MD1269Z - Устройство и метод измерения параметров сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне порядка микроватт - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в измерительных приборах, в которых используются сенсоры на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов.Устройство измерения сопротивления сенсора на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне микроватт включает источник регулируемого опорного напряжения Uref, подключенный к выходу микроконтроллера и соединенный последовательно с исследованным наноструктурным сенсором Rx и образцовым сопротивлением Ro, точка соединения которого с исследуемым сенсором Rx соединена с входом микроконтроллера, при этом общие цепи образцового резистора Ro, источника опорного напряжения Uref и микроконтроллера соединены с землей.Метод измерения сопротивления сенсора на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов в диапазоне микроватт состоит в том, что измеряется напряжение Uref источника опорного напряжения, измеряется падение напряжения на образцовом резисторе Uro, расчитывается величина падения напряжения на исследуемой наноструктуре по формуле=Uref-Uro, рассчитывается величина тока, протекающего через наноструктуру по формуле=/Ro, рассчитывается мощность, приложенная к наноструктуре=*, устанавливается величина опорного напряжения Uref таким образом, чтобы мощностьне превышала максимально допустимое значение Pm согласно выражению≤Pm. Расчет величины сопротивления сенсора Rx выполняется в соответствии с законом Ома, используя полученные значенияи.