TW201624662A - 半導體裝置及具備此之交流阻抗計測系統 - Google Patents

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平井正人
秀玲 林
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Abstract

本發明係一種半導體裝置及具備此之交流阻抗計測系統，其中，提供可抑制電路規模之增大的半導體裝置及具備此之交流阻抗計測系統。 解決手段為如根據一實施形態，半導體裝置(1)係具備：生成因應控制信號(S1)之振幅的交流電壓(Vg)之交流電壓生成部(11)，和對於計測對象(Rm)而言串聯地加以設置，加以施加交流電壓(Vg)之阻抗元件(Rr)，和檢出阻抗元件(Rr)的兩端間的差電壓(Vr)則到達至規定電壓(Vref)之電壓檢出部(12)，和加以檢出經由電壓檢出部(12)而到達至規定電壓(Vref)為止，呈交流電壓(Vg)振幅變化地，輸出控制信號(S1)之控制部(13)。

Description

半導體裝置及具備此之交流阻抗計測系統
本發明係有關半導體裝置及具備此之交流阻抗計測系統，例如有關適合於抑制電路規模之增大的半導體裝置及具備此之交流阻抗測定系統。
計測體脂肪等之體組成的計測裝置係計測流動交流基準電流腳等之計測對象時之交流電壓，將此計測結果為基礎而算出該計測對象之交流阻抗。自此交流阻抗而加以推定體脂肪等之體組成。
計測體脂肪之技術係例如，揭示於專利文獻1。揭示於專利文獻1之構成係使用AD轉換器而計測計測對象之交流電壓(放大電路之輸出)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-113872號公報
在專利文獻1之構成中，計測對象之交流電壓為寬範圍之故，對於其計測係必須使用高分解能之AD轉換器。在此，作為代表性之高分解能之AD轉換器，知道有△Σ方式之AD轉換器。△Σ方式之AD轉換器的取樣頻率數係較通常的AD轉換器之取樣頻率數為低之故，而成為較計測對象之交流電壓的頻率數為低之可能性為高。此情況，△Σ方式之AD轉換器係無法直接計測計測對象之交流電壓之故，而必須將計測對象的交流電壓進行檢波，更且作為平順化而計測變換為直流電壓之構成。
也就是，專利文獻1之構成係必須具備加上於高分解能之AD轉換器，將計測對象的交流電壓進行檢波之檢波電路，和進行平順化之平順化電路之故，而有電路規模增大的問題。其他的課題與新穎的特徵係成為從本說明書之記述及添加圖面而了解到。
如根據一實施形態，半導體裝置係具備：生成因應控制信號之振幅的交流電壓之交流電壓生成部，和對於計測對象而言串聯地加以設置，加以施加前述交流電壓之阻抗元件，和檢出前述阻抗元件的兩端間的差電壓則到達至規定電壓之電壓檢出部，和依據前述電壓檢出部之 檢出結果，呈生成前述差電壓呈成為前述規定電壓之前述交流電壓地，對於前述交流電壓生成部而言，輸出前述控制信號之控制部。
如根據前述一實施形態，可提供可抑制電路規模之增大的半導體裝置及具備此之交流阻抗測定系統。
1‧‧‧半導體裝置
1a‧‧‧半導體裝置
1b‧‧‧半導體裝置
1c‧‧‧半導體裝置
2‧‧‧演算裝置
3‧‧‧輸入裝置
4‧‧‧顯示裝置
5‧‧‧記憶裝置
11‧‧‧交流電壓生成部
12‧‧‧電壓檢出部
13‧‧‧控制部
14‧‧‧電壓電路
111‧‧‧交流電壓源
112‧‧‧可變電壓器
113‧‧‧衰減器
121‧‧‧放大電路
122‧‧‧比較器
123‧‧‧AD轉換器
A1‧‧‧放大電路
A2‧‧‧反轉放大電路
Rr‧‧‧阻抗元件
Rm‧‧‧計測對象
T1‧‧‧電極
T2‧‧‧電極
SYS1‧‧‧交流阻抗計測系統
SYS2‧‧‧交流阻抗計測系統
SYS3‧‧‧交流阻抗計測系統
圖1
顯示有關實施形態1之半導體裝置之構成的方塊圖。
圖2
顯示加以設置於圖1所示之半導體裝置之交流電壓生成部的構成例之方塊圖。
圖3
顯示圖1所示之半導體裝置之動作的流程圖。
圖4
顯示具備圖1所示之半導體裝置之交流阻抗計測系統的構成例的圖。
圖5
顯示有關實施形態2之交流阻抗計測系統之構成例的圖。
圖6
顯示有關實施形態3之交流阻抗計測系統之構成例的圖。
以下，對於實施形態，參照圖面同時加以說明。然而，圖面係因簡略的構成之故，並非將此圖面的記載作為根據而狹義解釋實施形態之技術範圍。另外，對於同一要素係附上同一之符號，重複之說明係省略之。
在以下的實施形態中，方便上其必要時，係分割成複數之部分或實施形態加以說明，但除了特別明示之情況，此等並非互相無關之構成，而一方係有著對於另一方之一部分或全部的變形例，應用例，詳細說明，補足說明等之關係。另外，在以下的實施形態中，提及要素的數等(包含個數，數值，量，範圍等)之情況，除了特別明示之情況及限定於原理上明確特定的數之情況等，而並非限定於其特定的數者，特定的數以上及以下即可。
更且，在以下的實施形態中，其構成要素(亦包含動作步驟等)係除了特別明示之情況及原理上認為明確必須之情況等，而未必必須者。同樣地，在以下之實施形態中，提及構成要素等之形狀，位置關係等時，除了特別明示之情況及原理上認為並非明確之情況等，作為實質上包含近似或類似於其形狀等之構成等。此情況係對於上述數等(包含個數，數值，量，範圍等)亦為同樣。
<實施形態1>圖1係顯示有關實施形態1之半 導體裝置1之方塊圖。有關本實施形態之半導體裝置1係例如，加以使用於計測體脂肪等之體組成之計測裝置。有關本實施形態之半導體裝置1係具備串聯地加以設置於腳等之計測對象，而加以施加交流電壓的阻抗元件，而計測在產生於其阻抗元件之兩端間之電壓到達至規定電壓之情況的該交流電壓。依據此時所計測之交流電壓的振幅值，與預先所知道之阻抗元件的阻抗值及流動於阻抗元件之交流電流的值，可算出計測對象的阻抗值。並且，可自所算出之計測對象的阻抗值而推定體組成。由此，有關本實施形態之半導體裝置1係無需使用△Σ方式等之高分解能的AD轉換器而計測計測對象之交流電壓之故，而成為無須具備檢波電路及平順化電路，其結果，可抑制電路規模之增大者。以下，具體地加以說明。
如圖1所示，半導體裝置1係具備：交流電壓生成部11，和電壓檢出部12，和控制部13，和電壓電路(基準電壓生成電路)14，和阻抗元件Rr。然而，對於圖1係亦加以顯示呈接觸於電極T1，T2地加以設置之計測對象Rm。
交流電壓生成部11係生成可調整振幅的交流電壓Vg。對於更詳細係交流電壓生成部11，係生成因應控制信號S1之振幅的交流電壓Vg。
(交流電壓生成部11之構成例)圖2係顯示交流電壓生成部11之構成例的方塊圖。如圖2所示，交流電壓生成部11係具備：生成特定振幅之交流電壓的交 流電壓源111，和以因應控制信號S1之振幅而放大自交流電壓源111所輸出之交流電壓，而作為交流電壓Vg而輸出之可變電壓器112。
交流電壓源111係例如，經由搭載DA轉換器之波形生成產生器，PWM裝置、或PFM裝置，和將此等任一之輸出波形整形為正弦波交流之低通濾波器而加以構成。可變電壓器112係經由可變放大電路或衰減器而加以構成。在此，加以顯示可變電壓器112則經由衰減器113而加以構成的例。
返回至圖1，阻抗元件Rr係對於計測對象Rm而言串聯地加以設置。換言之，阻抗元件Rr係與計測對象Rm同時，串聯地加以設置於交流電壓生成部11及電壓電路14之間。然而，電壓電路14係生成基準電壓之電路。在本實施形態中，以例說明基準電壓為電源電壓及接地電壓GND之中間電壓(=(電源電壓+接地電壓)/2)之情況。
對於更詳細而言，阻抗元件Rr係加以設置於交流電壓生成部11，和計測對象Rm所接觸之一方的電極T1之間。計測對象Rm所接觸之另一方的電極T2係加以連接於電壓電路14側。
對於藉由阻抗元件Rr及計測對象Rm之電流路徑之一端側(即，在此係阻抗元件Rr之一端側)，係加以施加自交流電壓生成部11之交流電壓Vg。另外，此電流路經之其他端側(即，在此係計測對象Rm之電極T2 側)，係加以施加自電壓電路14之基準電壓。經由此，對於阻抗元件Rr及計測對象Rm係流動有交流電流Im。
電壓檢出部12係檢出阻抗元件Rr之兩端間的差電壓Vr則是否到達規定電壓Vref。例如，電壓檢出部12係差電壓Vr未達到規定電壓Vref之情況，將檢出結果D1作為非主動(例如，L位準)，而差電壓Vr到達至規定電壓Vref之情況，將檢出結果D1作為主動(例如，H位準)。
控制部13係例如為微電腦，輸出因應電壓檢出部12之檢出結果的控制信號S1。具體而言，控制部13係呈生成檢出結果D1呈成為主動的(即，差電壓Vr呈成為規定電壓Vref之)振幅的交流電壓Vg地，對於交流電壓生成部11而言輸出控制信號S1。
(半導體裝置1之動作)接著，對於半導體裝置1之動作加以說明。圖3係顯示半導體裝置1之動作的流程圖。
如圖3所示，在初期狀態中，交流電壓生成部11之設定值N則加以設定為0(步驟S101)。然而，設定值N係表示交流電壓Vg的振幅大小，設定值N越大，而交流電壓Vg之振幅係變大。隨之，在初期狀態中，交流電壓Vg的振幅為小。
此時，差電壓Vr則如未到達至規定電壓Vref(步驟S102的NO)，電壓檢出部12之檢出結果D1係成為非主動之故，控制部13係使交流電壓生成部11之設 定值N增加1個(步驟S103)。經由此，交流電壓Vg之振幅係變大一階段。
之後，差電壓Vr仍如未到達至規定電壓Vref(步驟S102的NO)，電壓檢出部12之檢出結果D1係維持非主動之故，控制部13係使交流電壓生成部11之設定值N又增加1個(步驟S103)。經由此，交流電壓Vg之振幅係又變大一階段。
控制部13係在差電壓Vr到達至規定電壓Vref而電壓檢出部12之檢出結果D1則從非主動切換為主動為止，反覆自步驟S102的NO至步驟S103之動作。也就是，控制部13係差電壓Vr到達至規定電壓Vref為止，呈階段性地增大交流電壓Vg之振幅地輸出控制信號S1。
當差電壓Vr到達至規定電壓Vref時(步驟S102之YES)，電壓檢出部12之檢出結果D1則自非主動切換為主動之故，控制部13係例如，呈不使交流電壓Vg之振幅變化為此以上地輸出控制信號S1。另外，控制部13係於交流電壓生成部11，使此時之設定值N的資訊輸出(步驟S104)。
也就是，控制部13係經由電壓檢出部12而加以檢出差電壓Vr到達至規定電壓Vref之情況，對於交流電壓生成部11，使此時之設定值N的資訊，即，此時的交流電壓Vg之振幅值之資訊輸出。然而，取代交流電壓生成部11而控制部13則直接輸出設定值N的資訊(交 流電壓Vg之振幅值的資訊)亦可。
並且，計測則結束(步驟S105)。
在此，計測對象Rm之阻抗值係可依據差電壓Vr到達至規定電壓Vref之情況，交流電壓Vg之振幅值，阻抗元件Rr之阻抗值，及流動至阻抗元件Rr之交流電流Im的值而算出。於以下，採用數式而詳細地說明。
首先，交流電壓Vg，阻抗元件Rr之兩端間的差電壓Vr，及計測對象Rm之兩端間(電極T1，T2間)之差電壓Vm的關係為如以下的式(1)所表示。
Vg=Vr+Vm．．．(1)
然而，差電壓Vr係到達至規定電壓Vref而加以固定(Vr≒Vref)。隨之，亦加以固定此時流動至阻抗元件Rr之交流電流Im(Im≒Vr/Rr)。
對於計測對象Rm係與阻抗元件Rr相同而流動有交流電流Im之故，計測對象Rm之阻抗值(Rm)、交流電流Im、及差電壓Vm的關係為如以下的式(2)所表示。
Vm=Rm×Im．．．(2)
對於式(1)代入式(2)時，如式(3)所表示。
Vg=Vr+(Rm×Im)．．．(3)
由式(3)，計測對象Rm之阻抗值(Rm)係如以下的式(4)所表示。
Rm=(Vg-Vr)/Im．．．(4)
如式(4)了解到，加以檢出經由電壓檢出部12而差電壓Vr到達至規定電壓Vref之情況，差電壓Vr則顯示規定電壓Vref，而交流電流Im則顯示以Vr/Rr所決定的值之故，由僅計測此時之交流電壓Vg，可算出計測對象Rm之阻抗值(Rm)者。並且，可推定自所算出之阻抗值Rm的體組成。
例如，當將阻抗元件Rr的阻抗值作為100Ω、而將交流電流Im的值作為500μA(1.414mApp)、將交流電壓Vg的值作為500mVpp時，自式(4)，計測對象Rm之阻抗值(Rm)係成為呈以下。
Rm={500[mVpp]-(100[Ω]×1.414[mApp])}/1.414[mApp]=253.6[Ω]。
如此，有關本實施形態之半導體裝置1係計測產生在串聯地加以設置於腳等之計測對象Rm的阻抗元件Rr両端間之電壓Vr則到達至規定電壓Vref之交流電壓Vg。依據此時所計測之交流電壓Vg的振幅值，與預先所知道之阻抗元件Rr的阻抗值及流動於阻抗元件Rr之交流電流Im的值，可算出計測對象Rm的阻抗值。並且，可自所算出之計測對象Rm的阻抗值而推定體組成。由此，有關本實施形態之半導體裝置1係無需使用△Σ方式等之高分解能的AD轉換器而計測計測對象之交流電壓之故，而成為無須具備檢波電路及平順化電路，其結果，可抑制電路規模之增大者。另外，亦可抑制消耗電力的增大者。
(具備半導體裝置1之交流阻抗計測系統)圖4係顯示具備半導體裝置1之交流阻抗計測系統SYS1之構成例的圖。然而，在圖4中，作為半導體裝置1之具體的構成例而加以顯示半導體裝置1a。
如圖4所示，交流阻抗計測系統SYS1係具備：半導體裝置1a，和演算裝置(演算處理裝置)2，和輸入裝置3，和顯示裝置4，和記憶裝置5。
輸入裝置3係輸入對於體脂肪等之體組成的推定必要之資訊的裝置。演算裝置2係自經由半導體裝置1a之計測結果(設定值N的資訊等)算出計測對象Rm之阻抗值，以及依據所算出之計測對象Rm之阻抗值推定體組成之裝置。顯示裝置4係顯示經由演算裝置2而加以推定之體脂肪等之體組成的裝置。記憶裝置5係記憶過去的資料，以及記憶演算裝置2之演算程式等之裝置。
半導體裝置1a係作為電壓檢出部12而具備放大電路121及比較器122。放大電路121係放大阻抗元件Rr之両端間的差電壓Vr。比較器122係比較所放大之差電壓Vr與規定電壓Vref，而將比較結果作為檢出結果D1而加以輸出。例如，比較器122係於所放大之差電壓Vr則較規定電壓Vref為小之情況，輸出L位準之檢出結果D1，而於所放大之差電壓Vr則為規定電壓Vref以上之情況，輸出H位準之檢出結果D1。對於半導體裝置1a之其他的構成及動作，係與半導體裝置1同樣之故，省略其說明。
在本實施形態中，以例說明過電壓檢出部12則具備放大電路121及比較器122的例，但不限於此。阻抗元件Rr之兩端間的差電壓Vr則如為大到某程度，電壓檢出部12係未必具備放大電路121亦可。
另外，電壓檢出部12係取代比較器122而具備AD轉換器123亦可。AD轉換器123係將差電壓Vr或其放大電壓變換為數位值而作為檢出結果D1而輸出。此情況，控制部13係依據檢出結果D1而可迅速地將交流電壓生成部11之設定值N設定為最佳的值之故，成為可效率佳而將差電壓Vr調整為規定電壓Vref者。然而，AD轉換器123係如具有較產生於計測對象Rm之交流電壓Vm的頻率數為高之取樣頻率數之構成即可。例如，交流電壓Vm的頻率數為50kHz之情況，AD轉換器123係如具有50ksps以上之取樣頻率數的構成即可。也就是，AD轉換器123係無須高分解能之AD轉換器，而例如，為泛用MCU內藏之SAR型AD轉換器等亦可。此時，無須檢波電路及平順化電路。
<實施形態2>圖5係顯示有關實施形態2之交流阻抗計測系統SYS2之構成例的圖。然而，在圖5中，作為半導體裝置1之具體的構成例而加以顯示半導體裝置1b。
如圖5所示，交流阻抗計測系統SYS2係具備：半導體裝置1b，和演算裝置2，和輸入裝置3，和顯示裝置4，和記憶裝置5。
半導體裝置1b係作為電壓檢出部12而具備放大電路121及比較器122之同時，更具備放大電路(正轉放大電路)A1，反轉放大電路A2。然而，未加以設置電壓電路14。
在本實施形態中，以例說明放大電路A1及反轉放大電路A2之放大率均為1倍之情況，但不限於此。放大電路A1及反轉放大電路A2之放大率係以將產生於阻抗元件Rr之両端間的差電壓Vr，抑制為比較器121之容許輸入電壓的範圍內等之目的，可做適宜調整。
放大電路A1係放大經由交流電壓生成部11而加以生成之交流電壓Vg而輸出。反轉放大電路A2係反轉放大放大電路A1之輸出而輸出。然而，交流電壓生成部11則對於使用可變放大電路而生成交流電壓Vg之情況，反轉放大電路A2係直接反轉放大交流電壓Vg之構成亦可。
對於藉由阻抗元件Rr及計測對象Rm之電流路徑之一端側(即，在此係阻抗元件Rr之一端側)，係加以施加放大電路A1之輸出電壓。另外，此電流路經之其他端側(即，在此係計測對象Rm之電極T2側)，係加以施加反轉放大電路A2之輸出電壓。經由此，對於阻抗元件Rr及計測對象Rm係流動有交流電流Im。
對於半導體裝置1b之其他的構成及動作，係與半導體裝置1同樣之故，省略其說明。
在此，交流電壓Vg，阻抗元件Rr之兩端間 的差電壓Vr，及計測對象Rm之兩端間(電極T1，T2間)之差電壓Vm的關係為如以下的式(5)所表示。
2Vg=Vr+Vm．．．(5)
式(5)的左邊則成為2Vg之情況係因對於藉由阻抗元件Rr及計測對象Rm之電流路徑的一端側(阻抗元件Rr側)，係施加與交流電壓Vg同相位之交流電壓，而對於另一端側(計測對象Rm側)係加以施加與交流電壓Vg逆相之交流電壓之故。
然而，差電壓Vr係到達至規定電壓Vref而加以固定(Vr≒Vref)。隨之，亦加以固定此時流動至阻抗元件Rr之交流電流Im(Im≒Vr/Rr)。
對於計測對象Rm係與阻抗元件Rr相同而流動有交流電流Im之故，計測對象Rm之阻抗值(Rm)、交流電流Im、及差電壓Vm的關係為如以下的式(6)所表示。
Vm=Rm×Im．．．(6)
對於式(5)代入式(6)時，如式(7)所表示。
2Vg=Vr+(Rm×Im)．．．(7)
由式(7)，計測對象Rm之阻抗值(Rm)係如以下的式(8)所表示。
Rm=(2Vg-Vr)/Im．．．(8)
如式(8)了解到，加以檢出經由電壓檢出部12而差電壓Vr到達至規定電壓Vref之情況，差電壓Vr 則顯示規定電壓Vref，而交流電流Im則顯示以Vr/Rr所決定的值之故，由僅計測此時之交流電壓Vg，可算出計測對象Rm之阻抗值(Rm)者。並且，可推定自所算出之阻抗值Rm的體組成。
例如，當將阻抗元件Rr的阻抗值作為100Ω、而將交流電流Im的值作為500μArms(1.414mApp)、將交流電壓Vg的值作為250mVpp時，自式(4)，計測對象Rm之阻抗值(Rm)係成為呈以下。
Rm={2×250[mVpp]-(100[Ω]×1.414[mApp])}/1.414[mApp]=253.6[Ω]。
如此，半導體裝置1b及具備此之交流阻抗計測系統SYS2係可得到與半導體裝置1a及具備此之交流阻抗計測系統SYS1同等之效果者。更且，半導體裝置1b及具備此之交流阻抗計測系統SYS2係如為與半導體裝置1a及具備此之交流阻抗計測系統SYS1相同的計測精確度，可將交流電壓Vg的範圍抑制為約一半之故，可以低電壓之動作。
在本實施形態中，對於加以設置放大電路A1之情況加以說明過，但並不限於此。對於交流電壓生成部11則使用可變放大電路而生成交流電壓Vg之情況，未必加以設置放大電路A1亦可。此情況，反轉放大電路A2係直接反轉放大交流電壓Vg而加以輸出。另外，對於藉由阻抗元件Rr及計測對象Rm之電流路徑之一端側(阻抗元件Rr側)，加以直接施加交流電壓Vg。
<實施形態3>圖6係顯示有關實施形態3之交流阻抗計測系統SYS3之構成例的圖。然而，在圖6中，作為半導體裝置1之具體的構成例而加以顯示半導體裝置1c。
交流阻抗計測系統SYS3係具備：半導體裝置1c，和演算裝置2，和輸入裝置3，和顯示裝置4，和記憶裝置5。半導體裝置1c係與半導體裝置1b做比較，取代比較器122而具備AD轉換器123。對於半導體裝置1c及具備此之交流阻抗計測系統SYS3之其他的構成，係與半導體裝置1b及具備此之交流阻抗計測系統同樣之故，省略其說明。另外，對於AD轉換器123，既已說明過。
以上，依據實施形態而具體地說明過經由本發明者所作為之發明，但本發明係並不加以限定於既已敘述之實施形態者，而在不脫離其內容之範圍當然可做種種變更者。
例如，在有關上述實施形態之半導體裝置中，作為使半導體基板，半導體層，擴散層(擴散範圍)等之導電型(p型或n型)反轉之構成亦可。因此，將n型、及p型之一方的導電型作為第1導電型，而將另一方之導電型作為第2導電型之情況，亦可將第1導電型作為p型，而將第2導電型作為n型者，相反地亦可將第1導電型作為n型，而將第2導電型作為p型者。
1‧‧‧半導體裝置
11‧‧‧交流電壓生成部
12‧‧‧電壓檢出部
13‧‧‧控制部
14‧‧‧電壓電路
T1‧‧‧電極
T2‧‧‧電極
Rr‧‧‧阻抗元件
Rm‧‧‧計測對象
S1‧‧‧控制信號
D1‧‧‧檢出結果
Vg‧‧‧交流電壓
Vm‧‧‧差電壓
Vr‧‧‧差電壓
Im‧‧‧交流電流

Claims (12)

  1. 一種半導體裝置，其特徵為係具備：生成因應控制信號之振幅的交流電壓之交流電壓生成部，和對於計測對象而言串聯地加以設置，加以施加前述交流電壓之阻抗元件，和檢出前述阻抗元件的兩端間的差電壓則到達至規定電壓之電壓檢出部，和依據前述電壓檢出部之檢出結果，呈生成前述差電壓呈成為前述規定電壓之前述交流電壓地，對於前述交流電壓生成部而言，輸出前述控制信號之控制部。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，前述電壓檢出部係具備：比較前述阻抗元件的兩端間之差電壓，和前述規定電壓之比較器者。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之半導體裝置，其中，前述電壓檢出部係更具備：放大前述阻抗元件的兩端間之差電壓的放大電路，而前述比較器係比較前述放大電路之輸出電壓，和前述規定電壓者。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，前述電壓檢出部係具備：變換為因應前述阻抗元件的兩端間之差電壓之數位值之AD轉換器者。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之半導體裝置，其中，前述電壓檢出部係更具備：放大前述阻抗元件的兩端間之差電壓的放大電路，而前述AD轉換器係變換為因應前述放大電路之輸出電壓的數位值者。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中， 前述控制部係加以檢出經由前述電壓檢出部而前述差電壓到達至前述規定電壓為止，呈階段性地使前述交流電壓的振幅增大地輸出前述控制信號者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，前述交流電壓生成部係具有：生成特定振幅之交流電壓的交流電壓源，和以因應前述控制信號的振幅而放大或衰減前述交流電壓之可變放大電路或衰減器。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，對於藉由前述阻抗元件及前述計測對象之電流路徑的一端，係加以施加前述交流電壓，而對於前述電流路徑之其另一端係加以施加基準電壓者。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置，其中，更具備對於前述電流路徑之另一端施加前述基準電壓之基準電壓生成電路者。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，對於藉由前述阻抗元件及前述計測對象之電流路徑的一端，係加以施加前述交流電壓，而對於前述電流路徑之其另一端係加以施加反轉前述交流電壓之電壓者。
  11. 如申請專利範圍第10項記載之半導體裝置，其中，更具備放大前述交流電壓而輸出至前述電流路徑之一端的正轉放大電路，和反轉放大前述交流電壓而輸出至前述電流路徑之另一端之反轉放大電路。
  12. 一種交流阻抗計測系統，其特徵為具備：如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，和在經由前述電壓檢 出部而加以檢出前述差電壓到達至前述規定電壓之情況，依據前述交流電壓的值，前述阻抗元件之阻抗值，及流動至前述阻抗元件之交流電流的值，算出前述計測對象之阻抗值之演算處理裝置者。
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