MD4500C1 - Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы - Google Patents
Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазыInfo
- Publication number
- MD4500C1 MD4500C1 MDA20150067A MD20150067A MD4500C1 MD 4500 C1 MD4500 C1 MD 4500C1 MD A20150067 A MDA20150067 A MD A20150067A MD 20150067 A MD20150067 A MD 20150067A MD 4500 C1 MD4500 C1 MD 4500C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- growth
- gaseous
- zno
- temperature
- single crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, a именно к способу получения полупроводниковых материалов, в частности к выращиванию монокристаллов ZnO из паровой фазы с затравкой в замкнутом объеме.Способ, согласно изобретению, состоит в выращивании монокристалла ZnO из паровой фазы в замкнутом объеме камеры роста, в которую загружают затравку ZnO с кристаллографическим направлением [0001]Zn и материал роста ZnO, с использованием паров HCl с начальным давлением при температуре роста равном 1...5 атм и H2, поддерживаемого при постоянном давлении равном 50…200% от начального давления HCl. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 980…1100°C с разницей температур между материалом роста и затравкой равной 20…60°C и градиентом температур в области кристаллизации до 10°C/cm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20150067A MD4500C1 (ru) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20150067A MD4500C1 (ru) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD20150067A2 MD20150067A2 (ru) | 2017-01-31 |
| MD4500B1 MD4500B1 (ru) | 2017-07-31 |
| MD4500C1 true MD4500C1 (ru) | 2018-02-28 |
Family
ID=57957773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20150067A MD4500C1 (ru) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4500C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3320G2 (ru) * | 2006-03-24 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения наноструктур оксида цинка |
| CN101445265A (zh) * | 2008-09-23 | 2009-06-03 | 河南大学 | 气相沉积制备掺杂单晶氧化锌纳米螺丝刀的方法及其装置 |
| MD4266B1 (en) * | 2011-03-17 | 2013-12-31 | Univ De Stat Din Moldova | Method for producing the ZnSe single crystal |
-
2015
- 2015-07-23 MD MDA20150067A patent/MD4500C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3320G2 (ru) * | 2006-03-24 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения наноструктур оксида цинка |
| CN101445265A (zh) * | 2008-09-23 | 2009-06-03 | 河南大学 | 气相沉积制备掺杂单晶氧化锌纳米螺丝刀的方法及其装置 |
| MD4266B1 (en) * | 2011-03-17 | 2013-12-31 | Univ De Stat Din Moldova | Method for producing the ZnSe single crystal |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| G. V. Colibaba, I.I. Shtepliuk, E.P. Goncearenco, G. Covalciuc. Effectivity of HCl as a chemical vapor transport agent for ZnO single crystal growth. 7th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics, Chişinău, Moldova, 2014.09.16-19, p. 15 * |
| Koichi Matsumoto, Goro Shimaoka. Crystal growth of ZnO by chemical transport. Journal of Crystal Growth 86, 1988, p. 410-416 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD20150067A2 (ru) | 2017-01-31 |
| MD4500B1 (ru) | 2017-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
| PH12018500293A1 (en) | A method of producing a two-dimensional material | |
| WO2012134092A3 (en) | Method of manufacturing single crystal ingot, and single crystal ingot and wafer manufactured thereby | |
| GB2548501A (en) | Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof | |
| JP2013212952A5 (ru) | ||
| GB2548280A (en) | Apparatus and method of manufacturing free standing CVD polycrystalline diamond films | |
| MY178407A (en) | Process for the production of solid cooling agents | |
| WO2013002540A3 (en) | Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal | |
| MD4500B1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы | |
| MX2020008430A (es) | Metodo para producir edulcorante cristalino funcional. | |
| MD4455C1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| SG11202009411SA (en) | Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material | |
| WO2015147933A3 (en) | Grain size tuning for radiation resistance | |
| MD4517B1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| MD20180024A2 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO с контролируемым типом поверхности | |
| MD20110026A2 (en) | Method for removing the deformation of ZnSe single crystals in the cooling process after growth | |
| MD4734C1 (ru) | Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением | |
| MD402Z (ru) | Способ быстрого выращивания монокристалла висмута | |
| UA117411C2 (uk) | Спосіб отримання кристалів подвійного променезаломлення | |
| MD865Z (ru) | Способ получения порошкообразного сброженного молочного продукта | |
| UA106164U (ru) | СПОСОБ выращивания монокристаллов ПАРАТЕЛЛУРИТа | |
| UA111911U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4 | |
| PH12020551048A1 (en) | Method for preparing natural l-cysteine hydrochloride hydrate crystals by continuous chromatography | |
| 陈肖虎 et al. | Thermodynamic analysis of production of high purity titanium by thermal decomposition of titanium iodide | |
| UA95507U (uk) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |