MD1065Z - Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов - Google Patents
Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов Download PDFInfo
- Publication number
- MD1065Z MD1065Z MDS20150148A MDS20150148A MD1065Z MD 1065 Z MD1065 Z MD 1065Z MD S20150148 A MDS20150148 A MD S20150148A MD S20150148 A MDS20150148 A MD S20150148A MD 1065 Z MD1065 Z MD 1065Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- measuring
- resistance
- sensor
- amplifier
- voltage source
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в измерительных приборах, в которых используются сенсоры на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов.Устройство измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов включает источник опорного напряжения (1), подключенный к вольтметру (6) и соединенный последовательно с исследуемым наноструктурным сенсором (2) и с дополнительным резистором (3), к соединительному узлу которого с сенсором (2) подключен вход усилителя (4). Выход усилителя (4) соединен с вольтметром (5), в то же время резистор (3), общие узлы источника опорного напряжения (1), усилитель (4) и вольтметры (5, 6) соединены с землей.Метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов состоит в том, что измеряется напряжение U1 источника опорного напряжения, измеряется напряжение U3 на дополнительном резисторе, рассчитывается величина напряжения, которое падает на исследуемый сенсор согласно формуле Ux=U1-U3, и рассчитывается величина тока проходящего через исследуемый сенсор согласно формуле Ix=U3/R3. Расчет величины сопротивления сенсора Rx выполняется в соответствии с законом Ома, используя полученные значения Ux и Ix.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1065Y MD1065Y (ru) | 2016-08-31 |
| MD1065Z true MD1065Z (ru) | 2017-03-31 |
Family
ID=56855222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1065Z (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1597802A1 (ru) * | 1987-04-17 | 1990-10-07 | Институт радиофизики и электроники АН АрмССР | Устройство дл измерени параметров источников питани |
| RU19420U1 (ru) * | 2001-05-18 | 2001-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Связьприбор" | Устройство для измерения электрических параметров и определения места повреждения кабельных линий |
| US8263002B1 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-11 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of ZnO nanorod-based hydrogen gas nanosensor |
| RU2541723C1 (ru) * | 2013-09-17 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Прецизионный аналого-цифровой интерфейс для работы с резистивными микро- и наносенсорами |
-
2015
- 2015-11-09 MD MDS20150148A patent/MD1065Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1597802A1 (ru) * | 1987-04-17 | 1990-10-07 | Институт радиофизики и электроники АН АрмССР | Устройство дл измерени параметров источников питани |
| RU19420U1 (ru) * | 2001-05-18 | 2001-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Связьприбор" | Устройство для измерения электрических параметров и определения места повреждения кабельных линий |
| US8263002B1 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-11 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of ZnO nanorod-based hydrogen gas nanosensor |
| RU2541723C1 (ru) * | 2013-09-17 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Прецизионный аналого-цифровой интерфейс для работы с резистивными микро- и наносенсорами |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| O. Lupan, V.V. Ursaki, G. Chai, L. Chow. Selective hydrogen gas nanosensor using individual ZnO nanowire with fast response at room temperature, Sensors and Actuators B: Chemical, Volume 144, Issue 1, 29 January 2010, Pages 56–66 * |
| Oleg Lupan, Guangyu Chai, Lee Chow. Novel hydrogen gas sensor based on single ZnO nanorod, Microelectronic Engineering, Volume 85, Issue 11, November 2008, Pages 2220-2225 * |
| Лозицкий Б.Н., Мельниченко И. И. Радиотехника, Электрорадиоизмерения, Энергия, Москва, 1976, с.193-194 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1065Y (ru) | 2016-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nenova et al. | Linearization circuit of the thermistor connection | |
| CN103235189B (zh) | 一种基于双电流电压比率法的微电阻高精度测量方法及实现该方法的测量系统 | |
| CN107229028B (zh) | 用于确定负载电流的方法和电池传感器 | |
| CN105890793A (zh) | 三线制Pt100铂电阻测温电路 | |
| CN105572475A (zh) | 一种高阻抗测量电路与信号处理方法 | |
| CN102288815B (zh) | 一种用于巨磁电阻效应电流传感器的温度补偿器 | |
| CN111122170B (zh) | 一种基于电流源的高精度电阻信号调理电路及方法 | |
| CN109307839B (zh) | 交流电器电寿命实验过程中测试触点电压降的电路 | |
| MD1065Z (ru) | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов | |
| CN103076480B (zh) | 微小信号采集卡 | |
| De Marcellis et al. | A novel current-based approach for very low variation detection of resistive sensors in wheatstone bridge configuration | |
| RU2586084C1 (ru) | Многоканальный преобразователь приращения сопротивления резистивных датчиков в напряжение | |
| CN106066200A (zh) | 电磁流量计用刻度检查器 | |
| CN104614589B (zh) | 一种引线电阻消除的电阻信号源及其电阻测量电路 | |
| RU2549255C1 (ru) | Цифровой измеритель температуры | |
| MD1023Z (ru) | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов | |
| CN112505421A (zh) | 一种干式空心电抗器直流电阻的测量电路 | |
| RU86755U1 (ru) | Среднеквадратический преобразователь | |
| CN113238602B (zh) | 一种不平衡惠斯通电桥装置及其测定方法 | |
| RU168749U1 (ru) | Мост для измерения параметров произвольного пассивного двухполюсника | |
| RU2569043C2 (ru) | Мостовой измеритель параметров двухполюсников | |
| MD1269Y (ru) | Устройство и метод измерения параметров сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне порядка микроватт | |
| CN105675952A (zh) | 电流测量装置、方法及其制作方法 | |
| JP5981320B2 (ja) | インピーダンス測定装置およびインピーダンス測定方法 | |
| RU152498U1 (ru) | Устройство для определения статических характеристик нагрузки по напряжению с защитой от аномальных искажений |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |