MD1269Z - Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la domeniul tehnicii de măsurare şi poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi.Dispozitivul de măsurare a rezistenţei senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor include o sursă de tensiune de referinţă reglabilă Uref, conectată la ieşirea unui microcontroler şi unită în serie cu senzorul nanostructurat cercetat Rx şi un rezistor de referinţă Ro, punctul de legătură al căruia cu senzorul cercetat Rx este conectat la intrarea microcontrolerului, totodată circuitele comune al rezistorului de referinţă Ro, sursei de tensiune de referinţă Uref şi ale microcontrolerului sunt unite la pământ.Metoda de măsurare a rezistenţei senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor constă în aceea că se măsoară tensiunea Uref a sursei de tensiune de referinţă, se măsoară căderea de tensiune pe rezistorul de referinţă Uro, se calculează căderea de tensiune pe nanostructura cercetată conform formulei= Uref-Uro, se calculează valoarea curentului care trece prin nanostructură după formula=/Ro, se calculează puterea aplicată pe nanostructură=*, se setează valoarea tensiunii de referinţă Uref astfel, încât putereasă nu depăşească valoarea maxim admisibilă Pm în conformitate cu expresia≤Pm. Calcularea valorii rezistenţei senzorului Rx se efectuează conform legii lui Ohm, utilizând valorile obţinuteşi.