MD1680Z - Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă - Google Patents
Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă Download PDFInfo
- Publication number
- MD1680Z MD1680Z MDS20220050A MDS20220050A MD1680Z MD 1680 Z MD1680 Z MD 1680Z MD S20220050 A MDS20220050 A MD S20220050A MD S20220050 A MDS20220050 A MD S20220050A MD 1680 Z MD1680 Z MD 1680Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- microwire
- recrystallization
- glass insulation
- capacitor
- electric field
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la domeniul materialelor termoelectrice, şi anume la procedee de recristalizare a microfirelor din materiale anizotrope în izolaţie de sticlă.Procedeul de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă constă în mişcarea microfirului printr-un condensator format din două plăci de cupru, care generează un câmp electric puternic, încălzirea microfirului cu un fascicul laser până la temperatura de topire a miezului cu formarea unei zone de topire înguste, care în direcţia de mişcare a microfirului în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3 a microfirului în direcţia câmpului electric.
Description
Invenţia se referă la domeniul materialelor termoelectrice, şi anume la procedee de recristalizare a microfirelor din materiale anizotrope în izolaţie de sticlă.
Este cunoscut un procedeu de creştere a cristalelor dintr-o topitură, folosind agent de cristalizare [1]. În acest procedeu este necesar să se asigure contactul iniţial al agentului de cristalizare, adică un cristal orientat special, cu topitura sau zona de topire a cristalului recristalizat.
Dezavantajul acestui procedeu constă în necesitatea de a asigura contactul initial al agentului de cristalizare, adică un cristal special orientat, cu zona de topire a cristalului recristalizat.
Cel mai apropiat de soluţia propusă este procedeul de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă, în care microfirul de bismut în mişcare este încălzit de un încălzitor rezistiv până la temperatura de topire a miezului cu formarea unei zone topite, care în direcţia mişcării microfirului se deplasează în interiorul unui condensator, format din două plăci de cupru, generând un câmp electric puternic, unde se cristalizează cu un cristalizator de apă, cu direcţia axei cristalografice C3 a microfirului în direcţia câmpului electric [2].
Dezavantajele acestui procedeu sunt prezenţa în procesul de recristalizare a unei zone lungi a topiturii microfirului, ~ 10 mm, precum şi utilizarea unui cristalizator de apă. Datorită faptului că densitatea topiturii de Bi şi aliajelor de Bi-Sb (ρm=10,05 g/cm3) este mai mare decât densitatea lor în stare solidă (ρs=9,78 g/cm3) (В.В. Алчагиров, А.Г. Мозговой, Т.М. Шампаров. Плотность расплавленного висмута при высоких температурах. Теплофизика высоких температур, 2004, 42, p. 487-490), regiunea topiturii în microfir se îngustează cu formarea unui spaţiu gol. Odată cu trecerea procesului de recristalizare, grosimea îngustarii se micşorează, ceea ce duce la o ruptură a miezului. Ca urmare, se poate de obţinut nu mai mult de 1 m de microfir recristalizat fără rupturi. De asemenea, prezenţa unui cristalizator de apă în interiorul condensatorului cu o tensiune înaltă (8*103 V/cm) poate duce la descărcări necontrolate între plăcile condensatorului.
Scopul prezentei invenţii este de a elabora o nouă tehnologie de recristalizare a unui microfir în izolaţie de sticlă dintr-un material anizotrop (de exemplu, aliaje de Bi şi Bi-Sb), lipsită de dezavantajele de mai sus.
Problema tehnică rezolvată de invenţie este obţinerea unui microfir arbitrar subţire şi lung dintr-un material anizotrop, de exemplu Bi şi Bi-Sb, în izolaţie de sticlă cu orientarea dorită a axei C3 faţă de axa microfirului.
În procedeul propus, încălzitorul rezistiv, care topeşte miezul microfirului în izolaţie de sticlă şi este situat în afara condensatorului de înaltă tensiune, format din două plăci de cupru (care este motivul formării unei zone lungi de topire a miezului), este înlocuit cu un fascicul laser focalizat, care topeşte miezul microfirului în interiorul condensatorului, iar regiunea de topire la deplasarea microfirului este imediat cristalizată de un flux de aer.
Procedeul de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă constă în mişcarea microfirului printr-un condensator format din două plăci de cupru, care generează un câmp electric puternic, încălzirea microfirului cu un fascicul laser până la temperatura de topire a miezului cu formarea unei zone de topire înguste, care în direcţia de mişcare a microfirului în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3 a microfirului în direcţia câmpului electric.
Avantajele procedeului propus sunt:
- posibilitatea recristalizării unui microfir de Bi şi Bi-Sb arbitrar lung în izolaţia de sticlă;
- posibilitatea de recristalizare a microfirelor de Bi şi Bi-Sb arbitrar subţiri în izolaţia de sticlă;
- creşterea fiabilităţii funcţionării instalaţiei de recristalizare a microfirului atunci când cristalizatorul de apă este înlocuit cu unul de aer.
Invenţia se explică prin desenul din figură, care reprezintă schema instalaţiei pentru recristalizarea microfirului de Bi şi Bi-Sb în izolaţie de sticlă pentru a obţine la ieşirea din instalaţie un microfir cu orientarea axei cristalografice principale C3 pe direcţia câmpului electric: 1- microfir din Bi şi Bi-Sb în izolaţie de sticlă; 2- condensator, format din două plăci de cupru situate la o distanţă de 1 cm una faţă de alta; 3 - fascicul laser focalizat; 4 - laser semiconductor, λ=450 nm, P=2 W; 5 - cristalizator (flux de aer).
Exemplu de realizare a invenţiei
Pentru obţinerea unui microfir 1 cu amplasarea axei cristalografice principale C3 în direcţia câmpului electric E, condensatorului 2, format din două plăci de cupru situate la o distanţă de 1 cm una faţă de alta, i se aplică o tensiune de 8 kV, în timp ce în condensator apare un câmp electric E = 8 kV/cm. Microfirul de bismut în izolaţie de sticlă 1 este tras prin dispozitiv cu o viteză de 0,4 m/min cu ajutorul a două discuri rotative acoperite cu cauciuc, în interiorul condensatorului, în zona de acţiune a unui câmp electric puternic, miezul microfirului 1 este topit de un fascicul focalizat 3 al unui laser 4 şi imediat când microfirul este deplasat, acesta se cristalizează cu un flux de aer 5, în timp ce axa cristalografică principală C3 în monocristalul solidificat este situată în direcţia câmpului electric.
La utilizarea unui laser semiconductor (λ=450 nm, P=2 W) a fost posibilă obţinerea unui microfir recristalizat de Bi-0,05% Sn (D = 18 µm, d = 4 µm) cu lungimea de 9,9 m, din care a fost confecţionat un senzor de flux de căldură. Valabilitatea procedeului propus este garantată de sensibilitatea ridicată (10-2 V/W) a senzorului de flux de căldură obţinut.
1. Пфанн В. Зонная плавка. Мир, Москва, 1970, p. 246-251
2. MD 1409 Y 2019.12.31
Claims (1)
- Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă, care constă în mişcarea microfirului printr-un condensator format din două plăci de cupru, care generează un câmp electric puternic, încălzirea microfirului cu un fascicul laser până la temperatura de topire a miezului cu formarea unei zone de topire înguste, care în direcţia de mişcare a microfirului în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3 a microfirului în direcţia câmpului electric.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20220050A MD1680Z (ro) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20220050A MD1680Z (ro) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1680Y MD1680Y (ro) | 2023-03-31 |
| MD1680Z true MD1680Z (ro) | 2024-01-31 |
Family
ID=85792836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20220050A MD1680Z (ro) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1680Z (ro) |
-
2022
- 2022-07-21 MD MDS20220050A patent/MD1680Z/ro active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1680Y (ro) | 2023-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4789086B2 (ja) | 無容器凝固法によるバリウチタン系酸化物ガラスの製造方法 | |
| USRE44789E1 (en) | Wire electrode and process for producing a wire electrode, particular for a spark erosion process | |
| MD1680Z (ro) | Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă | |
| Barber et al. | Some microstructural features of the welds in butt-welded polyethylene and polybutene-1 pipes | |
| KR20060016659A (ko) | 고 용해효율 전자기 연속주조장치 | |
| JP4684544B2 (ja) | シリコンから形成された半導体ウエーハの分割方法及び装置 | |
| JPH10158088A (ja) | 固体材料の製造方法及びその製造装置 | |
| CA1149577A (en) | Method and device for manufacture of amorphous metal tapes | |
| JP3893012B2 (ja) | Ｃｌｂｏ単結晶の育成方法 | |
| IL34591A (en) | Method and apparatus for forming directionally solidified articles by a consumable arc melting technique | |
| JP2012101980A (ja) | シリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法 | |
| JPS6133738A (ja) | 液体急冷装置 | |
| BR0010877A (pt) | Método para fabricação de um elemento de resfriamento composto para a zona de fusão de um reator metalúrgico e um elemento de resfriamento composto fabricado pelo dito método | |
| CN202187089U (zh) | 快速反馈硅液溢流监控装置 | |
| JP2004067441A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| US3034871A (en) | Method of forming silicon into intricate shapes | |
| JP2015120625A (ja) | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
| JP5283522B2 (ja) | 感温材およびその製造方法、温度ヒューズ、回路保護素子 | |
| KR101580495B1 (ko) | 저융점 금속의 극미량 원소 제어장치 | |
| MD1409Z (ro) | Procedeu de recristalizare a microfirului de bismut în izolaţie de sticlă | |
| Dippy | The Rhythmic Crystallization of Melts | |
| Nacke et al. | Induction Skull Melting of Oxides and Glasses in Cold Crucible | |
| SU555761A1 (ru) | Способ изготовлени р-п переходов | |
| SU1737283A1 (ru) | Способ стабилизации высокотемпературных проволочных термопреобразователей | |
| RU2111829C1 (ru) | Способ непрерывного получения тонкой металлической полосы и машина для его осуществления |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued |