MD3112G2 - Тонкослойная солнечная ячейка - Google Patents
Тонкослойная солнечная ячейкаInfo
- Publication number
- MD3112G2 MD3112G2 MDA20050168A MD20050168A MD3112G2 MD 3112 G2 MD3112 G2 MD 3112G2 MD A20050168 A MDA20050168 A MD A20050168A MD 20050168 A MD20050168 A MD 20050168A MD 3112 G2 MD3112 G2 MD 3112G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- thin
- solar cell
- layer
- thin layer
- ohmic contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к тонкослойным солнечным ячейкам.Тонкослойная солнечная ячейка на основе бинарных соединений А2В6, включающая последовательно нанесенные на подложку один на другой передний омический контакт, широкозонный полупроводниковый тонкий слой, узкозонный полупроводниковый тонкий слой и тыльный омический контакт. Новизна изобретения состоит в том, что солнечная ячейка дополнительно содержит неметаллический тонкий слой, расположенный между узкозонным полупроводниковым тонким слоем и тыльным омическим контактом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20050168A MD3112G2 (ru) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | Тонкослойная солнечная ячейка |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20050168A MD3112G2 (ru) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | Тонкослойная солнечная ячейка |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD3112F1 MD3112F1 (en) | 2006-07-31 |
MD3112G2 true MD3112G2 (ru) | 2007-02-28 |
Family
ID=36808922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20050168A MD3112G2 (ru) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | Тонкослойная солнечная ячейка |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD3112G2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3737G2 (ru) * | 2007-03-26 | 2009-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
MD4339C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2016-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотовольтаическая однопереходная структура |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD1653G2 (ru) * | 1999-10-12 | 2001-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
-
2005
- 2005-06-16 MD MDA20050168A patent/MD3112G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD1653G2 (ru) * | 1999-10-12 | 2001-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
T. Potlog, L. Ghimpu, P. Gashin, A. Pudov, J. Sites. Influence of the annealing in different media on the photovoltaic parameters of CdS/CdTe. Solar Energy Materials and Solar Cells, V. 80, nr. 3, 2003, p. 327-334 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3737G2 (ru) * | 2007-03-26 | 2009-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
MD4339C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2016-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотовольтаическая однопереходная структура |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD3112F1 (en) | 2006-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2008115814A3 (en) | Solar cells | |
MY157221A (en) | Photovoltaic devices including an interfacial layer | |
MY165986A (en) | Photovoltaic devices including heterojunctions | |
TW200733408A (en) | Solar cell with physically separated distributed electrical contacts | |
TW200636992A (en) | Semiconductor device edge termination structure and method | |
TW200707643A (en) | Semiconductor device having through electrode and method of manufacturing the same | |
TW200739941A (en) | Nitride semiconductor device | |
TW200723408A (en) | Schottky device and method of forming | |
TW200721560A (en) | Metal and electronically conductive polymer transfer | |
WO2007126441A3 (en) | Back-contact photovoltaic cells | |
ATE470230T1 (de) | Fotovoltaisches modul mit voller ausnutzung des oberflächeninhalts | |
MX2009005459A (es) | Dispositivo fotovoltaico que incluye apilamiento de metal. | |
MY164313A (en) | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate | |
TW200742035A (en) | Low profile semiconductor package-on-package | |
TW200419862A (en) | Semiconductor element and its manufacture | |
TW200715566A (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
WO2005096404A3 (en) | Solar cell assembly | |
TW200635058A (en) | Back junction solar cell and process for producing the same | |
TW200717843A (en) | Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency | |
TW200512848A (en) | Transparent packaging in wafer level | |
TW200739706A (en) | Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure | |
WO2010041262A3 (en) | Solar cells and method of manufacturing thereof | |
TW200642101A (en) | Photodetector | |
TW200701532A (en) | Memory device including barrier layer for improved switching speed and data retention | |
TW200635057A (en) | Back junction solar cell and process for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG4A | Patent for invention issued | ||
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |