MD1065Y - Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов - Google Patents
Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов Download PDFInfo
- Publication number
- MD1065Y MD1065Y MDS20150148A MDS20150148A MD1065Y MD 1065 Y MD1065 Y MD 1065Y MD S20150148 A MDS20150148 A MD S20150148A MD S20150148 A MDS20150148 A MD S20150148A MD 1065 Y MD1065 Y MD 1065Y
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- measuring
- resistance
- sensors based
- semiconductor oxides
- nanostructured semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в измерительных приборах, в которых используются сенсоры на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов.Устройство измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов включает источник опорного напряжения (1), подключенный к вольтметру (6) и соединенный последовательно с исследуемым наноструктурным сенсором (2) и с дополнительным резистором (3), к соединительному узлу которого с сенсором (2) подключен вход усилителя (4). Выход усилителя (4) соединен с вольтметром (5), в то же время резистор (3), общие узлы источника опорного напряжения (1), усилитель (4) и вольтметры (5, 6) соединены с землей.Метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов состоит в том, что измеряется напряжение U1 источника опорного напряжения, измеряется напряжение U3 на дополнительном резисторе, рассчитывается величина напряжения, которое падает на исследуемый сенсор согласно формуле Ux=U1-U3, и рассчитывается величина тока проходящего через исследуемый сенсор согласно формуле Ix=U3/R3. Расчет величины сопротивления сенсора Rx выполняется в соответствии с законом Ома, используя полученные значения Ux и Ix.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1065Y true MD1065Y (ru) | 2016-08-31 |
| MD1065Z MD1065Z (ru) | 2017-03-31 |
Family
ID=56855222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20150148A MD1065Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1065Z (ru) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1597802A1 (ru) * | 1987-04-17 | 1990-10-07 | Институт радиофизики и электроники АН АрмССР | Устройство дл измерени параметров источников питани |
| RU19420U1 (ru) * | 2001-05-18 | 2001-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Связьприбор" | Устройство для измерения электрических параметров и определения места повреждения кабельных линий |
| US8263002B1 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-11 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of ZnO nanorod-based hydrogen gas nanosensor |
| RU2541723C1 (ru) * | 2013-09-17 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Прецизионный аналого-цифровой интерфейс для работы с резистивными микро- и наносенсорами |
-
2015
- 2015-11-09 MD MDS20150148A patent/MD1065Z/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1065Z (ru) | 2017-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016114585A5 (ru) | ||
| MY187633A (en) | Gas concentration detecting device | |
| MD1065Y (ru) | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов | |
| CN204269734U (zh) | 一种独立的高压绝缘监测装置 | |
| PL398277A1 (pl) | Sposób sterowania elektrodami do pomiaru bioimpedancyjnych i urzadzenie do pomiarów bioimpedancyjnych | |
| MD444Z (ru) | Измеритель импеданса | |
| MD445Z (ru) | Измеритель импеданса | |
| VERJBIŢKI et al. | Device and method for measuring the resistance of sensors based on nanostructured semiconductor oxides | |
| MD1269Z (ru) | Устройство и метод измерения параметров сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне порядка микроватт | |
| TW201443446A (zh) | 負電壓檢知裝置 | |
| CN202041488U (zh) | 生物产品的离子测量装置 | |
| CN105675952A (zh) | 电流测量装置、方法及其制作方法 | |
| CN106841806B (zh) | 一种钢轨电阻的测量装置及方法 | |
| CN204228921U (zh) | 一种无源便携式非电量直跳继电器测试仪 | |
| MD1270Z (ru) | Устройство для измерения параметров сенсора на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне порядка микроватт | |
| RU86755U1 (ru) | Среднеквадратический преобразователь | |
| JP2019193433A5 (ru) | ||
| RU2596905C1 (ru) | Способ уменьшения температурной погрешности датчика холла | |
| MD859Y (ru) | Метод измерения составляющих импеданса | |
| PL410735A1 (pl) | Sposób obserwowania urządzenia elektrycznego i strażnik urządzenia elektrycznego | |
| Stankov | Resistance to Voltage Converter with Increased Sensitivity | |
| MX373489B (es) | Aparato de proteccion. | |
| MD1023Y (ru) | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов | |
| UA108581C2 (en) | Method of overredundant (superredundant) resistance measurement of resistors and resistive sensors | |
| PL407423A1 (pl) | Sposób ograniczenia wpływu odkształcenia napięcia sieci na dokładność pomiaru impedancji uziemienia metodą techniczną |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |