada operación de auto-renovación. El activador 440 de renovación provoca que el contador 420 de incremento de fila se incremente. Cíclicamente, el contador 450 de dirección de fila se incrementa por una señal 460 de ejecución desde el contador 420 de incremento de fila. Por ejemplo, el contador 420 de incremento de fila puede ser un contador de 2 bits, lo cual quiere decir que el contador 420 de incremento de fila se repite así mismo cada cuatro (4) ciclos de reloj de renovación; inversamente, el contador 450 de dirección de fila se incrementa después de cada 4ta. operación de auto-renovación. La dirección de fila objetivo almacenada en el contador 450 de dirección de fila y la dirección de banco almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada, entonces se utilizan para renovar una fila específica en el banco identificado. Puesto que la dirección de fila objetivo cambia periódicamente basándose en el número predeterminado de operaciones de auto-renovación y el controlador 120 de memoria no conoce cuando el contador 450 de dirección de fila se incrementará, el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) emite comando de auto-renovación en un orden secuencial, consistente con respecto a los bancos 410; en otras palabras, el controlador 120 de memoria carga las direcciones de banco de los bancos 410 en el seguro 210 de dirección de banco de entrada uno a la vez en una forma secuencial durante cada ciclo de auto-renovación. Como resultado, los bancos 410 se renuevan secuencialmente en ciclos de auto-renovación sucesivos. Por ejemplo, para los cuatro (4) bancos mostrados en la FIGURA 4, el orden de banco de renovación puede ser cualquiera de "3-2-1-0-3-2-1-O" o "0-1-2-3-0-1-2-3". Un orden no tiene una ventaja sobre el otro. Por lo tanto, cualquiera puede utilizarse. En una implementación, la secuencia "0-1-2-3-0—1-2-3- ... " puede utilizarse. Como se describirá además en lo siguiente, elegir estas secuencias simplifica la transición hacia el modo de renovación propia. La operación de la memoria 110 volátil como se muestra en la FIGURA 4 además se ilustra en un ejemplo como sigue. En este ejemplo, el valor inicial en el contador 420 de incremento de fila se asume que es cero (0) y la señal 460 de ejecución del contador 420 de incremento de fila se activa después de cada 4ta. operación de auto-renovación. El controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) emite un comando de auto-renovación a la memoria 110 volátil y carga la dirección 470 de banco para el banco 410a en el seguro 210 de dirección de banco de entrada para iniciar un primer ciclo de auto-renovación. Al recibir el comando de auto-renovación, la memoria 110 volátil dirige al activador 440 de renovación para iniciar una operación de auto-renovación. Durante la operación de auto-renovación, el contador 420 de incremento de filas incrementa un valor de uno (1). En este caso, la señal 460 de ejecución no se activa y el contador 450 de dirección de fila no incrementa. La dirección de fila objetivo y la dirección de banco actualmente almacenada en el contador 450 de dirección de fila y el seguro 210 de dirección de banco de entrada respectivamente entonces se utilizan para renovar una fila específica en el banco 410a. Subsecuentemente, el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) emite otro comando de auto-renovación a la memoria 110 volátil y carga la dirección 470 de banco para el banco 410b en el seguro 210 de dirección de banco de entrada para iniciar un segundo ciclo de auto-renovación. Similarmente, al recibir el segundo comando de auto-renovación, la memoria 110 volátil dirige al activador 440 de renovación para iniciar otra operación de auto-renovación. Durante esta operación de auto-renovación, el contador 420 de incremento de fila se incrementa a un valor de dos (2) . Nuevamente, la señal 460 de ejecución no se activa y el contador 450 de dirección de fila no se incrementa. La dirección de fila objetivo y la dirección de banco actualmente almacenada en el contador 450 de dirección de fila y el seguro 210 de dirección de banco de entrada respectivamente se utilizan entonces para renovar una fila específica en el banco 410b. Se debe observar que puesto que el contador 450 de dirección de fila no se incrementa, la dirección de fila objetivo utilizada en esta operación de auto-renovación es la misma que la utilizada en la última operación de auto-renovación. Sin embargo, para esta operación de auto-renovación, la dirección de banco almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada es diferente en que un banco 410b diferente se identifica. Como resultado, la misma fila en un banco 410b diferente (como opuesto al banco 410a) se renueva. Similarmente, se apreciará para el tercer y cuarto ciclos de auto-renovación, el contador 450 de dirección de fila no se incrementa (puesto que la señal 460 de ejecución del contador 420 de incremento de fila no se activa) . Consecuentemente, la misma fila en los bancos 410c y 410d diferentes se renuevan durante el 3er. y 4to. ciclos de auto-renovación. Para el 5to. ciclo de auto-renovación, la dirección 470 de banco cargada por el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) en el seguro 210 de dirección de banco de entrada señala nuevamente al banco 410a. Además, la señal 460 de ejecución del contador 420 de implemento de fila ahora se activa puesto que cuatro (4) operaciones de auto-renovación ya se han realizado. La señal 460 de ejecución, a su vez, incrementa el contador 450 de dirección de fila moviendo por consiguiente la dirección de fila objetivo a una nueva fila para renovación. Esta misma nueva fila entonces se renueva para los cuatro (4) bancos 410 durante los ciclos sucesivos de auto-renovación. Cuando la memoria 110 volátil es instruida en el modo de renovación propia, la memoria 110 volátil comienza a generar renovaciones internamente utilizando la dirección de banco actualmente almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada a partir del punto donde el controlador 120 de memoria dejo de emitir el último comando de auto-renovación a la memoria 110 volátil. Esto se hace posible debido a que, como se menciona previamente, el controlador 120 de memoria emite comandos de auto-renovación en una forma secuencial . Subsecuentemente, después de cada renovación en el modo de renovación propia, la salida del seguro 210 de dirección de banco de entrada se incrementa. En efecto, el seguro 210 de dirección de banco de entrada se vuelve un contador. Por lo tanto, cuando está en modo de renovación propia, el seguro 210 de dirección de banco de entrada se incrementa periódicamente y se utiliza para ciclar a través de los bancos 410; y el contador 420 de incremento de fila también se incrementa periódicamente el cual, a su vez incrementa el contador 450 de dirección de fila que contiene la dirección de fila objetivo para una fila que va a renovarse, permitiendo con esto que las filas se ciclen a través de los bancos 410. La memoria 110 volátil como se muestra en la FIGURA 4 además puede incluir el seguro 220 de dirección de banco de salida para efectuar el método de renovación sin unión descrito en lo anterior. La dirección de banco para el último banco que se renovó en el modo de renovación propia se carga en el seguro 220 de dirección de banco de salida por la memoria 110 volátil y está disponible para el controlador 120 de memoria. Puesto que la dirección de banco del último banco que se renovó en el modo de renovación propia ahora está disponible para el controlador 120 de memoria, el controlador 120 de memoria es capaz de obtenerse donde se dejo el modo de renovación propia y emitir comandos de auto-renovación para renovar ubicaciones específicas en la memoria 110 volátil. Por lo tanto, la memoria 110 volátil no se requiere para reiniciar el contador 420 de incremento de fila con la salida del modo de renovación propia, ni es la memoria 110 volátil la requerida para emitir un número de auto-renovaciones dentro de un (1) período de renovación promedio (tREF?) después de salir del modo de renovación propia. En otra modalidad, el seguro 230 de dirección de fila de salida (véase FIGURA 6) puede utilizarse con la memoria 110 volátil como se muestra en la FIGURA 4. La memoria 110 volátil además puede cargar una dirección de fila desde el contador 450 de dirección de fila en el seguro 230 de dirección de fila de salida. La dirección de fila representa la última fila que se renovó antes que la memoria 110 volátil saliera del modo de renovación propia. Los contenidos del seguro 220 de dirección de banco de salida y el seguro 230 de dirección de fila de salida están disponibles para el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1). Como resultado, el controlador 120 de memoria puede utilizar la información que se refiere al último banco renovado y la fila para operaciones futuras por consiguiente . En el segundo procedimiento, un controlador de memoria es capaz de emitir renovaciones en cualquier orden a una memoria volátil para operaciones de auto-renovación en el modo de auto-renovación y algunos bancos en la memoria volátil pueden renovarse más adelante que otros. La FIGURA 5 ilustra una modalidad de la memoria 110 volátil que puede utilizarse para practicar el método de renovación independiente bajo el segundo procedimiento. La memoria 110 volátil además puede incluir el seguro 210 de dirección de banco de entrada, un activador 530 de renovación, un número de contadores 510a-d de fila de renovación y un número de bancos 520a-d. El seguro 210 de dirección de banco de entrada se utiliza para almacenar la dirección de banco objetivo para el banco específico que va a renovarse. Los bancos 520a-d cada uno se asocia con sus contadores 510a-d de fila de renovación correspondientes. Los valores iniciales para los contadores 510a-d de fila de renovación se inicializan con el encendido o re-inicio. Por ejemplo, el contador 510a de fila de renovación se asocia con el banco 520a. Los contadores 510a-d de fila de renovación se utilizan para mantener las direcciones de fila objetivo para las filas que van a renovarse en los bancos 520a-d respectivos. Las direcciones de fila objetivo almacenadas en los contadores 510a-d de fila de renovación son independientes entre sí. El activador 530 de renovación se utiliza para controlar el seguro 210 de dirección de banco de entrada durante el modo de renovación propia, como se describirá adicionalmente en lo siguiente. El activador 530 de renovación por ejemplo, puede ser un reloj u otros mecanismos de sincronización. El controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) puede dirigir a la memoria 110 volátil para entrar en el modo de auto-renovación y auto-renovar un banco específico, por ejemplo, el banco 520a, dentro de la memoria 110 volátil mientras otros bancos (tal como los bancos 520b-d) permanecen disponibles para su acceso. Para iniciar un ciclo de auto-renovación, el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1) emite un comando de auto-renovación a la memoria 110 volátil y carga la dirección 540 de banco en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. La dirección 540 de banco se utiliza para identificar uno de los bancos 520a-d que se destina para renovación. La dirección 540 de banco se utiliza también para identificar el contador de fila de renovación correspondiente asociado con el banco para renovarse. Por lo tanto, con la dirección de banco almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada y la dirección de fila objetivo almacenada en el contador de fila de renovación correspondiente, una fila específica en un banco específico puede identificarse para renovación. Después de que se realiza la operación de renovación, el contador de fila de renovación asociado con el banco que recién se ha renovado se incrementa por la lógica de control (no mostrada) . Debido a que el controlador 120 de memoria está al tanto del banco específico que va a renovarse, el acceso a otros bancos puede continuar sin interrupción. Esto maximiza la utilización del bus de datos de memoria, reduce el consumo de energía al evitar secuencias innecesarias de cierre/apertura de fila, y sirve para minimizar la latencia de transferencia. Además, debido a que los bancos 520a-d tienen sus propios contadores 510a-d de fila de renovación, el controlador 120 de memoria tiene la flexibilidad de enviar renovaciones independientes a un banco específico. En otras palabras, los bancos 520a-d pueden renovarse independientemente entre sí. Por ejemplo, en un caso, el controlador 120 de memoria puede emitir comandos de auto-renovación a la memoria 110 volátil para auto-renovar el banco 520a. Una o más filas en el banco 520a entonces se renuevan comenzando por la dirección de fila objetivo almacenada en el contador 510a de fila de renovación asociado con el banco 520a. En otro caso, el controlador 120 de memoria puede emitir comandos de auto-renovación a la memoria 110 volátil para auto-renovar un banco diferente, el banco 520c. Una o más filas en el banco 520c entonces se renuevan comenzando con la dirección de fila objetivo almacenada en el contador 510c de fila de renovación asociado con el banco 520c. Se debe observar que las direcciones de fila objetivo almacenadas en los contadores 510a y 510c de fila de renovación respectivamente pueden ser las mismas o diferentes. Al permitir que cada banco se renueve independientemente, el controlador 120 de memoria es capaz de utilizar aquellos períodos de tiempo cuando un banco dado está inactivo para emitir comandos de auto-renovación a la memoria 110 volátil de tal forma que renovaciones avanzadas puedan realizarse en el banco inactivo antes de lo previsto, antes de que se venzan. Consecuentemente, la disponibilidad de los bancos 520a-d se incrementa puesto que las renovaciones programadas se realizan con menos frecuencia cuando los bancos 520a-d están activos. En un ejemplo, si el banco 520a está inactivo por un período prolongado, renovaciones avanzadas adicionales pueden realizarse en el banco 520a; subsecuentemente, las renovaciones programadas para el banco 520a pueden resaltarse mientras el banco 520a está activo. En otro ejemplo, si el banco 520b está inactivo durante un período más corto, el controlador 120 de memoria puede elegir iniciar menos renovaciones avanzadas . Teniendo la capacidad de renovar antes de tiempo permite a los bancos 520a-d operar más eficientemente durante períodos de alto tráfico de datos. Por ejemplo, si un banco dado es n renovaciones antes de lo previsto, el controlador 120 de memoria puede evitar la sobrecarga de emitir n renovaciones regularmente programadas a ese banco pero puede continuar de hecho llevando a cabo las operaciones de acceso a la memoria. Esto maximiza la utilización del bus de datos de memoria, reduce el consumo de energía al evitar secuencias innecesarias de cierre/apertura de fila, y sirve para minimizar la latencia de transferencia. Además, el controlador 120 de memoria puede dirigir a la memoria 110 volátil para entrar en el modo de renovación propia. Cuando se entra al modo de renovación propia, la memoria 110 volátil comienza con la dirección de banco más reciente almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. La dirección de banco más reciente generalmente es la dirección de banco utilizada en la última operación de auto-renovación. Al utilizar la dirección de banco actualmente almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada, la memoria 110 volátil es capaz de obtenerse donde el controlador 120 de memoria se dejo después de la última operación de auto-renovación. Durante cada operación de renovación propia, un banco objetivo que se renueva se identifica por la dirección de banco actualmente almacenada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. Una fila específica en el banco objetivo que va a renovarse además se identifica por la dirección de fila objetivo actualmente almacenada en el contador de fila de renovación asociado con el banco objetivo. Por lo tanto, una operación de renovación puede realizarse en la fila específica en el banco específico. Además, durante cada operación de renovación propia, el seguro 210 de dirección de banco de entrada se incrementa por el activador 530 de renovación. Al incrementar el seguro 210 de dirección de banco de entrada, la dirección de banco se actualiza para identificar el siguiente banco objetivo que va a renovarse. Además, el contador de fila de renovación asociado con el banco que ya se ha renovado también se incrementa por la lógica de control (no mostrada) para proporcionar dirección de fila objetivo actualizada para ese banco; la dirección de fila objetivo actualizada se utilizará después de que se vaya a renovar el banco.
La siguiente operación de renovación propia entonces se realiza utilizando la dirección de banco actualizada en el seguro 210 de dirección de banco de entrada y el contador de fila de renovación correspondiente asociado con el banco identificado por la dirección de banco actualizada. Como resultado, cuando la memoria 110 volátil entra al modo de renovación propia, los bancos 520a-d se ciclan completamente utilizando sus contadores 510a-d de fila de renovación correspondientes. Alternativamente, cuando la memoria 110 volátil entra al modo de renovación propia, todos los bancos 520a-d pueden renovarse concurrentemente utilizando las direcciones de fila objetivo almacenados respectivamente en los contadores 510a-d de fila de renovación correspondientes. La renovación concurrente de todos los bancos 520a-d y las operaciones relacionadas de los contadores 510a-d de fila de renovación puede lograrse mediante lógica de control (no mostrada) . Basándose en la descripción y enseñanza proporcionadas en la presente, una persona de experiencia ordinaria en la técnica apreciará como efectuar la renovación concurrente de acuerdo con los conceptos descritos en la presente descripción. La memora 110 volátil como se muestra en la FIGURA 5 además puede incluir el seguro 220 de dirección de banco de salida para efectuar el método de renovación sin uniones descrito en lo anterior. Con la entrada en el modo de renovación propia, la dirección de banco para el banco objetivo donde el ciclo de renovación propia debe comenzar se carga en el seguro 210 de dirección de banco de entrada. Con la salida del modo de renovación propia, la dirección de banco para el último banco que se renovó en el modo de renovación propia se carga en el siguiente seguro 220 de dirección de banco de salida por la memoria 110 volátil y está disponible para el controlador 120 de memoria. Al tener los seguros 210 y 220 de dirección de banco de entrada y de salida, el controlador 120 de memoria ya no se requiere para dirigir la memoria 110 volátil para realizar las renovaciones adicionales antes de entrar al modo de renovación propia. Sin utilizar el método de renovación sin uniones para sincronizar el controlador 120 de memoria y la memoria 110 volátil, renovaciones avanzadas adicionales pueden haberse necesitado para cada banco antes de que la memoria 110 volátil entrara al modo de renovación propia debido a que cada una de las renovaciones avanzadas de los bancos 520 pudieron necesitarse cuando se entro y se salió del modo de renovación propia. En otra modalidad, el seguro 230 de dirección de fila de salida (véase FIGURA 6) puede utilizarse con la memoria 110 volátil como se muestra en la FIGURA 5. La memoria 110 volátil además puede cargar una dirección de fila desde uno de los contadores 510 de fila de renovación hacia el seguro 230 de dirección de fila de salida. La dirección de fila representa la última fila que se renovó antes de que la memoria 110 volátil saliera del modo de renovación propia. Los contenidos del seguro 220 de dirección de banco de salida y el seguro 230 de dirección de banco de fila de salida están disponibles para el controlador 120 de memoria (véase FIGURA 1). Como resultado, el controlador 120 de memoria puede utilizar la información que se refiere al último banco renovado y la fila para operaciones futuras por consiguiente. Los métodos o algoritmos descritos junto con las modalidades descritas en la presente pueden representarse directamente en hardware, en un modo de software ejecutable por un procesador, o en una combinación de ambos, en forma de una lógica de control, instrucciones de programación, u otras direcciones. Un módulo de software puede residir en una memoria RAM, memoria flash, memoria ROM, memoria EPROM, memoria EEPROM, registros, disco duro, un disco removible, un CD-ROM, o cualquier otra forma de medio de almacenamiento conocida en la técnica. Un medio de almacenamiento puede acoplarse al procesador de tal forma que el procesador pueda leer información de, y escribir información en, el medio de almacenamiento.
Alternativamente, el medio de almacenamiento puede ser parte integral del procesador. La descripción previa de las modalidades descritas se proporciona para permitir que cualquier persona con experiencia en la técnica haga o utilice la presente invención. Varias modificaciones a estas modalidades serán fácilmente aparentes para aquellos con experiencia en la técnica, y los principios genéricos definidos en la presente pueden aplicarse a otras modalidades sin apartarse del espíritu del alcance de la invención. De este modo, la presente invención no se pretende para limitarse a las modalidades mostradas en la presente, sino debe de estar de acuerdo con el alcance completo consistente con las reivindicaciones, donde la referencia a un elemento en singular no se pretende para significar "uno y solamente uno" al menos que se establezca específicamente de esta forma, sino más bien "uno o más". Todos los equivalentes estructurales y funcionales para los elementos de las diversas modalidades descritas a través de esta descripción que se conocen o posteriormente se conocerán por aquellos de experiencia ordinaria en la técnica se incorporan expresamente en la presente para referencia y se pretenden para abarcarse por las reivindicaciones. Además, nada descrito en la presente se pretende para ser dedicada a tal público independientemente de si tal descripción se narra explícitamente en las reivindicaciones. Ningún elemento de reivindicación se interpretará bajo las estipulaciones de 35 U.S.C. §112, sexto párrafo, a menos que el elemento se narre expresamente utilizando la frase "medio para", o en el caso de una reivindicación de método, el elemento se narra utilizando la frase "etapa para".

Claims (29)

  1. NOVEDAD DE LA INVENCIÓN Habiendo descrito la presente invención se considera como novedad y por lo tanto se reclama como propiedad lo descrito en las siguientes reivindicaciones.
  2. REIVINDICACIONES 1. Un sistema de memoria caracterizado porque comprende : una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos y configurada para acoplarse en uno de una pluralidad de modo de operación que incluye un modo de auto-renovación y un modo de renovación propia; y un controlador de memoria configurado para dirigir la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad modos de operación; en donde, el controlador de memoria dirigiendo la memoria volátil para acoplarse en el modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para proporcionar una dirección de banco de entrada para la memoria volátil, la dirección de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovación propia; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memora volátil además se configura para ser disponible una dirección de banco de salida para el controlador de memoria, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia. 2. El sistema de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el controlador de memoria además se configura para emitir un comando de auto-renovación para la memoria volátil para renovar un banco que sigue al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia después de que el controlador de memoria reciba la dirección de banco de salida.
  3. 3. El sistema de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para ser disponible una dirección de fila de salida para el controlador de memoria, la dirección de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  4. 4. El sistema de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la memoria volátil es una de una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) o una DRAM sincrónica.
  5. 5. Un sistema de memoria caracterizado porque comprende : una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida y una pluralidad de bancos; y un controlador de memoria configurado para dirigir la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad de modos de operación que incluyen un modo de auto-renovación y un modo de renovación propia; en donde, con el controlador de memoria dirigiendo a la memoria volátil para acoplarse del modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para cargar una dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovación propia; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar una dirección de banco de salida en el seguro de dirección de banco de salida, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia, y donde el seguro de dirección de banco de salida es accesible para el controlador de memoria.
  6. 6. El sistema de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque el controlador de memoria además se configura para emitir un comando de auto-renovación para la memoria volátil para renovar un banco que sigue al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia después de que el controlador de memoria recupere la dirección de banco de salida del seguro de dirección de banco de salida.
  7. 7. El sistema de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque la memoria volátil además incluye un seguro de dirección de fila de salida, el seguro de dirección de fila de salida es accesible para el controlador de memoria; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar una dirección de fila de salida en el seguro de dirección de fila de salida, la dirección de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia .
  8. 8. El sistema de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque la memoria volátil es una de una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) o una DRAM sincrónica.
  9. 9. Un sistema de memoria caracterizado porque comprende: una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, el primer medio de almacenamiento para almacenar una dirección de banco de entrada y segundo medio de almacenamiento para almacenar una dirección de banco de salida; y un controlador de memoria configurado para dirigir la memoria volátil para acoplarse en uno de una pluralidad de modo de operación que incluyen el modo de auto-renovación y el modo de renovación propia; en donde, con el controlador de memoria dirigiendo la memoria volátil para acoplarse en el modo de renovación propia, el controlador de memoria además se configura para cargar la dirección de banco de entrada en el primer medio de almacenamiento, la dirección de banco de entrada corresponde al primer banco que va a renovarse durante el modo de renovación propia; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar la dirección de banco de salida en el segundo medio de almacenamiento, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia, y donde el segundo medio de almacenamiento es accesible para el controlador de memoria.
  10. 10. El sistema de conformidad .con la reivindicación 9, caracterizado porque el controlador de memoria además se configura para emitir un comando de auto-renovación para la memoria volátil para renovar un banco que sigue el último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia después de que el controlador de memoria recupere la dirección de banco de salida del segundo medio de almacenamiento .
  11. 11. El sistema de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado porque la memoria volátil además incluye un tercer medio de almacenamiento para almacenar una dirección de fila de salida; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar la dirección de fila de salida en el tercer medio de almacenamiento, la dirección de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia, el tercer medio de almacenamiento es accesible para el controlador de memoria.
  12. 12. El sistema de conformidad con la reivindicación 10, caracterizado porque la memoria volátil es una de una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) o una DRAM sincrónica.
  13. 13. Un sistema de memoria caracterizado porque comprende : una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida, un reloj de renovación y un contador de renovación, el contador de renovación además tiene un contador de dirección de fila y un contador de incremento de fila, donde el reloj de renovación se configura para controlar el contador de renovación y el seguro de dirección de banco de entrada, donde el contador de incremento de fila se configura para incrementar el contador de dirección de fila; y un controlador de memoria configurado para controlar la memoria volátil para acoplarse en un modo de auto-renovación o un modo de renovación propia, el controlador de memoria además configurado para cargar una dirección de banco para un banco objetivo en el seguro de dirección de banco de entrada; donde el controlador de memoria además se configura para dirigir la memoria volátil para acoplarse en un modo de auto-renovación para realizar una operación de auto-renovación en el banco objetivo; en donde el contador de incremento de fila se configura para incrementarse cada vez que se realiza una operación de auto-renovación; en donde el contador de incremento de fila además se configura para incrementar el contador de dirección de fila después de que un número predeterminado de operaciones de auto-renovación se haya realizado; en donde el contador de dirección de fila incluye una dirección de fila que se puede utilizar para identificar una fila en el banco objetivo para la operación de auto-renovación; en donde, con la memoria volátil entrando al modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para realizar una o más operaciones de renovación propia utilizando la dirección de banco almacenada en el seguro de dirección de banco de entrada y los contenidos almacenados en el contador de renovación; en donde la memoria volátil además se configura para incrementar el seguro de dirección de banco de entra y el contador de renovación donde es apropiado para cada operación de renovación propia; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil se configura para cargar el valor actual del seguro de dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de salida, el valor en el seguro de dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  14. 14. El sistema de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque el seguro de dirección de banco de salida es accesible para el controlador de memoria; y en donde el controlador de memoria además se configura para emitir un comando de auto-renovación para la memoria volátil para renovar un banco que sigue el último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia después de que el controlador de memoria recupere el valor almacenado en el seguro de dirección de banco de salida.
  15. 15. El sistema de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para no reiniciar el contador de incremento de fila.
  16. 16. El sistema de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, el controlador de memoria se configura además para no emitir ninguna renovación adicional dentro de un período de renovación promedio.
  17. 17. El sistema de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque la memoria volátil además incluye un seguro de dirección de fila de salida; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil se configura para cargar el valor actual del contador de dirección de fila en el seguro de dirección de fila de salida, el valor en el seguro de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  18. 18. El sistema de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque la memoria volátil es una de una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) o una DRAM sincrónica.
  19. 19. Un sistema de memoria caracterizado porque comprende : una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida, una pluralidad de bancos, una pluralidad de contadores de fila de renovación, cada contador de fila de renovación asociado con un banco correspondiente y configurado para almacenar una dirección de fila objetivo; y un controlador de memoria configurado para dirigir a la memoria volátil para acoplarse en el modo de auto-renovación, el controlador de memoria además configurada para cargar una dirección de banco objetivo en el seguro de dirección de banco de entrada; en donde la memoria volátil se configura para realizar una operación de auto-renovación en el modo de auto-renovación, la operación de auto-renovación se realiza en un banco objetivo identificado por la dirección de banco objetivo utilizando la dirección de fila objetiva almacenada en el contador de fila de renovación asociado con el banco objetivo; en donde el controlador de memoria además se configura para dirigir la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia; en donde la memoria volátil además se configura para ciclar a través de la pluralidad de bancos en el modo de renovación propia al incrementar el seguro de dirección de banco de entrada para generar la dirección de banco objetivo actual; y en donde, durante cada operación de renovación propia, la memoria volátil además se configura para renovar el banco identificado por la dirección de banco objetivo actual basándose en la dirección de fila objetiva almacenada en el contador de fila de renovación asociado; y en donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar el valor almacenado en el seguro de dirección de banco de entrada hacia el seguro de dirección de banco de salida, el valor en el seguro de dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  20. 20. El sistema de conformidad con la reivindicación 19, caracterizado porque el seguro de dirección de banco de salida es accesible para el controlador de memoria; y en donde el controlador de memoria además se configura para emitir un comando de auto-renovación para la memoria volátil para renovar un banco que sigue el último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia después de que el controlador de memoria recupere el valor almacenado en el seguro de dirección de banco de salida.
  21. 21. El sistema de conformidad con la reivindicación 19, caracterizado porque la memoria volátil además se configura para no realizar ninguna de las renovaciones avanzadas antes de que la memoria volátil entre al modo de renovación propia.
  22. 22. El sistema de conformidad con la reivindicación 19, caracterizado porque la memoria volátil además incluye un seguro de dirección de fila de salida, el seguro de dirección de fila de salida se puede acceder al controlador de memoria; y donde, con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la memoria volátil además se configura para cargar el valor almacenado en el contador de fila de renovación asociado con el último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia en el seguro de dirección de fila de salida .
  23. 23. El sistema de conformidad con la reivindicación 19, caracterizado porque la memoria volátil es una de una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) o una DRAM sincrónica.
  24. 24. Un método para controlar renovación de memoria para una memoria volátil que tiene una pluralidad de bancos, caracterizado porque comprende: enviar una dirección de banco de entrada a la memoria volátil; dirigir a la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia para realizar una o más operaciones de renovación propia basándose en la dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde a un banco objetivo donde una o más operaciones de renovación propia va a comenzar; y dirigir la memoria volátil para hacer disponible una dirección de banco de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  25. 25. El método de conformidad con la reivindicación 24, caracterizado además porque comprende: dirigir a la memoria volátil para acoplarse en un modo de auto-renovación para realizar una operación de auto-renovación en un banco que sigue el banco identificado con la dirección de banco de salida.
  26. 26. El método de conformidad con la reivindicación 24, caracterizado además porque comprende: dirigir a la memoria volátil para ser disponible una dirección de fila de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  27. 27. Un método para controlar renovación de memoria para una memoria volátil que tiene un seguro de dirección de banco de entrada, un seguro de dirección de banco de salida y una pluralidad de bancos, caracterizado porque comprende : cargar una dirección de banco de entrada en el seguro de dirección de banco de entrada; dirigir la memoria volátil para recuperar la dirección de banco de entrada de seguro de dirección de banco de entrada; dirigir a la memoria volátil para acoplarse en un modo de renovación propia para realizar una o más operaciones de renovación propia basándose en la dirección de banco de entrada, la dirección de banco de entrada corresponde a un banco objetivo donde una o más operaciones de renovación propia van a comenzar; y almacenar una dirección de banco de salida en el seguro de dirección de banco de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de banco de salida corresponde al último banco que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
  28. 28. El método de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado además porque comprende: recuperar la dirección de banco de salida del seguro de dirección de banco de salida; y dirigir a la memoria volátil para acoplarse en modo de auto-renovación para realizar una operación de auto-renovación en un banco que sigue el banco identificado por la dirección de banco de salida.
  29. 29. El método de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado porque la memoria volátil además incluye un seguro de dirección de fila de salida, el método además comprende: almacenar una dirección de fila de salida en el seguro de dirección de fila de salida con la memoria volátil saliendo del modo de renovación propia, la dirección de fila de salida corresponde a la última fila que se renovó antes de que la memoria volátil saliera del modo de renovación propia.
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