MD3737G2 - Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления - Google Patents
Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- MD3737G2 MD3737G2 MDA20070084A MD20070084A MD3737G2 MD 3737 G2 MD3737 G2 MD 3737G2 MD A20070084 A MDA20070084 A MD A20070084A MD 20070084 A MD20070084 A MD 20070084A MD 3737 G2 MD3737 G2 MD 3737G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- frontal
- solar cell
- semiconductor material
- junctions
- manufacture
- Prior art date
Links
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 title abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к двухсторонним преобразователям солнечной энергии в электрическую и к способам их изготовления.Двухсторонний солнечный элемент состоит из базового полупроводникового материала, двух переходов, образованных на лицевой и тыльной частях, и контактных металлических решеток. Образованные переходы являются изотипными по отношению к базовому полупроводниковому материалу.Способ изготовления двухстороннего солнечного элемента включает образование двух переходов на лицевой и тыльной частях базового полупроводникового материала и контактных металлических решеток. Лицевой переход образован в виде структуры полупроводник-диэлектрик-полупроводник методом пиролитической пульверизации химического раствора. Структура лицевого перехода может быть nSi-iSiO2-n+ITO, а в качестве химического раствора может быть использована смесь, составленная из 1М InCl3:1М SnCl4:C2H5OH в соотношении 9:1:10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20070084A MD3737G2 (ru) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20070084A MD3737G2 (ru) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3737F1 MD3737F1 (en) | 2008-10-31 |
| MD3737G2 true MD3737G2 (ru) | 2009-05-31 |
Family
ID=40030534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20070084A MD3737G2 (ru) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3737G2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4339C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2016-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотовольтаическая однопереходная структура |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD975C2 (ru) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка |
| MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| EA001908B1 (ru) * | 1998-07-03 | 2001-10-22 | Изовольта Ёстеррайхише Изолирштоффверке Акциенгезельшафт | Фотогальванический модуль, а также способ его изготовления |
| MD1888C2 (ru) * | 2001-09-05 | 2002-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| MD2013G2 (ru) * | 2001-07-31 | 2003-04-30 | Валериан ДОРОГАН | Солнечный элемент |
| MD2730C2 (ru) * | 2003-08-05 | 2005-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная ячейка |
| MD3112G2 (ru) * | 2005-06-16 | 2007-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Тонкослойная солнечная ячейка |
-
2007
- 2007-03-26 MD MDA20070084A patent/MD3737G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD975C2 (ru) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка |
| EA001908B1 (ru) * | 1998-07-03 | 2001-10-22 | Изовольта Ёстеррайхише Изолирштоффверке Акциенгезельшафт | Фотогальванический модуль, а также способ его изготовления |
| MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| MD2013G2 (ru) * | 2001-07-31 | 2003-04-30 | Валериан ДОРОГАН | Солнечный элемент |
| MD1888C2 (ru) * | 2001-09-05 | 2002-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| MD2730C2 (ru) * | 2003-08-05 | 2005-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная ячейка |
| MD3112G2 (ru) * | 2005-06-16 | 2007-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Тонкослойная солнечная ячейка |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Cuevas A. The early history of bifacial solar cells. 20th European Solar Energy Conference. Barcelona, Spain, 6-10 Iunie 2005, p.801-805 * |
| Cuevas A., Lique A., Eguren J., del Alamo J. High efficiency bifacial backsurface field solar cells. Solar Cells, 3, n-4, 1981. p. 337-340. * |
| Cuevas A., Luque A., Eguren J., del Alamo J. High efficiency bifacial backsurface field solar cells. Solar Cells, 3, 1981, p. 337-340 * |
| Cuevas A., The early history of bifacial solar cells. 20th European Solar Energy Conference. Barcelona, Spain, 6-10 June 2005. p.801-805. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4339C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2016-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотовольтаическая однопереходная структура |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3737F1 (en) | 2008-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2010019532A3 (en) | Compositions and processes for forming photovoltaic devices | |
| MY167102A (en) | Method for forming diffusion regions in a silicon substrate | |
| GB201217909D0 (en) | Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof | |
| MY186820A (en) | High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture | |
| TW200703672A (en) | Thermal process for creation of an in-situ junction layer in CIGS | |
| ATE441942T1 (de) | Fotovoltaische anordnung auf kupfer-indium- diselenidbasis und herstellungsverfahren dafür | |
| WO2010104340A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region | |
| MY152398A (en) | Method for manufacturing a solar cell with a surface-passivating dielectric double layer, and corresponding solar cell | |
| MY167874A (en) | Solar cells | |
| TN2012000020A1 (en) | Photovoltaic device with patterned glass concentrator | |
| MY170119A (en) | Porous silicon electro-etching system and method | |
| GB2495166A (en) | Single-junction photovoltaic cell | |
| ATE448569T1 (de) | Fotovoltaische anordnung auf kupfer-indium- diselenidbasis und herstellungsverfahren dafür | |
| WO2008090832A1 (ja) | ポリラジカル化合物-導電性物質複合体及びその製造方法ならびにそれを用いた電池 | |
| CN106744835A (zh) | 一种利用玉米秸秆制备石墨烯的方法 | |
| MD3737F1 (en) | Bilateral solar cell and process for manufacture thereof | |
| MY169363A (en) | Hetero-contact solar cell and method for the production thereof | |
| WO2010096433A3 (en) | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells | |
| CN103387011A (zh) | 碳纤维太阳能电池板车顶 | |
| WO2010093622A3 (en) | Substrate for semiconductor device and method for its manufacture | |
| Yang et al. | High-performance thermoelectric materials for solar energy application | |
| EA200800745A1 (ru) | Способ получения тепловой энергии | |
| CN106744836A (zh) | 一种利用生物质原料制备石墨烯的方法 | |
| Vijayasankar et al. | Controlled band energetics in Pb-Fe-Nb-O metal oxide composite system to fabricate efficient visible light photocatalyst | |
| CN104393068B (zh) | 一种高转换效率的太阳能电池板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |