MD877G2 - Селективный фотодиод квадрант - Google Patents

Селективный фотодиод квадрант

Info

Publication number
MD877G2
MD877G2 MD96-0339A MD960339A MD877G2 MD 877 G2 MD877 G2 MD 877G2 MD 960339 A MD960339 A MD 960339A MD 877 G2 MD877 G2 MD 877G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
quadrant
optical signals
photodetector
selective
invention consists
Prior art date
Application number
MD96-0339A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD877F1 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Валериу КАНЦЕР
Dan Cacerea
Vladimir Branzari
Татьяна ВИЕРУ
Valeriu Coseac
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MD96-0339A priority Critical patent/MD877G2/ru
Publication of MD877F1 publication Critical patent/MD877F1/xx
Publication of MD877G2 publication Critical patent/MD877G2/ru

Links

Landscapes

  • Optical Communication System (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым фотодиодам с координатной чувствительностью и может применяться в оптических системах для детектирования и обработки оптических сигналов, передаваемых через атмосферу, с целью ориентирования и управления быстродвижущимися объектами.Сущность изобретения заключается в том, что селективный фотодиод квадрант содержит полупроводниковую подложку InP, активный слой Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1, фронтальный слой Inx2 Ga1-x2Asy2P1-y2, металлические контакты, расположенные на тыльной и фронтальной сторонах, с разделенной поверхностью на четыре фотоэлемента в виде секторов круга и периферийного круглого охранного кольца, a в центре квадранта изготовлен электрически изолированный фотодетектор с отношением диаметра фотодетектора к диаметру квадранта меньше, чем 1:10.Технический результат заключается в получении резкой координатной характеристики фотодиода, который способен детектировать одиночные оптические сигналы длительностью меньше 10 нсек. и оптические сигналы с частотой более 1 ГГц.Фиг.: 2
MD96-0339A 1996-11-20 1996-11-20 Селективный фотодиод квадрант MD877G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD96-0339A MD877G2 (ru) 1996-11-20 1996-11-20 Селективный фотодиод квадрант

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD96-0339A MD877G2 (ru) 1996-11-20 1996-11-20 Селективный фотодиод квадрант

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD877F1 MD877F1 (en) 1997-11-30
MD877G2 true MD877G2 (ru) 1998-08-31

Family

ID=19738917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD96-0339A MD877G2 (ru) 1996-11-20 1996-11-20 Селективный фотодиод квадрант

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD877G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD340Z (ru) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Болометр

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Amorphous Semicond.:Sci. and Technol. 15th Int. Conf., Cambridge, Sept. 6-10, 1993, Pt2, J. Non-Cryst. Solids., 164-166, nr. 2, 1993, E. Fortunato, M. Viera, G. Lavareda, L. Ferreira, R. Martins, "Material properties, project design rules and performances of single and dual axis a-Si:H large area position sensitive detectors: (Pap(", p. 797-800. *
Proseedings of The IVth International Conference on Reliability of Semiconductor Devices and Systems (RSDS’96), 1996, Chişinău, V. Dorogan, V. Brynzari, G. Korotchenkov, A. Snigur, *
В.Г. Трофим, В.А. Чумак. "Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-xAs-GaAs, 1987 г., "Штиинца", Кишинев, c. 27-47. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD340Z (ru) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Болометр

Also Published As

Publication number Publication date
MD877F1 (en) 1997-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0373752A3 (en) Semiconductor light detector and method of manufacturing the same
TW430595B (en) A carrier head with a substrate detector
JPS54101688A (en) Optical semiconductor device
EP0380106A3 (en) Semiconductor emitting device and process for preparing the same
CA2056087A1 (en) Photoelectric converting device and information processing apparatus employing the same
CA2054934A1 (en) Electro-optical detector array and method of making same
WO2001013435A3 (en) High gain gan/algan heterojunction phototransistor
ES8400636A1 (es) Dispositivo fotovoltaico pindesilicio amorfo.
JPS53135653A (en) Photoelectric detecting optical device
JPS5696203A (en) Detection device for optical position
RU96119670A (ru) Лавинный фотодиод
CA2116793A1 (en) Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit
EP0149546A3 (en) Receiver for power line communication systems
GB1265926A (ru)
MD877G2 (ru) Селективный фотодиод квадрант
EP0304335A3 (en) Photosensor device
EP0275180A3 (en) Solid state imager device
GB0411926D0 (en) Direct electron detector
JPS6423567A (en) Semiconductor photodetector device
JPS5792877A (en) Photo-receiving semiconductor
JPS642353A (en) Semiconductor device
GB1441261A (en) Semiconductor avalanche photodiodes
JPS5587007A (en) Semiconductor photo position detector
EP0346901A3 (en) Semiconductor photodetector
TW227629B (en) Photo receiver with high sensitivity and high current

Legal Events

Date Code Title Description
FG3A Granted patent for invention
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20080714